JPWO2017082212A1 - マスク一体型表面保護テープ - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 225
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 106
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 88
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 51
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 22
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 10
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 17
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 12
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 12
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical group CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940048053 acrylate Drugs 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 229940114077 acrylic acid Drugs 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical group CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- ZAMZCSIXTWIEDY-UHFFFAOYSA-N (2-propylphenyl)methanol Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1CO ZAMZCSIXTWIEDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 1,5-diisocyanato-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(N=C=O)C=C1N=C=O FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HASUCEDGKYJBDC-UHFFFAOYSA-N 1-[3-[[bis(oxiran-2-ylmethyl)amino]methyl]cyclohexyl]-n,n-bis(oxiran-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C1OC1CN(CC1CC(CN(CC2OC2)CC2OC2)CCC1)CC1CO1 HASUCEDGKYJBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSMCAVKSJWMSI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1-n,1-n,3-n,3-n-tetrakis(oxiran-2-ylmethyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=C(N(CC2OC2)CC2OC2)C(C)=CC=C1N(CC1OC1)CC1CO1 KQSMCAVKSJWMSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSFPVNOMQADCIA-UHFFFAOYSA-N 2-(aziridin-1-yl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1CN1C1=NC=NC=N1 NSFPVNOMQADCIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVRHNZGZWMKMNE-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[2-(2-methylpropyl)phenyl]-2-phenylethanone Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 WVRHNZGZWMKMNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NACPTFCBIGBTSJ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-phenyl-1-(2-propan-2-ylphenyl)ethanone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 NACPTFCBIGBTSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN=C=O DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- 229920012753 Ethylene Ionomers Polymers 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVUYXHYHTTVPRX-UHFFFAOYSA-N Tris(2-methyl-1-aziridinyl)phosphine oxide Chemical compound CC1CN1P(=O)(N1C(C1)C)N1C(C)C1 AVUYXHYHTTVPRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000001541 aziridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- SJRQIUVIXTUQLI-UHFFFAOYSA-N bis(oxiran-2-ylmethyl) benzene-1,4-dicarboxylate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.C=1C=C(C(=O)OCC2OC2)C=CC=1C(=O)OCC1CO1 SJRQIUVIXTUQLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- DKGCZVJEVNZACI-UHFFFAOYSA-N n-[[5-[[bis(oxiran-2-ylmethyl)amino]methyl]-5-methylcyclohexa-1,3-dien-1-yl]methyl]-1-(oxiran-2-yl)-n-(oxiran-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C1C(CN(CC2OC2)CC2OC2)=CC=CC1(C)CN(CC1OC1)CC1CO1 DKGCZVJEVNZACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
下記工程(a)〜(d)を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、当該マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも(メタ)アクリル系共重合体を含有する、マスク一体型表面保護テープ:
(a)マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、及び、
(d)O2プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程。
