JPWO2014057860A1

JPWO2014057860A1 - 基板の洗浄方法および洗浄液組成物

Info

Publication number: JPWO2014057860A1
Application number: JP2014540820A
Authority: JP
Inventors: 公法佐藤; 毅小川; 山中　一広; 一広山中
Original assignee: Central Glass Co Ltd
Current assignee: Central Glass Co Ltd
Priority date: 2012-10-11
Filing date: 2013-10-03
Publication date: 2016-09-05
Also published as: WO2014057860A1; TW201422805A

Abstract

本発明の基板の洗浄方法は、基板表面を、洗浄液組成物の全質量に対して、アルキル基の炭素数が１〜４のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを１〜２０質量％、炭素数１〜５のアルコールを２０〜９８質量％、ならびにＮ−メチルピロリドンを１〜７９質量％含む洗浄液組成物と接触させる工程を含む。該洗浄方法により、基板表面に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を、基板の損傷、腐食、汚染することなく効果的に除去することができ、基板の再生が可能となる。

Description

本発明は、ガラス基板やシリコンウェハなどの各種基板に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物の洗浄除去に関する。

一般に接着剤などに含まれる、各種基板に付着したシリコーンを含めた有機物または無機物は、酸、アルカリ、有機溶剤等の薬液を用いて除去することができる。例えば、有機物などをベンゼン、トルエン、キシレン、炭化水素、エーテルなどの有機溶剤を用いて除去することが知られているが、硬化物の剥離性が十分ではなく、また、剥離後に発生する廃液中に毒性の強い化合物や環境汚染の原因となる化合物を含有することがある。そのため、従来の洗浄液としては、フッ化水素酸塩液やアルカリ金属水酸化物の溶液が主に使用されてきた。しかし、フッ化水素酸塩はガラスを腐蝕するため、ガラス基板への使用には注意を要する。そのため、シリコンウェハメーカーやデバイスメーカーでは、シリコンウェハなどの基板に付着した汚染物除去のために各種の洗浄が行われている。例えば、ＲＣＡ洗浄と呼ばれる代表的な洗浄方法は、アンモニア水と過酸化水素水と超純水の混合液（以下、ＡＰＭと呼ぶことがある。）を６０〜９０℃に加熱してシリコンウェハ上の微粒子や有機物を除去した後、塩酸と過酸化水素水と超純水の混合液（以下、ＨＰＭと呼ぶことがある。）を５０〜１００℃に加熱してシリコンウェハ上の金属不純物を除去する方法の組み合わせからなる。また、硫酸と過酸化水素水の混合液（以下、ＳＰＭと呼ぶことがある。）を８０〜１５０℃に加熱した洗浄液は、レジストなどの有機物の分解、除去あるいは金属不純物を除去するために使用されている。

ガラス基板の洗浄方法として、特許文献１では、加熱したＳＰＭでガラス基板を洗浄することにより、付着した金属や有機物を除去する方法が開示されている。

一方、金属水酸化物の溶液では、通常のものでは溶解力が弱く、溶解後に溶質の析出が生じて洗浄後の基板表面に再付着する問題があった。また、特許文献２に開示されているように、強アルカリ洗浄を行うことにより、ガラス基板に強固に付着した硬化物を溶解除去できるが、同時にガラス基板表面もアルカリによってわずかに溶解し、損傷してしまうという問題があった。さらに強アルカリ洗浄の場合には、水酸化カリウム溶液または水酸化ナトリウム溶液といった強アルカリを用いるため、半導体製造用として用いられる無アルカリガラス基板などでは、当該基板表面がアルカリ金属に汚染されるため、たとえ低濃度であったとしても、それらの方法で再生した基板などを再利用することは困難であった。

金属水酸化物を用いないアルカリ性洗浄液としては、水溶性有機アミンと、ジメチルスルホキシドのような有機溶剤とからなるレジスト用の剥離液が市販されている。同様の性質のレジスト用剥離液としては特許文献４において、ポリイミド系の硬化物の剥離方法が示されているが、水溶液との混合物であるため、溶液自体の親和性が悪く、低アルカリ濃度になってしまう傾向にあり、硬化物を剥離する能力が充分に得られないことがある。ジメチルスルホキシドのような融点が室温近傍の極性溶剤を多量に含有する剥離液では、冬期に屋外倉庫に保管した際、凍結し、取り扱いが困難になる等、洗浄液としては問題点がある。ポリオルガノシロキサンの硬化物に対する効果も示されていない。

