JPWO2013015073A1 - 配線基板および電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 表面金属層上にめっき層が十分に被着され、信頼性に優れた配線基板を提供すること。【解決手段】 絶縁基体11と、絶縁基体11から部分的に露出するように絶縁基体11内に設けられており、Cuを含む放熱部材12と、放熱部材12に接して放熱部材12を覆うように絶縁基体11の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している表面金属層13と、表面金属層上に設けられためっき層16とを有しており、放熱部材12に含まれているCuと表面部に含まれているCuとがつながっている配線基板である。【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体素子または発光素子等の電子部品を搭載するための配線基板および電子装置に関するものである。
従来、電子部品を搭載し電子機器に組み込まれる配線基板には、例えば酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)等のセラミックス製の絶縁基体が用いられている。配線基板には、放熱性の向上等を目的として、絶縁基体内に放熱部材が埋設されているものがある(例えば、特許文献1を参照。)。このような配線基板には、放熱部材および絶縁基体の表面に設けられた表面金属層を有したものがある。
放熱部材として上記したアルミナセラミックスと同時に焼成可能であり、熱膨張率の近い材料として、例えば銅タングステン(CuW)が用いられている。アルミナセラミックスと同時に焼成を行なうため表面金属層および配線導体にもCuWが用いられている。しかしながら、放熱部材および表面金属層の材料としてCuWを用いると、焼成の際に表面金属層のCuが放熱部材に移動して、表面金属層が焼結しないという問題があった。
表面金属層の材料には、放熱部材と同時に焼成できる高融点金属材料として、例えばWよりも焼結温度の低いモリブデン(Mo)を用いることが考えられる。
しかしながら、表面金属層の材料に高融点金属材料として、Moを用いた場合には、表面金属層の露出した表面にめっき層を被着させようとすると、表面金属層の表面にめっき層が被着されにくく、めっき層が表面金属層から剥がれる可能性があった。
本発明の一つの態様による配線基板は、絶縁基体と、絶縁基体から部分的に露出するように絶縁基体内に設けられており、Cuを含む放熱部材と、放熱部材に接して放熱部材を覆うように絶縁基体の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している表面金属層と、表面金属層上に設けられためっき層とを有している。放熱部に含まれているCuと表面部に含まれているCuとはつながっている。
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の配線基板と、配線基板に搭載された電子部品とを有している。
本発明の配線基板によれば、表面金属層の表面部に含まれているCuを起点として、めっき層が被着される。また、放熱部材に含まれているCuと表面部に含まれているCuとがつながっていることから、めっき層と接合しているCuが、めっき層とともに表面部から剥がれることを低減できる。したがって、めっき層が表面金属層から剥がれることを低減できる。
また、本発明の電子装置によれば、上記構成の配線基板1と、配線基板1に搭載された電子部品2とを有していることから、電子装置から外部回路基板への熱伝導量を増やして、電子装置の放熱性を向上できる。
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態における電子装置は、図1〜図5に示されているように、配線基板1と、配線基板1の上面に設けられた電子部品2とを含んでいる。電子装置は、例えば電子部品モジュールを構成する外部回路基板上に実装される。図1〜図5において、電子装置は仮想のxyz空間におけるxy平面に実装されている。図2(a)、図3(b)および図5において、上方向とは、仮想のz軸の正方向のことをいう。
本発明の第1の実施形態における電子装置は、図1〜図5に示されているように、配線基板1と、配線基板1の上面に設けられた電子部品2とを含んでいる。電子装置は、例えば電子部品モジュールを構成する外部回路基板上に実装される。図1〜図5において、電子装置は仮想のxyz空間におけるxy平面に実装されている。図2(a)、図3(b)および図5において、上方向とは、仮想のz軸の正方向のことをいう。