〔2〕
前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、〔1〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔3〕
前記工程(b)において、前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる前に、紫外線を照射して、前記粘着剤層を硬化させる工程を含み、
前記紫外線照射による硬化前において、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力、及び、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、いずれも0.2N/25mm以上であり、
前記紫外線照射による硬化後において、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力よりも低い、〔2〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔4〕
前記粘着剤層を構成する(メタ)アクリル系共重合体が側鎖にエチレン性不飽和結合を有する、〔2〕又は〔3〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔5〕
前記の側鎖にエチレン性不飽和結合を有する(メタ)アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中に、アルコール部の炭素数が8〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分を含有する、〔4〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔6〕
前記基材フィルムがポリオレフィン系樹脂層を有する、〔1〕〜〔5〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔7〕
前記粘着剤層を形成する(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移温度と前記マスク材層を形成する(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移温度との差が10℃以上である、〔1〕〜〔6〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔8〕
前記マスク材層及び前記粘着剤層には硬化剤が用いられており、前記マスク材層に用いられた硬化剤と、前記粘着剤層に用いられた硬化剤の種類が異なる、〔1〕〜〔7〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔9〕
前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、〔1〕〜〔8〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔10〕
前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、〔1〕〜〔9〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔11〕
基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも(メタ)アクリル系共重合体及び硬化剤を含有し、該粘着剤層が含有する硬化剤と該マスク剤層が含有する硬化剤の種類が異なる、マスク一体型表面保護テープ。
〔12〕
前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、〔11〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔13〕
前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、〔11〕又は〔12〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔14〕
前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、〔11〕〜〔13〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔15〕
前記マスク一体型表面保護テープがプラズマダイシング用である、〔11〕〜〔14〕のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
本発明のマスク一体型表面保護テープは、プラズマダイシング用であることが好ましい。すなわち、半導体ウェハから半導体チップを得るに際し、プラズマダイシングによりウェハを分割、個別化する工程を含む半導体チップの製造において好適に用いることができる。
本発明のマスク一体型表面保護テープは、さらに好ましくは、少なくとも下記工程(a)〜(d)を含む半導体チップの製造に用いられる。
(a)本発明のマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離して(すなわちマスク一体型表面保護テープから表面保護テープを剥離して)マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、及び、
(d)O2プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程。
(e)ウェハ固定テープから半導体チップをピックアップする工程
(f)ピックアップした半導体チップをダイボンディング工程に移行する工程
粘着剤層が放射線硬化型である場合、上記工程(b)において、上記マスク一体型表面保護テープから上記基材フィルムと上記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる前に、放射線を照射して、粘着剤層を硬化させる工程を含むことが好ましい。粘着剤層を硬化させることにより、マスク材層と粘着剤層との層間剥離性が向上し、マスク一体型表面保護テープから表面保護テープを剥離しやすくなる。
なお、下記の実施形態に用いる装置及び材料等は、特に断りのない限り、従来から半導体ウェハの加工に用いられている通常の装置及び材料等を使用することができ、その使用条件も通常の使用方法の範囲内で目的に応じて適宜に設定、好適化することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。
本発明が適用される製造方法の第1の実施形態を図1〜図5を参照して説明する。
半導体ウェハ1は、その表面Sに半導体素子の回路などが形成されたパターン面2を有している(図1(a)参照)。このパターン面2には、基材フィルム3aa上に粘着剤層3abを設けた表面保護テープ3aの粘着剤層3ab上に、さらにマスク材層3bを設けた本発明のマスク一体型表面保護テープ3を貼合し(図1(b)参照)、パターン面2が本発明のマスク一体型表面保護テープ3で被覆された半導体ウェハ1を得る(図1(c)参照)。
基材フィルム3aaはポリオレフィン樹脂からなる層(ポリオレフィン系樹脂層とも称す。)を有することが好ましい。この場合において、基材フィルム3aaはポリオレフィン樹脂層からなる単層でもよいし、ポリオレフィン樹脂層と他の樹脂層とからなる2層又はそれ以上の複層構造であってもよい。また、低密度ポリエチレンとエチレン−酢酸ビニル共重合体の積層体や、ポリプロピレンとポリエチレンテレフタレートの積層体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートは好適な材質の一つである。
本明細書において「放射線」とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる、本発明に用いる放射線は紫外線が好ましい。
