JPWO2012173067A1 - 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に、本発明に至るまでの検討内容について説明する。具体的には、図1に示すように、基板10上に第1の膜となるMnOx膜11及び第2の膜となるRu膜12を積層形成したものについて、MnOx膜11における水素ラジカル処理の有無の違いによるRu膜12の成膜レート及びシート抵抗について説明する。
次に、図4に示すように、基板10に成膜されたMnOx膜11上にCu膜13を形成したもの(サンプル2A、2B、3A、3B)及び、図5に示すように基板10に成膜されたMnOx膜11上にRu膜12を成膜し、更にCu膜13を成膜したもの(サンプル4A、4B)におけるSIMS(Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer)による組成分析を行なった結果について説明する。
本実施の形態における半導体装置の製造装置について説明する。尚、ウエハWとは、基板または膜が成膜された基板を意味するものである。図12は、本実施の形態における半導体装置の製造装置である処理システムを示すものである。この処理システムは、4つの処理装置111、112、113、114と、略六角形状の共通搬送室121と、ロードロック機能を有する第1ロードロック室122及び第2ロードロック室123と、細長い導入側搬送室124を有している。4つの処理装置111〜114と略六角形状の共通搬送室121との間には各々ゲートバルブGが設けられており、搬送室121と第1ロードロック室122及び第2ロードロック室123との間には各々ゲートバルブGが設けられており、第1ロードロック室122及び第2ロードロック室123と導入側搬送室124との間には各々ゲートバルブGが設けられている。各々のゲートバルブGは開閉可能であり、ゲートバルブGが開くことにより装置間等においてウエハWを移動させることができる。導入側搬送室124には、例えば、3つの導入ポート125が開閉ドア126を介し接続されており、導入ポート125には複数のウエハWが収納されたカセット容器127が納められている。また、導入側搬送室124には、オリエンタ128が設けられており、ウエハWの位置決め等がなされる。
次に、図14に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体装置の製造方法は、多層配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、層間の配線を行なうためのものである。よって、形成されている半導体素子及び半導体素子の形成方法については省略されている。
Ion Etching)等によるエッチングの工程を繰り返すことにより形成することができる。
Layer Deposition)法により行ってもよい。また、本実施の形態においては、第1の膜としてMnOx膜215を用いた場合について説明するが、第1の膜を形成する材料としては、金属酸化物が挙げられ、より好ましくは、Mg、Al、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Rh、Pd、Sn、Ba、Hf、Ta及びIrのうちから選ばれる1または2以上の元素の酸化物を含むものが挙げられる。
次に、実際にRu膜を作製したものについて、TEM(Transmission Electron Microscope)像の観察及びSEM(Scanning Electron Microscope)像の観察を行なった結果について説明する。具体的には、Ru膜が形成されている3種類のサンプル、即ち、サンプル17A、17B、17Cを作製し、TEM像の観察及びSEM像の観察を行なった。サンプル17Aは、図14に示される本実施の形態における製造方法の一部と同様の方法、即ち、絶縁膜成膜、MnO膜成膜、水素ラジカル処理、Ru膜成膜を順に行なうことにより作製したものである。サンプル17Bは、水素ラジカル処理に代えて水素アニール処理を行なうことにより作製したもの、即ち、絶縁膜成膜、MnO膜成膜、水素アニール処理、Ru膜成膜を順に行なうことにより作製したものである。サンプル17Cは、水素ラジカル処理及び水素アニール処理を行なうことなく作製したもの、即ち、絶縁膜成膜、MnO膜成膜、Ru膜成膜を順に行なうことにより作製したものである。尚、サンプル17Aにおける水素ラジカル処理とサンプル17Bにおける水素アニール処理とは、略同じ温度により行なっている。
10a シリコン基板
10b TEOS膜
11 MnOx膜(第1の膜)
12 Ru膜(第2の膜)
13 Cu膜
111 第1の処理装置
112 第2の処理装置
113 第3の処理装置
114 第4の処理装置
120 リモートプラズマ発生部
121 共通搬送室
122 第1ロードロック室
123 第2ロードロック室
124 導入側搬送室
125 導入ポート
126 開閉ドア
127 カセット容器
128 オリエンタ
131 搬送機構
132 導入側搬送機構
133 案内レール
210 基板
211 絶縁層
212 配線層
213 絶縁膜
214 開口部
214a 溝
214b ホール
215 MnOx膜
216 Ru膜
217 Cu膜
Claims (19)
- 基板表面に絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜に形成された開口部の内部に金属酸化物からなる第1の膜を成膜する第1の成膜工程と、
前記第1の膜に原子状水素を照射する水素ラジカル処理工程と、
前記水素ラジカル処理工程の後、前記開口部の内部に金属からなる第2の膜を成膜する第2の成膜工程と、
前記第2の膜を成膜した後、前記開口部の内部に金属からなる電極を形成する電極形成工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記水素ラジカル処理工程は、前記第2の膜におけるインキュベーション時間の短縮、膜厚均一性、シート抵抗、密着性のいずれかを向上させるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水素ラジカル処理は、前記基板を加熱した状態で行なわれることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水素ラジカル処理は前記第1の膜中のC成分を減らすことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原子状水素はリモートプラズマにより発生されたものであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の膜は、Mg、Al、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Rh、Pd、Sn、Ba、Hf、Ta及びIrのうちから選ばれる1または2以上の元素の酸化物を含むものにより形成されているものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の膜は、Mnの酸化物を含むものであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の膜は、CVD法、ALD法または超臨界CO2法により成膜されたものであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の膜は、熱CVD法または熱ALD法またはプラズマCVD法またはプラズマALD法または超臨界CO2法により成膜されたものであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の膜は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir及びPtのうちから選ばれる1または2以上の元素を含むものにより形成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の膜は、CVD法、ALD法または超臨界CO2法により成膜されたものであることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の膜は、熱CVD法または熱ALD法またはプラズマCVD法またはプラズマALD法または超臨界CO2法により成膜されたものであることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極は、銅または銅を含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極は、熱CVD法、熱ALD法、プラズマCVD法、プラズマALD法、PVD法、電解メッキ法、無電解メッキ法、超臨界CO2法から選ばれる1または2以上の方法により成膜されたものであることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によって形成された膜構造を有することを特徴とする半導体装置。
- 基板表面に絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜に形成された開口部の内部に金属酸化物からなる第1の膜を成膜し、前記第1の膜に原子状水素を照射し、前記原子状水素を照射した後、前記開口部の内部に金属からなる第2の膜を成膜し、前記第2の膜上に金属からなる電極を形成する半導体装置の製造装置において、
第1の膜に原子状水素を照射することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記原子状水素を発生させるためリモートプラズマ発生部を有することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記基板を加熱するための加熱手段を有することを特徴とする請求項16または17に記載の半導体装置の製造装置。
- 請求項1から14のいずれかに記載の製造方法を実施するように制御するシステム制御部(コンピュータ)に読み取り可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
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