JPWO2018070349A1 - 撮像パネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
光電変換層のリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上に、薄膜トランジスタ13と、薄膜トランジスタ13を覆う絶縁膜103と、シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層15と、上部電極14bと、薄膜トランジスタ13と接続された下部電極14aと、下部電極14aの側端部を覆う保護膜142と、を備える。
Description
本発明は、撮像パネル及びその製造方法に関する。
複数の画素部を備える撮像パネルにより、X線画像を撮影するX線撮像装置が知られている。このようなX線撮像装置においては、例えば、フォトダイオードにより、照射されたX線が電荷に変換される。変換された電荷は、画素部が備える薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、「TFT」とも称する。)を動作させることにより、読み出される。このようにして電荷が読み出されることにより、X線画像が得られる。特開2013−46043号公報には、このような撮像パネルが開示されている。特開2013−46043号公報におけるフォトダイオードは、n層、i層、p層の半導体膜を積層したPIN構造を有する。フォトダイオードの上部には透明導電膜からなる上部電極が設けられ、フォトダイオードの下部にはアルミニウム等の金属を含む下部電極が設けられている。
ところで、特開2013−46043号公報においてPIN構造の光電変換層を形成する際、リーク電流を抑制するため、フォトダイオードの表面に、フッ酸による洗浄処理を行う場合がある。このとき、洗浄処理によって、下部電極の側面がフッ酸に曝されると、下部電極に含まれるアルミニウム等の金属が溶解する。その結果、光電変換層の側面にその金属イオンが付着し、リーク電流の原因となる。
本発明は、リーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の撮像パネルは、通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する撮像パネルであって、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層と、前記光電変換層の上に設けられた上部電極と、前記光電変換層の下に設けられ、前記薄膜トランジスタと接続された下部電極と、前記下部電極の側端部を覆う保護膜と、を備える。
。
。
本発明によれば、光電変換層のリーク電流を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る撮像パネルは、通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する撮像パネルであって、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層と、前記光電変換層の上に設けられた上部電極と、前記光電変換層の下に設けられ、前記薄膜トランジスタと接続された下部電極と、前記下部電極の側端部を覆う保護膜と、を備える(第1の構成)。
第1の構成によれば、保護膜は下部電極の側端部を覆っているため、光電変換層を形成する際に、例えば光電変換層の表面にフッ化水素を用いた洗浄処理を行っても、下部電極の側面はフッ化水素に曝されない。そのため、光電変換層の側面に下部電極に含まれる金属イオンが付着せず、リーク電流を抑制できる。
第1の構成において、さらに、前記上部電極と前記光電変換層と前記保護膜とを覆う無機絶縁膜を備え、前記保護膜は前記光電変換層と重ならない位置に設けられていることとしてもよい(第2の構成)。
第2の構成によれば、保護膜は光電変換層と重なって配置されておらず、無機絶縁膜によって光電変換層は覆われている。そのため、光電変換層を形成する際に、光電変換層の表面にフッ化水素を用いた洗浄処理によって保護膜が膜減りしても、光電変換層は無機絶縁膜に完全に覆われる。従って、光電変換層に保護膜が重なっている場合と比べ、光電変換層は汚染されにくく、光電変換層におけるリーク電流の発生をより確実に抑制することができる。
第1又は第2の構成において、前記保護膜は窒化ケイ素からなることとしてもよい(第3の構成)。
第3の構成によれば、光電変換層におけるリーク電流を抑制しつつ、下部電極と保護膜との密着性を高めることができる。
第1又は第2の構成において、前記保護膜は酸化ケイ素からなることとしてもよい(第4の構成)。
第4の構成によれば、光電変換層におけるリーク電流を抑制することができる。
第1又は第2の構成において、前記保護膜は酸化窒化ケイ素からなることとしてもよい(第5の構成)。
第5の構成によれば、光電変換層におけるリーク電流を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る撮像パネルの製造方法は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する撮像パネルの製造方法であって、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上に第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とを形成する工程と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の上に、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを貫通する第1のコンタクトホールを形成する工程と、前記第2の絶縁膜の上に、前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続された下部電極を形成する工程と、前記下部電極の側端部を覆う保護膜を形成する工程と、前記下部電極及び前記保護膜を覆うように、光電変換層としての、第1の導電型を有する第1の半導体層と、真性非晶質半導体層と、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の半導体層とを順に形成する工程と、前記第2の半導体層の上に上部電極を形成する工程と、前記上部電極を覆うように前記第2の半導体層の上にレジストを塗布し、前記第1の半導体層と、前記真性非晶質半導体層と、前記第2の半導体層とをエッチングし、前記光電変換層を形成する工程と、形成された前記光電変換層の表面にフッ化水素を用いた洗浄処理を行う工程と、を含む(第1の製造方法)。
第1の製造方法によれば、下部電極の側端部が保護膜によって覆われる。そのため、光電変換層の表面に、フッ化水素を用いた洗浄処理を行っても、下部電極に含まれる金属イオンが光電変換層の表面に付着しない。その結果、光電変換層におけるリーク電流が抑制された撮像パネルを作製することができる。
第1の製造方法において、前記保護膜は前記光電変換層と重ならない位置に設けられ、前記洗浄処理の後、前記上部電極と前記光電変換層と前記保護膜とを覆う第3の絶縁膜を形成する工程をさらに含むこととしてもよい(第2の製造方法)。
第2の製造方法によれば、保護膜は光電変換層と重なって配置されておらず、第3の絶縁膜によって光電変換層は覆われている。そのため、光電変換層の表面にフッ化水素を用いた洗浄処理を行い、フッ化水素によって保護膜が膜減りしても、光電変換層は第3の絶縁膜に完全に覆われる。従って、光電変換層に保護膜が重なっている場合と比べ、光電変換層は汚染されにくく、光電変換層におけるリーク電流の発生をより確実に抑制することができる。
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[第1実施形態]
(構成)
図1は、本実施形態におけるX線撮像装置を示す模式図である。X線撮像装置100は、撮像パネル1と、制御部2とを備える。制御部2は、ゲート制御部2Aと信号読出部2Bとを含む。被写体Sに対しX線源3からX線が照射され、被写体Sを透過したX線が、撮像パネル1の上部に配置されたシンチレータ1Aによって蛍光(以下、シンチレーション光)に変換される。X線撮像装置100は、シンチレーション光を撮像パネル1及び制御部2によって撮像することにより、X線画像を取得する。
(構成)
図1は、本実施形態におけるX線撮像装置を示す模式図である。X線撮像装置100は、撮像パネル1と、制御部2とを備える。制御部2は、ゲート制御部2Aと信号読出部2Bとを含む。被写体Sに対しX線源3からX線が照射され、被写体Sを透過したX線が、撮像パネル1の上部に配置されたシンチレータ1Aによって蛍光(以下、シンチレーション光)に変換される。X線撮像装置100は、シンチレーション光を撮像パネル1及び制御部2によって撮像することにより、X線画像を取得する。
図2は、撮像パネル1の概略構成を示す模式図である。図2に示すように、撮像パネル1には、複数のソース配線10と、複数のソース配線10と交差する複数のゲート配線11とが形成されている。ゲート配線11は、ゲート制御部2Aと接続され、ソース配線10は、信号読出部2Bと接続されている。
撮像パネル1は、ソース配線10とゲート配線11とが交差する位置に、ソース配線10及びゲート配線11に接続されたTFT13を有する。また、ソース配線10とゲート配線11とで囲まれた領域(以下、画素)には、フォトダイオード12が設けられている。画素において、フォトダイオード12により、被写体Sを透過したX線を変換したシンチレーション光がその光量に応じた電荷に変換される。
撮像パネル1における各ゲート配線11は、ゲート制御部2Aによって順次選択状態に切り替えられ、選択状態のゲート配線11に接続されたTFT13がオン状態となる。TFT13がオン状態になると、フォトダイオード12によって変換された電荷に応じた信号がソース配線10を介して信号読出部2Bに出力される。
図3は、図2に示す撮像パネル1の一の画素部分を拡大した平面図である。図3に示すように、ゲート配線11及びソース配線10に囲まれた画素には、フォトダイオード12を構成する下部電極14a、光電変換層15、及び上部電極14bが重なって配置されている。また、ゲート配線11及びソース配線10と平面視で重なるようにバイアス配線16が配置されている。バイアス配線16は、フォトダイオード12にバイアス電圧を供給する。TFT13は、ゲート配線11と一体化されたゲート電極13aと、半導体活性層13bと、ソース配線10と一体化されたソース電極13cと、ドレイン電極13dとを有する。画素には、ドレイン電極13dと下部電極14aとを接続するためのコンタクトホールCH1が設けられている。また、画素には、バイアス配線16に重なって配置された透明導電膜17が設けられ、透明導電膜17と上部電極14bとを接続するためのコンタクトホールCH2が設けられている。
ここで、図4に、図3に示す画素のA−A線の断面図を示す。図4に示すように、基板101の上に、TFT13は形成されている。基板101は、例えば、ガラス基板、シリコン基板、耐熱性を有するプラスチック基板、又は樹脂基板等、絶縁性を有する基板である。
