JPWO2017164385A1 - ボンディング装置 - Google Patents
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 189
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 130
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 66
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83862—Heat curing
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9211—Parallel connecting processes
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06568—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices decreasing in size, e.g. pyramidical stack
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
Description
以下、図面を参照しながら本発明の第1実施形態について説明する。図1に示すように、本実施形態のボンディング装置100は、基板40を真空吸着するステージ50と、ステージ50の上に配置されて図示しない駆動装置で上下方向に駆動されるボンディングヘッド10と、ボンディングヘッド10の下面に取り付けられたヒータ11と、ヒータ11の下面に取り付けられたボンディングツール20とを含んでいる。なお、図1に示す上、下の表示は、垂直上方、垂直下方を示す。他の図においても同様である。
次に、図4から6を参照しながら本発明の第2実施形態のボンディング装置200について説明する。ボンディング装置200は、ボンディングツール20の下面24に第1実施形態のボンディング装置100の凹部25に代えて、図4、5に示すような冷却空気の流れる冷却流路28を備えるものである。先に図1から図3を参照して説明した第1実施形態のボンディング装置100と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
次に図7を参照しながら第3実施形態のボンディング装置300について説明する。ボンディング装置300は、図7に示すように、ボンディングツール20の下面24の第1中央領域Bに第1周縁領域Aよりも熱伝導率が低い断熱材31を取り付けたものである。先に図1から図3を参照して説明した第1実施形態のボンディング装置100と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
次に図8から10を参照しながら第4実施形態のボンディング装置400について説明する。ボンディング装置400は、第1実施形態のボンディング装置100のボンディングツール20の第2面である上面22に凹部32を設けたものである。下面24には第1実施形態のボンディング装置100と同様、複数の凹部25が格子状に配置されている。先に図1から図3を参照して説明した第1実施形態のボンディング装置100と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
次に図11から13を参照しながら第5実施形態のボンディング装置500について説明する。図11に示すように、第5実施形態のボンディング装置500は、先に説明した第4実施形態のボンディング装置400のボンディングツール20の下面24に図4から6を参照して説明した冷却流路28を設け、上面22に凹部34と仕切られた凹部33と凹部33と冷却流路28とを連通する空気孔35を設けたものである。図4から6を参照して説明した第2実施形態のボンディング装置200及び、図8から10を参照して説明した第4実施形態のボンディング装置400と同様の部位には同様の符号を付して説明は省略する。
次に図14を参照しながら第6実施形態のボンディング装置600について説明する。ボンディング装置600は、ボンディングツール20の下面24の第1中央領域Bと上面の第2中央領域Dとに第1周縁領域A、第2周縁領域Cよりも熱伝導率が低い断熱材31,39を取り付けたものである。先に図7を参照して説明した第3実施形態のボンディング装置300と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
次に図15を参照しながら第7実施形態のボンディング装置700について説明する。ボンディング装置700は、第1実施形態のボンディング装置100のステージ50に冷却流路58を設けたものである。先に図1から3を参照して説明したボンディング装置100と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
次に図16を参照しながら第8実施形態のボンディング装置800について説明する。ボンディング装置800は、ステージ50の第1部分50bを平面構造とし、第2部分50cに凹部56を設けたものである。以下の説明では、先に図1から3を参照して説明したボンディング装置100及び図15を参照して説明したボンディング装置700と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。ボンディング装置800のステージ50は、先に説明したボンディング装置700と異なり、熱伝導率の高い、例えば、銅や鉄などの材料で構成されている。
[0007]
しかし、DAFの耐熱温度は、はんだボール等の接合用金属の溶融温度よりも低いので、メモリチップを接合用金属の溶融温度まで加熱するとDAFが劣化してしまうという問題がある。反対にメモリチップをDAFの耐熱温度までしか加熱しない場合、接合用金属が十分に溶融せず、メモリチップと基板との電気的な接合が良好に行えないという問題がある。このため、このようなボンディング方法は特許文献3に記載されたような半導体チップを均一に加熱するボンディング装置では実行することができず、メモリチップ(ボンディング部材)の中央部分の温度が周縁部分の温度よりも低くなるようにメモリチップ(ボンディング部材)を加熱可能なボンディング装置が要望されている。
[0008]
そこで、本発明は、ボンディング部材の中央部を周縁部よりも低い温度に加熱可能なボンディング装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009]