本実施形態における配線基板1は、図1〜図5に示された例のように、絶縁基体11と、絶縁基体11から部分的に露出するように絶縁基体11内に設けられている放熱部材12と、放熱部材12に接して放熱部材12を覆うように絶縁基体11の表面に設けられている表面金属層13と、絶縁基体11の表面および内部に設けられている配線導体15と、表面金属層13上に設けられためっき層16とを有している。
なお、図1〜図5に示された例の配線基板1は、絶縁基体11の上面の表面金属層13の周囲または絶縁基体11の下面に設けられており、放熱部材12に接していない第2表面金属層14をさらに有している。
絶縁基体11は、電子部品2の搭載領域を含む上面を有しており、平面視において矩形の板状の形状を有している。絶縁基体11は、電子部品2を支持するための支持体として機能し、上面中央部の搭載領域上に電子部品2が低融点ろう材または導電性樹脂等の接合剤を介して接着され固定される。
絶縁基体11は、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス),窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体等のセラミックスから成るものである。
絶縁基体11は、例えば酸化アルミニウム質焼結体である場合であれば、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび有機溶剤等を添加混合して泥漿状となし、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温(約1300℃〜1400℃)で焼成することによって製作される。
放熱部材12は、配線基板1に実装された電子部品2で生じる熱を配線基板1の外部に伝えて、配線基板1の放熱性を高めるためのものであり、絶縁基体11の上面および下面において絶縁基体11から部分的に露出するように絶縁基体11に埋設されている。
また、放熱部材12は、例えば平面視において角部が円弧状の矩形状や円形状の柱状の形状を有している。なお、放熱部材12は、平面視において電子部品2よりも大きい形状を有している。
放熱部材12は主成分としてCuとCuよりも融点の高い高融点金属材料とを含んでおり、例えばCuWを含んでいる。本明細書中において、主成分とは含有成分の中で最も多い成分のことである。主成分は好ましくは含有成分の全体に対して50質量%以上含まれていることが好ましい。放熱部材12を構成する成分中においては、CuWの含有量が最も多い。また、放熱部材12を構成する成分中においては、50質量%以上含まれていればよい。
このような放熱部材12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに金型やパンチングによる打ち抜き加工またはレーザ加工によって穴を設けて、この穴に放熱部材12となる金属シートまたは金属ペーストを設けることによって作製される。
放熱部材12は、図1〜図5に示された例のように、絶縁基体11の上面から露出されていると、放熱部材12が露出していない場合と比べて、電子部品2の放熱性を高めるのに有効である。放熱部材12は、図1〜図3に示された例のように絶縁基体11の上下面から露出していてもよいし、図4および図5に示された例のように絶縁基体11の上面のみから露出していても良い。
このような放熱部材12は金属シートを用いて製作される場合には、金属シートは、平面視で絶縁基体11用のセラミックグリーンシートの穴と同じ形状で、セラミックグリーンシートの穴の深さと同じ厚みに形成されて、セラミックグリーンシートの穴を充填するように埋設されていればよい。なお、金属シートは、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工で穴を設けると同時に埋設されると成形体を効率よく作製できる。
例えば、貫通孔の形成された絶縁基体11用のセラミックグリーンシートの上面に金属シートを載置し、セラミックグリーンシートに貫通孔を形成する打ち抜き金型を用いて、金属シート側から金属シートとセラミックグリーンシートとに貫通孔を打抜くと、セラミックグリーンシートの貫通孔内に、この貫通孔と同サイズに打ち抜かれた金属シートを嵌め込むことができる。
このような金属シートは、金属粉末に有機バインダおよび有機溶剤を必要に応じて所定量の可塑剤や分散剤を加えてスラリーを得て、これをPET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹脂や紙製の支持体上にドクターブレード法,リップコーター法またはダイコーター法等の成形方法によって塗布してシート状に成形し、温風乾燥,真空乾燥または遠赤外線乾燥等の乾燥方法によって乾燥することによって作製する。