基板101の上には、ゲート配線11と一体化されたゲート電極13aが形成されている。ゲート電極13a及びゲート配線11は、例えば、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、モリブデンナイトライド(MoN)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、銅(Cu)等の金属、又はこれらの合金、若しくはこれら金属窒化物からなる。本実施形態では、ゲート電極13a及びゲート配線11は、モリブデンナイトライドからなる金属膜とアルミニウムからなる金属膜とがこの順番で積層された積層構造を有する。これら金属膜の膜厚は、例えば、モリブデンナイトライドが100nm、アルミニウムが300nmである。
ゲート絶縁膜102は、基板101上に形成され、ゲート電極13aを覆う。ゲート絶縁膜102は、例えば、酸化ケイ素(SiOx)、窒化ケイ素(SiNx)、酸化窒化ケイ素(SiOxNy)(x>y)、窒化酸化ケイ素(SiNxOy)(x>y)等を用いてもよい。本実施形態では、ゲート絶縁膜102は、酸化ケイ素(SiOx)と、窒化ケイ素(SiNx)とが順に積層された積層膜で構成され、その膜厚は、酸化ケイ素(SiOx)が50nm、窒化ケイ素(SiNx)が400nmである。
ゲート絶縁膜102を介してゲート電極13aの上には、半導体活性層13bと、半導体活性層13bに接続されたソース電極13c及びドレイン電極13dとが形成されている。
半導体活性層13bは、ゲート絶縁膜102に接して形成されている。半導体活性層13bは、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、例えば、InGaO3(ZnO)5、酸化マグネシウム亜鉛(MgxZn1−xO)、酸化カドミウム亜鉛(CdxZn1−xO)、酸化カドミウム(CdO)、又は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体等を用いてもよい。本実施形態では、半導体活性層13bは、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体からなり、その膜厚は、例えば70nmである。
ソース電極13c及びドレイン電極13dは、半導体活性層13b及びゲート絶縁膜102に接して形成されている。ソース電極13cは、ソース配線10と一体化されている。ドレイン電極13dは、コンタクトホールCH1を介して下部電極14aに接続されている。
ソース電極13c及びドレイン電極13dは、同一層上に形成され、例えば、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、銅(Cu)等の金属又はこれらの合金、若しくはこれら金属窒化物からなる。また、ソース電極13c及びドレイン電極13dの材料として、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化チタン等の透光性を有する材料及びそれらを適宜組み合わせたものを用いてもよい。
ソース電極13c及びドレイン電極13dは、例えば、複数の金属膜を積層したものであってもよい。具体的には、ソース電極13c、ソース配線10、及びドレイン電極13dは、モリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜と、アルミニウム(Al)からなる金属膜と、モリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜とが、この順番で積層された積層構造を有する。その膜厚は、下層のモリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜は100nm、アルミニウム(Al)からなる金属膜は500nm、上層のモリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜は50nmである。
ソース電極13c及びドレイン電極13dを覆うように、第1絶縁膜103が設けられている。第1絶縁膜103は、酸化ケイ素(SiO2)又は窒化ケイ素(SiN)からなる単層構造でもよいし、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO2)をこの順に積層した積層構造でもよい。
第1絶縁膜103の上には、第2絶縁膜104が形成されている。第2絶縁膜104は、例えば、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂などの有機系透明樹脂からなり、その膜厚は、例えば2.5μmである。
ドレイン電極13dの上には、第2絶縁膜104と第1絶縁膜103とを貫通するコンタクトホールCH1が形成されている。
第2絶縁膜104の上には、コンタクトホールCH1においてドレイン電極13dと接続された下部電極14aが形成されている。下部電極14aは、例えば、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)を積層した金属膜で構成される。これら各金属膜の膜厚はそれぞれ、例えば、下層から順に50nm、150nm、100nmである。
下部電極14aのx軸方向の側端部は、保護膜142で覆われている。保護膜142は、この例において、例えば、窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜で構成される。
また、下部電極14aの上には、保護膜142と重ならない位置に、下部電極14aよりもx軸方向の幅が小さい光電変換層15が形成されている。光電変換層15は、n型非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152と、p型非晶質半導体層153が順に積層されたPIN構造を有する。
