JPWO2015019794A1 - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015019794A1 JPWO2015019794A1 JP2015530768A JP2015530768A JPWO2015019794A1 JP WO2015019794 A1 JPWO2015019794 A1 JP WO2015019794A1 JP 2015530768 A JP2015530768 A JP 2015530768A JP 2015530768 A JP2015530768 A JP 2015530768A JP WO2015019794 A1 JPWO2015019794 A1 JP WO2015019794A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- matching circuit
- connection terminal
- filter
- frequency module
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 130
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 68
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 68
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 68
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 35
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 58
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6479—Capacitively coupled SAW resonator filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0004—Impedance-matching networks
- H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
- H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
- H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
Description
図1に示す高周波モジュール11は、シリーズ接続型の第1整合回路41および第2整合回路42を備える。
図2に示す高周波モジュール12は、シャント接続型の第1整合回路43および第2整合回路44を備える。
図3に示す高周波モジュール13は、シリーズ接続型の第1整合回路41およびシャント接続型の第2整合回路44を備える。
図4に示す高周波モジュール14は、シャント接続型の第1整合回路43およびシリーズ接続型の第2整合回路42を備える。
図9は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール101は、積層基板100、フィルタ基板200、カバー層290、側面カバー層291を備える。
図11は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図11に示す高周波モジュール101Aでは、インダクタ42Lが、積層基板100の天面100Sに形成されず、積層基板100内に形成された電極パターンによって実現される。高周波モジュール101Aのその他の構成は、図9に示した高周波モジュール101と同様であり、説明は省略する。
図12は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。高周波モジュール101Bは、フィルタ部21、積層基板100および実装型回路素子420,430を備える。
図13は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図13に示す高周波モジュール101Cでは、フィルタ部21が、図9に示したWLP構造で実現されず、所謂ベアチップにより実現される。高周波モジュール101Cのその他の構成は、図9に示した高周波モジュール101と同様であり、説明は省略する。
図14は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図14に示す高周波モジュール101Dは、所謂CSP(Chip Size Package)構造で実現されている。
20,21:フィルタ部、
22:第2のフィルタ部
201−208,211−214,221:SAW共振子、
231,232:縦結合型SAW共振子、
41,43:第1整合回路、
42,44:第2整合回路、
41L,42L,43L,44L:インダクタ、
41C,42C,43C,44C:キャパシタ、
401,402:接続ライン、
50,51,60:インダクタ、
P1:第1外部接続端子、
P2:第2外部接続端子、
P21,P21’:第1シリーズ接続端子、
P22:第2シリーズ接続端子、
P31,P32:第3端子、
P23,P231,P232:第1シャント接続端子、
P24:第2シャント接続端子、
100:積層基板、
100S,280S:天面、
100R,280R:底面、
200:フィルタ基板、
280:フィルタ実装用基板、
281:バンプ導体、
282:外部接続用バンプ導体、
283:樹脂層、
290:カバー層、
291:側面カバー層、
292:密閉空間
293:接続電極、
294:実装用電極、
420,430:実装型回路素子、
421V,431V,432V:ビア導体
Claims (14)
- 第1外部接続端子と、
第2外部接続端子と、
前記第1外部接続端子と前記第2外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第1外部接続端子と前記フィルタ部との間に接続された第1整合回路と、
前記第2外部接続端子と前記フィルタ部との間に接続された第2整合回路と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記第1整合回路と前記第2整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている、高周波モジュール。 - 前記フィルタ部は、
前記第1外部接続端子に接続する第1シリーズ接続端子と、
前記第2外部接続端子に接続する第2シリーズ接続端子と、
前記第1シリーズ接続端子と前記第2シリーズ接続端子との間に直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子と、
を備える、請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項1または請求項2に記載の高周波モジュール。
- 前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項3に記載の高周波モジュール。
- 前記第1整合回路は、前記第1外部接続端子と前記フィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、前記第1外部接続端子と前記フィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路であり、
前記第2整合回路は、前記第2外部接続端子と前記フィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、前記第2外部接続端子と前記フィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である、
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記フィルタ部は、第3端子と、第2のフィルタ部とを備え、
前記第2のフィルタ部は、前記第1シリーズ接続端子および該第1シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、前記第3端子との間に接続されている、
請求項2乃至請求項5のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記フィルタ部を構成するIDT電極が第1主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第1主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
前記第1主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状の接続電極と、
前記第1整合回路および前記第2整合回路が実装または形成された積層基板と、を備え、
前記フィルタ基板は、前記第1主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、
前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記フィルタ部を構成するIDT電極が第1主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
前記第1主面から突出する形状の接続電極と、
前記第1整合回路および前記第2整合回路が実装または形成された積層基板と、
前記フィルタ部を封止するための樹脂層と、を備え、
前記フィルタ基板は、前記第1主面側が前記積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置され、
前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続され、
前記樹脂層は、前記フィルタ基板が配置された前記積層基板の実装面を覆う、
請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子を含んでおり、
前記第1整合回路と前記第2整合回路とは近接して配置されている、
請求項7または請求項8に記載の高周波モジュール。 - 前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、
直方体形状の筐体と、
該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、
を備え、
前記第1整合回路を構成する筐体の長辺は、前記第2整合回路を構成する筐体の長辺に近接して配置されている、
請求項9に記載の高周波モジュール。 - 前記第1整合回路と前記第2整合回路とは前記積層基板の実装面または内部に形成され、
前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、前記積層基板の積層方向から見て、重なっている、請求項7または請求項8に記載の高周波モジュール。 - 前記第1整合回路と前記第2整合回路とは前記積層基板の内部に形成され、
前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、前記積層基板の実装面に平行な方向から見て、重なっている、請求項7または請求項8に記載の高周波モジュール。 - 前記第1整合回路または前記第2整合回路は、前記カバー層の内部に形成されている、請求項7に記載の高周波モジュール。
- 前記フィルタ部を構成するIDT電極が第1主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第1主面側に配置され、該フィルタ基板の前記第1主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、
前記第1整合回路と前記第2整合回路とは、前記フィルタ実装用基板に実装または形成されている、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013163268 | 2013-08-06 | ||
JP2013163268 | 2013-08-06 | ||
PCT/JP2014/068548 WO2015019794A1 (ja) | 2013-08-06 | 2014-07-11 | 高周波モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015019794A1 true JPWO2015019794A1 (ja) | 2017-03-02 |
JP6249020B2 JP6249020B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=52461133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015530768A Active JP6249020B2 (ja) | 2013-08-06 | 2014-07-11 | 高周波モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9917569B2 (ja) |
JP (1) | JP6249020B2 (ja) |
CN (1) | CN105453429B (ja) |
WO (1) | WO2015019794A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6358238B2 (ja) * | 2015-11-18 | 2018-07-18 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
WO2017110639A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US11894622B2 (en) | 2016-08-29 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Antenna structure with double-slotted loop and associated methods |
US11769949B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-26 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
US11764473B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-19 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
US11764749B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-19 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus with partitioned radio frequency antenna and matching network and associated methods |
US11749893B2 (en) | 2016-08-29 | 2023-09-05 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for antenna impedance-matching and associated methods |
JP6729790B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2020-07-22 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP6798521B2 (ja) * | 2017-05-19 | 2020-12-09 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
US10230418B2 (en) * | 2017-05-19 | 2019-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device |
US10560069B2 (en) * | 2017-06-26 | 2020-02-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave apparatus |
US11894826B2 (en) | 2017-12-18 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band balun and associated methods |
US11894621B2 (en) | 2017-12-18 | 2024-02-06 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band balun with improved performance and associated methods |
US11750167B2 (en) * | 2017-11-27 | 2023-09-05 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for radio-frequency matching networks and associated methods |
US11916514B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-02-27 | Silicon Laboratories Inc. | Radio-frequency apparatus with multi-band wideband balun and associated methods |
JP7014308B2 (ja) * | 2018-11-20 | 2022-02-01 | 株式会社村田製作所 | エクストラクタ |
JP7352855B2 (ja) | 2019-08-21 | 2023-09-29 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
CN111162752A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-05-15 | 诺思(天津)微***有限责任公司 | 一种体声波滤波器 |
US11862872B2 (en) | 2021-09-30 | 2024-01-02 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for antenna optimization and associated methods |
WO2024106269A1 (ja) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | 京セラ株式会社 | フィルタ、モジュール及び通信装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62261211A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Toyo Commun Equip Co Ltd | フイルタ |
JPS6436112A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Nec Corp | Surface acoustic wave filter |
JP2006100680A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用パッケージおよびその製造方法並びに圧電デバイス |
JP2006135447A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Fujitsu Media Device Kk | 分波器 |
WO2007083432A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
WO2007102560A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Kyocera Corporation | 分波器および通信装置 |
JP2010041097A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | フィルタ、分波器および通信機器 |
JP2010514284A (ja) * | 2006-12-19 | 2010-04-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 高周波コンポーネントを備える構造、および接続インダクタンスを補償する方法 |
WO2011093449A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
JP2012109818A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | フィルタ回路、分波器およびrfモジュール |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3933650B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2007-06-20 | シャープ株式会社 | ローパスフィルタ回路 |
JP5212648B2 (ja) | 2009-02-16 | 2013-06-19 | 宇部興産株式会社 | 分波器 |
KR101644383B1 (ko) | 2012-08-30 | 2016-08-01 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 필터 장치 |
-
2014
- 2014-07-11 JP JP2015530768A patent/JP6249020B2/ja active Active
- 2014-07-11 CN CN201480043107.2A patent/CN105453429B/zh active Active
- 2014-07-11 WO PCT/JP2014/068548 patent/WO2015019794A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-02-05 US US15/016,860 patent/US9917569B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62261211A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Toyo Commun Equip Co Ltd | フイルタ |
JPS6436112A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Nec Corp | Surface acoustic wave filter |
JP2006100680A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用パッケージおよびその製造方法並びに圧電デバイス |
JP2006135447A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Fujitsu Media Device Kk | 分波器 |
WO2007083432A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
WO2007102560A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Kyocera Corporation | 分波器および通信装置 |
JP2010514284A (ja) * | 2006-12-19 | 2010-04-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 高周波コンポーネントを備える構造、および接続インダクタンスを補償する方法 |
JP2010041097A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | フィルタ、分波器および通信機器 |
WO2011093449A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
JP2012109818A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | フィルタ回路、分波器およびrfモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9917569B2 (en) | 2018-03-13 |
JP6249020B2 (ja) | 2017-12-20 |
US20160156335A1 (en) | 2016-06-02 |
CN105453429A (zh) | 2016-03-30 |
CN105453429B (zh) | 2018-02-09 |
WO2015019794A1 (ja) | 2015-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6249020B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6183456B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP5817795B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6406266B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6183461B2 (ja) | 高周波モジュール | |
CN107078715B (zh) | 高频模块 | |
JP6183462B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6187583B2 (ja) | 高周波モジュール | |
US11757429B2 (en) | Hybrid filter device and multiplexer | |
JP6398978B2 (ja) | 高周波モジュール | |
CN111386656B (zh) | 多工器 | |
US11368135B2 (en) | High-frequency module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6249020 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |