JPWO2014136785A1 - キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
本発明のキャリアは、中間層側表面のRzが0.5μm以下であるものを用いるのが好ましい。このような構成によれば、キャリア上に形成する中間層の片方の表面或いは両表面のRzの0.5μm以下への制御が容易となる。キャリアの中間層側表面のRzはより好ましくは0.3μm以下、更により好ましくは0.1μm以下である。
また、本発明のキャリアは、中間層側表面のRaが0.12μm以下であるものを用いるのが好ましい。このような構成によれば、キャリア上に形成する中間層の片方の表面或いは両表面のRaの0.12μm以下への制御が容易となる。キャリアの中間層側表面のRaはより好ましくは0.1μm以下、更により好ましくは0.08μm以下、更により好ましくは0.05μm以下である。
また、本発明のキャリアは、中間層側表面のRtが1.0μm以下であるものを用いるのが好ましい。このような構成によれば、キャリア上に形成する中間層の片方の表面或いは両表面のRtの1.0μm以下への制御が容易となる。キャリアの中間層側表面のRtはより好ましくは0.5μm以下、更により好ましくは0.3μm以下である。
ポリイミドフィルムを用いる場合、当該フィルム表面をプラズマ処理することにより、フィルム表面の汚染物質の除去と表面の改質を行うことができる。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの表面のRzは、材質の違い及び初期表面粗さの違いにもよるが、Rz=2.5〜500nmの範囲、Ra=1〜100nmの範囲、又は、Rt=5〜800nmの範囲で調整することができる。また、プラズマ処理条件と表面粗さとの関係を予め取得することにより、所定の条件でプラズマ処理して所望の表面粗さを有するポリイミドフィルムを得ることができる。
本発明のキャリアとして用いる圧延銅箔は高光沢圧延により生産することができる。
なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を13000〜24000とすることで行うことが出来る。なお、表面処理後の銅箔の表面粗さ(Rz)をより小さく(例えばRz=0.20μm)したい場合には、高光沢圧延を以下の式で規定される油膜当量を12000以上24000以下とすることで行う。
油膜当量={(圧延油粘度[cSt])×(通板速度[mpm]+ロール周速度[mpm])}/{(ロールの噛み込み角[rad])×(材料の降伏応力[kg/mm2])}
圧延油粘度[cSt]は40℃での動粘度である。
油膜当量を12000〜24000とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100mg/L
レベリング剤1(ビス(3−スルフォプロピル)ジスルフィド):10〜50mg/L
レベリング剤2(ジアルキルアミノ基含有重合体):10〜50mg/L
上記のジアルキルアミノ基含有重合体には例えば以下の化学式のジアルキルアミノ基含有重合体を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
また、本願発明に用いることができる電解銅箔としてJX日鉱日石金属株式会社製HLP箔が挙げられる。
キャリアの上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。中間層としては、キャリア付銅箔において乾式表面処理や湿式表面処理で任意の中間層とすることができる。例えば、中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、又はこれらの合金、またはこれらの水和物、またはこれらの酸化物、あるいは有機物の何れか一種以上を含む層で形成することが好ましい。中間層は複数の層で構成されても良い。
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、乾式めっき、または、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっき(湿式めっき)により形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。なお、湿式めっきで極薄銅層を形成する場合には、塩素、レべリング剤である有機硫黄化合物、レべリング剤である有機窒素化合物を含む銅めっき浴で極薄銅層を形成する必要がある。例えば、本願において湿式めっきに用いることができる銅めっき浴の組成、めっき条件は以下の通りである。
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
Cl濃度:30〜80mg/L
ビス(3−スルフォプロピル)ジスルファイド2ナトリウム濃度:10〜50mg/L
下記構造式で示されるジアルキルアミノ基含有重合体:10〜50mg/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には2〜5μmである。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設ける。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理層は、ファインピッチ形成の観点から微細な粒子で構成されるのが好ましい。
ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、ヒ素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
本発明において、極薄銅層表面のRzについてはJIS B0601−1994に準拠、Ra、Rtの粗さパラメータについてはJIS B0601−2001に準拠して非接触式粗さ計で測定する。
本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層(極薄銅層が表面処理されている場合には、当該表面処理により極薄銅層の上に形成された表面処理層)の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
このようにして、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔が製造される。
本発明のキャリア付銅箔の構造の一例を、図1に示す。図1に示す本発明のキャリア付銅箔は、フィルムキャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順で備える。極薄銅層は、スパッタリングにより形成されたスパッタ銅層と、電解めっきで形成された電解銅層とで構成されている。また、キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基板に貼り付けて、キャリアを剥離した後の極薄銅層表面は、剥離面側と樹脂面側とで区別される。
キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がして銅張積層板とし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図2−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図2−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図2−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図3−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図3−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図3−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図4−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図4−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図2−B及び図2−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図4−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図5−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図5−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
(1)極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面のJIS Z8730に基づく色差ΔE*abが45以上である。
また上述の色差は、極薄銅層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電界液を用いて、従来よりも電流密度を高く(例えば40〜60A/dm2)し、処理時間を短く(例えば0.1〜1.3秒)することで調整することができる。極薄銅層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Niの濃度をその他の元素の2倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄銅層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にNi合金メッキ(例えばNi−W合金メッキ、Ni−Co−P合金メッキ、Ni−Zn合金めっき)を従来よりも低電流密度(0.1〜1.3A/dm2)で処理時間を長く(20秒〜40秒)設定して処理することで達成できる。
<実施例1>
ポリイミドフィルム(宇部興産社製のユーピレックス−Sフィルム;厚み35μm)を真空装置内にセットし、真空排気後、酸素を用いてプラズマ処理を実施した。
続いてプラズマ処理したフィルムの片面に、CrスパッタリングによりCr層を10nm形成した。その後、Crスパッタ層を酸素ガス雰囲気のチャンバー内で処理し、表面にクロム酸化物を形成させ、中間層を形成した。
さらに、Cr中間層の表面にCuをスパッタしてCuスパッタ層を厚み5μm形成した。スパッタ条件は、Cuターゲットを用いたArガス中で、放電電圧500V、放電電流15A、真空度5×10-2Paとした。
・粗化処理1
(液組成1)
Cu:10〜30g/L
H2SO4:10〜150g/L
W:0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム:0〜50mg/L
As:0〜200mg/L
(電気めっき条件1)
温度:30〜70℃
電流密度:25〜110A/dm2
粗化クーロン量:50〜500As/dm2
めっき時間:0.5〜20秒
・粗化処理2
(液組成2)
Cu:20〜80g/L
H2SO4:50〜200g/L
(電気めっき条件2)
温度:30〜70℃
電流密度:5〜50A/dm2
粗化クーロン量:50〜300As/dm2
めっき時間:1〜60秒
・耐熱処理
(液組成)
NaOH:40〜200g/L
NaCN:70〜250g/L
CuCN:50〜200g/L
Zn(CN)2:2〜100g/L
As2O3:0.01〜1g/L
(液温)
40〜90℃
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2
めっき時間:1〜20秒
・クロメート処理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH又はKOH:10〜50g/L
ZnOH又はZnSO4・7H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度:0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
・シランカップリング処理
0.1vol%〜0.3vol%の3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液をスプレー塗布した後、100〜200℃の空気中で0.1〜10秒間乾燥・加熱する。
実施例1と同様の工程、方法、条件でポリイミドフィルムキャリア上に5μmのCuスパッタの極薄銅層を形成した後、実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例1と同様の工程、方法、条件でポリイミドキャリア上に1μmのCuスパッタ層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Cuスパッタ層の上に電解めっきで2μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔を製造した。
・電解Cuめっき層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
Cl濃度:30〜80mg/L
ビス(3−スルフォプロピル)ジスルファイド2ナトリウム濃度:10〜50mg/L
ジアルキルアミノ基含有重合体(重量平均分子量8500):10〜50mg/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
極薄銅層を形成した後、次いで、極薄銅層表面に実施例1と同様の粗化処理1、粗化処理2、耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例3と同様の工程、方法、条件でポリイミドフィルムキャリア上に中間層及び極薄銅層を形成した。次に、実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例4のポリイミドキャリアに代わり、圧延銅箔(JX日鉱日石金属製 タフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)箔 18μm厚)に対して、実施例4と同様の工程、方法、条件で、1μmのCuスパッタ層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Cuスパッタ層の上に電解めっきで2μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を得た。次に、実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例4のポリイミドキャリアに代わり、電解銅箔(JX日鉱日石金属製HLP箔 18μm厚)に対して、実施例4と同様の工程、方法、条件で、1μmのCuスパッタ層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Cuスパッタ層の上に電解めっきで2μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を得た。次に、実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例4のポリイミドキャリアに代わり、圧延銅箔(JX日鉱日石金属製 タフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)箔 18μm厚)に対して、実施例4と同様の工程、方法、条件で中間層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、実施例4と同様の方法、条件で中間層の上に電解めっきで3μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を得た。次に、実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例4のポリイミドキャリアに代わり、電解銅箔(JX日鉱日石金属製HLP箔 18μm厚)に対して、実施例4と同様の工程、方法、条件で、中間層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、中間層の上に電解めっきで3μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を得た。次に、実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例4のポリイミドキャリアに代わり、圧延銅箔(JX日鉱日石金属製 タフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)箔 18μm厚)に対して、実施例4と同様の工程、方法、条件で中間層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、実施例4と同様の方法、条件で中間層の上に電解めっきで3μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を得た。次に、以下の粗化処理3を行った後に実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
・粗化処理3
(液組成3)
Cu:10〜20g/L
Ni:5〜15g/L
Co:5〜15g/L
(電気めっき条件3)
温度:25〜60℃
電流密度:35〜55A/dm2
粗化クーロン量:5〜50As/dm2
めっき時間:0.1〜1.4秒
実施例4のポリイミドキャリアに代わり、電解銅箔(JX日鉱日石金属製HLP箔 18μm厚)に対して、実施例4と同様の工程、方法、条件で、中間層を形成後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、中間層の上に電解めっきで3μmのCuめっき層を形成し、総銅厚が3μmの極薄銅層を得た。次に、実施例9の粗化処理3を行った後に実施例1の耐熱処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。
実施例1のポリイミドキャリアに代わり、電解銅箔(JX日鉱日石金属製JTC箔 18μm厚)の上のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。
硫酸ニッケル:250〜300g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
クエン酸三ナトリウム:15〜30g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:30〜100ppm
pH:4〜6
浴温:50〜70℃
電流密度:3〜15A/dm2
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30A・s/dm2
ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Cr層の上に厚み3μmの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔を製造した。
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:5〜9A/dm2
・粗化処理1
(液組成1)
Cu:10〜30g/L
H2SO4:10〜150g/L
As:0〜200mg/L
(電気めっき条件1)
温度:30〜70℃
電流密度:25〜110A/dm2
粗化クーロン量:50〜500As/dm2
めっき時間:0.5〜20秒
・粗化処理2
(液組成2)
Cu:20〜80g/L
H2SO4:50〜200g/L
(電気めっき条件2)
温度:30〜70℃
電流密度:5〜50A/dm2
粗化クーロン量:50〜300As/dm2
めっき時間:1〜60秒
・耐熱処理
(液組成)
NaOH:40〜200g/L
NaCN:70〜250g/L
CuCN:50〜200g/L
Zn(CN)2:2〜100g/L
As2O3:0.01〜1g/L
(液温)
40〜90℃
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2
めっき時間:1〜20秒
・クロメート処理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH又はKOH:10〜50g/L
ZnOH又はZnSO4・7H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度:0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
・シランカップリング処理
0.1vol%〜0.3vol%の3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液をスプレー塗布した後、100〜200℃の空気中で0.1〜10秒間乾燥・加熱する。
実施例4のポリイミドフィルムキャリアに代わり、電解銅箔(JX日鉱日石金属製JTC箔 18μm厚)を用いて、当該電解銅箔の上のシャイニー面に1μmのCuスパッタ層を形成した以外は、実施例4と同様の処理を行った。
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で特性評価を実施した。
(表面粗さ)
中間層を形成したキャリアに対し、当該中間層の表面粗さ(キャリアの中間層形成側表面粗さ)を、非接触式粗さ測定機(オリンパス製 LEXT OLS4000)を用いて、Ra、RtはJIS B0601−2001に準拠、RzについてはJIS B0601−1994に準拠して測定した。また、極薄銅層の中間層側及び樹脂側の表面粗さについても、非接触式粗さ測定機(オリンパス製 LEXT OLS4000)を用いて、Ra、RtはJIS B0601−2001に準拠、RzについてはJIS B0601−1994に準拠して測定した。
<測定条件>
カットオフ:無
基準長さ:257.9μm
基準面積:66524μm2
測定環境温度:23〜25℃
各キャリア付銅箔をエポキシ系樹脂に積層プレスし、次いでキャリアを剥離除去した。露出した極薄銅層の表面をソフトエッチングにより0.3μm除去した。その後、洗浄、乾燥を行った後に、極薄銅層上に、ドライフィルムレジスト(日立化成工業製、商品名RY-3625)をラミネート塗布した。15mJ/cm2の条件で露光し、現像液(炭酸ナトリウム)を用いて38℃で1分間、液噴射揺動し、各種ライン/スペースのレジストパターンを形成した。次いで、硫酸銅めっき(JCU製CUBRITE21)を用いて総銅厚15μmにめっきアップした後、剥離液(水酸化ナトリウム)でドライフィルムレジストを剥離した。その後、極薄銅層を硫酸−過酸化水素系のエッチャント(三菱ガス化学製CPE−800)でエッチング除去して各種ライン/スペースの配線を形成した。結果を表1に示す。
実施例1〜10は、いずれも極薄銅層表面の少なくとも片面のRzが0.5μm以下であり、ライン/スペース=15μm/15μmよりも微細な配線を形成することができた。また、実施例1〜10は、いずれも極薄銅層表面の少なくとも片面のRaが0.12μm以下であった。また、実施例1〜10は、いずれも極薄銅層表面の少なくとも片面のRtが1.0μm以下であった。
比較例1及び2は、いずれも極薄銅層の両表面のRzが0.5μmを超えており、ライン/スペース=15μm/15μmよりも微細な配線を形成することができなかった。また、比較例1及び2は、いずれも極薄銅層の両表面のRaが0.12μmを超えており、極薄銅層表面の両表面のRtが1.0μmを超えていた。
Claims (27)
- 支持体であるキャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層表面は、少なくとも片面の非接触式粗さ計で測定したRzが0.5μm以下であるキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面は、両面の非接触式粗さ計で測定したRzが0.5μm以下である請求項1に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面は、非接触式粗さ計で測定したRaが0.12μm以下である請求項1又は2に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面は、非接触式粗さ計で測定したRtが1.0μm以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 支持体であるキャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層表面は、少なくとも片面の非接触式粗さ計で測定したRaが0.12μm以下であるキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面は、両面の非接触式粗さ計で測定したRaが0.12μm以下である請求項5に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面は、非接触式粗さ計で測定したRtが1.0μm以下である請求項5又は6に記載のキャリア付銅箔。
- 支持体であるキャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層表面は、少なくとも片面の非接触式粗さ計で測定したRtが1.0μm以下であるキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面は、両面の非接触式粗さ計で測定したRtが1.0μm以下である請求項8に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアがフィルムで形成されている請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの前記中間層側表面のRzが0.5μm以下である請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの前記中間層側表面のRaが0.12μm以下である請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの前記中間層側表面のRtが1.0μm以下である請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 極薄銅層表面の少なくとも片面に粗化処理層が形成されている請求項1〜13のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層が、銅、ニッケル、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体からなる層又はいずれか1種以上を含む合金からなる層又はいずれか1種以上を含む合金を含む層である請求項14に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜13のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項14又は15に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層の表面に樹脂層を備える請求項1〜13のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層の表面に樹脂層を備える請求項14又は15に記載のキャリア付銅箔。
- 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の表面に樹脂層を備える請求項16又は17に記載のキャリア付銅箔。
- 前記樹脂層が誘電体を含む請求項18〜20のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 極薄銅層を使用したセミアディティブ工法により、ライン/スペース=15/15μmより微細な回路形成が可能な請求項1〜21のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 請求項1〜22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。
- 請求項1〜22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
- 請求項24に記載のプリント配線板を用いた電子機器。
- 請求項1〜22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US11576267B2 (en) * | 2017-10-26 | 2023-02-07 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Ultra-thin copper foil, ultra-thin copper foil with carrier, and method for manufacturing printed wiring board |
US11642870B2 (en) * | 2018-03-29 | 2023-05-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Glass carrier attached copper foil and method for producing same |
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003101179A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Nikko Materials Co Ltd | キャリア付銅箔及び該銅箔を使用したプリント基板 |
JP2004169181A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Furukawa Techno Research Kk | キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板 |
JP2005076091A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Furukawa Circuit Foil Kk | キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及びその製造方法で製造されたキャリア付き極薄銅箔 |
JP2005161840A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-23 | Furukawa Circuit Foil Kk | キャリア付き極薄銅箔、およびプリント配線板 |
JP2005262506A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板、多層銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
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JP2011176051A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 配線回路基板用基材、配線回路基板用基材の製造方法、配線回路基板、配線回路基板の製造方法、hdd用サスペンション基板、hdd用サスペンションおよびハードディスクドライブ |
Family Cites Families (3)
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JP2004169181A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Furukawa Techno Research Kk | キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板 |
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JP2005161840A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-23 | Furukawa Circuit Foil Kk | キャリア付き極薄銅箔、およびプリント配線板 |
JP2005262506A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板、多層銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
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