また、各種基板に付着したシリコーン樹脂などを除去する方法はあるが、そのほとんどは低分子シロキサンやシリコーンオイルなどの未硬化物が対象であり（特許文献５〜７）、硬化物においてはＲＣＡ洗浄などの通常の方法では洗浄することが困難な場合もある。例えば、特許文献８に示されるような、加水分解性シリル基を有する変性シリコーンポリマーを洗浄する方法が示されてはいるが、硬化前に洗浄剤と反応させる必要があり、完全に硬化したものを除去することには向いていない。さらに、硬化方法も湿気硬化に限られている。そのほかにも、特許文献９で示されるような酸素プラズマを用いた除去方法もあるが、これらの方法には大掛かりな装置が必要であるといった問題がある。

さらに、硬化物に限ると、フッ化水素酸などの強酸または金属酸化物などの強アルカリで洗浄する方法が用いられるため、基板の損傷、腐食、汚染などの問題が起こり、基板に使用できる部材が制限される。特に、半導体用の基板などの表面を損傷、腐食、汚染させずに、強固に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を簡便に除去できる方法などがないため、一度それらが付着したものを再生することが困難であった。そのため、高清浄性が必要な半導体デバイス用の基板などを洗浄、再生することが出来れば、製造コストの削減に繋げることもできる

特開平９−２２７１７０号公報特開平２−２４７６５０号公報特開２００６−３１９２８２号公報特開２００５−１８１８０２号公報特開２００８−１２７４９２号公報特開２０１１−５７７７７号公報特開２０１０−１３２７１３号公報特開２００２−３５７０５号公報特開２０１１−２１６５４２号公報

本発明は、基板表面に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を、基板の損傷、腐食、汚染を発生させずに簡便に洗浄除去し、半導体用の各種基板の再生を可能にする、該基板の洗浄方法および洗浄液組成物を提供する。

本発明者らは、従来の基板洗浄技術を向上させるために、鋭意検討した結果、洗浄液組成物の全質量に対して、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを１〜２０質量％、アルコールを２０〜９８質量％、およびＮ−メチルピロリドンを１〜７９質量％含む洗浄液組成物を用いることで、基板表面を損傷、腐食、汚染することなく洗浄し、付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を除去できることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は以下の発明１乃至７を含む。

［発明１］
基板表面に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を除去するための洗浄方法であって、洗浄液組成物の全質量に対して、アルキル基の炭素数が１〜４のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを１〜２０質量％、炭素数１〜５のアルコールを２０〜９８質量％、およびＮ−メチルピロリドンを１〜７９質量％含む洗浄液組成物を基板表面と接触させる工程を含む、洗浄方法。

［発明２］
洗浄液組成物を２０〜１２０℃で基板表面と接触させる、発明１に記載の洗浄方法。

［発明３］
さらに、硫酸を含む洗浄液を基板表面と接触させる工程を含む、発明１または２に記載の洗浄方法。

［発明４］
さらに、水で洗浄した後、基板を乾燥する工程を含む、発明１〜３の何れか１つに記載の洗浄方法。

［発明５］
基板が、ガラス基板またはシリコンウェハである、発明１〜４の何れか１つに記載の洗浄方法。

［発明６］
ポリオルガノシロキサンの硬化物が、かご型シルセスキオキサン構造を含む、発明１〜５の何れか１つに記載の洗浄方法。

［発明７］
洗浄液組成物の全質量に対して、炭素数１〜４のアルキル基を含むテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを１〜２０質量％、炭素数１〜５のアルコールを２０〜９８質量％、およびＮ−メチルピロリドンを１〜７９質量％含む洗浄液組成物。

本発明の洗浄方法によれば、取り扱いの難しいフッ化水素酸での洗浄や金属水酸化物などを用いた強アルカリ洗浄を行うことなく、ガラス基板やシリコンウェハを含む各種基板表面に強固に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を効果的に洗浄除去することができ、除去物の残渣の再付着も防ぐことができる。また、洗浄後の基板表面には損傷、腐食、汚染がないため、基板の再生が可能である。さらに、フッ化水素酸など強い腐食性を持つ薬液を用いないため、取扱性がよく、コストのかかる設備も必要としない。特に、アルカリ成分による汚染の可能性がほとんどないため、高清浄な基板の洗浄、再生が可能であり、コストの削減にも繋げることができる。そのため、本発明の洗浄方法は、半導体デバイスの製造上極めて有用である。

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明における洗浄液組成物とは、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、アルコール、およびＮ−メチルピロリドンをそれぞれ所定量含有する、基板表面に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物の除去に供する洗浄液を意味する。

本発明に用いるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、アンモニウムヒドロキシドの窒素原子に結合する４つの水素原子が全てアルキル基で置換された化合物である。該水素原子はそれぞれ、同一のアルキル基で置換されていてもよく、または異なった複数種のアルキル基で置換されていてもよい。また、該テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは水和物であってもよい。

アルキル基としては、炭素数が１〜４、好ましくは１〜３のアルキル基が用いられる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。

このようなテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。本発明においては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いることが入手の容易さや経済的にも好ましい。また、これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明に用いるアルコールとしては、炭素数が１〜５の低級アルコールが用いられる。具体的には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、１−ペンタノール等を挙げることができる。本発明においては、取り扱い性や安全性の面から、イソプロピルアルコールを用いることが好ましい。これらのアルコールは、単独または２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明における洗浄液組成物について、各成分の含有量を以下に説明する。

テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、本発明の洗浄液組成物１００質量％中に、１〜２０質量％、好ましくは３〜１５質量％、さらに好ましくは５〜１０質量％の量で含有されていることが望ましい。テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの含有量が１質量％未満の場合、洗浄能力が低く、一方、２０質量％を越えると、得られる洗浄液組成物は、基板やメッキされた金属などを腐食することがある。

アルコールは、本発明の洗浄液組成物１００質量％中に、２０〜９８質量％、好ましくは３０〜６０質量％、さらに好ましくは３５〜５５質量％の量で含有されていることが望ましい。アルコールの含有量が２０質量％未満の場合、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの洗浄液に対する溶解性が減少し、洗浄液が不均一となることがある。一方、９８質量％を越えると、相対的に、洗浄液組成物中に含有できるアルカリ濃度が低下しすぎるため、充分な洗浄能力が得られないことがある。

Ｎ−メチルピロリドンは、本発明の洗浄液組成物１００質量％中に、１〜７９質量％、好ましくは１０〜７０質量％、さらに好ましくは２０〜６０質量％の量で含有されていることが望ましい。Ｎ−メチルピロリドンの含有量が１０質量％未満では、基板から剥がれたレジストの硬化物片を充分に溶解することができず、基板に溶解されなかった硬化物片の再付着が生じることがある。一方、７９質量％を超えると洗浄液組成物に含有することができるアルカリ成分の濃度が低下しすぎるため、硬化物を基板から除去する能力が充分得られないことがある。

上記の通り、本発明の洗浄液組成物の基本組成は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、アルコールおよびＮ−メチルピロリドンよりなるが、本発明の作用効果を阻害しない範囲で種々の目的により、キレート剤、陰イオン界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、溶媒、ｐＨ調整剤、消泡剤、発泡剤、グリコールエーテル類、防腐剤、酸化防止剤、無機塩、分散剤等の他成分を添加してもよい。

本発明の洗浄対象である基板は、特に限定されないが、一般に半導体デバイスの製造に供されているものが好ましく、ガラス基板やシリコンウェハが特に好ましい。

本発明における洗浄方法で除去する対象としてのポリオルガノシロキサンの硬化物の例を下記に示すが、これに限るものではない。

例えば、下記式（１）に示す、光重合性基を有するかご型シルセスキオキサンを光重合することで得られる接着性ポリオルガノシロキサンの硬化物が挙げられる。当該ポリオルガノシロキサンの硬化物は、実質的に元のかご型シルセスキオキサン構造を維持する。

