JPWO2013175884A1 - C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 title abstract description 58
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 176
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 9
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 4
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
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- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
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- C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C38/007—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silver
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2302/00—Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
- B22F2302/40—Carbon, graphite
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2202/00—Physical properties
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
Description
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Coを主成分とするCo−Cr−Pt系の強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。
そしてFePt相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したFePt磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。
グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5を挙げることができる。
参考までに、Fe−Pt系材を用いた記録媒体用のスパッタリングターゲットに関する特許文献1〜7を下記に示す。
1)原子数比で(Fe100−X−PtX)100−Y−Z−AgY−CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有するFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲット。
2)CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相とAg相が互いに混在した組織を有する上記1)に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
3)CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相とCがAg中に分散したAg−C相が互いに混在した組織を有する上記1)に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
4)CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相、Ag相、CがAg中に分散したAg−C相が、それぞれ互いに混在した組織を有する上記1)に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。
5)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
6)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)、2)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
7)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
8)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)、3)、4)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
9)93%以上の相対密度を有するFe−Pt−C焼結体の粉砕粉を混合して焼結することを特徴とする上記5)〜8)のいずれか一項に記載のFe−P−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
また本発明では、Ptの含有量Xは、Fe−Pt組成中、好ましくは35以上55原子数比以下である。PtのFe−Pt組成中における含有量Xが、35原子数比未満であると、L10構造を持つFePt相が生じなくなり、55原子数比を超えても、同様に、L10構造を持つFePt相が生じなくなる。
式:計算密度=シグマΣ(構成元素の原子量×構成元素の原子数比)/Σ(構成元素の原子量×構成元素の原子数比/構成元素の文献値密度)
ここで、Σは、ターゲットの構成元素の全てについて、和をとることを意味する。
各元素の密度(文献値)は、以下の値を用いている。
Fe:7.86g/cc、Pt:21.45g/cc、Ag:10.49g/cc、C:2.26g/cc
すなわち、本願発明は、低融点のAgを含まないFe−Pt−Cで予め緻密な焼結体を作製し、この粉砕粉を用いることにより、密度向上を狙うものである。
そこでAgを除く、Fe粉とPt粉とC粉との混合粉を焼結が進行するAgの融点以上の温度で焼結させて、Fe−Pt−Cの高密度焼結体を予め作製しておく。次に、この焼結体を適当な粒径に粉砕・篩別したFe−Pt−C粉とAg粉を混合し、焼結体を作製する。そうするとFe−Pt−C粒の粒同士をつなぐようにAgが分布した組織を有する高密度焼結体を得ることができる。
この場合の混合量は、Ag中におけるC添加量の体積比率が20%以下程度となるようにするのが良い。このように、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することができる。
なお、B、Si、Cr、Ti、Ta、W、Al、Mg、Mn、Ca、Zr、Yから選択した1成分以上の酸化物を1〜20mol%含有させることができる。これらによって、密度が大きく影響を受けない(低下しない)範囲の添加とすることが必要である。
さらに原料粉として、合金粉(Fe−Pt粉)を用いてもよい。特にPtを含む合金粉はその組成にもよるが、原料粉末中の酸素量を少なくするために有効である。合金粉を用いる場合も、粒径が0.5μm以上10μm以下のものを用いることが望ましい。
このようにして得られたFe−Pt−C焼結体から表層部を旋盤などで除去した後、ジョークラッシャー、ロールクラッシャー、ブラウンミル、ハンマーミルなどの粉砕装置を用いて粉砕し、Fe−Pt−C粉を作製する。Fe−Pt−C粉の粒子径は20μm以上300μm以下にすることが望ましい。
この混合粉を、ホットプレスで成型・焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度は、Agの融点より低い温度とする。多くの場合、900〜950°Cの温度範囲である。
このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットは作製できる。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。初めにFe粉とPt粉とC粉を以下の原子数比となるように、合計重量で3000g秤量した。
原子数比:(Fe50−Pt50)52.94−C47.06
原子数比:(Fe50−Pt50)45−Ag15−C40
実施例1のスパッタリングターゲットの研磨面をEPMAで観察したときの二次電子画像および元素分布画像を参考までに図1に示す(二次電子画像は図中にSLと表記してある)。図1で、マトリックスとして細かく分散しているのは、Fe−Pt−C相である。そして、Fe−Pt−C相のマトリックス中に、比較的大きな粒子としてAg相が、千切れ雲のように分散しているのが観察できる。また、図1から、微細なCがターゲットの組織中に分散しているのが確認できる。
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のSi基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は27個であった。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。初めにFe粉とPt粉とC粉を以下の原子数比となるように、合計重量で3000g秤量した。
