JPWO2018139058A1

JPWO2018139058A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

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Publication number: JPWO2018139058A1
Application number: JP2018564137A
Authority: JP
Inventors: 直也福本; 大輔柳生; 裕太山口; 祥子植竹; 剛加藤; 冨田　　浩幸; 隆太宮坂; 克己室伏
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2017-01-26
Filing date: 2017-12-04
Publication date: 2019-11-14
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Abstract

下記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を供する。Ｒ１−Ｒ２−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−Ｒ４−Ｒ５（１）（式（１）中、Ｒ１とＲ５は同じであっても異なっていてもよく、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基であり、Ｒ２とＲ４は同じであっても異なっていてもよく、極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖である。ただし、Ｒ１とＲ２、Ｒ４とＲ５は、酸素原子など炭素原子以外の原子の存在によって区分される。）

Description

本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、それを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。本願は、２０１７年１月２６日に、日本に出願された特願２０１７−０１２３４５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されており、特に高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来の磁気記録媒体は、磁気記録媒体の耐久性、信頼性を確保するために、基板上に形成された磁気記録層の上に、保護層と潤滑層を設けている。特に最表面に設けられる潤滑層は、長期安定性、化学物質耐性（シロキサン等のコンタミネーションを防ぐ）、耐摩耗性等の様々な特性が求められる。

このような要求に対し、従来、磁気記録媒体用潤滑剤として、分子内に不飽和基を含有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤が多く用いられている。
パーフルオロポリエーテル系潤滑剤としては、例えば、重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物を含むものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この潤滑剤は、活性エネルギー線照射処理により重合性不飽和基含有パーフロロポリエーテル化合物が重合することにより、潤滑剤同士の結合力が高まり、優れた静摩擦係数、スピンオフ特性を示す。
また、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤としては、例えば、光架橋性官能基含有化合物を含むものが知られている（例えば、特許文献２参照）。この潤滑剤は、光架橋性官能基含有化合物が架橋することにより、潤滑剤同士が結合し、高いボンド率を示す。
また、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤としては、例えば、極性基を有してもよいアルケニル基を有する含フッ素化合物を含むものが知られている（例えば、特許文献３参照）。この潤滑剤は、優れた潤滑性摩擦係数を示す。

特開２００１−２０９９２４号公報特開２００１−１３４９２４号公報特許第２８６６６２２号公報

近年の磁気記録媒体の急速な情報記録密度向上に伴い、磁気ヘッドと磁気記録媒体の記録層間の磁気スペーシングの低減が求められている。そのため、磁気ヘッドと磁気記録媒体の記録層の間に存在する潤滑層は、より一層の薄膜化が求められている。磁気記録媒体の最表面をなす潤滑層に用いられる潤滑剤は、磁気記録媒体の耐久性に大きな影響を及ぼす。しかし、例え潤滑層が薄膜化したとしても、磁気記録媒体にとっては、耐摩耗性等の信頼性が不可欠である。

さらに、用途の多様化等により、磁気記録媒体に求められる環境耐性は非常に厳しくなっている。そのため、従来にも増して、磁気ディスクの信頼性に大きな影響を及ぼす潤滑層を構成する潤滑剤の信頼性、特に化学物質耐性等の特性のより一層の向上が求められている。
しかしながら、一般的に潤滑層の膜厚を薄くすると、潤滑層によって磁気記録媒体を充分に被覆できなくなり、化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向があった。

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、膜厚が薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を実現可能な磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を用いた潤滑層を有し、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、上記課題を解決するために、パーフルオロポリエーテル鎖の両端に、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と、極性基を有する２価の連結基とを含む含フッ素エーテル化合物を用いればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。

［１］下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１−Ｒ^２−ＣＨ_２−Ｒ^３−ＣＨ_２−Ｒ^４−Ｒ^５（１）
（式（１）中、Ｒ^１とＲ^５は同じであっても異なっていてもよく、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基であり、Ｒ^２とＲ^４は同じであっても異なっていてもよく、極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である。ただし、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^４とＲ^５は、酸素原子など炭素原子以外の原子の存在によって区分される。）

［２］前記Ｒ^１および前記Ｒ^５はそれぞれ、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数３〜５のアルキニル基である、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］前記Ｒ^１および前記Ｒ^５はそれぞれ、ビニル基、アリル基、３−ブテニル基、４−ペンテニル基、プロパギル基、３−ブチニル基、および４−ペンチニル基からなる群から選択される１種である、［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［４］前記Ｒ^２と前記Ｒ^４に含まれる極性基が水酸基である、［１］〜［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［５］前記Ｒ^２と前記Ｒ^４が、下記式（２−１）または下記式（２−２）で表わされる、［１］〜［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ）_ａ− （２−１）
（式（２−１）中、ａは１〜３を表す。）
−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ）_ａ−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ− （２−２）
（式（２−２）中、ａは１〜３を表す。）