本明細書において(メタ)アクリル系共重合体とは、例えば(メタ)アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体、あるいはこれらの共重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の重量平均分子量は、通常は30万〜100万程度である。上記(メタ)アクリル系共重合体の全モノマー成分中、(メタ)アクリル酸エステル成分の割合は70モル%以上が好ましく、80モル%以上がより好ましく、90モル%以上がさらに好ましい。また、(メタ)アクリル系共重合体の全モノマー成分中、(メタ)アクリル酸エステル成分の割合が100モル%でない場合、残部のモノマー成分は(メタ)アクリロイル基を重合性基として重合した形態で存在するモノマー成分((メタ)アクリル酸由来の構成成分等)であることが好ましい。また、(メタ)アクリル系共重合体の全モノマー成分中、後述する硬化剤と反応する官能基(例えばヒドロキシ基)を有する(メタ)アクリル酸エステル成分の割合は、1モル%以上が好ましく、2モル%以上がより好ましく、5モル%以上がより好ましく、10モル%以上がより好ましい。また当該(メタ)アクリル酸エステル成分の割合は35モル%以下が好ましく、25モル%以下がより好ましい。
上記(メタ)アクリル酸エステル成分は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(アルキル(メタ)アクリレートともいう)であることが好ましい。この(メタ)アクリル酸アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数は、1〜20が好ましく、1〜15がより好ましく、1〜12がさらに好ましい。
粘着剤層3ab中の(メタ)アクリル系共重合体の含有量(硬化剤と反応する前の状態に換算した含有量)は80質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95〜99.9質量%がさらに好ましい。
粘着剤層3abが放射線硬化型粘着剤で構成される場合、アクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを含有してなる粘着剤を好適に用いることができる。
アクリル系粘着剤は、(メタ)アクリル系共重合体、あるいは(メタ)アクリル系共重合体と硬化剤との混合物である。
放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基すなわち、炭素−炭素二重結合(エチレン性不飽和結合)を有する基が好ましい。かかる基の例として、ビニル基、アリル基、スチリル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基などが挙げられる。(メタ)アクリル系共重合体は、側鎖にエチレン性不飽和結合を有することが好ましい。(メタ)アクリル系共重合体のエチレン性不飽和結合含有量は、0.05〜10meq/gが好ましく、0.5〜5meq/gがより好ましい。
上記反応性基の共重合体中への導入は、例えば、ヒドロキシ基を有する共重合体と、ヒドロキシ基と反応する基(例えば、イソシアネート基)を有し、かつ上記反応性基を有する化合物〔(代表的には、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート〕とを反応させることにより行うことができる。
本発明のマスク一体型表面保護テープの粘着剤層3abを構成する、側鎖にエチレン性不飽和結合を有する(メタ)アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中には、アルコール部の炭素数が8〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分が含まれることが好ましい。側鎖にエチレン性不飽和結合を有する(メタ)アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中、アルコール部の炭素数が8〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分の割合は、45〜85モル%が好ましく、50〜80モル%がより好ましい。
ここで、(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分の「アルコール部」とは、エステル結合を形成しているアルコールに由来する構造を意味する(これに対し、(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分中、(メタ)アクリル酸由来の構造を酸部と呼ぶ)。例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分が2−エチルヘキシルアクリレート成分である場合、アルコール部は2−エチルヘキサノール由来の構造、酸部はアクリル酸由来の構造であり、アルコール部の炭素数は8となる。また、(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分がラウリルアクリレート成分である場合、アルコール部は1−ドデカノール由来の構造、酸部はアクリル酸由来の構造であり、アルコール部の炭素数は12となる。
マスク材層3bには、非放射線硬化型である、いわゆる感圧型の粘着剤が好適に用いられる。この感圧型の粘着剤としては、上述した、(メタ)アクリル系共重合体と硬化剤との混合物を好適に用いることができる。
また、マスク材層3bはフッ素系離型材を含有することも好ましい。フッ素系離型材としては、例えば、メガファック(商品名、DIC株式会社製)を挙げることができる。
マスク材層3bの厚みは、プラズマアッシングでの除去速度の観点から、5〜100μmが好ましく、5〜30μmがより好ましい。
なかでも、粘着剤層3abの形成に用いる硬化剤としてイソシアネート系硬化剤を用い、マスク材層3bに用いる硬化剤としてエポキシ系硬化剤を用いることが好ましい。かかる構成とすることにより、マスク剤層のみをウェハ上に残すことが容易となる。
ガラス転移温度の差が10℃以上になると層間接着力が低下するため、マスク剤層と粘着剤層の間で容易に剥離することができる。また、ガラス転移温度の差を50℃以下とすることにより、マスク剤層と粘着剤層の間の層間密着力を適度な強度に維持しやすくなり、ダスト侵入やウェハ割れが発生するリスクをより低減することができる。
ここで、上記の粘着剤層3abを形成する(メタ)アクリル系共重合体のTg、及びマスク材層3bを形成する(メタ)アクリル系共重合体のTgは、いずれも硬化剤と反応する前の状態における(メタ)アクリル系共重合体のTgを意味する。
粘着剤層3abのガラス転移温度は、マスク材層3bのガラス転移温度よりも低いことが好ましい。
Tgは、示差走査型熱量分析装置(島津製作所製、DSC−60)を用いて測定することができる。より詳細には、−100℃〜100℃まで昇温速度5℃/分で昇温し、JIS K 7121「プラスチックの転移温度測定方法」の、補外ガラス転移開始温度をTgとする。
本明細書において「密着力」(単位:N/25mm)は、テンシロンテスター(株式会社島津製作所製AG−10kNI(商品名))を使用して、マスク一体型表面保護テープをカッターで5mm幅の切り込みを入れた後、マスク材層をピール速度300mm/minで180°方向に引っ張って引き剥がし、その際の応力(ピール強度)を測ることで求められる。
ここで、上記密着力の測定において、紫外線照射条件は、紫外線を積算照射量500mJ/cm2となるように、マスク一体型表面保護テープ全体に、当該テープの基材フィルム側から照射することをいう。紫外線照射には高圧水銀灯を用いる。
また、マスク材層3bをO2プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面2側(表面S側)からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。これらの理由から設備を簡易化でき、プロセスコストを大幅に抑えることができる。