原子数比:(Fe50−Pt50)56.25−C43.75
原子数比:(Fe50−Pt50)45−Ag15−C40
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例1と同じ条件で、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は36個であった。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。そして用意した粉末を以下の原子数比となるように、合計重量で2400g秤量した。
原子数比:(Fe50−Pt50)45−Ag15−C40
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例1と同じ条件で、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は73個で、実施例1、2よりパーティクル個数は増加した。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。初めにFe粉とPt粉とC粉を以下の原子数比となるように、合計重量で3000g秤量した。
原子数比:(Fe65−Pt35)42.11−C57.89
原子数比:(Fe65−Pt35)40−Ag5−C55
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は38であった。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。そして用意した粉末を以下の原子数比となるように、合計重量で2100g秤量した。
原子数比:(Fe65−Pt35)40−Ag5−C55
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例3と同じ条件で、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は92個で、実施例3より増加した。
5)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
6)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)、2)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
7)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
8)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)、3)、4)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
9)93%以上の相対密度を有するFe−Pt−C焼結体の粉砕粉を混合して焼結することを特徴とする上記5)〜8)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
1)原子数比で(Fe100−X−PtX)100−Y−Z−AgY−CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有し、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲットであって、CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相とAg相が互いに混在した組織を有することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
2)原子数比で(Fe100−X−PtX)100−Y−Z−AgY−CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有し、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲットであって、CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相とCがAg中に分散したAg−C相が互いに混在した組織を有することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
3)原子数比で(Fe100−X−PtX)100−Y−Z−AgY−CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有し、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲットであって、CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相、Ag相、CがAg中に分散したAg−C相が、それぞれ互いに混在した組織を有することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。
4)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
5)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
6)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
7)Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
8)93%以上の相対密度を有するFe−Pt−C焼結体の粉砕粉を混合して焼結することを特徴とする上記4)〜7)のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
Claims (9)
- 原子数比で(Fe100−X−PtX)100−Y−Z−AgY−CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有するFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲット。
- CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相とAg相が互いに混在した組織を有する請求項1に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
- CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相とCがAg中に分散したAg−C相が互いに混在した組織を有する請求項1に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
- CがFe−Pt合金中に分散したFe−Pt−C相、Ag相、CがAg中に分散したAg−C相が、それぞれ互いに混在した組織を有する請求項1に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲット。
- Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする請求項1、2のいずれか一項に記載のFe−Pt−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe−P−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- Fe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe−Pt−C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする請求項1、3、4のいずれか一項に記載のFe−P−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- 93%以上の相対密度を有するFe−Pt−C焼結体の粉砕粉を混合して焼結することを特徴とする請求項5〜8のいずれか一項に記載のFe−P−Ag−C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013533038A JP5705993B2 (ja) | 2012-05-22 | 2013-04-10 | C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012116813 | 2012-05-22 | ||
JP2012116813 | 2012-05-22 | ||
JP2013533038A JP5705993B2 (ja) | 2012-05-22 | 2013-04-10 | C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
PCT/JP2013/060812 WO2013175884A1 (ja) | 2012-05-22 | 2013-04-10 | C粒子が分散したFe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5705993B2 JP5705993B2 (ja) | 2015-04-22 |