［６］前記Ｒ^３が、下記式（３）〜（５）のいずれかで表される、［１］〜［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
−ＣＦ_２−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ−（ＯＣＦ_２）_ｃ−ＯＣＦ_２− （３）
（式（３）中、ｂ、ｃはそれぞれ０〜２０を表すが、ｂ、ｃが同時に０となることはない。）
−ＣＦ（ＣＦ_３）−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ−ＯＣＦ（ＣＦ_３）− （４）
（式（４）中、ｄは１〜２０を表す。）
−ＣＦ_２ＣＦ_２−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ−ＯＣＦ_２ＣＦ_２− （５）
（式（５）中、ｅは１〜２０を表す。）

［７］数平均分子量が５００〜１００００の範囲内である、［１］〜［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［８］［１］〜［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
［９］基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］〜［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１０］前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜２ｎｍである［９］に記載の磁気記録媒体。

本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を有するため、信頼性および耐久性に優れる。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。

［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ^１−Ｒ^２−ＣＨ_２−Ｒ^３−ＣＨ_２−Ｒ^４−Ｒ^５（１）
（式（１）中、Ｒ^１とＲ^５は同じであっても異なっていてもよく、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基であり、Ｒ^２とＲ^４は同じであっても異なっていてもよく、極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である。ただし、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^４とＲ^５は、酸素原子など炭素原子以外の原子の存在によって区分される。）

上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５は、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基である。本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１中のアルケニル基またはアルキニル基とＲ^２中の極性基、およびＲ^５中のアルケニル基またはアルキニル基とＲ^４中の極性基がそれぞれ、これを含む潤滑層において保護層との良好な相互作用を示す。本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基は、含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）に求められる性能等に応じて適宜選択できる。

Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数２〜８のアルケニル基は、二重結合を１つ有する基である。Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数２〜８のアルケニル基は、極性基を有する２価の連結基Ｒ^２およびＲ^４と結合している。
Ｒ^１および／またはＲ^５がアルケニル基である場合、アルケニル基の炭素原子数が８以下であるため、Ｒ^１のアルケニル基とＲ^２の極性基および／またはＲ^５のアルケニル基とＲ^４の極性基がそれぞれ適切な距離をとる。このことで、これを含む潤滑層において保護層との良好な相互作用を示す。Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数２〜８のアルケニル基としては、特に限定されるものではなく、例えば、ビニル基、アリル基、クロチル基、ブテニル基、ベータメタリル基、メチルブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、及びオクテニル基等が挙げられる。これらの中でも、磁気記録媒体の保護層との良好な親和性を示す点から、炭素原子数２〜５のアルケニル基であるビニル基、アリル基、３−ブテニル基、及び４−ペンテニル基が好ましく、特にアリル基が好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^５が炭素原子数３以上のアルケニル基である場合、含フッ素エーテル化合物の最末端に二重結合が配置されていることが好ましい。この場合、含フッ素エーテル化合物の最末端でない位置に二重結合が配置されている場合と比較して、Ｒ^１および／またはＲ^５中のアルケニル基と保護層との相互作用が得られやすくなり、潤滑層と保護層との親和性がより良好となる。

Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数３〜８のアルキニル基は、三重結合を１つ有する基である。Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数３〜８のアルキニル基は、極性基を有する２価の連結基Ｒ^２およびＲ^４と結合している。
Ｒ^１および／またはＲ^５がアルキニル基である場合、アルキニル基の炭素原子数が８以下であるため、Ｒ^１のアルキニル基とＲ^２の極性基および／またはＲ^５のアルキニル基とＲ^４の極性基がそれぞれ適切な距離をとることで、これを含む潤滑層において保護層との良好な相互作用を示す。Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数３〜８のアルキニル基としては、特に限定されるものではなく、例えば、１−プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、メチルヘキシニル基、ヘプチニル基、及びオクチニル基等が挙げられる。これらの中でも、磁気記録媒体の保護層との良好な親和性を示す点から、炭素原子数３〜５のアルキニル基である１−プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、及びペンチニル基が好ましく、特にプロパルギル基が好ましい。また、アルキニル基は、ビニルペンチニル基のように分子中にアルケニル基を含む形態であってもよい。Ｒ^１および／またはＲ^５が炭素原子数３以上のアルキニル基である場合、含フッ素エーテル化合物の最末端に三重結合が配置されていることが好ましい。この場合、含フッ素エーテル化合物の最末端でない位置に三重結合が配置されている場合と比較して、Ｒ^１および／またはＲ^５中のアルキニル基と保護層との相互作用が得られやすくなり、潤滑層と保護層との親和性がより良好となる。

上記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４は、極性基を有する２価の連結基である。Ｒ^２とＲ^４は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ^２およびＲ^４は極性基を有するため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、保護層上に潤滑層を形成した場合、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。極性基を有する２価の連結基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。

Ｒ^２とＲ^４における２価の連結基は、少なくとも１つの極性基を有する２価の連結基である。
極性基としては、保護層上に含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層を成膜した場合、潤滑剤と保護層との間に好適な相互作用が発生するような極性基である必要がある。このような極性基としては、例えば、ヒドロキシル基（水酸基）（−ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ_２）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）、カルボニル基（−ＣＯ−）、及びスルフォン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）等が挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシル基が特に好ましい。ヒドロキシル基は、保護層、とりわけ炭素系保護層との相互作用が強く、潤滑層と保護層表面との密着性が高くなる。