n型非晶質半導体層151は、n型不純物(例えば、リン)がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。n型非晶質半導体層151の膜厚は、例えば、30nmである。
真性非晶質半導体層152は、真性のアモルファスシリコンからなる。真性非晶質半導体層152は、n型非晶質半導体層151に接して形成されている。真性非晶質半導体層の膜厚は、例えば1000nmである。
p型非晶質半導体層153は、p型不純物(例えば、ボロン)がドーピングされたアモルファスシリコンからなる。p型非晶質半導体層153は、真性非晶質半導体層152に接して形成されている。p型非晶質半導体層153のは膜厚は、例えば5nmである。
p型非晶質半導体層153の上には、上部電極14bが形成されている。上部電極14bは、光電変換層15よりもx軸方向の幅が小さい。上部電極14bは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)からなり、その膜厚は、例えば70nmである。
保護膜142及びフォトダイオード12を覆うように第3絶縁膜105が形成されている。第3絶縁膜105は、例えば、窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜であり、その膜厚は、例えば300nmである。
第3絶縁膜105において、上部電極14bと重なる位置にコンタクトホールCH2が形成されている。第3絶縁膜105の上において、コンタクトホールCH2を除いた部分に、第4絶縁膜106が形成されている。第4絶縁膜106は、例えばアクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂からなり、その膜厚は、例えば2.5μmである。
第4絶縁膜106の上にはバイアス配線16が形成されている。また、第4絶縁膜106の上において、バイアス配線16と重なるように透明導電膜17が形成されている。透明導電膜17は、コンタクトホールCH2において上部電極14bと接する。バイアス配線16は、制御部2(図1参照)に接続されている。バイアス配線16は、コンタクトホールCH2を介して、制御部2から入力されるバイアス電圧を上部電極14bに印加する。バイアス配線16は、例えば、モリブデンナイトライド(MoN)からなる金属膜と、アルミニウム(Al)からなる金属膜と、チタン(Ti)からなる金属膜とを順に積層した積層構造を有する。モリブデンナイトライド(MoN)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)のそれぞれの膜厚は、例えば、100nm、300nm、50nmである。
第4絶縁膜106の上には、透明導電膜17を覆うように第5絶縁膜107が形成されている。第5絶縁膜107は、例えば窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜であり、その膜厚は、例えば200nmである。
第5絶縁膜107の上には、第6絶縁膜108が形成されている。第6絶縁膜108は、例えば、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂からなり、その膜厚は、例えば2.0μmである。
(撮像パネル1の製造方法)
次に、撮像パネル1の製造方法について説明する。図5A〜図5Xは、撮像パネル1の各製造工程における画素のA−A線(図3)の断面図である。
次に、撮像パネル1の製造方法について説明する。図5A〜図5Xは、撮像パネル1の各製造工程における画素のA−A線(図3)の断面図である。
図5Aに示すように、基板101の上に、既知の方法により、ゲート絶縁膜102とTFT13を形成し、TFT13を覆うように、例えば、プラズマCVD法を用い、窒化ケイ素(SiN)からなる第1絶縁膜103を成膜する。
続いて、基板101の全面に350℃程度の熱処理を加え、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第1絶縁膜103をパターンニングして、ドレイン電極13dの上にコンタクトホールCH1を形成する(図5B参照)。
次に、第1絶縁膜103の上に、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第2絶縁膜104を形成する。(図5C参照)。
そして、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホールCH1の上に、第2絶縁膜104の開口104aが形成される(図5D参照)。
続いて、第2絶縁膜104の上に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)を順に積層た金属膜140を形成する(図5E参照)。
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜140をパターニングする。これにより、第2絶縁膜104の上に、コンタクトホールCH1を介してドレイン電極13dと接続された下部電極14aと、下部電極14aと離間して配置された金属膜140とが形成される(図5F参照)。
続いて、下部電極14a、及び金属膜140を覆うように、第2絶縁膜104の上に、例えば、プラズマCVD法により、窒化ケイ素(SiN)からなる無機絶縁膜220を成膜する(図5G参照)。
その後、フォトリソグラフィ法により、無機絶縁膜220の上において、下部電極14aの側端部近傍と金属膜140と重なる位置にレジスト201を形成する(図5H参照)。このとき、レジスト201はテーパー形状を有する。