本発明のボンディング装置は、ヒータと、ボンディング部材を吸着する第1面と、第1面と反対側でヒータに取り付けられる第2面とを有し、第1面の第1周縁領域がボンディング部材の周縁部を第1部材に押圧し、第1面の第1中央領域がボンディング部材の中央部を第1部材よりも耐熱温度の低い第2部材に押圧するボンディングツールと、を備え、ボンディングツールの第1中央領域からボンディング部材の中央部に伝達されるボンディング部材の単位面積当たりの熱量が、ボンディングツールの第1周縁領域からボンディング部材の周縁部に伝達されるボンディング部材の単位面積当たりの熱量よりも小さく、前記ボンディングツールの前記第1中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有していること、を特徴とする。
[0010]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第1中央領域は、ボンディングツールの第1周縁領域よりもボンディング部材との接触面積が小さいこと、としても好適である。
[0011]
[0012]
[0013]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第1中央領域は、ボンディングツールの第1周縁領域よりも熱伝導率の低い材料で構成されていること、としても好適である。
[0014]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2面は、第1中央領域に対応する第2中央領域と第2中央領域の外周側の第2周縁領域と、を有し、ヒータの中央部からボンディングツールの第2中央領域に伝達されるヒータの単位面積当たりの熱量が、ヒータの周縁部からボンディングツールの第2周縁領域に伝達されるヒータの単位面積当たりの熱量よりも小さいこと、としても好適である。
[0015]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2中央領域は、ボンディングツールの第2周縁領域よりもヒータとの接触面積が小さいこと、としても好適である。
[0016]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2中央領域には複数の凹部が格子状に配置されていること、としても好適である。
[0017]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有していること、としても好適である。
[0018]
本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2中央領域は、ボンディングツールの第2周縁領域よりも熱伝導率の低い材料で構成されていること、としても好適である。
[0019]
本発明のボンディング装置において、基板を吸着固定するステージを備え、第2部材は、基板に接合された電子部品の上に載置されており、第1部材は、電子部品の周囲の基板の上に形成されており、電子部品が接合されている基板の第1領域から基板の第1領域に対向するステージの第1部分に伝達される基板の単位面積当たりの熱量が、第1部材が配置されている基板の第2領域から基板の第2領域に対向するステージの第2部分に伝達される基板の単位面積当たりの熱量よりも大きいこと、としても好適である。
[0020]
本発明のボンディング装置において、ステージは、第1部分に冷却空気の
流れる冷却流路が設けられていること、としても好適であるし、第2部分の表面に凹部が設けられていることとしても好適である。
[0021]
本発明のボンディング装置は、ヒータと、ボンディングツールと、を備え、ボンディングツールは、ボンディング部材を吸着する第1面と、第1面と反対側でヒータに取り付けられる第2面とを有し、第1面は、第1周縁領域及び第1中央領域を有し、第1中央領域には凹部が形成されており、第1面の第1周縁領域がボンディング部材の周縁部を第1部材に押圧し、第1面の第1中央領域がボンディング部材の中央部を第1部材よりも耐熱温度の低い第2部材に押圧し、ボンディングツールは、更に、第2面から凹部に連通してボンディング部材を吸着するとともに、凹部とボンディング部材との間に真空断熱層を形成する真空孔と、を有し、ボンディングツールの第1中央領域からボンディング部材の中央部に伝達されるボンディング部材の単位面積当たりの熱量が、ボンディングツールの第1周縁領域からボンディング部材の周縁部に伝達されるボンディング部材の単位面積当たりの熱量よりも小さいことを特徴とする。また、本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第1中央領域には複数の凹部が格子状に配置されてもよい。また、本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2面は、第1中央領域に対応する第2中央領域と第2中央領域の外周側の第2周縁領域と、を有し、ヒータの中央部からボンディングツールの第2中央領域に伝達されるヒータの単位面積当たりの熱量が、ヒータの周縁部からボンディングツールの第2周縁領域に伝達されるヒータの単位面積当たりの熱量よりも小さく、ボンディングツールの第2中央領域は、ボンディングツールの第2周縁領域よりもヒータとの接触面積が小さいこととしてもよい。また、本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2中央領域には複数の凹部が格子状に配置されてもよいし、ボンディングツールの第2中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有してもよいし、ボンディングツールの第2中央領域は、ボンディングツールの第2周縁領域よりも熱伝導率の低い材料で構成されていてもよい。また、本発明のボンディング装置において、基板を吸着固定するステージを備え、第2部材は、基板に接合された電子部品の上に載置されており、第1部材は、電子部品の周囲の基板の上に形成されており、電子部品が接合されている基板の第1領域から基板の第1領域に対向するステージの第1部分に伝達される基板の単位面積当たりの熱量が、第1部材が配置されている基板の第2領域から基板の第2領域に対向するステージの第2部分に伝達される基板の単位面積当たりの熱量よりも大きいこととしてもよい。更に、本発明のボンディング装置において、ステージは、第1部分に冷却空気の流れる冷却流路が設けられてもよいし、ステージは、第2部分の表面に凹部が設けられてもよい。
