JP6329889B2 - 洗浄液及び塗布成膜装置配管の洗浄方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の洗浄液はアルコール溶液であり有機系材料に対する溶解性が良好であるため、例えば塗布成膜装置の廃液配管内で有機下層膜材料やレジスト材料、有機溶剤等の有機系材料と接触しても沈殿や配管閉塞が発生することがない。このため、配管閉塞によって発生する塗布成膜装置の稼働率低下を防止することができる。
本発明の洗浄液は、水酸化テトラアルキルアンモニウム又はコリンのアルコール溶液である。このような本発明の洗浄液は、水酸化テトラアルキルアンモニウム又はコリンによってシロキサンゲルを溶解するため、従来の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等の水系洗浄液と同等の洗浄性能を有する。また、一方で水系洗浄液とは異なり有機系材料に対する溶解性が良好であるため、塗布成膜装置の廃液配管内で有機下層膜材料やレジスト材料等の有機系塗布膜材料や有機溶剤等の各種有機系材料に接触しても、沈殿や配管閉塞が発生することがない。従って、このような本発明の洗浄液を用いることで、塗布成膜装置の稼働率を低下させずに、塗布成膜装置配管内のシロキサンゲルを効果的に洗浄除去することができる。
また、本発明では、塗布成膜装置の配管内を洗浄する方法であって、前記配管内に、上述の本発明の洗浄液を通液することで、前記配管内に固着したシロキサンゲルを除去する塗布成膜装置配管の洗浄方法を提供する。
また、本発明の洗浄液はアルコール溶液であり有機系材料に対する溶解性が良好であるため、例えば塗布成膜装置の廃液配管内で有機下層膜材料やレジスト材料、有機溶剤等の有機系材料と接触しても沈殿や配管閉塞が発生することがない。このため、配管閉塞によって発生する塗布成膜装置の稼働率低下を防止することができる。
塗布成膜装置にケイ素含有レジスト下層膜材料としてSHB−A940(信越化学工業社製)を適切な手順で接続し、直径300mmのベアウェハ上にケイ素含有レジスト下層膜を成膜し、0.12μm以上のサイズの塗布欠陥数を計測した。次に、ケイ素含有レジスト下層膜材料を接続した配管内にある液を窒素ブローし、ケイ素含有レジスト下層膜材料を乾かして配管内表面にシロキサンゲルを析出させた。次いで、配管内をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA):プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)=3:7の混合溶媒で置換し、置換後の混合溶媒を直径300mmのベアウェハに塗布してウェットパーティクル数を計測し、配管内にシロキサンゲルが析出していることを確認した。
洗浄液として、0.2質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの1−メトキシ−2−プロパノール溶液(水分1質量%含有)の代わりに、1質量%水酸化テトラエチルアンモニウムの1−エトキシ−2−プロパノール溶液(水分10質量%含有)を用いた以外は、実施例1と全く同様の手順で洗浄を行い、洗浄効果を確認した。結果を表1に示す。
洗浄液として、0.2質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの1−メトキシ−2−プロパノール溶液(水分1質量%含有)の代わりに、2質量%水酸化テトラブチルアンモニウムの1−プロポキシ−2−プロパノール溶液(水分15質量%含有)を用いた以外は、実施例1と全く同様の手順で洗浄を行い、洗浄効果を確認した。結果を表1に示す。
洗浄液として、0.2質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの1−メトキシ−2−プロパノール溶液(水分1質量%含有)の代わりに、5質量%水酸化テトラプロピルアンモニウムのイソプロパノール溶液(水分20質量%含有)を用いた以外は、実施例1と全く同様の手順で洗浄を行い、洗浄効果を確認した。結果を表1に示す
洗浄液による配管の洗浄を行わない以外は、実施例1と全く同様の手順で操作を行い、洗浄効果を確認した。
具体的には、実施例1と同様の手順で塗布成膜装置にSHB−A940を接続し、直径300mmのベアウェハ上にケイ素含有レジスト下層膜を成膜し、0.12μm以上のサイズの塗布欠陥数を計測した。次に、実施例1と同様の手順で配管内にシロキサンゲルを析出させた後、配管内をPGMEA:PGME=3:7の混合溶媒で置換し、置換後の混合溶媒を直径300mmのベアウェハに塗布してウェットパーティクル数を計測し、配管内にシロキサンゲルが析出していることを確認した。次に、配管内に混合溶媒を満たした状態で24時間放置した後、混合溶液を排出した。さらに、3.79LのPGMEA:PGME=3:7の混合溶媒を通液し、置換した。続いて、同一配管にODL−50を適切な手順で接続し、直径300mmのベアウェハ上に塗布後、300℃で加熱して有機下層膜を成膜し、0.12μm以上のサイズの塗布欠陥数を計測し、洗浄効果を確認した。結果を表1に示す。
洗浄液として、0.2質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの1−メトキシ−2−プロパノール溶液(水分1質量%含有)の代わりに、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた以外は、実施例1と全く同様の手順で洗浄を行い、洗浄効果を確認した。結果を表1に示す。
Claims (7)
- 塗布成膜装置の配管内に固着したシロキサンゲルを除去する際に用いる洗浄液であって、水酸化テトラアルキルアンモニウム又はコリンのアルコール溶液であり、かつ、前記アルコールが、0.01質量%以上10質量%以下の水を含む含水アルコールであることを特徴とする洗浄液。
- 前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、及び水酸化テトラブチルアンモニウムのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の洗浄液。
- 前記アルコールが、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノール、プロポキシプロパノール、メトキシブタノール、及びエトキシブタノールのいずれかであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の洗浄液。
- 前記洗浄液中に含まれる前記水酸化テトラアルキルアンモニウム又はコリンの濃度が、0.01質量%以上50質量%以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の洗浄液。
- 塗布成膜装置の配管内を洗浄する方法であって、
前記配管内に、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の洗浄液を通液することで、前記配管内に固着したシロキサンゲルを除去することを特徴とする塗布成膜装置配管の洗浄方法。 - 前記洗浄液を通液する際に、前記洗浄液で前記配管内を満たした状態で一定時間放置した後、前記配管内を満たした洗浄液を排出することを特徴とする請求項5に記載の塗布成膜装置配管の洗浄方法。
- 前記洗浄液の通液後に、有機溶剤で前記配管内を置換することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の塗布成膜装置配管の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014250913A Active JP6329889B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 洗浄液及び塗布成膜装置配管の洗浄方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6329889B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7302997B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-07-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 |
JP7353439B1 (ja) | 2022-08-03 | 2023-09-29 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂溶解剤及びシリコーンコーティングと基布の分離方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026895A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Tokuyama Corp | 化学機械研磨装置用洗浄剤 |
JP2004207274A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 水溶性樹脂被覆形成剤供給用装置の洗浄液および洗浄方法、並びに微細パターンの形成方法 |
SG175273A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-11-28 | Basf Se | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
JP5815477B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2015-11-17 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜の製膜方法 |
WO2014057860A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | セントラル硝子株式会社 | 基板の洗浄方法および洗浄液組成物 |
JP2014133855A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Fujifilm Corp | シロキサン樹脂の除去剤、それを用いたシロキサン樹脂の除去方法並びに半導体基板製品及び半導体素子の製造方法 |
JP5728517B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2015-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2016113485A (ja) | 2016-06-23 |
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