金属粉末としては、タングステン(W)および銅(Cu)の粉末が用いられる。なお、金属粉末は混合,合金のいずれの形態であってもかまわない。Cu粉末とW粉末とを混合した金属シートを用いると、放熱性に優れた銅タングステン(CuW)からなる放熱部材12を作製できる。
金属シートに用いられる有機バインダ、スラリーに含まれる有機溶剤としては、上記のセラミックグリーンシートに用いられた材料と同じ材料を用いることができる。
有機バインダの添加量は、焼成時に分解されて除去されやすく、かつ金属粉末が分散され、グリーンシートのハンドリング性や加工性が良好な量であればよく、金属粉末に対して10乃至20質量%程度が望ましい。
有機溶剤の量は、金属粉末に対して30乃至100質量%の量で加えることによって、スラリーを良好に支持体上に塗布することができるような粘度、具体的には3cps乃至100cps程度となるようにすることが望ましい。
放熱部材12用の金属ペーストは、主成分であるWおよびCuの金属粉末に有機バインダーおよび有機溶剤、また必要に応じて分散剤等を加えてボールミル,三本ロールミルまたはプラネタリーミキサー等の混練手段によって混合および混練することで作製する。
このような放熱部材12用の金属ペーストに用いられる有機バインダの添加量は、焼成時に分解・除去されやすく、かつ金属粉末を分散できる量であればよく、金属粉末に対して5乃至20質量%程度の量であることが望ましい。有機溶剤は金属粉末に対して4乃至15質量%の量で加えられ、15000乃至40000cps程度となるように調整される。
なお、金属ペーストには、焼成時のセラミックグリーンシート1の焼成収縮挙動や収縮率と合わせるため、または焼成後の放熱部材12の接合強度を確保するために、ガラスやセラミックスの粉末を添加してもよい。
また、放熱部材12用の金属材料として金属ペーストを用いる場合には、金属ペーストはセラミックグリーンシート1の穴に保持されるような粘度に調整されていればよいが、セラミックグリーンシート1の穴を底のあるものとしておくことが好ましい。
また、放熱部材12は、図4に示された例のように、平面視で配線基板1の上面側と下面側との大きさが異なっており、上面側と下面側との間に段差を設けていてもよい。絶縁基体11の上面側で配線導体15を設けるための領域を確保するのに有効である。
このような形状の放熱部材12を作製するには、セラミックグリーンシートを複数積層した積層体を形成し、上側のセラミックグリーンシートに第1貫通孔を形成し、下側のセラミックグリーンシートに第1貫通孔よりも径の大きい第2貫通孔を形成し、これらの貫通孔のそれぞれに合わせた大きさの放熱部材12となる金属シートまたは金属ペーストを埋設し、上側と下側のセラミックグリーンシートを積層して加圧することによって形成できる。
表面金属層13は、主成分としてモリブデン(Mo)を含んでおり、Cuを含む表面部を有している。表面部は、平面視においてMoを主成分とする表面にCuが点在するように露出した構造を有している。
表面金属層13に含まれているCuの一部は、図2(b)に示された例のように放熱部材に含まれているCuと接合している。また、Moを主成分とする表面に点在するように露出したCuの一部は、放熱部材12に含まれているCuと接合している。すなわち、放熱部材12に含まれているCuと表面金属層13の表面部に含まれているCuとがつながっている。
表面金属層13は、Moの金属粉末メタライズまたは、MoおよびCuの金属粉末メタライズからなり、第2表面金属層14はWおよびCuの金属粉末メタライズからなる。金属粉末は混合,合金のいずれの形態であってもかまわない。
このような表面金属層13は以下のようにして作製する。Moの金属粉末または、MoおよびCuの金属粉末を用いた表面金属層13用のメタライズパターンは、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに埋設された放熱部材12用の金属シートまたは金属ペーストを覆うように金属ペーストを所定形状にスクリーン印刷法等によって印刷することによって形成できる。同様に第2表面金属層14用のメタライズパターンを絶縁基体11用のセラミックグリーンシートの所定の位置に、所定形状にスクリーン印刷法等によって印刷する。なお、第2表面金属層14用のメタライズパターンは、表面金属層13が設けられる領域の周囲の上面または下面に設けられる。その後、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成される。なお、表面金属層13および第2表面金属層14用のメタライズパターンは上記した放熱部材12用の金属ペーストと同様の方法で作製できる。
表面金属層13となるメタライズパターンは、放熱部材12用の金属材料(金属シートまたは金属ペースト)に接している。表面金属層13用の金属ペーストは、Moの金属粉末または、MoおよびCuの金属粉末を主成分として含んでおり、例えば有機バインダまたは有機溶剤を放熱部材12用の金属ペーストよりも多い割合で含んでいる。このような表面金属層13用の金属ペーストを用いることによって、表面金属層13と放熱部材12とを焼成する際に、表面金属層13となるメタライズパターンは放熱部材12となるメタライズパターンよりも空隙率の高い状態となる。このことから、例えば酸化アルミニウム質焼結体の絶縁基体11用のセラミックグリーンシートを焼成するときに、Cuの融点よりも高い温度(約1300℃〜1400℃)で焼成することで、CuおよびWを含む放熱部材12となる金属シートまたは金属ペーストに含まれるCuが溶けて、表面金属層13のMoの金属粒子間を通過し、表面金属層13の表面まで拡散する。このことによって、表面金属層13の表面はMoからなりCuを含んだものとできる。すなわち表面金属層13は、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面を有するメタライズ層となる。
また、図1〜図3に示された例のように放熱部材12が絶縁基体11を貫通している場合には、表面金属層13は、放熱部材12が絶縁基体11の上面に露出した部分と放熱部材12が絶縁基体11の下面に露出した部分とをそれぞれ覆うように配置されている。このような場合には、電子部品2の熱を配線基板1の上面側から下面側に放熱することができる。
また、図4および図5に示された例のように放熱部材12が絶縁基体11の上面のみに露出している場合には、表面金属層13は、放熱部材12が絶縁基体11の上面に露出した部分を覆うように配置されている。このような場合には、配線基板1の下面において、第2表面金属層14を広い領域に設けられるので、外部回路基板との接合強度を向上できる。なお、図4に示された例のように、第2表面金属層14を平面視において放熱部材12と重なるように設けておくと、配線基板1の放熱性を向上できる。
なお、表面金属層13および第2表面金属層14用の金属ペーストには、放熱部材12用の金属ペーストと同様にセラミックスの粉末が添加されていてもよい。例えば、絶縁基体11が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、表面金属層13および第2表面金属層14に酸化アルミニウム質焼結体を含有させることが好ましい。
また、このような表面金属層13および第2表面金属層14の露出する表面には、図3に示された例のようにニッケル,金等のめっき層16が無電解めっき法によって被着される。めっき層16は、表面金属層13の露出する表面に被着された第1めっき層161と第2表面金属層14の露出する表面に被着された第2めっき層162とを含んでいる。めっき層16は、表面金属層13または第2表面金属層14の表面に露出しているCuを起点として被着できる。
すなわち、Moを主成分とする表面金属層13の表面においては、表面部に点在するCuを起点として、CuWを主成分とする第2表面金属層14の表面においては、第2表面金属層のCuを起点として、表面金属層13および第2表面金属層14ともに、めっき層16が十分な厚さに被着される。
このようにして表面金属層13および第2表面金属層14の露出する表面に、ニッケル,金等の耐蝕性に優れるめっき層16が被着されていると、表面金属層13および第2表面金属層14が腐食することを低減できる。また、表面金属層13に電子部品2を強固に接合でき、第2表面金属層14にボンディングワイヤまたは外部回路基板を強固に接合できる。表面金属層13および第2表面金属層14の露出する表面には、例えば、厚さ1〜10μm程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜3μm程度の金めっき層とが順次被着される。
配線導体15は、絶縁基体11の内部に設けられており、配線基板1に搭載された電子部品2と外部回路基板とを電気的に接続するためのものである。
配線導体15は、例えば上記した放熱部材12と同様の金属材料からなる。配線導体15は、絶縁基体11の絶縁層間に配置される配線導体と、絶縁層を貫通して上下に位置する配線導体同士または、第2表面金属層14と配線導体とを電気的に接続する貫通導体とを含んでいる。