Ｒ^２およびＲ^４はそれぞれ、下記式（２−１）または下記式（２−２）で表わされる２価の連結基であることが好ましい。なお、下記式（２−２）においては、右側がＲ^１またはＲ^５側となることが好ましい。
−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ）_ａ− （２−１）
（式（２−１）中、ａは１〜３を表す。）
−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ）_ａ−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ− （２−２）
（式（２−２）中、ａは１〜３を表す。）
上記式（２−１）および上記式（２−２）におけるａが１〜３であるため、Ｒ^２とＲ^４における極性基と保護層表面との相互作用が得られる。したがって、Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と保護層表面との相互作用に加えて、Ｒ^２とＲ^４における極性基と保護層表面との相互作用が強くなり、潤滑層と保護層との親和性がより良好となる。
上記式（２）におけるａが３以下であれば、極性基の極性が高くなり過ぎることがなく、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生し難い。上記ａは１、２又は３の何れかの整数であることができる。

また、含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基の結合している炭素原子と、Ｒ^２とＲ^４における極性基が結合した炭素原子との間に、鎖状に結合した炭素原子などの炭素原子および酸素原子（少なくとも−Ｏ−ＣＨ_２−）が配置されたものとなる。したがって、例えば、Ｒ^１（またはＲ^５）の最もＲ^２（またはＲ^４）側の炭素にＲ^２（またはＲ^４）に使用されたような極性基が直接結合している場合と比較して、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と極性基との相互作用が弱くなる。一方、Ｒ^１およびＲ^５、並びにＲ^２およびＲ^４における極性基と、保護層表面に多数存在する官能基との相互作用は、Ｒ^１（またはＲ^５）の最もＲ^２（またはＲ^４）側の炭素にＲ^２（またはＲ^４）に使用されたような極性基が直接結合している場合と比較して、相対的に高くなる。その結果、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、保護層上に潤滑層を形成した場合、潤滑層と保護層表面との密着性が高くなる。

したがって、Ｒ^２およびＲ^４はそれぞれ、上記式（２−１）または上記式（２−２）で表わされる２価の連結基である場合、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層は、より優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する層となる。なお、潤滑層と保護層との親和性の観点から、Ｒ^１およびＲ^５の炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と、Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基が結合している炭素原子との間に存在している、鎖状に結合した炭素原子と酸素原子の合計数は、２〜４であることが望ましい。

Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖（以下、「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。ＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層表面を被覆するとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。

ＰＦＰＥ鎖としては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体、及びパーフルオロイソプロピレンオキシド重合体等からなるものや、これら重合体に基づく鎖や、これら重合体の共重合体からなるもの等が挙げられる。

具体的には、Ｒ^３は、下記式（３）〜（５）のいずれかで表されるものであることが好ましい。Ｒ^３がこれらのＰＦＰＥ鎖であれば、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層は良好な潤滑性を示す。
−ＣＦ_２−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ−（ＯＣＦ_２）_ｃ−ＯＣＦ_２− （３）
（式（３）中、ｂ、ｃはそれぞれ０〜２０を表す。ただし、ｂ、ｃが同時に０となることはない。）
−ＣＦ（ＣＦ_３）−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ−ＯＣＦ（ＣＦ_３）− （４）
（式（４）中、ｄは１〜２０を表す。）
−ＣＦ_２ＣＦ_２−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ−ＯＣＦ_２ＣＦ_２− （５）
（式（５）中、ｅは１〜２０を表す。）

上記式（３）におけるｂ、ｃはそれぞれ０〜２０を表し、上記式（４）におけるｄは１〜２０を表し、上記式（５）におけるｅは１〜２０を表す。ｂ、ｃは、０及び１〜２０から選択される整数から選択しても良いし、小数点以下の数字であってもよい。ｄ、ｅは、１〜２０から選択される整数であっても良い。なおｂ、ｃ、ｄ、ｅは求められる特性によって必要に応じて選択してよい。例えば、求められる特性に応じて、０〜１５であることも好ましく、０〜１０であることも好ましく、０〜８や１〜８であることも好ましい。なお保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物のＰＦＰＥ鎖が短い程、保護層上でより一層膜厚が薄い潤滑層を形成できる。そのため、ｂ、ｃはそれぞれ０〜７であり、ｄ、ｅはそれぞれ１〜７であることがより好ましい。さらに、ｂは３〜７であること、ｃは０〜５であること、ｄ、ｅはそれぞれ４〜７であることが特に好ましい。
ｂ、ｃ、ｄ、ｅが２０以下であれば、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなり過ぎることがないため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が塗布し難いものとはならない。

上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５は、異なるものであってもよいし、同じものであってもよい。上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を容易に製造できることから、Ｒ^１とＲ^５が同じものであることが好ましい。
また、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２およびＲ^４は、異なるものであってもよいし、同じものであってもよい。上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を容易に製造できることから、Ｒ^２とＲ^４が同じものであることが好ましい。
したがって、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物のＲ^１とＲ^５が同じもので、かつＲ^２とＲ^４が同じものであると、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物をより容易に製造できる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（Ａ）〜（Ｊ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。下記式（Ａ）〜（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５が炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数３〜５のアルキニル基を有し、Ｒ^２およびＲ^４がそれぞれ上記式（２−１）で表わされる連結基であり、Ｒ^３が上記式（３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。なお、ｆ、ｇなどの数は平均値を示すため、必ずしも整数とはならない。

