JPWO2014003089A1 - フラットケーブルおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

フラットケーブル（６０）の伝送線路部（１０）は、厚み方向の中間位置に信号導体（４０）を備える誘電体素体（１１０）、第１グランド導体（２０）、第２グランド導体（３０）を備える。第１グランド導体（２０）は、誘電体素体（１１０）の幅方向に間隔をおき、長手方向に伸延する長尺導体（２１，２２）と、長尺導体（２１，２２）を長手方向に沿って間隔をおいて接続するブリッジ導体（２３）を備える。長手方向に沿った隣り合うブリッジ導体（２３）の中間位置には、長尺導体（２１，２２）の幅よりも広い幅からなる幅広部（２５）が形成されている。幅広部（２５）は、長尺導体（２１，２２）の対向する方向に突出する形状で形成されている。幅広部（２５）には、層間接続導体（５０）が形成されており、当該層間接続導体（５０）によって第１グランド導体（２０）と第２グランド導体（３０）が接続される。

Description

本発明は、高周波信号を伝送する薄型のフラットケーブルおよび当該フラットケーブルを備える電子機器に関するものである。

従来、高周波信号を伝送する高周波線路としては、同軸ケーブルが代表的である。同軸ケーブルは、一方向に延びる形状（信号伝送方向に延びる形状）の中心導体（信号導体）と、該中心導体の外周面に沿って同心円状に設けられたシールド導体とを備える。

ところで、近年、移動体通信端末を含む高周波機器の小型化、薄型化が進み、端末筐体内に同軸ケーブルを配置するスペースが確保できない場合がある。

このような端末筐体に対して、特許文献１および特許文献２に示すようなフラットケーブルを用いることが注目されている。フラットケーブルは、幅が同軸ケーブルよりも広いものの薄型にできるため、端末筐体内に薄い隙間しかないような場合に、特に有用である。

特許文献１、特許文献２に記載のフラットケーブルは、基本的な構造として、トリプレート型のストリップライン構造を有している。

特許文献１、特許文献２に示すようなフラットケーブルは、可撓性を有し絶縁性を有する平板状の誘電体素体を備える。誘電体素体は、一直線状に延びる長尺形状である。誘電体素体の厚み方向に直交する第２面には、第２グランド導体が配設されている。第２グランド導体は、基材シートの第２面を略全面で覆う、所謂ベタ導体パターンである。基材シートの第１面に対向する第１面には、第１グランド導体が配設されている。第１グランド導体は、長手方向に沿って延びる形状の長尺導体を、長手方向および厚み方向に直交する幅方向の両端に備える。二本の長尺導体は、長手方向に沿って所定間隔をおいて配置され、幅方向に延びる形状からなるブリッジ導体によって接続されている。これにより、第２グランド導体は、所定の開口長からなる開口部が長手方向に沿って配列形成された形状からなる。そして、この各開口部を形成するためのブリッジ導体は、一般的に、長手方向に沿って一定の間隔で配置されている。

誘電体素体の厚み方向の中間には、所定幅で所定厚みの信号導体が形成されている。信号導体は、第１グランド導体の長尺導体および第２グランド導体と平行な方向に伸延する長尺状からなる。信号導体は、誘電体素体の幅方向の略中央に形成されている。

このような構成により、フラットケーブルを平面視すると（第１面および第２面に直交する方向から見ると）、信号導体は、第１グランド導体に対して、ブリッジ導体で重なり合うだけで、他の領域では開口部内となるように配置される。

そして、特許文献１、特許文献２に示すようなフラットケーブルでは、第１グランド導体と第２グランド導体とを導通するために、誘電体素体を厚み方向に貫通する導電性ビアからなる層間接続導体を備える。層間接続導体は、第１グランド導体の長尺導体におけるブリッジ導体との接続領域に形成されている。

ＷＯ２０１１／００７６６０号公報 実用新案登録第３１７３１４３号明細書

しかしながら、上述のような薄型のフラットケーブルに対して、さらに幅を狭くする要求がある。フラットケーブルの幅を狭くした状態でのフラットケーブルとしての特性インピーダンスを、幅を狭くする前と同じにするには、第１グランド導体の長尺導体の幅を狭くすることが必要である。

ところが、上述のように、長尺導体に導電性ビアからなる層間接続導体を形成する構造の場合、長尺導体の幅が狭くなることによって、層間接続導体の径も小さくしなければならない。層間接続導体は、貫通孔や掘り込み孔に導電ペーストを充填して硬化することで形成され、径が小さいと、フラットケーブルの折り曲げ時に係る応力によって破断し易くなってしまう。また、長尺導体の幅が狭いことにより、貫通孔や掘り込み孔を所定位置に形成することが難しく、作業負荷が増加したり、製造歩留まりが低下してしまう。さらに、ブリッジ導体が細い場合には、フラットケーブルの折り曲げ時に層間接続導体に係る応力が、高硬度の層間接続導体に近いブリッジ導体に係り、ブリッジ導体が破断してしまうこともある。このように、従来の構造では、フラットケーブルの幅を狭くした場合に、当該フラットケーブルの信頼性が低下してしまう。