JPWO2013175884A1 true JPWO2013175884A1 (ja) | 2016-01-12 |
Family
ID=49623587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013533038A Active JP5705993B2 (ja) | 2012-05-22 | 2013-04-10 | C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140360871A1 (ja) |
JP (1) | JP5705993B2 (ja) |
CN (1) | CN104169458B (ja) |
MY (1) | MY167671A (ja) |
SG (1) | SG11201403264SA (ja) |
TW (1) | TW201402850A (ja) |
WO (1) | WO2013175884A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5226155B2 (ja) | 2010-08-31 | 2013-07-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe−Pt系強磁性材スパッタリングターゲット |
US9945026B2 (en) | 2010-12-20 | 2018-04-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Fe-Pt-based sputtering target with dispersed C grains |
US9683284B2 (en) | 2011-03-30 | 2017-06-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film |
SG11201404072YA (en) | 2012-07-20 | 2014-10-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same |
JP2014034730A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 焼結体およびスパッタリングターゲット |
WO2016047236A1 (ja) | 2014-09-22 | 2016-03-31 | Jx金属株式会社 | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2016052380A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Jx金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5999161B2 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-09-28 | 三菱マテリアル株式会社 | W−Tiスパッタリングターゲット |
JP6437427B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2018-12-12 | Jx金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
MY184036A (en) | 2016-02-19 | 2021-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6007623A (en) * | 1997-08-29 | 1999-12-28 | International Business Machines Corporation | Method for making horizontal magnetic recording media having grains of chemically-ordered FePt or CoPt |
US6692619B1 (en) * | 2001-08-14 | 2004-02-17 | Seagate Technology Llc | Sputtering target and method for making composite soft magnetic films |
JP4175829B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体 |
KR100470151B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-02-05 | 한국과학기술원 | FePtC 박막을 이용한 고밀도 자기기록매체 및 그제조방법 |
US7175925B2 (en) * | 2003-06-03 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording media with improved crystallographic orientations and method of manufacturing same |
MY146996A (en) * | 2009-03-03 | 2012-10-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and process for producing same |
CN101717922A (zh) * | 2009-12-23 | 2010-06-02 | 天津大学 | 掺氮细化薄膜中有序化面心四方结构铁铂颗粒尺寸的方法 |
JP5459494B2 (ja) * | 2010-03-28 | 2014-04-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US9011653B2 (en) * | 2010-11-29 | 2015-04-21 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Sputtering target |
JP5041262B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US9683284B2 (en) * | 2011-03-30 | 2017-06-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film |
JP5912559B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-04-27 | 田中貴金属工業株式会社 | FePt−C系スパッタリングターゲットの製造方法 |
WO2013046882A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe-Pt-C系スパッタリングターゲット |
-
2013
- 2013-04-10 JP JP2013533038A patent/JP5705993B2/ja active Active
- 2013-04-10 MY MYPI2014701637A patent/MY167671A/en unknown
- 2013-04-10 CN CN201380014650.5A patent/CN104169458B/zh active Active
- 2013-04-10 WO PCT/JP2013/060812 patent/WO2013175884A1/ja active Application Filing
- 2013-04-10 US US14/372,849 patent/US20140360871A1/en not_active Abandoned
- 2013-04-10 SG SG11201403264SA patent/SG11201403264SA/en unknown
- 2013-04-15 TW TW102113251A patent/TW201402850A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MY167671A (en) | 2018-09-21 |
TW201402850A (zh) | 2014-01-16 |
US20140360871A1 (en) | 2014-12-11 |
CN104169458B (zh) | 2017-02-22 |
CN104169458A (zh) | 2014-11-26 |
JP5705993B2 (ja) | 2015-04-22 |
SG11201403264SA (en) | 2014-09-26 |
WO2013175884A1 (ja) | 2013-11-28 |
TWI563108B (ja) | 2016-12-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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