JPWO2013153591A1 - Ledデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
2.該非晶質固体の主成分がZrOである,上記1の素子封止型LEDデバイス。
3.該非晶質固体がSiO2を構成要素として更に含むものである,上記1又は2の素子封止型LEDデバイス。
4.該封止材が,該LED素子表面に直接被着してこれを封止しているものである,上記1〜3の何れかの素子封止型LEDデバイス。
5.該封止材が,該LED素子を予め封止している他の封止材を更に封止することにより,該LED素子を間接的に封止しているものである,上記1〜4の何れかの素子封止型LEDデバイス。
6.該封止材が,該封止材中に分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,上記1〜5の何れかの素子封止型LEDデバイス。
7.該封止材が,該LED素子に近い側の層と遠い側の層との2層を含んでなり,該2層のうち少なくとも一方の層が,分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,上記1〜5の何れかの素子封止型LEDデバイス。
8.該無機蛍光体粒子が硫化物系蛍光体粒子及びシリケート系蛍光体粒子のうち少なくとも一方を含むものである,上記6又は7の素子封止型LEDデバイス。
9.該LED素子が,窒化ガリウム系LED素子である,上記1〜8の何れかの素子封止形LEDデバイス。
10.支持体にマウントされ電気的に接続されたLED素子を準備し,該素子に金属アルコキシドを含んでなる溶液を適用して該LED素子の隣接領域と共に該溶液で覆い,該溶液を熱処理して金属酸化物を含んでなる透明な非晶質固体とすることを特徴とする,金属酸化物を含んでなる透明な非晶質固体によってLED素子が封止された形態のLEDデバイスの製造方法であって,該非晶質固体が,Al2O3,MgO,ZrO,La2O3,CeO,Y2O3,Eu2O3及びScOよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物を主たる構成要素として含むものである,製造方法。
11.該金属アルコキシドが,M(OR1)n〔式中,Mは,Al,Mg,Zr,La,Ce,Y,Eu及びScよりなる群より選ばれる金属原子を表し,nは該Mの価数を,R1は炭素数1〜6のアルキル基を,それぞれ表す。〕で示されるものである,上記10の製造方法。
12.MがZrである,上記11の製造方法。
13.該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,有機溶媒を含むものである,上記10〜12の何れかの製造方法。
14.該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,Si(OR2)4〔式中,R2は,炭素数1〜5のアルキル基を表す。〕で示されるアルコキシシランを含むものである,上記10〜13の何れかの製造方法。
15.該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,平均粒径10nm未満のシリカ粒子を含有するものである,上記10〜14の何れかの製造方法。
16.該熱処理が,70〜200℃で0.25〜4時間行われるものである,上記10〜15の何れかの製造方法。
る,上記15の製造方法。
17.該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,該素子の表面に直接適用されるものである,上記10〜16の何れかの製造方法。
18.該LED素子が,予め他の封止材で封止されており,該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,該他の封止材に適用されるものである,上記10〜17の何れかの製造方法。
19.該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,上記10〜18の何れかの製造方法。
20.該金属アルコキシドを含んでなる溶液の適用及び熱処理が少なくとも2回行われるものであり,そのうち少なくとも1回において,該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,上記10〜19の何れかの製造方法。
21.該LED素子が窒化ガリウム系LED素子である,上記10〜20の何れかの製造方法。
以下の実験には,次の構成になるGaN系LED素子を使用した。
サイズ: 1mm角
層構造:基板/バッファー層/n型層/発光機能を有する層/p型層(p/nそれぞれにp型電極とn型電極がコンタクト)
〔基本性能〕
ピーク波長:450nm
発光出力(1W当たり):430mW(3.1V,320mA)
ツーワイヤー型の上記GaN系LED素子を,リードフレーム樹脂パッケージ基板にマウントし,回路に接続した後,当該LED素子を,下記の各実施例に記載の原料組成物をLED素子に適用して熱形成により透明な非晶質固体とすることにより封止した。以下の実施例1〜5は,平板状の封止部についての実施例であるが,同じ材料を用いて封止部をドーム状の形状とすることもでき,その場合は,例えば,プリフォーム加工によって形成したドーム状部をホットプレス加工(金型中で約100℃に昇温)することによってドーム状の封止材とすることができる。