式（１）中、Ａはそれぞれ独立に、光重合性基を含むまたは含まない有機基であり、光重合性基を含む有機基の個数Ｘは１〜８であり、光重合性基を含まない有機基の個数Ｙは０〜７であり、ＸとＹの和は８である。光重合性基とは、アクリロイル基、メタクリロイル基、アリール基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基を表す。

この硬化物は、該接着性ポリオルガノシロキサンに紫外線照射することで形成される。

同様の接着性ポリオルガノシロキサンの硬化物として、光重合性基を有するアルコキシシランの加水分解縮合物からなる変性ポリオルガノシロキサンの硬化物も挙げられる。該硬化物は、以下の一般式（２）または（３）で表わされるアルコキシシランを、各々少なくとも１種類以上用い、加水分解縮合して得られる縮合物である。

式（２）中、Ｒ¹はそれぞれ独立にメチル基またはフェニル基であり、Ｒ²はそれぞれ独立にメチル基またはエチル基であり、Ｘは０〜３の整数である。

式（３）中、Ｒ³はそれぞれ独立に、アクリロイル基、メタクリロイル基、アリール基、エポキシ基、オキセタン基およびビニルエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基であり、Ｒ⁴はそれぞれ独立にメチル基またはエチル基であり、Ｘは１〜３の整数である。

例えば、式（２）で表わされるアルコキシシランとしてのフェニルトリメトキシシラン（Ｒ¹＝フェニル基、Ｒ²＝メチル基、Ｘ＝１）またはジメチルジエトキシシラン（Ｒ¹＝メチル基、Ｒ²＝エチル基、Ｘ＝２）、および式（３）で表わされるアルコキシシランとしての３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（Ｒ³＝プロピルメタクリレート基、Ｒ⁴＝メチル基、Ｘ＝１）から得られる加水分解縮合物は、以下に示した部分構造を有しているものと考えられる。尚、図中の波線は、その先も結合が連続していることを意味する。

本発明における洗浄方法で除去する対象としてのポリオルガノシロキサンの硬化物は、その構造に特に制限は無く、未変性のポリオルガノシロキサンの硬化物、エポキシ基、アミノ基、ヒドロキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基などの官能基を有する有機変性シロキサン化合物から得られるポリオルガノシロキサンの硬化物も含む。ポリオルガノシロキサンには、重合触媒、接着付与剤、充填剤、補強剤、色素、難燃剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、発泡剤等の各種添加剤が配合されていてもよい。また、該組成物の形状は、一液硬化型、二液硬化型、接着性シートなどであってもよく、室温硬化、加熱硬化、光硬化など、どのような硬化手段を用いてもよい。

その他、市販されているシリコーン樹脂や一般的な接着剤用の樹脂状汚れのほか、無機微粒子を含む汚れの洗浄、レジスト剥離液としても適用可能である。

本発明の洗浄液組成物を用いた洗浄方法は、特に限定されないが、例えば、洗浄液組成物を収容した浸漬槽に基板を浸漬する浸漬式洗浄、洗浄液をシャワー、スプレー、および／またはジェット等でかけ流すシャワリング法、スポンジやブラシ等を使用するスクラブ洗浄法、浸漬式洗浄に超音波を印加して洗浄効率を上げる超音波洗浄法、バブリング洗浄法等が挙げられる。

本発明における洗浄手順の一例を以下に述べる。加熱した洗浄液組成物に該基板を接触させて上記洗浄方法で洗浄した後、基板表面に付着する薬液成分の大部分を洗い流すために超純水リンスを１分間以上行い、乾燥させる。その後、該基板を硫酸を含む水溶液で洗浄し、前工程と同様に、超純水リンスを行い、乾燥させる。硫酸を含む水溶液での洗浄方法は特に制限はないが、一般的なＳＰＭ洗浄で行われる方法を用いることができる。該工程を併用することで、該基板表面に残留する微量のアルカリ成分を除去することができる。

本発明の洗浄液組成物を該基板と接触させる際の温度は、２０〜１２０℃が好ましく、より好ましくは４０〜１００℃であることが望ましい。洗浄液組成物の温度が２０℃未満の場合は、基板から硬化物を剥離する速度が遅く、実用的でない。また、洗浄液組成物の温度が１２０℃を越えると、洗浄液組成物に含まれるアルコールの蒸発が激しく、洗浄性能が低下することがある。

