JPWO2014156029A1 - 半導体パッケージおよび半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
半導体パッケージおよび半導体デバイスは、半導体もしくは整合回路が載置されるヒートシンクと、ヒートシンクに載置される半導体もしくは整合回路に電気的に接続されるリード端子と、リード端子をヒートシンクに固定する固定部材とを備え、固定部材は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される。
Description
本開示は、半導体を収容する半導体パッケージおよび半導体パッケージに半導体を収容した半導体デバイスに関する。
半導体を収容して搭載するための半導体パッケージとして、例えば、樹脂を用いて半導体を封止した中空の中空樹脂パッケージがある(特許文献1)。特許文献1では、半導体素子を収容するキャビティを形成するように樹脂成型された周壁部に、パッケージ本体の変形を防止する補強材がリードフレームと別体に埋没されている。
しかしながら、昨今では、半導体パッケージおよびそれを備える半導体デバイスにおいて、製造時における耐熱性を向上させることや、製造コストを低減させるといった様々な工夫を行うことが求められている。
従って、本開示の一態様の目的は、上記課題を解決することにあって、製造時における耐熱性を向上させるとともに製造コストを低減した半導体パッケージおよびそれを備える半導体デバイスを提供することにある。
上記目的を達成するために、本開示の一態様は、以下のように構成する。
半導体パッケージは、導電性を有する平板状であり、半導体もしくは整合回路が載置されるヒートシンクと、ヒートシンクに載置される半導体もしくは整合回路に電気的に接続されるリード端子と、リード端子をヒートシンクに固定する固定部材とを備え、固定部材は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される。
また、半導体デバイスは、半導体もしくは整合回路と、導電性を有する平板状であり、半導体もしくは整合回路が載置して接合されたヒートシンクと、ヒートシンク上の半導体もしくは整合回路に電気的に接続されたリード端子と、リード端子をヒートシンクに固定する固定部材とを備え、固定部材は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される。
本開示の一態様によれば、半導体パッケージおよび半導体デバイスは、製造時における耐熱性を向上させるとともに製造コストを低減することができる。
本開示のこれらの態様と特徴は、添付された図面についての好ましい実施の形態に関連した次の記述から明らかになる。
本開示の一態様の実施の形態における半導体パッケージ100の上面図
図1AにおけるA−A断面図
図1AにおけるB−B断面図
実施の形態における半導体デバイス110の上面図
図2AにおけるC−C断面図
図2AにおけるD−D断面図
実施の形態における半導体パッケージ100の製造方法の説明図
実施の形態における半導体パッケージ100の製造方法の説明図
実施の形態における半導体パッケージ100の製造方法の説明図
実施の形態における半導体パッケージ100の製造方法の説明図
実施の形態における半導体パッケージ100の製造方法の説明図
実施の形態における半導体デバイス110の製造方法の説明図
実施の形態における半導体デバイス110の製造方法の説明図
実施の形態における半導体デバイス110の製造方法の説明図
実施の形態の変形例1における半導体パッケージ200の上面図
図5AにおけるE−E断面図
図5AにおけるF−F断面図
実施の形態の変形例2における半導体パッケージ300の上面図
図6AにおけるG−G断面図
図6AにおけるH−H断面図
実施の形態の変形例3における半導体パッケージ400の上面図
図7AにおけるI−I断面図
図7AにおけるJ−J断面図
本発明者らは以下の内容を見出した。
昨今の携帯電話基地局等では、高周波電力増幅器が用いられている。このような高周波電力増幅器に用いられる半導体デバイスでは、半導体に効率良く信号を入出力させるために、半導体を収容する半導体パッケージ内に整合回路を内蔵することが多い。これにより、半導体や整合回路等が実装されるダイパッドサイズ(半導体パッケージサイズ)が大きくなる傾向にある。
また、このような高周波電力増幅器を使用すると半導体デバイスから熱が発生するが、発生した熱は機器の筐体やヒートシンクから直接放熱される。この放熱性を確保するため、半導体デバイスにおける半導体は、熱伝導率の良好な高融点のダイボンド材によって、熱伝導率の良好なダイパッドに実装されることが多い。また多くの場合、ダイパッド裏面は樹脂から露出している。
高周波電力増幅器用の半導体パッケージにおいては、以上のような機能が必須となる。
現状、様々な半導体パッケージが存在するが、樹脂封止型パッケージとセラミック中空型パッケージに大別できる。
樹脂封止型パッケージは、半導体や部品さらにそれらを接続するワイヤを内蔵するとともに、これらを保護するために樹脂モールドが施されている。樹脂封止型パッケージは、安価かつ大量に生産可能なため、民生用の半導体のパッケージとして、最も一般的に使用されている。
しかしながら、樹脂封止型パッケージによる半導体デバイスを長期間使用すると、半導体デバイスおよびその周辺環境において温度の上昇と下降が繰り返される。このような温度変化の繰り返しによって、半導体、整合回路およびリードフレームなどの部品とモールド樹脂との熱膨張係数が異なることに起因して、部品とモールド樹脂との界面で剥離が生じ、半導体を接続するためのワイヤが切断されて、故障に至るという問題がある。特に、高周波電力増幅器では、発熱量が大きく、パッケージサイズも大きいことから、モールド樹脂における剥離が顕著に起こる。
セラミック中空パッケージは、中空のパッケージ内にセラミックを用いて半導体を封止したパッケージである。セラミック中空パッケージでは、樹脂ではなくセラミックを用いているため、高温のダイスボンディングが可能であり、信頼性にも優れている。しかしながら、セラミックの加工やセラミックの銀ロウ付けを行う際には工数が多く掛かってしまうという問題がある。またセラミックの銀ロウ付け時には、セラミックとヒートシンクの熱膨張係数差に起因して応力が生じるため、その応力を緩和するために、ヒートシンクに、タングステンやモリブデンの積層構造あるいはそれらの合金を使用する必要がある。これにより、非常にコストが上がってしまうという問題がある。
これらの問題に対して、樹脂を用いた中空パッケージを検討しているが、樹脂のみを用いた場合には、樹脂自体がダイスボンド時における高温に耐えられず、その形状を保持することができないという問題がある。また、ダイボンディングを行なった後に樹脂構造を形成することも考えられるが、工程が非常に煩雑となり、コストの上昇を招く。
本発明者らは、以上の知見に基づき鋭意検討を重ねた結果、以下で説明する半導体パッケージおよび半導体デバイスを見出した。
(実施の形態)
以下、本開示の一態様の実施の形態における半導体パッケージ100について、図面を参照して説明する。
以下、本開示の一態様の実施の形態における半導体パッケージ100について、図面を参照して説明する。
図1A―1Cは、本実施の形態における半導体パッケージ100を示す。図1Aは、半導体パッケージ100の上面図で、図1Bは、図1AにおけるA−A断面図で、図1Cは、図1AにおけるB−B断面図である。なお、半導体パッケージとは、半導体を収容するためのパッケージであり、本明細書では、半導体が未だ載置・接合されていないパッケージをいう。図1A―1Cに示すように、半導体パッケージ100は、ヒートシンク101と、2つのリード端子102と、リード端子102をヒートシンク101に固定する固定部材103とを備える。
ヒートシンク101は、半導体もしくは整合回路(図2A−2Cを参照、図1A−1Cでは図示せず)を載置する土台であるとともに、半導体もしくは整合回路から発生した熱を放熱する役割を有している。また、ヒートシンク101は、導電性を有する平板状である。
リード端子102は、外部との接続用端子である。図1A、1Bに示すように、入力用と出力用の2つのリード端子102が設けられている。
本実施の形態におけるヒートシンク101およびリード端子102はともに、電気抵抗が低くかつ熱伝導率が高い材料(例えば、銅)によって形成されている。
リード端子102をヒートシンク101に固定する固定部材103は、図1Bに示すように、ヒートシンク101とリード端子102との間に配置される。固定部材103は、樹脂とセラミック粉体とを混合(混練、加熱、硬化)した複合樹脂材料により形成されている。
本実施の形態では、固定部材103を形成する複合樹脂材料のセラミック粉体として、アルミナやシリカのような熱伝導率の高い無機フィラーを用いるとともに、複合樹脂材料の樹脂として、エポキシ樹脂を用いている。また、本実施の形態におけるセラミック粉体としては、比誘電率が10以上の誘電体である高誘電体が用いられている。なお、複合樹脂材料におけるセラミック粉体の混合割合は例えば、重量比で70%〜95%である。
ヒートシンク101と固定部材103により、半導体もしくは整合回路を収容するキャビティ114が構成される。キャビティ114は、ヒートシンク101と固定部材103などによって仕切られた空間である。
このように構成される半導体パッケージ100において、ヒートシンク101およびリード端子102の表面のうち、固定部材103と接触する接触表面101a、102aには、粗化された粗化部分が形成されている。また、この粗化部分は酸化されており、酸化部分を形成している。
また、ヒートシンク101、リード端子102および固定部材103の表面においてはそれぞれが接触する部分を除いて、メッキが施されている。例えば、ヒートシンク101では、固定部材103と接触する接触表面101aを除く上面101bにメッキが施される。
次に、図1A−1Cで説明した半導体パッケージ100に、半導体や整合回路を載置・接合して形成される半導体デバイス110について、図2を用いて説明する。図2Aは、半導体デバイス110の上面図で、図2Bは、図2AにおけるC−C断面図で、図2Cは、図2AにおけるD−D断面図である。なお、半導体デバイスとは、半導体パッケージ内に半導体や整合回路などが載置・接合された状態のものをいう。図2A―2Cに示すように、半導体デバイス110は、ヒートシンク101、リード端子102および固定部材103を備えた半導体パッケージ100と、半導体111と、整合回路112と、ワイヤ113とを備える。
半導体111は、半導体パッケージ100に実装される半導体素子であり、キャビティ114に収容される。半導体111において信号の入出力が行われる。
整合回路112は、半導体デバイス110におけるインピーダンスを変換・整合するための回路であり、半導体111とともに半導体パッケージ100に実装され、キャビティ114に収容される。なお、整合回路は、高周波・高出力の用途において特に必要とされる。
図2A、2Bに示すように、半導体111と整合回路112はともに、ヒートシンク101の上面101bにおいてリード端子102および固定部材103に挟まれるようにして載置されている。図2A、2Bでは、半導体111が1つ、整合回路112が4つ設けられる場合について例示しているが、数はこれらに限らない。また、半導体111のみが設けられる場合であってもよい。
ワイヤ113は、図2A、2Bに示すように、半導体111と整合回路112を接続するとともに、整合回路112同士、さらには整合回路112とリード端子102を接続するワイヤである。ワイヤ113によって半導体111、整合回路112およびリード端子102が接続されることで、半導体111と外部接続用のリード端子102とが電気的に接続されて、外部との信号の入出力が可能となる。
半導体デバイス110は、図示は省略しているが、封止用のコの字型のリッド(蓋)をさらに備える。リッドがヒートシンク101やリード端子102の上から重ねられることで、中空の半導体デバイス110内(すなわち、キャビティ114)に半導体111および整合回路112が封止される。
固定部材103は、半導体111および整合回路112の厚みよりも大きい厚みを有して、ヒートシンク101とともにキャビティ114を構成する。
次に、上述した半導体パッケージ100および半導体デバイス110のそれぞれの製造方法について、図3A−3E、図4A−4Cを用いて説明する。図3A−3Eは、半導体パッケージ100の製造方法を示し、図4A−4Cは、半導体デバイス110の製造方法を示す。
図3Aに示すように、半導体パッケージ100を製造するにはまず、内側に4つのリード端子102を接続したリード体115を準備する。具体的には、リード端子102の原料(本実施の形態では銅)を用いて、リード体115を予め別途金型で作成するとともに、リード体115の形状の溝に挿入する(はめ込む)。
このようにしてリード体115を作成するとともに、本実施の形態ではさらに、リード体115におけるリード端子102の一部の表面(接触表面102a)を粗化することで粗化部分を形成している。
次に、リード体115における4つのリード端子102のそれぞれに固定部材103を取り付ける。具体的には、リード体115を収容している金型の上に、リード体115の金型とは別の金型を取り付けてその金型内に固定部材103の原料(本実施の形態では、予めエポキシ樹脂とフィラーを混練した複合樹脂材料である混練樹脂)を充填する。このようにして、図3Bに示すように、リード体115のリード端子102上に固定部材103を取り付ける。このとき、固定部材103は、リード端子102における粗化部分の上(接触表面102a上)に配置される。
図3Bに示すように、リード端子102に固定部材103を取り付ける一方で、図3Cに示すように、2つのヒートシンク101を接続したヒートシンク体116を準備する。具体的には、ヒートシンク101の原料(本実施の形態では銅)を用いて、ヒートシンク体116を予め別途金型で作成するとともに、ヒートシンク体116の形状の溝に挿入する。ヒートシンク体116においても、リード端子102と同様に、ヒートシンク101の一部の表面(接触表面101a)を粗化することで、粗化部分を形成している。
次に、ヒートシンク体116と、樹脂およびリード体115とを重ねて、互いに接合する。具体的には、図3Bに示される樹脂(固定部材103)およびリード体115上に、図3Cに示されるヒートシンク体116を重ねるようにして、互いの金型をフェイスダウンにより合わせる。このとき、固定部材103は、ヒートシンク101の接触表面101aに接触するように置かれる。
さらにこの状態で加熱して、固定部材103の複合樹脂材料の樹脂の硬化温度以上となるように、雰囲気温度を上昇させる。このとき、加熱により酸化されることで、ヒートシンク101およびリード端子102の全面において酸化部分(酸化膜)が形成される。その後、冷却して、固定部材103を硬化させる。これにより、図3Dに示すように、ヒートシンク101およびリード端子102と、固定部材103とを密着させる。
その後、図3Dに示されるヒートシンク101およびリード端子102の表面にメッキが施される。具体的には、ヒートシンク101およびリード端子102の表面における、固定部材103との接触表面101a、101b以外の箇所に対して、アルカリの処理によって酸化部分を除去するとともに、除去後の表面にメッキを施す。
これにより、ヒートシンク101およびリード端子102の表面において、固定部材103と接触する接触表面101a、102aには酸化部分が残存する一方で、固定部材103に接触しない表面は、酸化部分が除去されるとともにメッキが施される。
このように酸化部分の形成後にメッキ部分を形成することで、酸化部分による密着性の向上を図りつつ、メッキ処理を行っている。また、酸化させることで密着度を向上させるだけでなく、粗化部分が形成された面を酸化することで、密着度をさらに向上させている。
最終的には、図3Eに示すように、それぞれのパッケージを分割することで、ヒートシンク101、リード端子102および固定部材103を備える半導体パッケージ100が作成される。本実施の形態では、同時に2つの半導体パッケージ100を製造する場合について説明したが、これに限らず、前述した方法と同様の方法により、同時に1つ又は3つ以上の半導体パッケージ100を製造しても良い。
次に、図3A−3Eで説明した半導体パッケージ100に、半導体や整合回路などを載置・接合して形成される半導体デバイス110を製造する方法について、図4A―4Cを用いて説明する。
まず、図4Aに示すように、図3Eに示される半導体パッケージ100を準備する。次に、図4Bに示すように、半導体パッケージ100のヒートシンク101の上面101bに半導体111および整合回路112を実装する。具体的には、キャビティ114内のヒートシンク101の上面101bにおける部品実装位置に予めAuSnペレットを置くとともに、そのAuSnペレット上に半導体111と整合回路112を置いた状態で、AuSnの溶融温度以上(約283℃以上)に設定された炉内に数分間入れる。これにより、AuSnが溶融することで、キャビティ114内で半導体111および整合回路112が同時に実装される(ダイボンド)。
ここで、ダイボンド材として、AuSnのように熱伝導率の良好な高融点の材料を用いる場合、ダイボンディング時における加熱温度は例えば、雰囲気温度で300℃以上に達する。
一方で、固定部材103の複合樹脂材料の樹脂として用いられる一般的なエポキシ樹脂は、熱硬化性の樹脂であり、硬化温度が200℃以下、ガラス転移温度が250℃以下である。そうすると、ダイボンディング時における300℃以上という加熱温度がエポキシ樹脂のガラス転移温度を越えているため、加熱温度によって、固定部材103はその形状を保持できないと考えられる。しかしながら、本実施の形態では、固定部材103を、樹脂とセラミック粉体とを混同した複合樹脂材料により形成している。これにより、加熱温度が樹脂のガラス転移温度を越えても、固定部材103と、ヒートシンク101およびリード端子102との界面で剥離が起こらずに、固定部材103の形状を保持することができる。なお、本明細書における固定部材103の形状が保持されるとは、固定部材103の加熱接合後における体積減少率が5%以下である場合をいう。
次に、ワイヤ113を用いて、半導体111、整合回路112およびリード端子102を接続する。具体的には、ワイヤ113によるワイヤボンディングによって、図4Cに示すように、半導体111と整合回路112を接続するとともに、整合回路112同士、および整合回路112とリード端子102を接続する。これにより、半導体111とリード端子102とが電気的に接続される。
その後、リッドを被せることにより、半導体ペッケージ100内に半導体111および整合回路112を封止した中空の半導体デバイス110が作成される。
以上のような、材料、構成を採用することで、低コストの材料を使用するとともに、高コストの工法をとることなく、高融点のダイボンド材が使用でき、さらに半導体111の熱を効率よく放熱できる半導体パッケージ100および半導体パッケージ110を提供することが出来る。
また、このように作成された半導体デバイス110においては、リード端子102が、高誘電体のセラミック粉体を含んだ固定部材103を介してヒートシンク101に電気的に接続される。これにより、固定部材103において、半導体デバイス110におけるインピーダンスが変化する。
ここで、一般的には、リード端子102は半導体パッケージ100の内部と信号の入出力を行うものであるため、半導体パッケージ100の内部のインピーダンスに影響を及ぼさず、且つロスが無いことが望まれる。そのため、リード端子102の下に配置される部材(本実施の形態では、固定部材103を構成する混練樹脂)については、比誘電率は小さく(例えば10以下)、誘電正接も小さいことが望まれる。しかしながら、本実施の形態では、リード端子102の下に配置される部材である固定部材103の比誘電率を大きくして、リード端子102を整合回路として積極的に利用することを想定している。したがって、本実施の形態によれば、比誘電率を大きくすることで、波長短縮が起こり、インピーダンスを大きく変化させることができる。
以上、本実施の形態の半導体パッケージ100は、導電性を有する平板状であり、半導体111もしくは整合回路112が載置されるヒートシンク101と、ヒートシンク101に載置される半導体111もしくは整合回路112に電気的に接続されるリード端子102と、リード端子102をヒートシンク101に固定する固定部材103とを備え、固定部材103は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される。また、本実施の形態の半導体デバイス110は、半導体111もしくは整合回路112と、導電性を有する平板状であり、半導体111もしくは整合回路112が載置して接合されたヒートシンク101と、ヒートシンク101上の半導体111もしくは整合回路112に電気的に接続されたリード端子102と、リード端子102をヒートシンク101に固定する固定部材103とを備え、固定部材103は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される。
このような半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、固定部材103の材料として、樹脂とセラミック粉体を混合した複合樹脂材料を用いているため、固定部材103を樹脂のみで形成する場合に比べて、製造時における耐熱性を向上させることができる。さらには、固定部材103がセラミック粉体のみで形成されるときに必要となる銀ロウ付け等の工程が不要となるため、製造コストを低減することができる。すなわち、製造時における耐熱性の向上と製造コストの低減とを両立して実現することができる。
また、本実施の形態の半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、固定部材103の複合樹脂材料に混合された樹脂のガラス転移温度は、ヒートシンク101に半導体111および整合回路112を載置して接合する際の加熱温度よりも低い。一方で、半導体111をヒートシンク101に載置して接合する際に、樹脂のガラス転移温度を超える温度まで加熱しても、樹脂とセラミック粉体とを混合しているため、固定部材103の形状を保持することができる。これにより、製造時における耐熱性をさらに向上させることができる。
また、本実施の形態の半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、ヒートシンク101又はリード端子102は、固定部材103に接触する位置に粗化された粗化部分を有する。これにより、ヒートシンク101又はリード端子102と、固定部材103との密着性が向上するため、半導体パッケージ100および半導体デバイス110の信頼性を向上させることができる。
また、本実施の形態の半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、ヒートシンク101又はリード端子102は、固定部材103に接触する位置に酸化された酸化部分を有する。これにより、ヒートシンク101又はリード端子102と、固定部材103との密着性が向上するため、半導体パッケージ100および半導体デバイス110の信頼性を向上させることができる。
また、本実施の形態の半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、ヒートシンク101又はリード端子102は、固定部材103に接触しない位置にメッキされたメッキ部分を有する。これにより、酸化部分とは異なる位置にメッキ部分を形成することで、酸化部分による密着性の向上を図りつつ、メッキ処理を行うことができる。
また、本実施の形態の半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、リード端子102は、固定部材103を介してヒートシンク101に電気的に接続され、固定部材103の複合樹脂材料に混合されたセラミック粉体は高誘電体である。これにより、半導体パッケージ100および半導体デバイス110におけるインピーダンスが固定部材103において変化するため、整合回路としての機能を固定部材103に持たせることができる。
また、本実施の形態の半導体パッケージ100および半導体デバイス110によれば、半導体素子111に加えて、ヒートシンク101上に整合回路112をさらに備える。これにより、特に高出力・高周波の用途に有効に用いることができる。
また、本実施の形態の半導体デバイス110を製造する方法は、半導体パッケージ100に半導体111もしくは整合回路112が収容されて形成される半導体デバイス110の製造方法であって、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される固定部材103を用いて、リード端子102を、導電性を有する平板状であるヒートシンク101に固定して、半導体パッケージ100を作成する工程と、半導体パッケージ100のヒートシンク101上に半導体111もしくは整合回路112を載置して加熱することにより半導体111もしくは整合回路112をヒートシンク101に接合する工程と、ヒートシンク101上の半導体111もしくは整合回路112とリード端子102とを電気的に接続する工程とを有し、固定部材103の形状は、半導体111もしくは整合回路112をヒートシンク101に載置して接合する際の加熱温度において保持される。
これにより、固定部材103の材料として、樹脂とセラミック粉体を混合した複合樹脂材料を用いているため、固定部材103を樹脂のみで形成する場合に比べて、製造時における耐熱性を向上させることができる。さらには、固定部材103がセラミック粉体のみで形成されるときに必要となる銀ロウ付け等の工程が不要となるため、製造コストを低減することができる。すなわち、製造時における耐熱性の向上と製造コストの低減とを両立して実現することができる。
なお、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、リード端子101における固定部材103と接触する部分に開口又は凹凸を形成しても良い。これにより、リード端子101と固定部材103との密着性を向上させることができる。
次に、本実施の形態にかかる半導体パッケージ100の各種変形例について、図5A−5C、6A−6C、7A−7Cを用いて説明する。図5A―5Cは、変形例1にかかる半導体パッケージ200を示し、図6A―6Cは、変形例2にかかる半導体パッケージ300を示し、図7A―7Cは、変形例3にかかる半導体パッケージ400を示す。
(変形例1)
図5A、Cに示すように、ヒートシンク201と固定部材203により、キャビティ214が構成されている。変形例1にかかる半導体パッケージ200では、ヒートシンク201と固定部材203とが接触している面積を、固定部材203とリード端子202とが接触している面積よりも大きくしている。これにより、固定部材203とヒートシンク201との密着力が向上するため、半導体パッケージ200の信頼性を向上させることができる。
図5A、Cに示すように、ヒートシンク201と固定部材203により、キャビティ214が構成されている。変形例1にかかる半導体パッケージ200では、ヒートシンク201と固定部材203とが接触している面積を、固定部材203とリード端子202とが接触している面積よりも大きくしている。これにより、固定部材203とヒートシンク201との密着力が向上するため、半導体パッケージ200の信頼性を向上させることができる。
(変形例2)
図6Cに示すように、ヒートシンク301と固定部材303により、キャビティ314が構成されている。変形例2にかかる半導体パッケージ300では、固定部材303はリード端子302を受ける凹部304を備える。これにより、固定部材303とリード端子302との密着力が向上するため、半導体パッケージ300の信頼性を向上させることができる。
図6Cに示すように、ヒートシンク301と固定部材303により、キャビティ314が構成されている。変形例2にかかる半導体パッケージ300では、固定部材303はリード端子302を受ける凹部304を備える。これにより、固定部材303とリード端子302との密着力が向上するため、半導体パッケージ300の信頼性を向上させることができる。
(変形例3)
図7A−7Cに示すように、変形例3にかかる半導体パッケージ400では、下段の固定部材403をロの字型に形成するとともに、リード端子402上にもロの字型の固定部材404を形成している。ヒートシンク401と固定部材403により、キャビティ414が構成されている。このようにリード端子402を挟むように2つの固定部材403、404を配置することで、リード端子402と固定部材403、404との接触面積が増えて、密着力を向上させることができる。さらに、その後にリッドを接着する際にリッドがコの字である必要がなくなるため、コストの低下にもつながる。
図7A−7Cに示すように、変形例3にかかる半導体パッケージ400では、下段の固定部材403をロの字型に形成するとともに、リード端子402上にもロの字型の固定部材404を形成している。ヒートシンク401と固定部材403により、キャビティ414が構成されている。このようにリード端子402を挟むように2つの固定部材403、404を配置することで、リード端子402と固定部材403、404との接触面積が増えて、密着力を向上させることができる。さらに、その後にリッドを接着する際にリッドがコの字である必要がなくなるため、コストの低下にもつながる。