（式（Ａ）中、ｆ、ｇはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｆ、ｇが同時に０となることはない。）

（式（Ｂ）中、ｈ、ｉはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｈ、ｉが同時に０となることはない。）

（式（Ｃ）中、ｊ、ｋはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｊ、ｋが同時に０となることはない。）

（式（Ｄ）中、ｍ、ｎはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｍ、ｎが同時に０となることはない。）

（式（Ｅ）中、ｐ、ｑはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｐ、ｑが同時に０となることはない。）

（式（Ｆ）中、ｒ、ｓはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｒ、ｓが同時に０となることはない。）

（式（Ｇ）中、ｔ、ｕはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｔ、ｕが同時に０となることはない。）

（式（Ｈ）中、ｖ、ｗはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｖ、ｗが同時に０となることはない。）

（式（Ｉ）中、ｘ、ｙはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｘ、ｙが同時に０となることはない。）

（式（Ｊ）中、ｚ、ａａはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ｚ、ａａが同時に０となることはない。）

（Ｋ)
（式（Ｋ）中、ａb、ａcはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ａb、ａcが同時に０となることはない。）

(Ｌ)
（式（Ｌ）中、ａｄ、ａｅはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ａｄ、ａｅが同時に０となることはない。）

(Ｍ)
（式（Ｍ）中、ａｆ、ａｇはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ａｆ、ａｇが同時に０となることはない。）

(Ｎ)
（式（Ｎ）中、ａｈ、ａｉはそれぞれ０〜７を表す。ただし、ａｈ、ａｉが同時に０となることはない。）

（Ｏ）
（式（Ｏ）中、ａｊは１〜７を表す。）
上記ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、ａａ、ａｂ、ａｃ、ａｄ、ａｅ、ａｆ、ａｇ、ａｈ、およびａｉは、０〜７を表すが、求められる特性に応じて好ましい範囲を変えても良い。これらは整数でなくとも良い。例えば、それぞれ、０〜６であっても良く、１〜６であっても良く、或いは、０〜１や、０〜２や、２〜５や、３〜５や、３〜６の範囲であっても良い。上記ａｊは、１〜７を表すが、求められる特性に応じて好ましい範囲を変えても良い。これらは整数でなくとも良い。例えば、１〜６であっても良く、或いは、１〜２や、１〜３や、３〜５の範囲であっても良い。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００〜１００００の範囲内であることが好ましく、７５０〜７５００の範囲内であることがより好ましく、１０００〜５０００の範囲内であることが特に好ましい。
数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が優れた耐熱性を有するものとなる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に膜厚の薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、５０００以下であることが好ましい。

含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。具体的には、^１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求めた。なお、繰返し単位数は、平均値を示すため、小数点以下の数字で表される場合もある。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ−アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ−ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを−１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ−ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物を適当な方法で分子量分画することにより、分子量分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比）を１．３以下とすることが好ましい。
本実施形態において、分子量分画する方法としては、特に制限されないが、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーやゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法による分子量分画、超臨界抽出法による分子量分画等を用いることができる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、構造中にパーフルオロポリエーテル鎖を有し、かつ分子の末端に炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基、および極性基を有する２価の連結基を含有する。この炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と、極性基を有する２価の連結基との組み合わせにより、保護層表面との親和性が高く、薄膜でも被覆性が高い潤滑層を形成することができる。このような潤滑層を備えた磁気記録媒体は、充分な長期信頼性を保証できる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、分子の末端にある炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と、連結基に含まれる極性基との間が互いに離れており、それら同士の分子内における相互作用（親和性）は比較的低い。そのため、分子の末端にある炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基は、不飽和結合のπ結合が同じくπ結合を多数有する炭素保護膜との吸着を強固にでき、極性基は保護層表面に多数存在する官能基との相互作用が相対的に強まり、保護層との親和性を増大させることができると考えられる。
この場合、保護層との親和性の観点から、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基と、極性基との間の最短距離が３原子分以上離れていることが望ましい。

「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法としては、例えば、分子中にパーフルオロポリエーテル鎖を有し、分子末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物に対して、エポキシ基と、アルケニル基またはアルキニル基とを有する化合物を、２当量反応させる方法が挙げられる。エポキシ基と、アルケニル基またはアルキニル基とを有する化合物としては、例えば、下記式（６）〜（１６）で表される化合物が挙げられる。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）に示すように、Ｒ^３で表されるＰＦＰＥ鎖の両端に、Ｒ^２およびＲ^４で表される極性基を有する２価の連結基を介して、Ｒ^１およびＲ^５で表される炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基が結合している化合物である。ＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層の表面を被覆するとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。そして、ＰＦＰＥ鎖の両端に配置されたＲ^２およびＲ^４並びにＲ^１およびＲ^５と、ＰＦＰＥ鎖との組み合わせが、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との親和性を向上させる。その結果、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合、膜厚を薄くしても、高い被覆性が得られ、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮＡＭ−２００１（以上ＳｏｌｖａｙＳｏｌｅｘｉｓ社製）、ＭｏｒｅｓｃｏＡ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）等が挙げられる。
本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００〜１００００であることが好ましい。