そして、ドライエッチングを行い、レジスト201で覆われていない無機絶縁膜220をエッチングする(図5I参照)。これにより、下部電極14aの側端部と金属膜140の側端部を覆う保護膜142が形成される。なお、レジスト201の側面は、ドライエッチングによって内側にエッチングされ、保護膜142はテーパー形状となる。保護膜142のテーパー角度は、例えば70°以下が好ましい。
その後、レジスト201を剥離する(図5J参照)。
次に、保護膜142と下部電極14aを覆うように、例えば、プラズマCVD法により、n型非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152、p型非晶質半導体層153を順に成膜する。そして、p型非晶質半導体層153の上に、例えば、ITOからなる透明導電膜240を成膜する(図5K参照)。
続いて、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜240をパターニングすることにより、p型非晶質半導体層153の上に上部電極14bが形成される(図5L参照)。
続いて、p型非晶質半導体層153の上に、上部電極14bを覆うように、例えば、プラズマCVD法により、レジスト202を形成する(図5M参照)。
そして、ドライエッチングを行うことにより、レジスト202で覆われていないn型非晶質半導体層151、真性非晶質半導体層152、及びp型非晶質半導体層153をパターニングする。これにより、下部電極14aよりもx軸方向の幅が小さい光電変換層15が形成される。その後、光電変換層15のリーク電流を抑制するため、光電変換層15の表面にフッ化水素を用いた洗浄処理を行う(図5N参照)。下部電極14a及び金属膜140の側端部は保護膜142に覆われているため、フッ化水素に曝されない。そのため、フッ化水素を用いた洗浄処理によって、下部電極14aに含まれるアルミニウムが溶解せず、光電変換層15の側面に金属イオンが付着しない。その結果、光電変換層15におけるリーク電流が抑制される。
次に、レジスト202を剥離し(図5O)、保護膜142、上部電極14b、下部電極14a、及び光電変換層15を覆うように、例えば、プラズマCVD法により、窒化ケイ素(SiN)からなる第3絶縁膜105を成膜する(図5P参照)。
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第3絶縁膜105の開口105aを形成する(図5Q参照)。
続いて、第3絶縁膜105の上に、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第4絶縁膜106を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、開口105aの上に、第4絶縁膜106の開口106aを形成する(図5R参照)。これにより、開口105a及び106aからなるコンタクトホールCH2が形成される。
次に、第4絶縁膜106の上に、例えば、スパッタリング法により、モリブデンナイトライド(MoN)と、アルミニウム(Al)と、チタン(Ti)とを順に積層した金属膜160を成膜する(図5S参照)。
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜160をパターニングすることにより、バイアス配線16が形成される(図5T参照)。
続いて、第4絶縁膜106の上に、バイアス配線16を覆うように、例えば、スパッタリング法により、ITOからなる透明導電膜170を成膜する(図5U参照)。
そして、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜170をパターニングすることにより、バイアス配線16と接続され、コンタクトホールCH2を介して上部電極14bと接続された透明導電膜17が形成される(図5V参照)。
次に、第4絶縁膜106の上に、透明導電膜17を覆うように、例えば、プラズマCVD法により、窒化ケイ素(SiN)からなる第5絶縁膜107を成膜する(図5W参照)。
続いて、第5絶縁膜107の上に、例えば、スリットコーティング法により、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第6絶縁膜108を形成する(図5X参照)。
以上が、第1実施形態における撮像パネル1の製造方法である。上述したように、下部電極14aの側端部は保護膜142で覆われている。そのため、光電変換層15を形成後、フッ化水素を用いた洗浄処理を行っても、下部電極14aはフッ化水素に曝されず、光電変換層15の側面に下部電極14aに含まれるアルミニウムイオンが付着しない。そのため、光電変換層15におけるリーク電流の発生を抑制することができる。
また、保護膜142をテーパー形状とすることによって光電変換層15を形成する際のエッチング時に、エッチングされない半導体層の部分が残らないようにすることができる。保護膜142がテーパー形状でない場合、保護膜142の側壁は下部電極14aに対して略垂直となり、側壁近傍における光電変換層15は他の領域よりも厚くなりやすい。また、エッチング方法には、異方性エッチングであるドライエッチングが用いられる。そのため、保護膜142がテーパー形状でない場合、保護膜142の側壁付近のn型非晶質半導体層153の一部、あるいは、n型非晶質半導体層153と真性非晶質半導体層152の一部はエッチングされずに残りやすい。エッチングされずに残った半導体層の部分は剥がれやすく、パーティクルとなって不良原因となり、歩留まりの低下を招く。
また、フッ化水素を用いた洗浄処理の際、保護膜142がフッ化水素によってエッチングされて膜減りする。光電変換層15と保護膜142とが重なっている場合、保護膜142が膜減りすることで、光電変換層15と保護膜142との間に隙間が形成される。その結果、第3絶縁膜105によって光電変換層15が完全に被覆されない状態が生じ得る。この場合、光電変換層15が汚染されやすく、リークパスの原因となり、光電変換層15にリーク電流が生じやすい。第1実施形態では、光電変換層15と保護膜142とが重ならないため、光電変換層15を第3絶縁膜105によって完全に覆うことができる。よって、光電変換層15におけるリーク電流の発生を抑制できる。