発明の効果
[0022]
本発明は、ボンディング部材の中央部を周縁部よりも低い温度に加熱可能なボンディング装置を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0023]
[図1]本発明の第1実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図2]図1に示すボンディング装置に取り付けられるボンディングツールを下側から見た斜視図である。
[図3]図1に示すボンディング装置によってヒータで加熱したメモリチップの中央部をコントローラチップ上のDAFに押圧すると共に、メモリチップの周縁部を基板の上に形成されたはんだボールの上に押圧している状態を示す説明図である。
[図4]本発明の第2実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図5]図4に示すボンディング装置に取り付けられるボンディングツールを下側から見た斜視図である。
[図6]図4に示すボンディング装置によってヒータで加熱したメモリチップの中央部をコントローラチップ上のDAFに押圧すると共に、メモリチップの周縁部を基板の上に形成されたはんだボールの上に押圧している状態を示す説明図である。
[図7]本発明の第3実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図8]本発明の第4実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図9]図8に示すボンディング装置に取り付けられるボンディングツールを上側から見た斜視図である。
[図10]図8に示すボンディング装置によってヒータで加熱したメモリチップの中央部をコントローラチップ上のDAFに押圧すると共に、メモリチップの周縁部を基板の上に形成されたはんだボールの上に押圧している状態を示
流れる冷却流路が設けられていること、としても好適であるし、第2部分の表面に凹部が設けられていることとしても好適である。
[0021]
本発明のボンディング装置は、ヒータと、ボンディングツールと、を備え、ボンディングツールは、ボンディング部材を吸着する第1面と、第1面と反対側でヒータに取り付けられる第2面とを有し、第1面は、第1周縁領域及び第1中央領域を有し、第1中央領域には凹部が形成されており、第1面の第1周縁領域がボンディング部材の周縁部を第1部材に押圧し、第1面の第1中央領域がボンディング部材の中央部を第1部材よりも耐熱温度の低い第2部材に押圧し、ボンディングツールは、更に、第2面から凹部に連通してボンディング部材を吸着するとともに、凹部とボンディング部材との間に真空断熱層を形成する真空孔と、を有し、ボンディングツールの第1中央領域からボンディング部材の中央部に伝達されるボンディング部材の単位面積当たりの熱量が、ボンディングツールの第1周縁領域からボンディング部材の周縁部に伝達されるボンディング部材の単位面積当たりの熱量よりも小さく、ボンディングツールの第1中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有していることを特徴とする。また、本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第1中央領域には複数の凹部が格子状に配置されてもよい。また、本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2面は、第1中央領域に対応する第2中央領域と第2中央領域の外周側の第2周縁領域と、を有し、ヒータの中央部からボンディングツールの第2中央領域に伝達されるヒータの単位面積当たりの熱量が、ヒータの周縁部からボンディングツールの第2周縁領域に伝達されるヒータの単位面積当たりの熱量よりも小さく、ボンディングツールの第2中央領域は、ボンディングツールの第2周縁領域よりもヒータとの接触面積が小さいこととしてもよい。また、本発明のボンディング装置において、ボンディングツールの第2中央領域には複数の凹部が格子状に配置されてもよいし、ボンディングツールの第2中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有してもよいし、ボンディングツールの第2中央領域は、ボンディングツールの第2周縁領域よりも熱伝導率の低い材料で構成されていてもよい。また、本発明のボンディング装置において、基板を吸着固定するステージを備え、第2部材は、基板に接合された電子部品の上に載置されており、第1部材は、電子部品の周囲の基板の上に形成されており、電子部品が接合されている基板の第1領域から基板の第1領域に対向するステージの第1部分に伝達される基板の単位面積当たりの熱量が、第1部材が配置されている基板の第2領域から基板の第2領域に対向するステージの第2部分に伝達される基板の単位面積当たりの熱量よりも大きいこととしてもよい。更に、本発明のボンディング装置において、ステージは、第1部分に冷却空気の流れる冷却流路が設けられてもよいし、ステージは、第2部分の表面に凹部が設けられてもよい。
発明の効果
[0022]
本発明は、ボンディング部材の中央部を周縁部よりも低い温度に加熱可能なボンディング装置を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0023]
[図1]本発明の第1実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図2]図1に示すボンディング装置に取り付けられるボンディングツールを下側から見た斜視図である。
[図3]図1に示すボンディング装置によってヒータで加熱したメモリチップの中央部をコントローラチップ上のDAFに押圧すると共に、メモリチップの周縁部を基板の上に形成されたはんだボールの上に押圧している状態を示す説明図である。
[図4]本発明の第2実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図5]図4に示すボンディング装置に取り付けられるボンディングツールを下側から見た斜視図である。
[図6]図4に示すボンディング装置によってヒータで加熱したメモリチップの中央部をコントローラチップ上のDAFに押圧すると共に、メモリチップの周縁部を基板の上に形成されたはんだボールの上に押圧している状態を示す説明図である。
[図7]本発明の第3実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図8]本発明の第4実施形態のボンディング装置の断面図である。