したがって、本発明の目的は、幅を狭くしても、幅が広い場合と比較して信頼性が低下しないフラットケーブルを提供することにある。

この発明のフラットケーブルは、次の特徴を有する。フラットケーブルは、誘電体素体、信号導体、第１グランド導体、第２グランド導体、層間接続導体を備える。誘電体素体は、長手方向に沿って伸延する形状で平板からなる。信号導体は、誘電体素体に配置され、長手方向に沿って伸延する形状からなる。第１グランド導体は、誘電体素体の厚み方向の一方端の面に形成され、長手方向に沿って伸延する形状からなる。第２グランド導体は、誘電体素体の厚み方向の他方端の面に形成され、長手方向に沿って伸延する形状からなる。層間接続導体は、誘電体素体の厚み方向に伸延する形状であり第１グランド導体と第２グランド導体とを接続する形状からなる。

そして、第１グランド導体は、幅方向の両端に互いに離間して配置された二つの長尺導体と、二つの長尺導体を長手方向に沿って間隔を空けて接続する複数のブリッジ導体と、を備える。第１グランド導体は、長尺導体における長手方向に沿ったブリッジ導体間の所定位置に形成され、二つの長尺導体が対向する方向に広がる幅広部を備える。層間接続導体は、幅広部に形成されている。

この構成では、長尺導体に設けられた幅広部に、層間接続導体を形成するので、層間接続導体の径を大きくすることができる。この際、幅広部は、長尺導体同士が対向する方向、言い換えれば、フラットケーブルの幅方向に中心方向に向かって広がる形状であるので、フラットケーブルの幅は広くならない。

また、この発明のフラットケーブルの幅広部は、長手方向に沿って長尺導体の幅から幅広部の幅へ徐々に幅が広くなる拡大部を備えることが好ましい。

このような構成とすることで、幅広部における特性インピーダンスの急激な変化を防止でき、伝送損失を低減できる。また、層間接続導体に形成可能範囲が広がるため、層間接続導体を形成しやすくなる。

また、この発明のフラットケーブルの幅広部は、長手方向に沿った隣り合うブリッジ導体の略中点位置に形成されていることが好ましい。

この構成では、特性インピーダンスの最大値が生じるブリッジ導体間の中間位置に、グランドに接続する層間接続導体が配置されるので、最大値を抑制できる。これにより、特性インピーダンスの調整を行うことができる。さらに、この特性インピーダンスの最大値の位置で決定する低周波数の不要な定在波の発生を抑制できる。

また、この発明のフラットケーブルは、第１の長尺導体に形成された幅広部の長手方向に沿った位置と、第２の長尺導体に形成された幅広部の長手方向に沿った位置とは、異なっていてもよい。

この構成では、幅広部を備えていても、長手方向のどの位置であっても、２つの長尺導体を所定間隔以上で離間させることができる。これにより、信号導体の幅を広くでき、伝送損失を向上させることができる。

また、この発明のフラットケーブルの層間接続導体の径は、長尺導体の径よりも大きいことが好ましい。

この構成では、層間接続導体の径の具体的な数値例を示しており、長尺導体の径よりも大きくできることで、長尺導体の形成が容易になり、且つ第１グランド導体と第２グランド導体との間の電位差をより確実に無くすことができる。また、フラットケーブルの折り曲げによる破断が生じ難い。

また、この発明のフラットケーブルのブリッジ導体の幅は、長尺導体の幅よりも狭くてもよい。

この構成では、ブリッジ導体の幅を狭くできることにより、当該ブリッジ導体のインダクタンスを大きくすることができる。これにより、特性インピーダンスの調整範囲を、より広げることができる。また、ブリッジ導体に対して厚み方向に対向する信号導体の幅を広げることができるので、信号導体の導体損を低減できる。

また、この発明のフラットケーブルでは、信号導体は、ブリッジ導体および長尺導体の幅広部と近接する箇所の導体幅がそれ以外の導体幅よりも小さいことが好ましい。

この構成では、ブリッジ導体および長尺導体と近接する箇所の容量性が大きくなることを抑制でき、所望の特性インピーダンスに調整することができる。

また、この発明のフラットケーブルは、長手方向の少なくとも一方端に、信号導体に接続するコネクタ部材を備えてもよい。

この構成では、コネクタ部材を備えることで、外部回路基板等に、フラットケーブルを容易に接続できる。

また、この発明は、電子機器に関するものであり、次の特徴を備える。電子機器は、上述のいずれかに記載のフラットケーブルと、該フラットケーブルによって接続される複数の実装回路基板と、フラットケーブルおよび実装回路基板が内蔵される筐体と、を備える。

この構成では、上述のフラットケーブルを用いた電子機器を示している。上述のフラットケーブルを用いることで、筐体内に配置される複数の実装回路基板の接続態様がどのような態様であっても、伝送損失を増加させることなく、実装回路基板間でＲＦ信号を伝送することができる。

この発明によれば、高信頼性を有し、幅の狭いフラットケーブルを実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの外観斜視図である。 伝送線路部の一部を示す分解斜視図である。 伝送線路部の一部を示す平面図および断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの長手方向に沿った特性インピーダンスの分布を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図および平面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す平面図である。 本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す平面図である。 本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す分解斜視図である。 本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す平面図である。

本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブル６０の外観斜視図である。図２は、伝送線路部の一部を示す分解斜視図である。図３は、伝送線路部の一部を示す平面図および断面図である。図３（Ａ）は、誘電体素体１１０を省略した状態で伝送線路部１０を第１主面側から見た平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３（Ｃ）は、図３（Ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図３（Ａ）は誘電体素体を省略した状態で伝送線路部１０を第１主面側から見た平面図である。

フラットケーブル６０は、伝送線路部１０と、同軸コネクタ６１とを備える。伝送線路部１０は、平板状で且つ長尺状からなる。同軸コネクタ６１は二個あり、伝送線路部１０の長手方向の両端にそれぞれ設置されている。同軸コネクタ６１は、伝送線路部１０の第２主面（本発明の他方面に相当）側に設置されている。同軸コネクタ６１の図示していない中心導体は、本伝送線路部１０の信号導体４０（図２、図３参照）の端部に接続されている。また、同軸コネクタ６１の図示していない外部導体は、伝送線路部１０の第２グランド導体３０に接続されている。

なお、同軸コネクタ６１は、省略することもでき、同軸の態様でなくてもよい。省略する場合には、伝送線路部１０の両端付近の信号導体４０や、第１グランド導体２０および第２グランド導体３０を外部に露出させればよい。また、同軸コネクタ６１の設置面を異ならせてもよい。例えば、一方端の同軸コネクタ６１を第１主面側に設置し、他方端の同軸コネクタ６１を第２主面側に設置してもよい。

伝送線路部１０は、外観上は、平板状の誘電体素体１１０を、当該誘電体素体１１０の厚み方向の両端から保護層１２０と保護層１３０ではさみ込む形状からなる。具体的には、誘電体素体１１０の厚み方向の一方端面である第１主面側には、誘電体素体１１０の略全面に亘り保護層１２０が形成されている。誘電体素体１１０の厚み方向の他方端面である第２主面側には、誘電体素体１１０の略全面に亘り保護層１３０が形成されている。

伝送線路部１０は、長尺状で平板の誘電体素体１１０を備える。誘電体素体１１０は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する素材からなる。

信号導体４０は、平膜状からなり、誘電体素体１１０の幅方向の略中央に形成されている。信号導体４０の幅Ｗｄは、伝送線路部１０として所望とする特性インピーダンスが得られるように設定されている。さらに、信号導体４０の幅Ｗｄは、後述する第１グランド導体２０を構成する長尺導体２１，２２の幅方向の間隔Ｗｏｎよりも狭い。より詳細には、長尺導体２１，２２に形成された幅広部２５同士の幅方向の間隔Ｗｏｖよりも狭い。

信号導体４０は、誘電体素体１１０の厚み方向の中間に形成されている。信号導体４０の厚み方向の位置は、伝送線路部１０として所望とする特性インピーダンスが得られるように設定されている。信号導体４０は、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。

第１グランド導体２０は、誘電体素体１１０の第１主面に形成されている。第１グランド導体２０は、長尺導体２１，２２とブリッジ導体２３とを備える。第１グランド導体２０も、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。

長尺導体２１，２２は、誘電体素体１１０の長手方向に沿って延びる長尺状である。長尺導体２１は、誘電体素体１１０の幅方向の一方端に形成されており、長尺導体２２は、誘電体素体１１０の幅方向の他方端に形成されている。長尺導体２１，２２は、誘電体素体１１０の幅方向に沿って、所定の間隔をおいて形成されている。

ブリッジ導体２３は、誘電体素体１１０の幅方向に伸延する形状からなる。ブリッジ導体２３は、誘電体素体１１０の長手方向に沿って間隔をおいて、複数形成されている。これにより、第１主面側に直交する方向から見て（厚み方向に沿って見て）、ブリッジ導体２３間には、開口部２４が形成される。

このように、第１グランド導体２０は、長手方向に延びる梯子形状からなる。

さらに、第１グランド導体２０は、長尺導体２１，２２の長手方向の所定位置に幅広部２５を備える。

幅広部２５は、長尺導体２１，２２の幅ＷＬｄよりも広い幅ＷＬＶで形成されている。この幅ＷＬＶにより、上述の長尺導体２１，２２の幅広部２５間の幅Ｗｏｖが決定される。

幅広部２５は、長尺導体２１，２２の長手方向に沿った、隣り合うブリッジ導体２３の略中間位置に形成されている。言い換えれば、幅広部２５は、第１グランド導体２０の開口部２４における長手方向に沿った略中央の位置に形成されている。例えば、開口部２４の長手方向の長さがＬｏであれば、幅広部２５の長手方向の中心位置と、開口部２４の長手方向の端部との間隔がＬｏ／２となるように、幅広部２５が形成されている。

幅広部２５は、長尺導体２１，２２が幅方向に沿って対向する側に突出する形状で形成されている。言い換えれば、幅広部２５は、伝送線路部１０（フラットケーブル６０）の幅方向の中心に向かって突出する形状で形成されている。これにより、幅広部２５を形成しても、伝送線路部１０の幅が広がらない。

幅広部２５の長手方向に沿った長さは、ブリッジ導体２３の幅（長手方向に沿った長さ）Ｗｂよりも大きい。さらに、より具体的な設計値として、幅広部２５の長手方向の長さは、第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とを接続する層間接続導体５０の径（直径）φに基づいて、適宜設定されている。例えば、層間接続導体５０の径φに、層間接続導体５０の製造誤差を加算した値に設定されている。

第２グランド導体３０は、誘電体素体１１０の第２主面に形成されている。第２グランド導体３０は、誘電体素体１１０の略全面に亘り形成されている。第２グランド導体３０も、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。

層間接続導体５０は、所謂導電性ビア導体であり、誘電体素体１１０を厚み方向に貫通する導体である。層間接続導体５０は、誘電体素体１１０に形成された貫通孔に導電性ペーストを充填し、硬化させることによって形成される。これにより、層間接続導体５０は、第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とを接続している。

層間接続導体５０は、第１グランド導体２０における長尺導体２１，２２の幅広部２５に形成されている。層間接続導体５０の径φは、幅広部２５の幅ＷＬＶおよび長手方向の長さよりも短い。この際、層間接続導体５０の径φは、ブリッジ導体２３の幅Ｗｂよりも大きいと好適である。層間接続導体５０は、平面視した中心が、幅広部２５の平面視した中心と略一致するように形成されると好適である。

このような構成とすることで、誘電体素体１１０内に形成された信号導体４０を第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とではさみ込む形状からなる所謂トリプレート型の伝送線路を実現できる。そして、このように形成されたトリプレート型の伝送線路に対して、上述のように、誘電体素体１１０の第１主面側に保護層１２０を形成し、誘電体素体１１０の第２主面側に保護層１３０を形成する。これにより、本実施形態に係る伝送線路部１０が実現される。

そして、本実施形態の構成を用いれば、長尺導体２１，２２の幅ＷＬｄを狭くしても、層間接続導体５０の径を小さくすることなく形成できる。これにより、伝送線路部１０の幅を狭くしても、径の大きな層間接続導体５０を形成できる。

さらに、本実施形態の構成では、層間接続導体５０の径φを大きくできることにより、伝送線路部１０を折り曲げても、層間接続導体５０が破断し難い。また、層間接続導体５０がブリッジ導体２３に近接する位置に配置されていることによる伝送線路部１０の折り曲げ時に生じるブリッジ導体２３に係る応力が低減する。これにより、ブリッジ導体２３の破断も抑制することができる。

また、層間接続導体５０の径φが大きいことにより、層間接続導体５０の抵抗が低くなり、第１グランド導体２０と第２グランド導体３０との間を、より低抵抗で接続することができる。したがって、主たるグランドである第２グランド導体３０と、補助的グランドである第１グランド導体２０との間の電位差を、ほぼ「０」にすることができ、第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とが略同電位となる理想的なグランドをすることができる。

なお、層間接続導体５０の径φは、長尺導体２１，２２の幅ＷＬｄよりも大きいことが好ましいが、同じにしたり小さくしたりすることもできる。さらに、層間接続導体５０の径φは、ブリッジ導体２３の幅Ｗｂよりも大きいことが好ましいが、同じにしたり小さくしたりすることもできる。このような構成であっても、ブリッジ導体２３の破断を抑制する作用効果を得ることができる。

また、層間接続導体５０は、幅広部２５のみに形成するだけでなく、ブリッジ導体２３が長尺導体２１，２２に接続する領域等に、追加で形成することもできる。ただし、本実施形態の構成に示すように、幅広部２５にのみ層間接続導体５０を形成することで、層間接続導体５０の径φに無関係にブリッジ導体２３の幅を設定できる。これにより、ブリッジ導体２３の幅Ｗｂを狭くすることができる。したがって、ブリッジ導体２３のインダクタンスを大きくすることができ、ブリッジ導体２３のインダクタンスの設定可能範囲を広げることができる。これにより、所望の特性インピーダンスをより実現し易くすることができる。

また、幅広部２５および層間接続導体５０は、ブリッジ導体２３の長手方向の略中間の位置にあることが好ましいが、この位置から長手方向に沿ってずれていてもよい。

特に、幅広部２５および層間接続導体５０がブリッジ導体２３の長手方向の略中間の位置にある場合に次の作用効果を得られる。図４は、本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの長手方向に沿った特性インピーダンスの分布を示す図である。図４において、実線が本実施形態に係るフラットケーブルの特性インピーダンスを示し、点線が従来のフラットケーブルの特性インピーダンスを示す。図４に示すように、本実施形態および従来のフラットケーブルでは、特性インピーダンスは、基本的にはブリッジ導体２３の設置間隔に応じて周期性を有し、全体として所望の特性インピーダンスＺｏになるように設定されている。

具体的に、従来の構造からなるフラットケーブルでは、図４の点線に示すように、開口部２４の中央位置（ブリッジ導体２３の間の中間位置）でインダクタンスが最大となるので、特性インピーダンスも、開口部２４の中央位置で最大値となる。

ここで、本実施形態の構成を用いた場合、幅広部２５および層間接続導体５０が形成される部分での幅広部２５および層間接続導体５０と信号導体４０との距離は、長尺導体２１，２２における幅広部２５が形成されていない部分と比較して、近くなる。したがって、幅広部２５および層間接続導体５０が形成される部分では、長尺導体２１，２２における幅広部２５が形成されていない部分よりも幅広部２５および層間接続導体５０と信号導体４０との容量性結合が強くなる。すなわち、Ｃ性が強くなる。

このように開口部２４の中央位置でのＣ性を大きくできることで、図４の実線に示すように、特性インピーダンスが最大値となる位置に特性インピーダンスが低下する凹みを形成することができる。これにより、特性インピーダンスの最大値を抑制することができる。そして、この抑制値は、幅広部２５および層間接続導体５０の形状によって調整できる。したがって、本実施形態の構成を用いることで、所望の特性インピーダンスを実現するための調整範囲を広くすることができ、所望の特性インピーダンスを実現し易くなる。

また、この特性インピーダンスの最大値の間隔によって、不要な定在波が発生してしまうが、本実施形態の構成を用いることで、特性インピーダンスの最大値を抑制することができ、不要な定在波の発生を抑制できる。これにより、例えば、特性インピーダンスの最大値の間隔によって（開口部の長さによって）、不要な定在波の周波数が伝送線路部１０で伝送する高周波信号の周波数に近づいてＳ／Ｎ比が劣化する等の問題になる場合があるが、このような問題の発生を抑制できる。なお、この問題は、幅広部２５および層間接続導体５０の配置位置を調整することによっても解決することができる。

以上のような構造からなるフラットケーブルは、例えば次に示すように製造される。

まず、両面銅貼りの第１の絶縁性シートと、片面銅貼りの第２の絶縁性シートを用意する。

第１の絶縁性シートの第１主面側に、長尺導体２１，２２、ブリッジ導体２３、幅広部２５を備える第１グランド導体２０を、所謂パターニング処理により形成する。第１の絶縁性シートの第２主面側にパターニング処理により、信号導体４０を形成する。なお、第１の絶縁性シートには、第１グランド導体２０と信号導体４０との組が、複数個、配列形成されている。

第２の絶縁性シートの第２主面側に、第２グランド導体３０を所謂パターニング処理により形成する。なお、第２の絶縁性シートには、第２グランド導体３０が、複数個、配列形成されている。

各第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とが対向するように、第１の絶縁性シートと第２の絶縁性シートとを貼り合わせる。この際、信号導体４０が第１の絶縁性シートと第２の絶縁フィルムとの間に配置されるように、第１の絶縁性シートと第２の絶縁性シートを貼り合わせる。これにより、信号導体４０を厚み方向の中間位置に備える誘電体素体の両面に第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とが形成された複合体を、複数得られる。

この複合体の幅広部２５が形成されている部分に、レーザ等により孔を形成する。このように形成された孔に、銅、銀等の金属粉末を主成分とする導電性ペーストを充填して、当該導電性ペーストを熱処理して焼結することで、層間接続導体５０を形成する。ここで、上述のように、幅広部２５の面積が大きいので、レーザによる孔の形成が、幅広部２５からずれにくい。これにより、孔を形成しやすい。また、層間接続導体５０は、大きな径φで形成されているので、導電性ペーストの充填が容易である。このように、本実施形態の構成を用いることで、層間接続導体５０を容易に形成することができる。

この複合体から、それぞれ個別の伝送線路部１０を切り出す。伝送線路部１０に保護層１２０、１３０を形成する。伝送線路部１０の長手方向の両端で、且つ、保護層１３０の形成される側の面に同軸コネクタ６１を設置する。

上述の構造からなるフラットケーブル６０は、次に示す携帯電子機器に用いることができる。図５（Ａ）は本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器の部品構成を説明する平面断面図である。

携帯電子機器１は、薄型の機器筐体２を備える。機器筐体２内には、実装回路基板３Ａ，３Ｂと、バッテリーパック４が配置されている。実装回路基板３Ａ，３Ｂの表面には、複数のＩＣチップ５および実装部品６が実装されている。実装回路基板３Ａ，３Ｂおよびバッテリーパック４は、機器筐体２を平面視して、実装回路基板３Ａ，３Ｂ間にバッテリーパック４が配置されるように、機器筐体２に設置されている。ここで、機器筐体２はできる限り薄型に形成されているので、機器筐体２の厚み方向においては、バッテリーパック４と機器筐体２との間隔が極狭い。したがって、この間に同軸ケーブルを配置することができない。なお、このフラットケーブル６０は、アンテナ素子と給電回路とを接続するために用いられている。

しかしながら、本実施形態に示したフラットケーブル６０を、当該フラットケーブル６０の厚み方向と、機器筐体２の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック４と機器筐体２との間に、フラットケーブル６０を通すことができる。これにより、バッテリーパック４を中間に配して離間された実装回路基板３Ａ，３Ｂをフラットケーブル６０で接続することができる。

さらに、本実施形態の構成からなるフラットケーブル６０を用いることで、フラットケーブル６０の幅を狭くすることができる。これにより、フラットケーブル６０が引き回される領域を小さくでき、例えば、バッテリーパックの表面における電子部品の実装領域を、より大きく確保することができる。

次に、本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図６は本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す平面図である。図６では、誘電体素体の図示は省略している。

本実施形態のフラットケーブルの伝送線路部１０Ａは、幅広部２５Ａ、ブリッジ導体２３Ａ、および信号導体４０Ａの構造が、第１の実施形態に係る伝送線路部１０と異なるものであり、他の構成は、第１の実施形態に係る伝送線路部１０と同じである。したがって、第１の実施形態に係る伝送線路部１０と異なる箇所のみを説明する。

幅広部２５Ａは、伝送線路部１０Ａの長手方向に沿った両端に、拡大部２５０を備える。拡大部２５０は、幅広部２５に近づくほど長尺導体２１，２２からの突出量が大きくなり、ブリッジ導体２３に近づくほど長尺導体２１，２２からの突出量が小さくなる形状である。拡大部２５０の長手方向に沿った長さは、適宜設定すればよい。このような構造とすることで、幅広部２５Ａが形成されている領域と幅広部２５Ａが形成されていない領域との境界で特性インピーダンスが急激に変化することを防止できる。これにより、伝送損失を低減することができる。

また、層間接続導体５０の形成可能な領域が広がるため、より容易に層間接続導体５０を形成することができる。また、特性インピーダンスの設定可能な範囲が広がり、より所望の特性インピーダンスを実現し易くなる。

ブリッジ導体２３Ａは、長尺導体２１，２２に接続する両端に近づくほど幅（伝送線路部１０Ａの長手方向に沿った長さ）が大きくなる形状からなる。このような形状とすることで、ブリッジ導体２３Ａの設置部分と開口部２４Ａとの境界で特性インピーダンスが急激に変化することを防止できる。これにより、伝送損失を低減することができる。また、ブリッジ導体２３Ａと長尺導体２１，２２との接続領域に、補助的に層間接続導体を形成する場合に、形成可能な面積を大きくできる。これにより、層間接続導体を形成し易い。また、この補助的な層間接続導体の径を大きくすることができる。

信号導体４０Ａでは、ブリッジ導体２３Ａと対向する領域の幅、および、長手方向に沿って幅広部２５Ａと同じ位置になる領域の幅Ｗｄと比較して、それ以外の領域の幅Ｗｄｗが広い。このような構成とすることで、信号導体４０Ａの高周波抵抗を低減することができる。これにより、伝送線路部１０Ａの導体損を低減することができる。また、逆に、ブリッジ導体２３Ａと対向する領域の幅、および、長手方向に沿って幅広部２５Ａと同じ位置になる領域の幅Ｗｄを狭くすることで、ブリッジ導体２３Ａおよび幅広部２５Ａに近接する箇所での容量性が高くなることを抑制できる。これにより、所望とする特性インピーダンスを実現することができる。

次に、本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図７は本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す平面図である。図７では、誘電体素体の図示は省略している。

本実施形態のフラットケーブルの伝送線路部１０Ｂは、ブリッジ導体２３Ｂ、および信号導体４０Ｂの構造が、第２の実施形態に係る伝送線路部１０Ａと異なるものであり、他の構成は、第２の実施形態に係る伝送線路部１０Ａと同じである。したがって、第２の実施形態に係る伝送線路部１０Ａと異なる箇所のみを説明する。

ブリッジ導体２３Ｂの幅Ｗｂｂは、所望とするインダクタンスに応じて、より細い。これにより、上述の従来技術や各実施形態の構造では実現できないインダクタンスを実現できる。したがって、より特性インピーダンスの設定し得る範囲を広くすることができる。

信号導体４０Ｂは、ブリッジ導体２３Ｂに対向する領域の幅Ｗｃが大きい。例えば、図７に示すように、ブリッジ導体２３Ｂに対向する領域の幅Ｗｃは、幅広部２５と同じ位置になる領域の幅Ｗｄよりも大きく、それ以外の領域の幅Ｗｄｗｂよりも小さい。このような構造であっても、ブリッジ導体２３Ｂの幅を狭くできることで、ブリッジ導体２３Ｂと信号導体４０Ｂとの間に生じるキャパシタンスを、所望値に設定することができる。さらに、信号導体４０Ｂの幅が広がることで、信号導体４０Ｂの高周波抵抗をさらに低減することができる。これにより、伝送線路部１０Ｂの導体損をさらに低減することができる。

次に、本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図８は、本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す分解斜視図である。図９は、本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の一部を示す平面図である。図９では、誘電体素体の図示は省略している。

本実施形態のフラットケーブルの伝送線路部１０Ｃは、幅広部２５Ｃ１，２５Ｃ２、および信号導体４０Ｃの構造が、第１の実施形態に係る伝送線路部１０と異なるものであり、他の構成は、第１の実施形態に係る伝送線路部１０と同じである。したがって、第１の実施形態に係る伝送線路部１０と異なる箇所のみを説明する。

幅広部２５Ｃ１は、長尺導体２１に形成されており、幅広部２５Ｃ２は、長尺導体２２に形成されている。幅広部２５Ｃ１と幅広部２５Ｃ２は、長尺導体２１，２２の長手方向に沿って、異なる位置に配置されている。この際、幅広部２５Ｃ１と幅広部２５Ｃ２の長尺導体２１，２２の長手方向に沿った位置は、全く重ならない。言い換えれば、幅広部２５Ｃ１の幅広部２５Ｃ２側の端辺と、幅広部２５Ｃ２の幅広部２５Ｃ１の端辺との間には、長尺導体２１，２２の長手方向に沿って間隔Ｇｄが空いている。

このような構成とすることで、幅広部２５Ｃ１を備える長尺導体２１と幅広部２５Ｃ２を備える長尺導体２２との間を、伝送線路部１０Ｃの長手方向のどの位置においても、所定間隔以上で離間させることができる。

信号導体４０Ｃは、伝送線路部１０Ｃの長手方向に沿って蛇行する形状で形成されている。より具体的には、伝送線路部１０Ｃを平面視して、長手方向における幅広部２５Ｃ１が形成されている領域では、信号導体４０Ｃは、幅広部２５Ｃ１と長尺導体２２との間を通るように形成されている。伝送線路部１０Ｃを平面視して、長手方向における幅広部２５Ｃ２が形成されている領域では、信号導体４０Ｃは、長尺導体２１と幅広部２５Ｃ２との間を通るように形成されている。そして、伝送線路部１０Ｃを平面視して、長手方向における幅広部２５Ｃ１，２５Ｃ２間の領域では、信号導体４０Ｃは、幅広部２５Ｃ１，２５Ｃ２から略同距離で幅広部２５Ｃ１，２５Ｃ２間を通るように形成されている。

信号導体４０Ｃの幅Ｗｄｃ、すなわち、信号導体４０Ｃの伸延する方向に直交する方向の長さは、一定である。

ここで、上述のように、幅広部２５Ｃ１と幅広部２５Ｃ２は、長手方向の位置が異なっているので、幅広部２５Ｃ１，２５Ｃ２が対向する第１の実施形態の構成よりも、幅広部２５Ｃ１を備える長尺導体２１と幅広部２５Ｃ２を備える長尺導体２２との間隔は、広くなる。

したがって、信号導体４０Ｃの幅Ｗｄｃを、第１の実施形態に示した信号導体４０の幅Ｗｄよりも、伸延方向のどの位置においても広くすることができる。これにより、信号導体４０Ｃの導体損を低減することができ、伝送線路部１０Ｃの伝送特性を、さらに向上させることができる。

なお、本実施形態の構成は、上述の第２、第３の実施形態に示した構成とを組み合わせることもできる。

また、上述の各実施形態では、隣り合うブリッジ導体の間の全てに幅広部を設ける例を示したが、隣り合うブリッジ導体間に幅広部を設けない領域を、長手方向に沿って部分的に設けてもよい。また、長尺導体２１，２２のいずれか一方にのみ形成する態様であってもよい。また、隣り合うブリッジ導体間に複数設けることも可能である。また、形成する位置毎に、幅広部の突出量や幅を異ならせてもよく、これに応じて、層間接続導体の径を異ならせてもよい。

また、上述の実施形態では、層間接続導体を絶縁性シートに形成した孔に導電性ペーストを充填し、金属化させたいわゆるビアホール導体として説明したが、これに限定するものではなく、孔の内周にめっき膜を付与してなるいわゆるスルーホール導体であってもよい。

１：携帯電子機器、
２：機器筐体、
３Ａ，３Ｂ：実装回路基板、
４：バッテリーパック、
５：ＩＣチップ、
６：実装部品、
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：伝送線路部、
２０：第１グランド導体、
２１，２２：長尺導体、
２３，２３Ａ，２３Ｂ：ブリッジ導体、
２４，２４Ａ，２４Ｂ：開口部、
２５，２５Ａ，２５Ｃ，２５Ｃ２：幅広部、
３０：第２グランド導体、
４０，４０Ａ，４０Ｂ：信号導体、
５０：層間接続導体、
６０：フラットケーブル、
６１：同軸コネクタ

Claims (9)

1. 長手方向に沿って伸延する形状で平板状の誘電体素体と、
   該誘電体素体に配置され、前記長手方向に沿って伸延する形状の信号導体と、
   前記誘電体素体の厚み方向の一方端の面に形成され、前記長手方向に沿って伸延する形状の第１グランド導体と、
   前記誘電体素体の厚み方向の他方端の面に形成され、前記長手方向に沿って伸延する形状の第２グランド導体と、
   前記誘電体素体の厚み方向に伸延する形状であり前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを接続する層間接続導体と、
   を備えるフラットケーブルであって、
   前記第１グランド導体は、
   前記幅方向の両端に互いに離間して配置された二つの長尺導体と、
   該二つの長尺導体を前記長手方向に沿って間隔を空けて接続する複数のブリッジ導体と、
   前記長尺導体における前記長手方向に沿ったブリッジ導体間の所定位置に形成され、前記二つの長尺導体が対向する方向に広がる幅広部と、
   を備え、
   前記層間接続導体は、前記幅広部に形成されている、フラットケーブル。
2. 前記幅広部は、前記長手方向に沿って前記長尺導体の幅から前記幅広部の幅へ徐々に幅が広くなる拡大部を備える、請求項１に記載のフラットケーブル。
3. 前記幅広部は、前記長手方向に沿った隣り合うブリッジ導体の略中点位置に形成されている、請求項１または請求項２に記載のフラットケーブル。
4. 第１の長尺導体に形成された前記幅広部の前記長手方向に沿った位置と、第２の長尺導体に形成された前記幅広部の長手方向に沿った位置とは、異なる、
   請求項１または請求項２に記載のフラットケーブル。
5. 前記層間接続導体の径は、前記長尺導体の幅よりも大きい、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフラットケーブル。
6. 前記ブリッジ導体の幅は、前記長尺導体の幅よりも狭い、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフラットケーブル。
7. 前記信号導体は、前記ブリッジ導体および前記長尺導体の幅広部と近接する箇所の導体幅がそれ以外の導体幅よりも小さい、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のフラットケーブル。
8. 前記長手方向の少なくとも一方端に、前記信号導体に接続するコネクタ部材を備える、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のフラットケーブル。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のフラットケーブルと、
   該フラットケーブルによって接続される複数の実装回路基板と、
   前記実装回路基板が内蔵される筐体と、を備えた電子機器。

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