本実施形態の潤滑剤が、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に加えて、他の材料を含む場合、潤滑剤の総量に対して、本実施形態の潤滑剤中の上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。８０質量％以上や９０質量％であることも好ましい。

本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、膜厚を薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。

［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に、付着層および軟磁性層の少なくとも一方を設けることもできる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金等の金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、又は樹脂等の非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
ガラス基板は剛性があり、平滑性に優れるため、高記録密度化に好適である。ガラス基板としては、例えば、アルミノシリケートガラス基板が挙げられ、特に化学強化されたアルミノシリケートガラス基板が好適である。

基板１１の主表面の粗さは、Ｒｍａｘが６ｎｍ以下、及びＲａが０．６ｎｍ以下の超平滑であることが好ましい。なお、ここでいう表面粗さＲｍａｘ、Ｒａは、ＪＩＳＢ０６０１の規定に基づくものである。

「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、及びＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、及びＣｏＦｅ合金等が挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、及びＮｂのいずれかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金、ＣｏＷ合金、ＣｒＷ合金、ＣｒＶ合金、又はＣｒＴｉ合金の層等が挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも１層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であることが好ましく、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、及びＺｒ等から選択される少なくとも１つを含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、及びＴｉＯ_２等が挙げられる。

磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、及びＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、及びＣｏ等の酸化物を用いることが好ましい。これらの中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。これらの中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、及びＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、及び酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、ＲｕおよびＲｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことができる。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、及びＰｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、及びＰｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、ＲｅおよびＭｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことができる。

磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、及びＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＺｒおよびＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、及びＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、及びＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、及びＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、及び従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護するための層である。保護層１７は、１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特にヒドロキシル基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３原子％〜２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４原子％〜１５原子％であることが好ましい。

炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

保護層１７の膜厚は、１ｎｍ〜７ｎｍであることが好ましい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７に含まれる含フッ素エーテル化合物と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

潤滑層１８の平均膜厚は任意に選択できるが、例えば、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）であることが好ましい。
潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。そのため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を充分小さくできる。

「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成するには、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。

潤滑層形成用溶液は任意の方法で製造できるが、例えば、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、及びディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。
このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。熱処理温度は任意に選択できるが、例えば１００℃〜１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が充分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０分〜１２０分とすることが好ましい。

本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の基板１１の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、その単分子膜厚は、膜厚−表面自由エネルギープロットから０．７ｎｍ（７Å）〜０．９ｎｍ（９Å）と考えられ、１．２ｎｍ（１２Å）以下の薄膜領域においては、分子間の充分な重なりは期待できない。そのため、熱処理やＵＶ処理では、官能基同士の反応である、重合や架橋ではなく、保護層との相互作用が強くなっていると考えられる。

本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、膜厚が薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、信頼性、特にシリコンコンタミネーションの抑制、耐摩耗性に優れる。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気ヘッド浮上量が低く（例えば、１０ｎｍ以下）、用途の多様化に伴う厳しい環境下であっても、長期に亘って安定して動作する高い信頼性が得られる。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ（ＬｏａｄＵｎｌｏａｄ）方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

「実施例１」
以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物（式（Ｂ）中、ｈは４．５であり、ｉは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｂ）で表される化合物を、化合物（Ｂ）と言う。
窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｈは４．５であり、ｉは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇと、上記式（７）で表される化合物２．５１ｇと、ｔ−ブタノール２０ｍＬとを投入して、室温で均一になるまで撹拌した。
この均一の液にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．９０ｇを加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸で中和し、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（以下、「バートレルＸＦ」と略記する場合がある。）で抽出し、水洗を行った。有機層は無水硫酸ナトリウムで脱水し、乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｂ）を得た。
得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０〜３．５５（４Ｈ）、３．６５〜３．７５（２Ｈ）、３．７５〜３．８５（４Ｈ）、４．００〜４．１５（８Ｈ）、５．１０〜５．１５（２Ｈ）、５．２５〜５．３０（２Ｈ）、５．８５〜５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例２」
以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物（式（Ｃ）中、ｊは４．５であり、ｋは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｃ）で表される化合物を、化合物（Ｃ）と言う。
エチレングリコールモノビニルエーテルとエピクロロヒドリンとを用いて上記式（８）で表される化合物を合成した。
そして、実施例１における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（８）で表される化合物を３．１７ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｃ）を得た。
得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０〜３．５５（４Ｈ）、３．６５〜３．９５（１０Ｈ）、４．００〜４．１５（８Ｈ）、６．３５〜６．５５（６Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例３」
以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物（式（Ｄ）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｄ）で表される化合物を、化合物（Ｄ）と言う。
３−ブテン−１−オールとエピクロロヒドリンとを用いて上記式（９）で表される化合物を合成した。
そして、実施例１における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（９）で表される化合物を２．８２ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｄ）を得た。
得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０〜２．０５（４Ｈ）、３．４０〜３．５５（４Ｈ）、３．６５〜３．８５（６Ｈ）、４．００〜４．１５（８Ｈ）、５．１０〜５．１５（２Ｈ）、５．２５〜５．３０（２Ｈ）、５．８５〜５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例４」
以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物（式（Ｆ）中、ｒは４．５であり、ｓは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｆ）で表される化合物を、化合物（Ｆ）と言う。
窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒ（ＣＦ_２Ｏ）_ｓＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｒは４．５であり、ｓは４．５である。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇと、上記式（７）で表される化合物１．１４ｇと、ｔ−ブタノール２０ｍＬとを投入して、室温で均一になるまで撹拌した。
この均一の液にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．９０ｇを加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸で中和し、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（以下、「バートレルＸＦ」と略記する場合がある。）で抽出し、水洗を行った。有機層は無水硫酸ナトリウムで脱水し、乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、パーフルオロポリエーテルの片方にアリル基が結合した、下記式（１７）で表される化合物５．６８ｇ得た。

（１７）
（式（１７）中、ｒは４．５であり、ｓは４．５である。）

グリセロールα，α’−ジアリルエーテルからメタクロロ過安息香酸を用いた酸化により上記式（１１）で表される化合物を合成した。
そして、窒素雰囲気下、１００ｍＬのナスフラスコに、上記式（１７）で表される化合物５．５７ｇと、上記式（１１）で表される化合物１．１３ｇと、ｔ−ブタノール５０ｍＬとを投入して、室温で均一になるまで撹拌した。
この均一の液にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．２２ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌ塩酸で中和し、バートレルＸＦで抽出し、水洗を行った。有機層は無水硫酸ナトリウムで脱水し、乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｆ）を得た。
得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．３５〜３．９５（１５Ｈ）、３．９５〜４．１５（８Ｈ）、５．１０〜５．１５（２Ｈ）、５．２５〜５．３０（２Ｈ）、５．８０〜６．００（２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例５」
以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物（式（Ｇ）中、ｔは４．５であり、ｕは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｇ）で表される化合物を、化合物（Ｇ）と言う。
そして、実施例１における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（１１）で表される化合物を４．１４ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｇ）を得た。
得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．３５〜３．６５（１２Ｈ）、３．６５〜３．９５（８Ｈ）、３．９５〜４．０２（４Ｈ）、４．０２〜４．１５（４Ｈ）、５．０５〜５．２０（２Ｈ）、５．２０〜５．３５（２Ｈ）、５．８０〜６．００（２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例６」
以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物（式（Ｈ）中、ｖは４．５であり、ｗは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｈ）で表される化合物を、化合物（Ｈ）と言う。
そして、実施例４における上記式（１１）で表わされる化合物を用いる代わりに、上記式（８）で表わされる化合物を０．６７ｇ用いたこと以外は、実施例４と同様の操作を行い、化合物（Ｈ）を得た。
得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０〜３．５５（４Ｈ）、３．６５〜３．９５（８Ｈ）、４．００〜４．１５（８Ｈ）、５．１０〜５．１５（１Ｈ）、５．２５〜５．３０（１Ｈ）、５．８５〜５．９５（１Ｈ）、６．３５〜６．５５（３Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例７」
以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物（式（Ｉ）中、ｘは４．５であり、ｙは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｉ）で表される化合物を、化合物（Ｉ）と言う。
そして、実施例１における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（１２）で表される化合物を２．４７ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｉ）を得た。
得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．４５（２Ｈ）、３．４５〜３．６０（４Ｈ）、３．６５〜３．７５（２Ｈ）、３．７５〜３．８０（２Ｈ）、３．８０〜３．９０（２Ｈ）、４．００〜４．１５（４Ｈ）、４．１５（４Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例８」
以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物（式（Ｊ）中、ｚは４．５であり、ａａは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｊ）で表される化合物を、化合物（Ｊ）と言う。
そして、実施例４における上記式（１１）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（１２）で表される化合物を０．６７ｇ用いたこと以外は、実施例４と同様の操作を行い、化合物（Ｊ）を得た。
得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．４５（１Ｈ）、３．４５〜３．６０（４Ｈ）、３．６５〜３．７５（２Ｈ）、３．７５〜３．９５（４Ｈ）、４．００〜４．１５（６Ｈ）、４．１５（２Ｈ）、５．１０〜５．１５（１Ｈ）、５．２５〜５．３０（１Ｈ）、５．８５〜５．９５（１Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例９」
以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物（式（Ｋ）中、ａｂは４．５であり、ａｃは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｋ）で表される化合物を、化合物（Ｋ）と言う。
３−ブチニル−１−オールとエピクロロヒドリンとを用いて上記式（１３）で表される化合物を合成した。
そして、実施例１における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（１３）で表される化合物を３．４０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｋ）を得た。
得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．１０（２Ｈ）、２．４５（４Ｈ）、３．４０〜３．５５（４Ｈ）、３．６５〜３．８５（６Ｈ）、４．００〜４．１５（８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例１０」
以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物（式（Ｌ）中、ａｄは４．５であり、ａｅは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｌ）で表される化合物を、化合物（Ｌ）と言う。
４−ペンチニル−１−オールとエピクロロヒドリンとを用いて上記式（１４）で表される化合物を合成した。
そして、実施例１における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（１４）で表される化合物を３．４０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｌ）を得た。
得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．８０（４Ｈ）、２．００（２Ｈ）、２．３０（４Ｈ）、３．４０〜３．５５（４Ｈ）、３．６５〜３．８５（６Ｈ）、４．００〜４．１５（８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例１１」
以下に示す方法により、上記式（Ｍ）で表される化合物（式（Ｍ）中、ａｆは４．５であり、ａｇは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｍ）で表される化合物を、化合物（Ｍ）と言う。
２−プロピン−１−オールとアリルグリシジルエーテルの付加反応により、下記式（１８）で表される化合物を得た。