(X線撮像装置100の動作)
ここで、図1に示すX線撮像装置100の動作について説明しておく。まず、X線源3からX線が照射される。このとき、制御部2は、バイアス配線16(図3等参照)に所定の電圧(バイアス電圧)を印加する。X線源3から照射されたX線は、被写体Sを透過し、シンチレータ1Aに入射する。シンチレータ1Aに入射したX線は蛍光(シンチレーション光)に変換され、撮像パネル1にシンチレーション光が入射する。撮像パネル1における各画素に設けられたフォトダイオード12にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード12により、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード12によって変換された電荷に応じた信号は、ゲート制御部2Aからゲート配線11を介して出力されるゲート電圧(プラスの電圧)によってTFT13(図3等参照)がON状態となっているときに、ソース配線10を通じて信号読出部2B(図2等参照)により読み出される。そして、読み出された信号に応じたX線画像が、制御部2において生成される。
ここで、図1に示すX線撮像装置100の動作について説明しておく。まず、X線源3からX線が照射される。このとき、制御部2は、バイアス配線16(図3等参照)に所定の電圧(バイアス電圧)を印加する。X線源3から照射されたX線は、被写体Sを透過し、シンチレータ1Aに入射する。シンチレータ1Aに入射したX線は蛍光(シンチレーション光)に変換され、撮像パネル1にシンチレーション光が入射する。撮像パネル1における各画素に設けられたフォトダイオード12にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード12により、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード12によって変換された電荷に応じた信号は、ゲート制御部2Aからゲート配線11を介して出力されるゲート電圧(プラスの電圧)によってTFT13(図3等参照)がON状態となっているときに、ソース配線10を通じて信号読出部2B(図2等参照)により読み出される。そして、読み出された信号に応じたX線画像が、制御部2において生成される。
[第2実施形態]
上述した第1実施形態では、保護膜142がテーパー形状である例を説明したが、図6に示すように、保護膜142はテーパー形状でなくてもよい。
上述した第1実施形態では、保護膜142がテーパー形状である例を説明したが、図6に示すように、保護膜142はテーパー形状でなくてもよい。
また、保護膜142は、第1実施形態では、窒化ケイ素(SiN)で構成されている例を説明したが、保護膜142の材料はこれに限らない。保護膜142は、例えば、酸化ケイ素(SiO2)で構成されてもよいし、酸化窒化ケイ素(SiON)で構成されていてもよい。
また、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO2)、及び酸化窒化ケイ素(SiON)のそれぞれは、フッ化水素の浸漬によるエッチング量が異なる。つまり、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO2)、及び酸化窒化ケイ素(SiON)がフッ化水素の浸漬によるエッチング量の大小関係は、窒化ケイ素(SiN)<酸化ケイ素(SiO2)<酸化窒化ケイ素(SiON)となる。よって、いずれの材料を用いた場合も、フッ化水素の浸漬によるエッチング量を考慮して成膜時の膜厚が設定される。
保護膜142の材料として、酸化ケイ素(SiO2)又は酸化窒化ケイ素(SiON)を用いた場合であっても、下部電極14aの側端部は保護膜142によって覆われているため、フッ化水素を用いた洗浄処理によって下部電極14aに含まれるアルミニウムは溶解しない。よって、第1実施形態と同様、光電変換層15におけるリーク電流を抑制することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
(1)上述した第1、第2実施形態では、保護膜142は、光電変換層15と重ならない位置に設けられる例を説明したが、以下のように構成してもよい。図7は、主として、上述した実施形態と異なる構造部分を表した本変形例に係る撮像パネルの部分断面図である。図7において、上述した実施形態と同様の構成には、実施形態と同様の符号を付している。
図7に示すように、本変形例では、保護膜142と光電変換層15の一部が重なるように配置されている。そして、図7の破線枠Sに示すように、保護膜142と光電変換層15との間に隙間が形成されている。これは、光電変換層15を形成後のフッ化水素を用いた洗浄処理により、保護膜142が膜減りし、光電変換層15が逆テーパー形状となることによる。保護膜142と光電変換層15の間に隙間ができることで、第3絶縁膜105によって光電変換層15が完全に覆われず、光電変換層15は汚染されやすくなる。しかしながら、この場合であっても、下部電極14aの側端部は保護膜142によって覆われているため、フッ化水素によって下部電極14aに含まれるアルミニウムが溶解せず、光電変換層15の表面に付着することを防止できる。
Claims (7)
- 被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する撮像パネルであって、
基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、前記シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層と、
前記光電変換層の上に設けられた上部電極と、
前記光電変換層の下に設けられ、前記薄膜トランジスタと接続された下部電極と、
前記下部電極の側端部を覆う保護膜と、
を備える撮像パネル。 - さらに、前記上部電極と前記光電変換層と前記保護膜とを覆う無機絶縁膜を備え、
前記保護膜は前記光電変換層と重ならない位置に設けられている、請求項1に記載の撮像パネル。 - 前記保護膜は窒化ケイ素からなる、請求項1又は2に記載の撮像パネル。
- 前記保護膜は酸化ケイ素からなる、請求項1又は2に記載の撮像パネル。
- 前記保護膜は酸化窒化ケイ素からなる、請求項1又は2に記載の撮像パネル。
- 被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する撮像パネルの製造方法であって、
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの上に第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極の上に、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを貫通する第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上に、前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続された下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の側端部を覆う保護膜を形成する工程と、
前記下部電極及び前記保護膜を覆うように、光電変換層としての、第1の導電型を有する第1の半導体層と、真性非晶質半導体層と、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の半導体層とを順に形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に上部電極を形成する工程と、
前記上部電極を覆うように前記第2の半導体層の上にレジストを塗布し、前記第1の半導体層と、前記真性非晶質半導体層と、前記第2の半導体層とをエッチングし、前記光電変換層を形成する工程と、
形成された前記光電変換層の表面にフッ化水素を用いた洗浄処理を行う工程と、
を含む製造方法。 - 前記保護膜は前記光電変換層と重ならない位置に設けられ、
前記洗浄処理の後、前記上部電極と前記光電変換層と前記保護膜とを覆う第3の絶縁膜を形成する工程をさらに含む、請求項6に記載の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0878719A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Nec Corp | 光電変換素子 |
JPH09213988A (ja) * | 1995-02-02 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | pin型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール |
JP2009170768A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサーアレイ基板とフォトセンサー |
JP2010067762A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及びその製造方法 |
JP2014075377A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Canon Inc | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
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Patent Citations (5)
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JPH0878719A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Nec Corp | 光電変換素子 |
JPH09213988A (ja) * | 1995-02-02 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | pin型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール |
JP2009170768A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサーアレイ基板とフォトセンサー |
JP2010067762A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及びその製造方法 |
JP2014075377A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Canon Inc | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
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