なお、上記様々な実施の形態のうちの任意の実施の形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
本開示の一態様の実施の形態の半導体パッケージおよび半導体デバイスは、高周波信号を高出力で扱う移動体通信用の基地局、あるいは電子レンジなどのマイクロ波家電などに用いられる半導体パッケージおよび半導体デバイスに有用である。
本開示は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本開示の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
2013年3月28日に出願された日本国特許出願No.2013−69211号の明細書、図面、及び特許請求の範囲の開示内容は、全体として参照されて本明細書の中に取り入れられるものである。
Claims (12)
- 導電性を有する平板状であり、半導体もしくは整合回路が載置されるヒートシンクと、
ヒートシンクに載置される半導体もしくは整合回路に電気的に接続されるリード端子と、
リード端子をヒートシンクに固定する固定部材とを備え、
固定部材は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される、半導体パッケージ。 - 固定部材は、ヒートシンクに載置される半導体もしくは整合回路のうち厚みの厚い方の厚み以上の厚みを有し、ヒートシンクと固定部材により、半導体もしくは整合回路を収容するキャビティを構成する、請求項1記載の半導体パッケージ。
- 固定部材の複合樹脂材料に混合された樹脂のガラス転移温度は、ヒートシンクに半導体もしくは整合回路を載置して接合する際の加熱温度よりも低い、請求項1又は2に記載の半導体パッケージ。
- ヒートシンク又はリード端子は、固定部材に接触する位置に粗化された粗化部分を有する、請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- ヒートシンク又はリード端子は、固定部材に接触する位置に酸化された酸化部分を有する、請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- ヒートシンク又はリード端子は、固定部材に接触しない位置にメッキされたメッキ部分を有する、請求項5に記載の半導体パッケージ。
- ヒートシンクと固定部材とが接触している面積は、固定部材とリード端子とが接触している面積よりも大きい、請求項1から6のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- 固定部材はリード端子を受ける凹部を備える、請求項1から7のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- リード端子における固定部材と接触している部分には、開口又は凹凸が形成されている、請求項1から8のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- リード端子は、固定部材を介してヒートシンクに電気的に接続され、
固定部材の複合樹脂材料に混合されたセラミック粉体は高誘電体である、請求項1から8のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。 - 半導体もしくは整合回路と、
導電性を有する平板状であり、半導体もしくは整合回路が載置して接合されたヒートシンクと、
ヒートシンク上の半導体もしくは整合回路に電気的に接続されたリード端子と、
リード端子をヒートシンクに固定する固定部材とを備え、
固定部材は、樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される、半導体デバイス。 - 半導体パッケージに半導体もしくは整合回路が収容されて形成される半導体デバイスの製造方法であって、
樹脂とセラミック粉体とを混合した複合樹脂材料により形成される固定部材を用いて、リード端子を、導電性を有する平板状であるヒートシンクに固定して、半導体パッケージを作成する工程と、
半導体パッケージのヒートシンク上に半導体もしくは整合回路を載置して加熱することにより半導体もしくは整合回路をヒートシンクに接合する工程と、
ヒートシンク上の半導体もしくは整合回路とリード端子とを電気的に接続する工程とを有し、
固定部材の形状は、半導体もしくは整合回路をヒートシンクに載置して接合する際の加熱温度において保持される、半導体デバイスの製造方法。
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