JPWO2011074214A1 - 防湿フィルム及びその製造方法、並びにそれを備えた有機電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態の有機EL表示装置Dを示す。この有機EL表示装置Dは、例えば、携帯電話やカーナビ、カラーテレビ等のディスプレイとして用いられる。
次に、防湿フィルム10の製造方法について説明する。
[試験評価]
フィルム又は防湿フィルムとして、以下の実施例及び比較例1〜3を準備した。
本実施形態の防湿フィルム10の製造方法に従って、透明ポリイミドフィルム21(三菱瓦斯化学社製、商品名:ネオプリム、耐熱温度150℃以上)上に、第2層22b、第1層21a、及び第2層22bを順に積層した防湿膜22を設け、実施例にかかる防湿フィルムとした(図2)。なお、実施例の第1膜22aは、炭素含有率が0.1〜5mol%の範囲で分布したSiONCで構成されており、密度が2.4〜2.6g/cm3の範囲に分布しており、厚さが1μmであった。また、第2膜22bのそれぞれは、炭素を含まないSiONで構成されており、密度が3.1g/cm3及び厚さが50nmであった。
厚さが0.1mmのポリエチレンナフタレートのフィルム31上に、RFスパッタ法を用いて厚さが50nm及び密度が3.1g/cm3のSiON膜32を成膜し、比較例1とした(図3)。
比較例1と同一のポリエチレンナフタレートのフィルム41上に、RFスパッタ法を用いて厚さが50nm及び密度が3.1g/cm3のSiON膜41bを成膜し、次いでヘキサメチレンジシラザン(HMDS)をプラズマCVD法を用いて厚さが1μm及び密度が2.6g/cm3のSiONC膜41aを成膜し、さらに、RFスパッタ法を用いて厚さが50nm及び密度が3.1g/cm3のSiON膜41bを成膜したものを比較例2とした。なお、プラズマCVD法においては、一定の強度でプラズマ出力を行った。(図4)
−比較例3−
比較例1と同一のポリエチレンナフタレートのフィルム51そのものを比較例3とした(図5)。
比較例1〜3について、JIS−K 7129に準じた水蒸気透過度試験を行って、可視光透過度、酸素透過度、及び湿度透過度の測定を行った。なお、40℃及び相対湿度90%の雰囲気下で測定を行った。
水蒸気透過度試験の結果を表1に示す。
水蒸気透過性の評価試験としては、例えばJIS−K 7129に準じた水蒸気透過度試験(MOCON法)等が知られているが、微小な水蒸気量の評価試験としては、以下説明するカルシウムテストが有効である。カルシウムテストは、カルシウム薄膜の反射率を測定することにより、反射率の変化とカルシウムの酸化量との関係から、カルシウム薄膜周辺に存在する水蒸気の量を算出する方法である。実施例及び比較例2の防湿フィルムについてカルシウムテストを行い、それぞれの透過湿度(WVTR:Water Vapor Transition Rate)を算出した。
カルシウムテストに用いるサンプルを図6に示す。
カルシウムテストの各サンプルを大気中に保管し、カルシウム薄膜の反射率を時間経過毎に測定した。なお、光学顕微鏡でサンプルの箇所を特定し、その反射像を利用して、スペクトル分光器(大塚電子(株)製、MCPD−2000)を用いて可視域(λ=450〜700nm)における反射率を測定して平均値を計算し、カルシウム薄膜の反射率とした。
各透過湿度の結果を表2に示す。
実施例及び比較例2の防湿フィルムを備えた有機EL素子の発光輝度についての試験評価を行った。
実施例及び比較例2の防湿フィルムを用いて、有機EL素子を作製した。有機EL素子の構成は、次の通りである。
実施例及び比較例2の防湿フィルムを備えた有機EL素子について、室温(25℃)及び相対湿度50%において、各大きさの電圧を印加したときの発光輝度を測定した。また、有機EL素子の発光開始から所定時間経過後についても測定を行った。
上記測定の結果を図7及び8に示す。また、所定の電圧(実施例については20V,比較例2については15V)を印加したときの時間経過に対する輝度の変化の割合を図9に示す。
10 防湿フィルム(支持基材)
11 フィルム本体
12 防湿膜
12a 第1層
12b 第2層
13 第1電極
14 有機層
15 第2電極
Claims (15)
- フィルム本体の表面に防湿膜が設けられた防湿フィルムであって、
防湿膜は、
組成に炭素原子を含んだ酸化炭化窒化ケイ素化合物からなる第1層と、
上記第1層よりも含有する炭素原子の少ない又は炭素原子を含まない組成の酸窒化ケイ素化合物からなり、該第1層よりも密度が大きい第2層と、
を含み、
上記第1層と上記第2層とは隣接して積層されており、
上記第1層は上記第2層側にいくに従って密度が高くなっていることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1に記載された防湿フィルムにおいて、
上記第1層の組成がSiONCであり、
上記第2層の組成がSiONであることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1又は2に記載された防湿フィルムにおいて、
上記防湿膜は、上記第1層と上記第2層とが交互に積層されて構成されていることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜3のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記防湿膜の上記フィルム本体側表面には上記第2層が露出していることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜4のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記防湿膜の上記フィルム本体側とは反対側の表面には上記第2層が露出していることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜5のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記防湿膜は、その厚さが1〜50μmであることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜6のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記第1層は、その厚さが0.5〜50μmであることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜7のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記第2層は、その厚さが10〜500nmであることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜8のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記第1層は、電子分光分析によって測定される炭素含有率が1〜30mol%であることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜9のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記第2層は、電子分光分析によって測定される炭素含有率が0〜1mol%であることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜10のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記第1層は、密度が2.3〜3.0g/cm3の間での分布を有することを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜11のいずれかに記載された防湿フィルムにおいて、