ジルコニウム系アルコキシド金属錯体〔Zr(O−i−C3H7)4〕粉末8重量部をテトラエトキシシラン2重量部に溶解させ,これにシリケート系蛍光体〔Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu及び(Sr,Ba)3SiO5:Euを,それぞれ非晶質固体に対して0.3重量部及び0.7重量部を添加〕を分散させて,蛍光体分散の透明無機金属化合物封止材を形成するための原料組成物を調製した。リードフレーム樹脂パッケージ基板内にLED素子1をマウントして電気的に接続し,フレームのリフレクタ2内に原料組成物3を充填した(図1)。支持体ごと大気中,100℃にて2時間熱処理することにより封止を行った。なお,蛍光体の平均粒径は約15μmであり,封止材の膜厚は約500〜600μmとした。このようにして色彩変換層を形成することにより,LEDデバイスを作成した。このLEDデバイスにおいて,封止材におけるZrO:SiO2の重量比は4.5:1であり,モル比は2.6:1である。
ジルコニウム系アルコキシド金属錯体〔Zr(O−i−C3H7)4〕粉末8重量部及びステアリン酸粉末0.5重量部をテトラエトキシシラン1.5重量部に溶解させ,これに実施例1のシリケート系蛍光体を実施例1と同じ割合で分散させて,蛍光体分散の透明無機金属化合物封止材を形成するための原料組成物を調製した。この原料組成物を,実施例1と同様に,LED素子をマウントし接続したLEDフレーム内に充填し,大気中,100℃にて2時間熱処理することにより封止を行った。なお,蛍光体の平均粒径は約15μmであり,封止材の膜厚は約500〜600μmとした。このようにして色彩変換層を形成することにより,LEDデバイスを作成した。
ジルコニウム系アルコキシド金属錯体〔Zr(O−i−C3H7)4〕粉末8重量部及びジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル〔CH3(CH2)3OCH2CH2OCH2CH2OH〕(ジルコニウム系アルコキシド錯体に対して2重量部)をテトラエトキシシラン2重量部に溶解させ,これに実施例1のシリケート系蛍光体を実施例1と同じ割合で分散させて,蛍光体分散の透明無機金属化合物封止材を形成するための原料組成物を調製した。この原料組成物を,実施例1と同様に,LED素子をマウントし接続したLEDフレーム内に充填し,大気中,100℃にて2時間熱処理することにより封止を行った。なお,蛍光体の平均粒径は約15μmであり,封止材の膜厚は約500〜600μmとした。このようにして色彩変換層を形成して、LEDデバイスを作成した。
ジルコニウム系アルコキシド金属錯体〔Zr(O−i−C3H7)4〕粉末8重量部をテトラエトキシシラン2重量部に溶解させ,これに実施例1のシリケート系蛍光体を実施例1と同じ割合で分散させて,蛍光体分散の透明無機金属化合物封止材を形成するための原料組成物を調製した。この原料組成物を,実施例1と同様に,LED素子をマウントし接続したLEDフレーム内に充填し,大気中,100℃にて2時間熱処理することにより封止を行った。なお,蛍光体の平均粒径は約12μmであり,封止材の膜厚は約200〜300μmとした。このようにして形成した色彩変換層上にシリコーン樹脂からなるカバー層を形成して,LEDデバイスを作成した。
ジルコニウム系アルコキシド金属錯体〔Zr(O−i−C3H7)4〕粉末8重量部をナノシリカ系無機バインダー(平均粒径10nm未満のシリカ微粒子重量80%とジエチレングリコールモノブチルエーテル20重量%の混合物)2重量部に溶解させ,これに実施例1のシリケート系蛍光体を実施例1と同じ割合で分散させて,蛍光体分散の透明無機金属化合物封止材を形成するための原料組成物を調製した。この原料組成物を,実施例1と同様に,LED素子をマウントし接続したLEDフレーム内に充填し,100℃にて2時間熱処理することにより封止を行った。なお,蛍光体の粒径は約15μmであり,封止材の膜厚は約200〜300μmとした。このようにして形成した色彩変換層上にシリコーン樹脂からなるカバー層を形成して,LEDデバイスを作成した。
シリコーン樹脂(KER-2600:信越シリコーン製)の中に実施例1のシリケート系蛍光体を実施例1と同じ割合で分散させ,封止材を形成するための原料組成物を調製した。この原料組成物を,実施例1と同様に,LED素子をマウントし接続したLEDフレーム内に充填し,100℃にて1時間熱処理後、更に150℃にて3時間熱処理することにより硬化させ,実施例と同様にしてLEDデバイスを作成した。
実施例1〜4と比較例の各LEDデバイスを,85℃,相対湿度85%の雰囲気中に表1に示した各時間にわたって入れておいた後,同一駆動条件下(電流350mA)で発光させて光量を比較した。光量測定には,分光放射系SR−3A(Topcon)を用いた。各LEDデバイスの初期光量(0時間)を100とし,これに対する各経過時間後における光量の相対値を表1に示す。
〔実施例6〕
ジルコニウムアルコキシド部分重合体含有溶液の調製
テトラn−プロポキシジルコニウムに1.5倍モルの3−オキソブタン酸エチル(アセト酢酸エチル)を加えて混合し,発熱が収まってから,混合物に塩酸0.01倍モル,水1倍モル,エタノール4倍モルを加え,室温にて1時間撹拌して部分加水分解させた。混合物をロータリーエバポレーターにより60℃にて減圧濃縮して粘稠な液を得,これをジルコニウムアルコキシド含有溶液とした。
実施例6で得たジルコニウムアルコキシド含有溶液の1重量部に8重量部のプロパノール/ブタノール混液(1/1)を添加して希釈し,ジルコニウムアルコキシド含有溶液とした。
テトライソプロポキシジルコニウムに1倍モルの3−オキソブタン酸エチルを加えて混合し,発熱が収まってから,混合物を,塩酸0.01倍モル,水1倍モル,エタノール4倍モルの混合液に,室温にて1時間かけて滴下・撹拌することにより,部分加水分解を起こさせた。混合物をロータリーエバポレーターにより60℃にて減圧濃縮して,ジルコニウムアルコキシド含有溶液として粘稠な液を得た。これに同重量のイソプロパノールを加えて混合して,ジルコニウムアルコキシド含有溶液とした。
テトライソプロポキシジルコニウムに0.6倍モルの3−オキソブタン酸エチルを加えて混合し,発熱が収まってから,塩酸0.01倍モル,水1倍モル,エタノール4倍モルの混合液に,室温にて1時間かけて滴下・撹拌することにより,部分加水分解を起こさせた。混合物をロータリーエバポレーターにより60℃にて減圧濃縮して,ジルコニウムアルコキシド含有溶液として粘稠な液を得,これをジルコニウムアルコキシド含有溶液とした。
図2は,本発明の一実施例のLEDデバイスの概念的側面図であり,本実施例は,基板11上にLED素子12を封止する2つの封止材層13及び14を有する。封止材層13は,本発明によるZr等の金属酸化物を含んだ透明な非晶質固体からなる導光層であり,封止材層14は,同様の非晶質固体中に1種又は2種以上の蛍光体粒子を分散して含有する色彩変換層である。図2において,(a)は両層共に平板状に,(b)は,封止材層13が平板状に,封止材層14がドーム状に,それぞれ形成されている。但し,用途に応じ,封止材層13,14を共に蛍光体粒子を含まない導光層としてもよく,また封止材層13を色彩変換層,封止材層14を導光層としすることもできる。
図3は,本発明の別の一実施例のLEDデバイスの概念的側面図であり,本実施例は,基板11上にLED素子12を封止する単一の,平板状(a)及びドーム状(b)の封止材層14を,それぞれ有する。本実施例では,封止材層14は,色彩変換層である。但し,封止材層14を,蛍光体粒子を含まない導光層とすることもできる。
図4は,本発明の更に別の一実施例のLEDデバイスの概念的側面図である。本実施例では,実施例10の(a)及び(b)に示したLEDデバイスと同じ構造のLEDデバイス上に形成されたシリコーン層15を更に含んでいる。
2 リフレクタ
3 原料組成物
11 支持体
12 LED素子
13 封止材層(導光層)
14 封止材層(色彩変換層)
15 封止材層(シリコーン層)
Claims (21)
- 支持体にマウントされ電気的に接続されたLED素子と,該LED素子を封止している封止材とを含んでなる素子封止型LEDデバイスであって,該封止材が,金属酸化物を含んでなる透明な非晶質固体であり,該非晶質固体が,Al2O3,MgO,ZrO,La2O3,CeO,Y2O3,Eu2O3及びScOよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物を主たる構成要素として含むものである,素子封止型LEDデバイス。
- 該非晶質固体の主成分がZrOである,請求項1の素子封止型LEDデバイス。
- 該非晶質固体がSiO2を構成要素として更に含むものである,請求項1又は2の素子封止型LEDデバイス。
- 該封止材が,該LED素子表面に直接被着してこれを封止しているものである,請求項1〜3の何れかの素子封止型LEDデバイス。
- 該封止材が,該LED素子を予め封止している他の封止材を更に封止することにより,該LED素子を間接的に封止しているものである,請求項1〜4の何れかの素子封止型LEDデバイス。
- 該封止材が,該封止材中に分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,請求項1〜5の何れかの素子封止型LEDデバイス。
- 該封止材が,該LED素子に近い側の層と遠い側の層との2層を含んでなり,該2層のうち少なくとも一方の層が,分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,請求項1〜5の何れかの素子封止型LEDデバイス。
- 該無機蛍光体粒子が硫化物系蛍光体粒子及びシリケート系蛍光体粒子のうち少なくとも一方を含むものである,請求項6又は7の素子封止型LEDデバイス。
- 該LED素子が,窒化ガリウム系LED素子である,請求項1〜8の何れかの素子封止形LEDデバイス。
- 支持体にマウントされ電気的に接続されたLED素子を準備し,該素子に金属アルコキシドを含んでなる溶液を適用して該LED素子の隣接領域と共に該溶液で覆い,該溶液を熱処理して金属酸化物を含んでなる透明な非晶質固体とすることを特徴とする,金属酸化物を含んでなる透明な非晶質固体によってLED素子が封止された形態のLEDデバイスの製造方法であって,該非晶質固体が,Al2O3,MgO,ZrO,La2O3,CeO,Y2O3,Eu2O3及びScOよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物を主たる構成要素として含むものである,製造方法。
- 該金属アルコキシドが,M(OR1)n〔式中,Mは,Al,Mg,Zr,La,Ce,Y,Eu及びScよりなる群より選ばれる金属原子を表し,nは該Mの価数を,R1は炭素数1〜6のアルキル基を,それぞれ表す。〕で示されるものである,請求項10の製造方法。
- MがZrである,請求項11の製造方法。
- 該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,有機溶媒を含むものである,請求項10〜12の何れかの製造方法。
- 該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,Si(OR2)4〔式中,R2は,炭素数1〜5のアルキル基を表す。〕で示されるアルコキシシランを含むものである,請求項10〜13の何れかの製造方法。
- 該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,平均粒径10nm未満のシリカ粒子を含有するものである,請求項10〜14の何れかの製造方法。
- .該熱処理が,70〜200℃で0.25〜4時間行われるものである,請求項10〜15の何れかの製造方法。
る,請求項15の製造方法。 - 該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,該素子の表面に直接適用されるものである,請求項10〜16の何れかの製造方法。
- 該LED素子が,予め他の封止材で封止されており,該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,該他の封止材に適用されるものである,請求項10〜17の何れかの製造方法。
- 該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,請求項10〜18の何れかの製造方法。
- 該金属アルコキシドを含んでなる溶液の適用及び熱処理が少なくとも2回行われるものであり,そのうち少なくとも1回において,該金属アルコキシドを含んでなる溶液が,分散された無機蛍光体粒子を含有するものである,請求項10〜19の何れかの製造方法。
- 該LED素子が窒化ガリウム系LED素子である,請求項10〜20の何れかの製造方法。
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US6312500B1 (en) | 2000-03-30 | 2001-11-06 | Bhp Minerals International Inc. | Heap leaching of nickel containing ore |
JPWO2003034508A1 (ja) * | 2001-10-12 | 2005-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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JP2007116139A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス |
JP2007157798A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Kyocera Corp | 発光装置 |
KR20070069669A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | (주)석경에이.티 | 발광다이오드의 봉지제 |
US20070215998A1 (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-20 | Chi Lin Technology Co., Ltd. | LED package structure and method for manufacturing the same |
TWI338380B (en) * | 2006-10-11 | 2011-03-01 | Chuan Yu Hung | Light emitting diode incorporating high refractive index material |
JP2008270563A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置、光源装置及び発光装置の製造方法 |
JP2009123803A (ja) | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
WO2010038097A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
CN101565302B (zh) * | 2009-04-09 | 2012-12-26 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种led用陶瓷封装材料及其制作方法 |
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JP5679701B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2015-03-04 | 日東電工株式会社 | 光学用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光学部品、ならびにそれを用いて得られる光半導体装置 |
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