本実施形態では第1実施形態における表面保護テープ3aを剥離する工程の前に、マスク一体型表面保護テープ3に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層を硬化させる工程を含む点で第1実施形態と異なる。その他の工程は第1実施形態と同じである。
粘着剤層3abを紫外線等で硬化させることにより、表面保護テープ3aとマスク材層3bとの剥離が容易になる。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
メタクリル酸1.0mol%、2−エチルヘキシルアクリレート78mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート21mol%を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量70万の(メタ)アクリル系共重合体溶液を得た。
得られた共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(商品名:カレンズMOI、昭和電工株式会社製)を付加することで以下の物性の(メタ)アクリル共重合体を得た。(重量平均分子量:70万、二重結合量:0.90meq/g、水酸基価:33.5mgKOH/g、酸価:5.5mgKOH/g、Tg:−68℃)
このエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体100質量部に対し、硬化剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業株式会社製、イソシアネート系硬化剤)を2.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を5.0質量部配合し、粘着剤組成物Aを得た。
このアクリル系共重合体の溶液に該共重合体100質量部に対して、硬化剤としてTETRAD−X(三菱ガス化学株式会社製、エポキシ系硬化剤)を2.0質量部配合し粘着剤組成物Bを得た。
上記粘着剤組成物Aを剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルムに貼り合せ、厚さ130μmの紫外線硬化型表面保護テープ3aを得た。
更に粘着剤組成物Bを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが10μm厚となるように塗工し、当該紫外線硬化型表面保護テープ3aの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚140μmの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III(商品名:日東精機(株)社製)を用いて、スクライブライン(ストリート)付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760(商品名:ディスコ(株)社製)を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて500mJ/cm2の紫外線を照射することでマスク材層3bと表面保護テープ3aとの間の密着力を低減させ、表面保護テープ3aのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。ここで、マスク材層3bを残して表面保護テープ3aのみを剥離できていることから、紫外線照射後において、マスク剤層と粘着剤層の密着力が、マスク剤層とウェハ間の密着力よりも低いことが分かった。
次にCO2レーザーでスクライブライン上のマスク剤の除去し、スクライブラインを開口した。
その後、プラズマ発生用ガスとしてSF6ガスを用い、シリコンウェハを15μm/分のエッチング速度で5分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてO2ガスを用い、1.5μm/分のエッチング速度で10分間アッシングを行い、マスク剤を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し(照射量200mJ/cm2)、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
SG−600TEA(商品名、ナガセケムテック社製、(メタ)アクリル系共重合体、重量平均分子量:120万、水酸基価:20mgKOH/g、酸価:0mgKOH/g、Tg:−32℃)100質量部に対し、硬化剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業株式会社製)を2.0質量部配合し、粘着剤組成物Cを得た。
得られた粘着剤組成物Cを剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルムに貼り合せ、厚さ130μmの感圧型の表面保護テープ3aを得た。
更に粘着剤組成物Bを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが10μm厚となるように塗工し、上記感圧型の表面保護テープの剥離ライナーを剥がした粘着剤層上に貼り合せることで総厚140μmの感圧型のマスク一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III(商品名:日東精機(株)社製)を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に上記で得られた感圧型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760(商品名:ディスコ(株)社製)を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後の前記マスク剤付ウェハをRAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に表面保護テープ3aのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。
その後、紫外線照射を行わないこと以外は実施例1と同様にして、すなわち実施例1と同様にしてスクライブラインを開口し、プラズマダイシング、アッシングを行い、チップをピックアップした。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
メタクリル酸1.0mol%、ラウリルアクリレート53mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート26mol%、2−エチルヘキシルアクリレート20mol%を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量30万の(メタ)アクリル系共重合体溶液を得た。
得られた共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(商品名:カレンズMOI、昭和電工株式会社製)を付加することで以下の物性の(メタ)アクリル共重合体を得た。(重量平均分子量:30万、二重結合量0.59meq/g、水酸基価55.6mgKOH/g、酸価5.5mgKOH/g、Tg:−20℃)
このエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体100質量部に硬化剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業株式会社製)を2.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を5.0質量部配合し、粘着剤組成物Dを得た。