（１８）

上記式（１８）で表される化合物からメタクロロ過安息香酸を用いた酸化により上記式（１５）で表される化合物を合成した。
そして、実施例４における上記式（７）で表される化合物を用いる代わりに、上記式（１５）で表される化合物を４．１０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｍ）を得た。
得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．４５（２Ｈ）、３．３５〜３．６５（１２Ｈ）、３．６５〜３．９５（８Ｈ）、３．９５〜４．１５（８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例１２」
以下に示す方法により、上記式（Ｎ）で表される化合物（式（Ｎ）中、ａｈは４．５であり、ａｉは４．５である。）を得た。以下、上記式（Ｎ）で表される化合物を、化合物（Ｎ）と言う。
実施例５における上記式（１１）で表される化合物の使用量を２．２６ｇに変更した以外は、実施例５と同様の操作を行い、パーフルオロポリエーテルの片方にアリル基が結合した、下記式（１９）で表される化合物を得た。

（１９）
（式（１９）中、ａｈは４．５であり、ａｉは４．５である。）
そして、４−ペンチニル−１−オールとアリルグリシジルエーテルの付加反応により、下記式（２０）で表される化合物を得た。

（２０）

さらに、上記式（２０）で表される化合物からメタクロロ過安息香酸を用いた酸化により上記式（１６）で表される化合物を合成した。

そして、窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、上記式（１９）で表される化合物５．００ｇと、上記式（１６）で表される化合物０．８０ｇと、ｔ−ブタノール５０ｍＬとを投入して、室温で均一になるまで撹拌した。
この均一の液にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．１５ｇを加え、７０℃で１８時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌ塩酸で中和し、バートレルＸＦで抽出し、水洗を行った。有機層は無水硫酸ナトリウムで脱水し、乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｎ）を得た。
得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．８０（２Ｈ）、２．００（１Ｈ）、２．３０（２Ｈ）、３．３５〜３．６５（１２Ｈ）、３．６５〜３．９５（８Ｈ）、３．９５〜４．０２（４Ｈ）、４．０２〜４．１５（４Ｈ）、５．０５〜５．２０（１Ｈ）、５．２０〜５．３５（１Ｈ）、５．８０〜６．００（１Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−５１．５〜−５５．５（９Ｆ）、−７８．５（２Ｆ）、−８０．５（２Ｆ）、−８８．５〜−９１．０（１８Ｆ）

「実施例１３」
以下に示す方法により、上記式（Ｏ）で表される化合物（式（Ｏ）中、ａｊは６．０である。）を得た。以下、上記式（Ｏ）で表される化合物を、化合物（Ｏ）と言う。
そして、実施例１におけるフルオロポリエーテルを用いる代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_aｊＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（数平均分子量１０００、分子量分布１．２）で表されるフルオロポリエーテルを２０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、化合物（Ｏ）を得た。
得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．３５〜３．６５（１２Ｈ）、３．６５〜３．９５（８Ｈ）、３．９５〜４．１５（８Ｈ）、５．０５〜５．２０（２Ｈ）、５．２０〜５．３５（２Ｈ）、５．８０〜６．００（２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝−１３０．００〜−１２９．００（１２Ｆ）,−１２４．３３（４Ｆ）,−８６．４２（４Ｆ）,−８４．００〜−８３．００（２４Ｆ）

「比較例１」
下記式（Ｐ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（Ｐ）
（式（Ｐ）中、ａｋは４．５であり、ａｍは４．５である。）

「比較例２」
下記式（Ｑ）で表される化合物を、特許文献３に記載の方法で合成した。

（Ｑ）

このようにして得られた実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２の化合物の数平均分子量を、上述した^１Ｈ−ＮＭＲおよび^１９Ｆ−ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１に示す。

次に、以下に示す方法により、実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が０．８５ｎｍ（８．５Å）〜１．００ｎｍ（１０．０Å）になるようにバートレルで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と、軟磁性層と、第１下地層と、第２下地層と、磁性層と、保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱する熱処理を行った。これにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

得られた実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ−ＩＲ（商品名：ＮｉｃｏｌｅｔｉＳ５０、ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表１に示す。
また、実施例１〜実施例１３並びに比較例１および比較例２の磁気記録媒体に対して、以下に示す方法により耐摩耗性試験および化学物質耐性試験を行なった。その結果を表１に示す。

（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。
なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層がなくなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。