また、本発明の洗浄方法は、一般に半導体製造工程で行われている洗浄方法、すなわち、ＲＣＡ洗浄のような、ＡＰＭを６０〜９０℃に加熱して洗浄する方法、ＨＰＭを５０〜１００℃に加熱して洗浄する方法、ＳＰＭを８０〜１５０℃に加熱して洗浄する方法などを組み合わせた洗浄方法と組み合わせてもよい。

本発明における硫酸を含む水溶液は、過酸化水素を含んでいてもよく、好ましいものとしては、レジストなどの有機物や金属不純物の除去に使用されるＳＰＭが挙げられる。ＳＰＭ洗浄はＳＰＭを加熱して行う。洗浄条件は、特に限定するものではないが、一般によく使用される組成は、硫酸と過酸化水素水の容量比が４：１から８：１までの範囲で、洗浄温度は８０〜１５０℃の範囲で十分である。

本発明において使用される硫酸および過酸化水素などの薬品の品質は、当該薬品中の不純物でガラス基板が汚染される不具合を避けるために極力高純度であることが望ましく、具体的には電子工業用グレードの薬品を使用することが望ましい。

本発明に使用される水としては、市水、井水、純水（イオン交換樹脂などによって脱塩処理を行った水）、超純水（無機イオンのみではなく、有機物、生菌、微粒子、溶存気体等を除去した水）、各種機能水等が挙げられるが、電子制御回路等に悪影響を与える金属イオン分の含有量が少ないという点から、純水や超純水等が好ましい。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

まず、基板表面に強固に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を再現するために、接着性ポリオルガノシロキサン組成物を調製した。その後、該組成物を基板上で硬化させることで、基板上に硬化物を形成、付着させた。これをモデル基板として用いて、本発明の洗浄方法による洗浄性を評価した。

各工程について、以下に順を追って説明する。

［接着性ポリオルガノシロキサンの調製］
＜光重合性かご型シルセスキオキサンの合成＞
１００ｍｌナスフラスコにオクタ（ジメチルシリル）オクタシルセスキオキサン（米国ハイブリッドプラスチックス社製、商品名、ＳＨ１３１０）５．１３ｇ、メタクリル酸アリル５．４０ｇ（東京化成株式会社製）、トルエン５０ｍｌ、白金触媒として１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン白金（０）錯体のキシレン溶液（白金濃度、２質量％）（アルドリッチ株式会社製）１５ｍｇを加え、室温（２３℃）で終夜（２４時間）撹拌した。その後、ロータリーエバポレーターを用いてトルエンと未反応のメタクリル酸アリルを留去し、メタクリロイル基含有かご型シルセスキオキサンを薄黄色の液体として、８．８ｇ得た。

＜接着性ポリオルガノシロキサンの調製＞
該かご型シルセスキオキサン１００部に対し、ペンタエリスリトールトリアクリレート（大阪有機化学工業株式会社製、商品名、ビスコート＃３００）を２０部添加し、光ラジカル重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製、商品名、Ｄａｒｏｃｕｒ１１７３）を２部加え、接着性ポリオルガノシロキサン組成物を得た。

［洗浄性評価用モデル基板の作製］
表面を酸化セリウム（アルドリッチ株式会社製）の微粒子で研磨したφ１００ｍｍ、厚み１．１ミリの無アルカリガラス基板（コーニング株式会社製、品番、７０５９）の基板表面に、各前記接着性組成物０．６ｇをスピンコーターで約５０μｍの厚さに塗布し、紫外線照射機（ＨＯＹＡ−ＳＣＨＯＴＴ製、商品名、ＵＶＬＩＧＨＴＳＯＵＲＣＥＥＸ２５０）で紫外線を５分間照射して、接着性組成物層を硬化させた。次いで、ホットプレート上にて室温から１５０℃まで徐々に昇温し、その後約1時間加熱して、該無アルカリガラス基板表面に接着剤層を形成した。これをモデル基板として、下記の洗浄性評価に用いた。