絶縁層間に配置される配線導体は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに配線導体15用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布し、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。また、貫通導体は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに金型やパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によって貫通導体用の貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成する。
配線導体15用のメタライズペーストは、上記した放熱部材12用の金属ペーストと同様の方法で作製すればよい。貫通導体用のメタライズペーストは、有機バインダーや有機溶剤の種類や添加量を変えることによって、充填に適するように絶縁層間に配置される配線導体用のメタライズペーストよりも高い粘度に調整される。
配線基板1の上面には、平面視で放熱部材12と重なるように電子部品2が接合されて搭載されている。電子部品2は、例えば発光素子であり、金(Au)−シリコン(Si)合金から成るろう材や銀(Ag)を含むエポキシ樹脂等の導電性接合材によって配線基板1の上面の表面金属層13上に接合される。また、電子部品2の電極と第2表面金属層14とが、例えばAuを主成分とするボンディングワイヤ等の接続部材3を介して電気的に接続される。
電子部品2として発光素子を実装する場合には、図4および図5に示された例のように絶縁基体11はキャビティ4を有し、キャビティ4の内壁面に発光素子が発する光を反射させるための反射層5を設けておいても良い。反射層5は、例えば、キャビティ4の内壁面にメタライズ層とめっき層16とを順に被着したり、樹脂膜や金属膜を被着したりして形成される。なお、反射層5の露出する表面にはニッケル,金または銀等の金属が被着される。
本実施形態の配線基板1は、絶縁基体11と、絶縁基体11から部分的に露出するように絶縁基体11内に設けられており、Cuを含む放熱部材12と、放熱部材12に接して放熱部材12を覆うように絶縁基体11の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している表面金属層13と、表面金属層13上に設けられためっき層16とを有しており、放熱部材12に含まれているCuと表面金属層13の表面部に含まれているCuとがつながっている。このような構造であることから、表面金属層13の表面部に含まれているCuを起点として、表面金属層13上にめっき層16が被着される。また、放熱部材12に含まれているCuと表面部に含まれているCuとがつながっていることから、めっき層16と接合しているCuがめっき層16とともに表面部から剥がれることを低減できる。したがって、めっき層16が表面金属層13から剥がれることを低減できる。また、表面金属層13の表面部に含まれているCuが放熱部材12のCuにつながっているので、電子部品2で発生する熱の放熱部材12への熱伝導量を向上できる。
また、本実施形態の電子装置は、上記構成の配線基板1と、配線基板1に搭載された電子部品2とを有していることから、電子装置から外部回路基板への熱伝導量を増やして、電子装置の放熱性を向上できる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による電子装置について、図6を参照しつつ説明する。
次に、本発明の第2の実施形態による電子装置について、図6を参照しつつ説明する。
本発明の第2の実施形態における電子装置において、上記した第1の実施形態の電子装置と異なる点は、表面金属層13の表面において、平面視で表面金属層13の放熱部材12と重なっている第1領域13aのCuの含有率が、第1領域13aの周囲の第2領域13bのCuの含有率よりも大きい点である。
表面金属層13の表面において、第1領域13aのCuの含有率が、第2領域13bのCuの含有率よりも大きいことから、第1領域13aの表面よりも第2領域13bの表面のめっき層16の厚みが薄くなるので、表面金属層13に電子部品2をろう材によって接合する際に、第2領域13bにおけるろう材の厚みが薄くなる。表面金属層13の剥がれの起点となりやすい外周を含む第2領域13bにおいて、ろう材から表面金属層13に加わる応力を低減できるので、表面金属層13が絶縁基体11から剥がれることを低減できる。
第1領域13aの表面および第2領域13bの表面におけるCuの含有率の測定方法としては、例えばオージェ電子分光法によって、表面金属層13の表面のCuの分布状態を測定する方法が挙げられる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による電子装置について説明する。
次に、本発明の第3の実施形態による電子装置について説明する。
本発明の第3の実施形態における電子装置において、上記した第1の実施形態の電子装置と異なる点は、表面金属層13の内部において、平面透視で表面金属層13の放熱部材12と重なっている第1領域13aのCuの含有率が、第1領域13aの周囲の第2領域13bのCuの含有率よりも大きい点である。
表面金属層13の内部において、第1領域13aのCuの含有率が、第2領域13bのCuの含有率よりも大きいことから、第1領域13aの熱伝導率が第2領域13bの熱伝導率よりも高くなるので、電子部品2で生じる熱によって、周囲よりも温度が高くなりやすい第1領域13aにおける放熱性を向上できる。したがって、第1領域13aと第2領域13bとの温度差を低減できるので、第1領域13aと第2領域13bとの温度が異なることによって表面金属層13に生じる熱応力を低減できる。また、中央部における放熱性を高くすることによって、表面金属層の外周部に伝わる熱量を低減できる。
第1領域13aおよび第2領域13bにおけるCuの含有率の測定方法としては、例えば表面金属層13aを研磨して内部を測定できるようにした後、オージェ電子分光法によって測定することを繰り返す方法や、二次イオン質量分析法によって、表面金属層13の内部のCuの分布状態を測定する方法が挙げられる。
なお、本発明は上記の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、絶縁基体11の側面に溝が設けられており、第2表面金属層14が溝に設けられたキャスタレーション導体であってもよい。
また、外部回路基板に接合される第2表面金属層14が絶縁基体11の上面側に設けられていてもよい。
また、配線基板1の下面に例えばCuWやアルミニウム(Al)等からなる、放熱性に優れた金属体を接合させておいてもよい。このような場合には、金属体は放熱部材12と同様の材料を用いることができる。金属体の材料は、放熱部材12との熱膨張量を近づけるためにCuWを用いることが好ましい。
また、図7および図8に示された例のように、配線基板1に複数の電子部品2が搭載された構造であっても構わない。なお、図8はめっき層16を省略して示す。このような場合、1つの表面金属層13上に複数の電子部品2が搭載されていても良いし、絶縁基体11上に複数の表面金属層13を設けて各表面金属層13に1つの電子部品2が搭載されていても良い。複数の表面金属層13が設けられている場合には、複数の表面金属層13のそれぞれが、放熱部材12に接して配置されていると、電子部品2の放熱性を向上できる。
1・・・・配線基板
11・・・・絶縁基体
12・・・・放熱部材
13・・・・表面金属層
13a・・・第1領域
13b・・・第2領域
14・・・・第2表面金属層
15・・・・配線導体
16・・・・めっき層
161・・・・第1めっき層
162・・・・第2めっき層
2・・・・電子部品
3・・・・接続部材
4・・・・キャビティ
5・・・・反射層
Cu・・・銅
11・・・・絶縁基体
12・・・・放熱部材
13・・・・表面金属層
13a・・・第1領域
13b・・・第2領域
14・・・・第2表面金属層
15・・・・配線導体
16・・・・めっき層
161・・・・第1めっき層
162・・・・第2めっき層
2・・・・電子部品
3・・・・接続部材
4・・・・キャビティ
5・・・・反射層
Cu・・・銅
Claims (4)
- 絶縁基体と、
該絶縁基体から部分的に露出するように前記絶縁基体内に設けられており、Cuを含む放熱部材と、
該放熱部材に接して前記放熱部材を覆うように前記絶縁基体の表面に設けられており、主成分としてMoを含んでおり、Cuを含む表面部を有している表面金属層と、
該表面金属層上に設けられためっき層とを備えており、
前記放熱部材に含まれているCuと前記表面部に含まれているCuとがつながっていることを特徴とする配線基板。 - 前記表面金属層の表面において、平面視で前記表面金属層の前記放熱部材と重なっている第1領域のCuの含有率が、前記第1領域の周囲の第2領域のCuの含有率よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記表面金属層の内部において、平面透視で前記表面金属層の前記放熱部材と重なっている第1領域のCuの含有率が、前記第1領域の周囲の第2領域のCuの含有率よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 請求項1に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。
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