上記第2層は、密度が2.8〜3.1g/cm3であることを特徴とする防湿フィルム。 - 請求項1〜12のいずれかに記載された防湿フィルムと、
上記防湿フィルムの上記防湿膜側に設けられるとともに、2つの電極に挟まれるように設けられた有機層と、
を備えたことを特徴とする有機電子デバイス。 - 請求項13に記載された有機電子デバイスにおける有機層が有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
- フィルム本体の表面に、組成に炭素原子を含んだ酸化炭化窒化ケイ素化合物からなる第1層と、上記第1層よりも含有する炭素原子の少ない又は炭素原子を含まない組成の酸窒化ケイ素化合物からなり、該第1層よりも密度が大きい第2層と、を含んだ防湿膜が設けられた防湿フィルムの製造方法であって、
プラズマ化学気相成長法を用いて上記第1層を形成する第1層形成工程と、
スパッタリング法を用いて上記第2層を形成する第2層形成工程と、
を備え、
上記第1層形成工程は、上記第1層の上記第2層側の形成において、プラズマ照射強度を徐々に変化させることにより、該第1層は該第2層側にいくに従って密度が高くなるように第1層を形成することを特徴とする防湿フィルムの製造方法。
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WO2015061657A1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Universal Display Corporation | Permeation barrier system for substrates and devices and method of making the same |
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JP6594804B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2019-10-23 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004066730A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性フィルム、積層体の検査方法及びガスバリア性フィルムの製造システム |
JP2004276564A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性積層材およびその製造方法 |
JP2005169996A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シートおよびその製造方法 |
JP2005342975A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Toppan Printing Co Ltd | 透明バリアフィルム |
WO2006033233A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明ガスバリア性フィルム |
JP2007007928A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材、透明導電膜付ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008062498A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2009095989A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよび環境感受性デバイス |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3472432B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 表示装置用反射防止膜及びその製造方法、並びにel素子 |
JP2003282238A (ja) | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
US20080038565A1 (en) | 2003-04-17 | 2008-02-14 | Minoru Komada | Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the saw, and manufacturing method for barrier film |
US8034419B2 (en) * | 2004-06-30 | 2011-10-11 | General Electric Company | Method for making a graded barrier coating |
JP2006297730A (ja) | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性積層体 |
US7993733B2 (en) * | 2008-02-20 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
CN102450098A (zh) * | 2009-06-11 | 2012-05-09 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004066730A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性フィルム、積層体の検査方法及びガスバリア性フィルムの製造システム |
JP2004276564A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性積層材およびその製造方法 |
JP2005169996A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シートおよびその製造方法 |
JP2005342975A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Toppan Printing Co Ltd | 透明バリアフィルム |
WO2006033233A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明ガスバリア性フィルム |
JP2007007928A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材、透明導電膜付ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008062498A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2009095989A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよび環境感受性デバイス |
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