表１に示すように、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体は、比較例１および比較例２の磁気記録媒体と比較して、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。
これは、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体では、潤滑層を形成している上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中のＲ^１およびＲ^５が炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基であり、Ｒ^２およびＲ^４が極性基を有する２価の連結基であることによるものであると推定される。

（化学物質耐性試験）
以下に示す評価手法により、高温環境下において汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。
なお、以下に示す評価手法では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。

具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。
次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの相対値を用いて評価した。その結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体は、比較例１および比較例２の磁気記録媒体と比較して、Ｓｉ吸着量が少なく、高温環境下において環境物質によって汚染され難いことが明らかになった。

本発明の含フッ素エーテル化合物によれば、磁気記録媒体の信頼性、特にシリコンコンタミネーションの抑制と耐摩耗性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量に対応し、用途の多様化に伴う非常に厳しい環境の下でも高信頼性を有する磁気記録媒体が得られる。
また本発明は、膜厚が薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を実現可能な磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供する。

１０磁気記録媒体
１１基板
１２付着層
１３軟磁性層
１４第１下地層
１５第２下地層
１６磁性層
１７保護層
１８潤滑層

Claims

下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１−Ｒ^２−ＣＨ_２−Ｒ^３−ＣＨ_２−Ｒ^４−Ｒ^５（１）
（式（１）中、Ｒ^１とＲ^５は同じであっても異なっていてもよく、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数３〜８のアルキニル基であり、Ｒ^２とＲ^４は同じであっても異なっていてもよく、極性基を有する２価の連結基であり、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、ただし、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^４とＲ^５は、酸素原子など炭素原子以外の原子の存在によって区分される。）
前記Ｒ^１および前記Ｒ^５はそれぞれ、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数３〜５のアルキニル基である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
前記Ｒ^１および前記Ｒ^５はそれぞれ、ビニル基、アリル基、３−ブテニル基、４−ペンテニル基、プロパギル基、３−ブチニル基、および４−ペンチニル基からなる群から選択される１種である、請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
前記Ｒ^２と前記Ｒ^４に含まれる極性基が水酸基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
前記Ｒ^２と前記Ｒ^４が、下記式（２−１）または下記式（２−２）で表わされる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ）_ａ− （２−１）
（式（２）中、ａは１〜３を表す。）
−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ）_ａ−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−
（２−２）
（式（２−２）中、ａは１〜３を表す。）
前記Ｒ^３が、下記式（３）〜（５）のいずれかで表される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
−ＣＦ_２−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ−（ＯＣＦ_２）_ｃ−ＯＣＦ_２− （３）
（式（３）中、ｂ、ｃはそれぞれ０〜２０を表すが、ｂ、ｃが同時に０となることはない。）
−ＣＦ（ＣＦ_３）−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ−ＯＣＦ（ＣＦ_３）− （４）
（式（４）中、ｄは１〜２０を表す。）
−ＣＦ_２ＣＦ_２−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ−ＯＣＦ_２ＣＦ_２− （５）
（式（５）中、ｅは１〜２０を表す。）
数平均分子量が５００〜１００００の範囲内である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
前記潤滑層が、請求項１〜８のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜２ｎｍである請求項９に記載の磁気記録媒体。
前記含フッ素エーテル化合物が下記（Ａ）から（Ｏ）の式で表される化合物のいずれかである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（Ａ）中、ｆ、ｇはそれぞれ０〜７を表し、ｆ、ｇが同時に０となることはない。）

（式（Ｂ）中、ｈ、ｉはそれぞれ０〜７を表し、ｈ、ｉが同時に０となることはない。）

（式（Ｃ）中、ｊ、ｋはそれぞれ０〜７を表し、ｊ、ｋが同時に０となることはない。）

（式（Ｄ）中、ｍ、ｎはそれぞれ０〜７を表し、ｍ、ｎが同時に０となることはない。）

（式（Ｅ）中、ｐ、ｑはそれぞれ０〜７を表し、ｐ、ｑが同時に０となることはない。）

（式（Ｆ）中、ｒ、ｓはそれぞれ０〜７を表し、ｒ、ｓが同時に０となることはない。）

（式（Ｇ）中、ｔ、ｕはそれぞれ０〜７を表し、ｔ、ｕが同時に０となることはない。）

（式（Ｈ）中、ｖ、ｗはそれぞれ０〜７を表し、ｖ、ｗが同時に０となることはない。）

（式（Ｉ）中、ｘ、ｙはそれぞれ０〜７を表し、ｘ、ｙが同時に０となることはない。）

（式（Ｊ）中、ｚ、ａａはそれぞれ０〜７を表し、ｚ、ａａが同時に０となることはない。）

（式（Ｋ）中、ａｂ、ａｃはそれぞれ０〜７を表し、ａｂ、ａｃが同時に０となることはない。）

（式（Ｌ）中、ａｄ、ａｅはそれぞれ０〜７を表し、ａｄ、ａｅが同時に０となることはない。）

（式（Ｍ）中、ａｆ、ａｇはそれぞれ０〜７を表し、ａｆ、ａｇが同時に０となることはない。）

（式（Ｎ）中、ａｈ、ａｉはそれぞれ０〜７を表し、ａｈ、ａｉが同時に０となることはない。）

（式（Ｏ）中、ａｊは１〜７を表す。）