[図9]図8に示すボンディング装置に取り付けられるボンディングツールを上側から見た斜視図である。
[図10]図8に示すボンディング装置によってヒータで加熱したメモリチップの中央部をコントローラチップ上のDAFに押圧すると共に、メモリチップの周縁部を基板の上に形成されたはんだボールの上に押圧している状態を示
Claims (19)
- ボンディング装置であって、
ヒータと、
ボンディング部材を吸着する第1面と、前記第1面と反対側で前記ヒータに取り付けられる第2面とを有し、前記第1面の第1周縁領域が前記ボンディング部材の周縁部を第1部材に押圧し、前記第1面の第1中央領域が前記ボンディング部材の中央部を前記第1部材よりも耐熱温度の低い第2部材に押圧するボンディングツールと、を備え、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域から前記ボンディング部材の中央部に伝達される前記ボンディング部材の単位面積当たりの熱量が、前記ボンディングツールの前記第1周縁領域から前記ボンディング部材の周縁部に伝達される前記ボンディング部材の単位面積当たりの熱量よりも小さいこと、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項1に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域は、前記ボンディングツールの前記第1周縁領域よりも前記ボンディング部材との接触面積が小さいこと、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項1に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域には複数の凹部が格子状に配置されていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項2に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域には複数の凹部が格子状に配置されていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項1に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有していること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項2に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域には複数の凹部が格子状に配置されていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項1に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第1中央領域は、前記ボンディングツールの前記第1周縁領域よりも熱伝導率の低い材料で構成されていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第2面は、前記第1中央領域に対応する第2中央領域と前記第2中央領域の外周側の第2周縁領域と、を有し、
前記ヒータの中央部から前記ボンディングツールの前記第2中央領域に伝達される前記ヒータの単位面積当たりの熱量が、前記ヒータの周縁部から前記ボンディングツールの前記第2周縁領域に伝達される前記ヒータの単位面積当たりの熱量よりも小さいこと、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項8に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第2中央領域は、前記ボンディングツールの前記第2周縁領域よりも前記ヒータとの接触面積が小さいこと、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項9に記載のボンディング装置あって、
前記ボンディングツールの前記第2中央領域には複数の凹部が格子状に配置されていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項8に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第2中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有していること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項9に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第2中央領域は、冷却空気の流れる冷却流路を有していること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項8に記載のボンディング装置であって、
前記ボンディングツールの前記第2中央領域は、前記ボンディングツールの前記第2周縁領域よりも熱伝導率の低い材料で構成されていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項1に記載のボンディング装置であって、
基板を吸着固定するステージを備え、
前記第2部材は、前記基板に接合された電子部品の上に載置されており、
前記第1部材は、前記電子部品の周囲の前記基板の上に形成されており、
前記電子部品が接合されている前記基板の第1領域から前記基板の前記第1領域に対向する前記ステージの第1部分に伝達される前記基板の単位面積当たりの熱量が、前記第1部材が配置されている前記基板の第2領域から前記基板の前記第2領域に対向する前記ステージの第2部分に伝達される前記基板の単位面積当たりの熱量よりも大きいこと、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項14に記載のボンディング装置であって、
前記ステージは、
前記第1部分に冷却空気の流れる冷却流路が設けられていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項14に記載のボンディング装置であって、
前記ステージは、
前記第2部分の表面に凹部が設けられていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項8に記載のボンディング装置であって、
基板を吸着固定するステージを備え、