更に上記実施例1で調製した粘着剤組成物Bを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが10μm厚となるように塗工し、当該紫外線硬化型表面保護テープの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚140μmの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III(商品名:日東精機(株)社製)を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760(商品名:ディスコ(株)社製)を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて500mJ/cm2の紫外線を照射することでマスク材層3bと表面保護テープ3aとの間の密着力を低減させ、表面保護テープ3aのみ剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。ここで、マスク材層3bを残して表面保護テープ3aのみを剥離できていることから、紫外線照射後において、マスク剤層と粘着剤層の密着力が、マスク剤層とウェハ間の密着力よりも低いことが分かった。
その後、実施例1と同様にして、スクライブラインを開口し、プラズマダイシング、アッシングを行い、紫外線を照射した後、チップをピックアップした。
上記実施例3に置いて、幅25mmの一体型テープをシリコンウェハに貼合した。その後、剥離角度180°、剥離速度300mm/minで密着力の測定を実施したところ2N/25mmにおいてマスク剤層とウェハ表面との間での剥離が確認された。この結果により、マスク剤層と粘着剤層との間の粘着力も2N/25mm以上であることが確認された。
<マスク付ウェハの作製>
レーザーを用いてチップサイズ10mm×10mm、スクライブライン幅70μmの8インチスクライブライン付シリコンウェハを作製した。ポジ型感光性材料を前記スクライブライン付シリコンウェハ上に塗布し、厚み10μmのレジストマスク層を形成した。フォトマスクを用いてスクライブライン上のみに紫外線を照射し、アルカリ性の現像液を用いてスクライブライン上のレジストを除去し、マスク付ウェハを作製した。
KP−1909B(商品名、日本カーバイト社製)100質量部に対して、硬化剤としてコロネートL(商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製)1.0質量部を配合し、粘着剤組成物を得た。
この粘着剤組成物を厚さが30μmになるように剥離ライナー上に塗工し、厚み100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルムのコロナ処理面に貼り合せ、厚さ130μmの感圧型表面保護テープを得た。
ラミネータDR8500III(商品名:日東精機(株)社製)を用いて、上記で調製したマスク付ウェハのマスク上に、上記で調製した感圧型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760(商品名:ディスコ(株)社製)を用いて、前記マスク付シリコンウェハの裏面を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後の前記マスク剤付シリコンウェハをRAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。その後、感圧型表面保護テープを剥離した。
その後、実施例1と同様にしてプラズマダイシングによりウェハをチップへと分割し、次いで実施例1と同様にしてアッシングによりマスクを除去し、更に、実施例1と同様にしてチップをピックアップした。
<マスク付ウェハの作製>
比較例1と同様にして、フォトリソグラフィプロセスによりマスク付シリコンウェハを作製した。
メタクリル酸20mol%、2−エチルヘキシルアクリレート30mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート10mol%、メチルアクリレート40mol%を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量60万の(メタ)アクリル系共重合体の溶液を得た。
上記(メタ)アクリル系共重合体の溶液に、該(メタ)アクリル系共重合体100質量部に対して、紫外線反応性樹脂として6官能のウレタンアクリレートオリゴマー(新中村化学工業株式会社製)を100質量部および3官能のウレタンアクリレートオリゴマー(新中村化学工業株式会社製)を50質量部、硬化剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業株式会社製)を4.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を10質量部配合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着剤組成物を粘着剤層の厚みが30μmになるように透明な剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルムのコロナ処理面に貼り合せ、厚さ130μmの紫外線硬化型表面保護テープを得た。
ラミネータDR8500III(商品名:日東精機(株)社製)を用いて、上記で調製したマスク付ウェハのマスク上に上記で調製した紫外線硬化型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760(商品名:ディスコ(株)社製)を用いて、前記マスク付ウェハの裏面を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後の前記マスク付ウェハをRAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。その後、500mJ/cm2の紫外線を表面保護テープの側から照射した後、紫外線硬化型表面保護テープを剥離した。
上記各実施例及び比較例の<半導体チップの製造>において、表面保護テープを剥離した際に要した力(剥離性)を下記評価基準により評価した。なお、表面保護テープの剥離はRAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて行った。
−表面保護テープの剥離性の評価基準−
◎:弱い力で簡単に表面保護テープのみを剥離することができた。
○:剥離するのにやや強い力を要したが、表面保護テープのみを剥離することができた。
×:剥離することができなかった。又は、マスク材層ごと剥離されてしまった。
上記各実施例及び比較例の<半導体チップの製造>において、O2プラズマアッシング(1.5μm/分のエッチング速度で10分間アッシング)後のマスク材の残留の有無を、レーザー顕微鏡を用いて調べた。
−マスク材層の除去性の評価基準−
○:マスク材層の残留が無い。
×:マスク材層の残留が有る。
上記各実施例及び比較例の<半導体チップの製造>において、表面保護テープを剥離した後、ウェハ表面を顕微鏡で観察し、スクライブライン上の糊残りの有無を調べた。
−スクライブライン上の糊残りの評価基準−
○:糊残りが無い。
×:糊残りが有る。
試験例1〜3の結果を下表に示す。
2 パターン面
3 マスク一体型表面保護テープ
3a 表面保護テープ
3aa 基材フィルム
3ab 粘着剤層
3b マスク材層
4 ウェハ固定テープ
4a 粘着剤層または接着剤層
4b 基材フィルム
7 チップ
S 表面
B 裏面
M1 ウェハ研削装置
M2 ピン
M3 コレット
F リングフレーム
L レーザー(CO2レーザー)
P1 SF6ガスのプラズマ
P2 O2ガスのプラズマ
Claims (15)
- 下記工程(a)〜(d)を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、当該マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも(メタ)アクリル系共重合体を含有する、マスク一体型表面保護テープ:
(a)マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、及び、