［洗浄性の評価］
洗浄性を評価するため、表１（実施例１〜９および比較例１〜１１）に示した各成分を、記載した質量部にて配合し、洗浄液組成物とした。各洗浄液組成物約３００ｍｌをポリテトラフルオロエチレン樹脂製の浸漬槽に入れ、表１に記載の温度に加温した。その中に、該モデル基板を浸漬させ、マグネットスターラーとマグネット攪拌子を用いて洗浄液を攪拌しながら、１２分間〜９時間この状態を保持した。次いで、純水で１分間すすぎ処理を行い、乾燥させた。その後、硫酸および過酸化水素（４：１）の混合液に浸漬させ、９０℃に加温し、洗浄液を攪拌しながら、１時間この状態を保持した。最後に、純水で１分間すすぎ処理を行い、十分乾燥させ、該ガラス基板表面を光学顕微鏡にて観察した。

結果を表１に示す。尚、ガラス基板表面の状態の評価基準は以下の通りである。
◎：付着物および再付着がなく、損傷、腐食および曇りもない
○：損傷、腐食および曇りはないが、除去物が溶解せずに再付着が見られた
△：損傷、腐食、または曇りが発生した
×：付着物を除去できなかった
（洗浄性が良好だった実施例１〜９に関しては、接着、剥離、洗浄のサイクルを三回繰り返し行った。）

表１の結果より、本発明の洗浄方法がポリオルガノシロキサンの硬化物に対し、優れた洗浄性を示し、さらに基板表面の損傷、腐食、汚染などの問題がみられないことを確認した。

特に、実施例３〜９において、洗浄液を加温することで、溶液の剥離性および溶解性が向上するため、洗浄時間も短縮できることが分かった。また、実施例４、６ではガラス基板だけではなく、シリコンウェハに対しても同様の洗浄性を示すことを確認した。実施例１〜９において、同じガラス基板を用いて同様の工程で、接着、剥離、そして洗浄を行う一連のサイクルを三回繰り返し行ったが、該基板表面の損傷、腐食、汚染などの問題は見られなかった。

一方、比較例１、２および１１では、溶液の硬化物に対する溶解性が低く、除去物の再付着が見られた。比較例３では、有機物に対する親和性が悪く、さらに硬化物に対する溶解性も乏しいため、接着した硬化物を除去することは出来なかった。比較例４では、金属水酸化物溶液が、強固に接着した硬化物をある程度剥離できることを示したが、ガラス基板の曇りが生じた。比較例９では、強力な酸洗浄液を用いると、基板の腐食などが見られることが示された。比較例１０では、ＳＰＭによる洗浄では、ポリオルガノシロキサンの硬化物をほとんど剥離しないことが示された。

本発明に係る基板の洗浄方法によれば、高清浄性を必要とする半導体デバイス用ガラス基板などを洗浄、再生することができ、半導体製造工程において広く利用することができる。

Claims

基板表面に付着したポリオルガノシロキサンの硬化物を除去するための洗浄方法であって、洗浄液組成物の全質量に対して、アルキル基の炭素数が１〜４のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを１〜２０質量％、炭素数１〜５のアルコールを２０〜９８質量％、およびＮ−メチルピロリドンを１〜７９質量％含む洗浄液組成物を基板表面と接触させる工程を含む、洗浄方法。
洗浄液組成物を２０〜１２０℃で基板表面と接触させる、請求項１に記載の洗浄方法。
さらに、硫酸を含む水溶液を基板表面と接触させる工程を含む、請求項１または２に記載の洗浄方法。
さらに、水で洗浄した後、基板を乾燥する工程を含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の洗浄方法。
基板が、ガラス基板またはシリコンウェハである、請求項１〜４の何れか１項に記載の洗浄方法。
ポリオルガノシロキサンの硬化物が、かご型シルセスキオキサン構造を含む、請求項１〜５の何れか１項に記載の洗浄方法。
洗浄液組成物の全質量に対して、炭素数１〜４のアルキル基を含むテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを１〜２０質量％、炭素数１〜５のアルコールを２０〜９８質量％、およびＮ−メチルピロリドンを１〜７９質量％含む洗浄液組成物。