前記第2部材は、前記基板に接合された電子部品の上に載置されており、
前記第1部材は、前記電子部品の周囲の前記基板の上に形成されており、
前記電子部品が接合されている前記基板の第1領域から前記基板の前記第1領域に対向する前記ステージの第1部分に伝達される前記基板の単位面積当たりの熱量が、前記第1部材が配置されている前記基板の第2領域から前記基板の前記第2領域に対向する前記ステージの第2部分に伝達される前記基板の単位面積当たりの熱量よりも大きいこと、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項17に記載のボンディング装置であって、
前記ステージは、
前記第1部分に冷却空気の流れる冷却流路が設けられていること、
を特徴とするボンディング装置。 - 請求項17に記載のボンディング装置であって、
前記ステージは、
前記第2部分の表面に凹部が設けられていること、
を特徴とするボンディング装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016059364 | 2016-03-24 | ||
JP2016059364 | 2016-03-24 | ||
PCT/JP2017/012077 WO2017164385A1 (ja) | 2016-03-24 | 2017-03-24 | ボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017164385A1 true JPWO2017164385A1 (ja) | 2019-03-22 |
JP6603401B2 JP6603401B2 (ja) | 2019-11-13 |
Family
ID=59900381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018507450A Active JP6603401B2 (ja) | 2016-03-24 | 2017-03-24 | ボンディング装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11508688B2 (ja) |
JP (1) | JP6603401B2 (ja) |
CN (1) | CN109196629B (ja) |
SG (1) | SG11201811522QA (ja) |
TW (1) | TWI662671B (ja) |
WO (1) | WO2017164385A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102471274B1 (ko) * | 2018-02-13 | 2022-11-28 | 삼성전자주식회사 | 리플로우를 위한 스택 툴 및 이를 포함하는 리플로우 장치 |
JP6691197B1 (ja) * | 2018-12-12 | 2020-04-28 | エイチアンドセオン カンパニー リミテッドH&ceon co., ltd. | ヒーターアセンブリー |
TWI684525B (zh) * | 2019-05-31 | 2020-02-11 | 頂瑞機械股份有限公司 | 真空壓合機 |
JP7368962B2 (ja) * | 2019-07-09 | 2023-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 実装装置 |
TW202119533A (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-16 | 台灣愛司帝科技股份有限公司 | 具有晶片吸附功能的晶片承載結構 |
US11410964B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-08-09 | Micron Technology, Inc. | Contaminant control in thermocompression bonding of semiconductors and associated systems and methods |
KR20210157200A (ko) | 2020-06-19 | 2021-12-28 | 삼성전자주식회사 | 칩 본딩 장치 |
TWI790747B (zh) * | 2021-09-15 | 2023-01-21 | 日商新川股份有限公司 | 基板保持具以及接合系統和接合方法 |
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2017
- 2017-03-24 JP JP2018507450A patent/JP6603401B2/ja active Active
- 2017-03-24 CN CN201780032363.5A patent/CN109196629B/zh active Active
- 2017-03-24 SG SG11201811522QA patent/SG11201811522QA/en unknown
- 2017-03-24 US US16/087,087 patent/US11508688B2/en active Active
- 2017-03-24 WO PCT/JP2017/012077 patent/WO2017164385A1/ja active Application Filing
- 2017-03-24 TW TW106109851A patent/TWI662671B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201811522QA (en) | 2019-01-30 |
TWI662671B (zh) | 2019-06-11 |
US11508688B2 (en) | 2022-11-22 |
US20210225799A1 (en) | 2021-07-22 |
CN109196629A (zh) | 2019-01-11 |
TW201739025A (zh) | 2017-11-01 |
JP6603401B2 (ja) | 2019-11-13 |
CN109196629B (zh) | 2021-12-07 |
WO2017164385A1 (ja) | 2017-09-28 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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