(d)O2プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程。 - 前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、請求項1記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記工程(b)において、前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる前に、紫外線を照射して、前記粘着剤層を硬化させる工程を含み、
前記紫外線照射による硬化前において、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力、及び、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、いずれも0.2N/25mm以上であり、
前記紫外線照射による硬化後において、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力よりも低い、請求項2記載のマスク一体型表面保護テープ。 - 前記粘着剤層を構成する(メタ)アクリル系共重合体が側鎖にエチレン性不飽和結合を有する、請求項2又は3記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記の側鎖にエチレン性不飽和結合を有する(メタ)アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中に、アルコール部の炭素数が8〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステル成分を含有する、請求項4記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記基材フィルムがポリオレフィン系樹脂層を有する、請求項1〜5のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記粘着剤層を形成する(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移温度と前記マスク材層を形成する(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移温度との差が10℃以上である、請求項1〜6のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層及び前記粘着剤層には硬化剤が用いられており、前記マスク材層に用いられた硬化剤と、前記粘着剤層に用いられた硬化剤の種類が異なる、請求項1〜7のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、請求項1〜8のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、請求項1〜9のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも(メタ)アクリル系共重合体及び硬化剤を含有し、該粘着剤層が含有する硬化剤と該マスク剤層が含有する硬化剤の種類が異なる、マスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、請求項11記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、請求項11又は12記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、請求項11〜13のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク一体型表面保護テープがプラズマダイシング用である、請求項11〜14のいずれか1項記載のマスク一体型表面保護テープ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015219737 | 2015-11-09 | ||
JP2015219737 | 2015-11-09 | ||
PCT/JP2016/082985 WO2017082212A1 (ja) | 2015-11-09 | 2016-11-07 | マスク一体型表面保護テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017082212A1 true JPWO2017082212A1 (ja) | 2018-08-30 |
JP6845134B2 JP6845134B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=58696088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017528230A Active JP6845134B2 (ja) | 2015-11-09 | 2016-11-07 | マスク一体型表面保護テープ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11707804B2 (ja) |
EP (1) | EP3376528B1 (ja) |
JP (1) | JP6845134B2 (ja) |
KR (1) | KR102042538B1 (ja) |
CN (1) | CN107431004B (ja) |
ES (1) | ES2930455T3 (ja) |
PT (1) | PT3376528T (ja) |
TW (1) | TWI631608B (ja) |
WO (1) | WO2017082212A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170122185A (ko) * | 2015-11-09 | 2017-11-03 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 칩의 제조방법 및 이것에 이용하는 마스크 일체형 표면 보호 테이프 |
US10818553B2 (en) * | 2018-03-26 | 2020-10-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for cutting element chip by laser scribing |
JP7281873B2 (ja) | 2018-05-14 | 2023-05-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7166718B2 (ja) * | 2018-10-17 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
TW202114873A (zh) * | 2019-06-03 | 2021-04-16 | 愛爾蘭商滿捷特科技公司 | 處理mems晶圓的方法 |
US11587834B1 (en) * | 2020-06-29 | 2023-02-21 | Plasma-Therm Llc | Protective coating for plasma dicing |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098228A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2008193034A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2008226940A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2009033155A (ja) * | 2006-12-05 | 2009-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハの処理方法 |
JP2013225647A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ |
WO2014080918A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ |
JP2014523116A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 物理的に除去可能なマスクを用いたレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3906962B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2007-04-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4237430B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物 |
JP4776188B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2011-09-21 | 古河電気工業株式会社 | 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ |
JP4333649B2 (ja) | 2005-07-11 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4488037B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2010-06-23 | パナソニック株式会社 | 半導体ウェハの処理方法 |
JP2009141024A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘着テープ |
JP2009260272A (ja) | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法 |
JP2010165963A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハの処理方法 |
JP5246879B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 硬化樹脂層の製造方法 |
JP5705447B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-04-22 | 古河電気工業株式会社 | 表面保護用粘着テープ |
WO2012157759A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル、ペリクル用粘着剤、ペリクル付フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
TW201341199A (zh) * | 2011-12-12 | 2013-10-16 | Nitto Denko Corp | 積層片材以及使用積層片材之半導體裝置之製造方法 |
KR102051271B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2019-12-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막 형성층이 부착된 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법 |
WO2014157426A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート |
JP5697061B1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-04-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法 |
US8999816B1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes |
-
2016
- 2016-11-07 ES ES16864173T patent/ES2930455T3/es active Active
- 2016-11-07 EP EP16864173.6A patent/EP3376528B1/en active Active
- 2016-11-07 CN CN201680020678.3A patent/CN107431004B/zh active Active
- 2016-11-07 KR KR1020177028714A patent/KR102042538B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-07 JP JP2017528230A patent/JP6845134B2/ja active Active
- 2016-11-07 PT PT168641736T patent/PT3376528T/pt unknown
- 2016-11-07 WO PCT/JP2016/082985 patent/WO2017082212A1/ja unknown
- 2016-11-09 TW TW105136426A patent/TWI631608B/zh active
-
2018
- 2018-01-11 US US15/868,056 patent/US11707804B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098228A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2009033155A (ja) * | 2006-12-05 | 2009-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハの処理方法 |
JP2008193034A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2008226940A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2014523116A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 物理的に除去可能なマスクを用いたレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング |
JP2013225647A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ |
WO2014080918A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180021672A (ko) | 2018-03-05 |
TW201729276A (zh) | 2017-08-16 |
CN107431004A (zh) | 2017-12-01 |
US11707804B2 (en) | 2023-07-25 |
US20180226359A1 (en) | 2018-08-09 |
EP3376528A4 (en) | 2019-07-10 |
CN107431004B (zh) | 2021-11-19 |
EP3376528A1 (en) | 2018-09-19 |
KR102042538B1 (ko) | 2019-11-08 |
TWI631608B (zh) | 2018-08-01 |
JP6845134B2 (ja) | 2021-03-17 |
PT3376528T (pt) | 2022-09-29 |
WO2017082212A1 (ja) | 2017-05-18 |
ES2930455T3 (es) | 2022-12-13 |
EP3376528B1 (en) | 2022-09-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |