JPWO2009087706A1 - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

表示装置(10)は、枠状のシール材(13)を介して互いに貼り合わせられた第1及び第2基板(11,12)と、第1基板(11)の第2基板(12)側表面であって、シール材(13)に囲まれた領域に形成されたモノリシック回路と、を備え、第1基板(11)又は第2基板(12)にはTEG(21)が形成されていると共に、TEG(21)の少なくとも一部は対向基板に覆われている。

Description

本発明は、表示装置に関する。
液晶表示装置に用いる液晶セルは、大きさの異なる第1基板と第2基板とをシール材で貼り合わせた構造を有し、互いに対向する面に各種薄膜を備えている。このような液晶セルは、第1基板の母基板と第2基板の母基板とを貼り合わせた状態から、多数個の液晶セルを切り出す方法で製造される。また、製造時の母基板のハンドリングを考慮して、それぞれの母基板の厚みは0.5mm〜0.7mm程度とされている。
図6は、このような液晶セル100の製造方法における母基板同士を貼り合わせた時点を示す斜視図である。第1基板103の母基板101には液晶セル100の第1基板103がパターニングされている。典型的には、第1基板103は薄膜トランジスタ(TFT)基板である。また第2基板104の母基板102には液晶セル100の第2基板104がパターニングされている。典型的には第2基板104はカラーフィルタ(CF)基板である。
近年では、端子は液晶セル100の1辺のみに設けられることが多く、3辺フリー構造とも称されている。以下、液晶セル100は、いずれもこのように1辺に端子を設けた3辺フリー構造である。この構成によれば、回路部材点数を少なくすることが可能であり、接続の信頼性やコスト面で有利とされている。
第1基板103は、第2基板104とその膜面同士が互いに向かい合うように、且つ、所定の間隙を保持するようにシール材105を介して固定される。シール材105は、液晶セル100の4辺に対して液晶セル100の端部から所定の位置に1mm程度の線幅で形成されている。
液晶はシール材105で囲まれた空間(後の表示部110)に封入される。液晶の充填方法としては真空注入法や滴下注入法が知られている。図6は滴下注入法で形成される液晶セル100に係るシール材を図示している。シール材は、枠状の閉パターンに形成されている。
液晶セル100は、母基板101,102の外側表面をスクライブホイール106でスクライブして溝を形成した後に、衝撃を与えて割断することにより切り出される。また、このとき、母基板101,102には、装置には用いられない捨て基板領域107が生じる。
なお、真空注入法の場合は、枠状のシール材105の一部に開口部が設けられ、液晶セル100の切り出し後に、当該開口部から液晶が充填・封入される。
第1基板の製造においては、薄膜トランジスタや他の素子特性を管理するために、TEG(Test Element Group)が第1基板の母基板上に形成されることが多い。TEGとしては、例えば電気的特性を測定するもの、膜厚を測定するもの、パターニング精度を測定するものが挙げられる。
電気的特性を測定するためのTEGは、その最小の構成として評価素子及び測定パッドを有し、評価素子と測定パッドとは配線によって接続されている。膜厚やパターニング精度の評価のためのTEGは、測定パッドが不要であるので最小単位として評価パターンのみで構成されていてもよい。
なおTEGは最小構成(以後単体TEGと称することにする)の1個のみが配置されることは少なく、他の目的の単体TEGとともに複数個配置されることが多い。
TEGの配置の形態としては、例えば、特許文献1〜4等に示すように以下の構成が知られている。
(A)第1基板の母基板上であって液晶セルの周囲の装置には用いられない「捨て基板領域」にTEGを配置する構成。
(B)第1基板の母基板上であって液晶セルの割断線(母基板を分断することによって生じる線)上にTEGを配置する構成。
(C)第1基板の母基板上であって液晶セルの充填領域にTEGの評価素子を形成し、測定パッドを液晶セルの端子領域に形成する構成。
(D)第1基板の母基板上であって液晶セルの端子領域にTEGを配置する構成。
また、特許文献2における図5において、モノリシック回路を有する液晶セル内にTEGが存在する構成が示されているが、端子の取り出し位置、第2基板(CF基板)に相当する基板の切断位置及びシール材の説明はされていない。
さらに、TEGではないが、シール外に露出して形成されているモノリシック回路の信号を直接測定する為のパッドをシール材の直下に配置する方法が特許文献5に開示されている。
特開2005−352419号公報 特開2002−124554号公報 特開昭61−15570号公報 特開2004−341216号公報 特開平11−133461号公報
(発明が解決しようとする課題)
近年、画素電極や配線だけでなく画素の駆動回路や他の機能回路を液晶セル内にモノリシックに形成して高機能な液晶セルを作成する試みが盛んに行なわれており、一部は実用化されつつある。したがって、第1基板(場合によっては第2基板)上に配置するTEGの重要性が増す。また、将来の新技術開発を目的として新規の素子や回路をTEGとして、現行製品の液晶セルの母基板に配置することが考えられる。このような高機能な液晶セルの開発・製造は、労力やコストの負担が大きい。このため、第3者に容易に解析される技術的なキャッチアップにつながるような事態は、できることであれば避けたいと望まれている。
しかしながら上記を鑑みた場合、従来のTEGの配置の構成は以下に述べる不都合がある。
−構成(A)の場合−
TEGの配置のために、装置には用いられない捨て基板領域を必要とする。したがって、母基板から製造できる液晶セルの数が抑制されてしまう。このため、母基板からの取れ数を増やしてコスト増を抑えることが困難になる。
−構成(B)の場合−
割断線上にTEGが存在すると、TEGを構成している金属膜の膜応力や凹凸が存在していることを原因として、割断が正常に出来ない恐れがある。液晶セルの端面にクラックやバリが発生すると組み立ての精度が悪化したり、バリの突起を起点として割れ易くなる不具合がある。
−構成(C)の場合−
TEGの評価素子がシール材に囲まれた領域に存在し、また、TEGの測定パッドが端子領域に存在するので、シール材の内側に配置する配線や端子設計の自由度が損なわれ、場合によっては液晶セルの額縁領域が大きくなってしまう。また、測定パッドが端子領域に配置されているため、第3者による測定が容易となり、秘匿しておきたい技術情報やノウハウが流出する虞がある。また、評価素子がシールに覆われていないため、基板の剥離に成功した場合は、容易にその断面構造等を調査されてしまう。
−構成(D)の場合−
TEG全体が端子領域に配置されており、構成(C)と同様に容易に解析されてしまう。また、TEGが大きい場合には端子設計の自由度が損なわれてしまう。
なお、特許文献5で開示されているように、モノリシック回路そのものがシール材の外側に露出している構成では、シール材に覆われている検査パッドを用いずとも回路そのものを調査・解析できるので、技術情報の秘匿には適さない。
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、解析が困難なTEGを備えた表示装置を提供することである。
(課題を解決するための手段)
本発明に係る表示装置は、枠状のシール材を介して互いに貼り合わせられた第1及び第2基板と、第1基板の第2基板側表面であって、シール材に囲まれた領域に形成されたモノリシック回路と、を備え、第1又は第2基板にはTEGが形成されていると共に、TEGの少なくとも一部が第1又は第2基板の対向基板に覆われていることを特徴とする。
このような構成によれば、第1又は第2基板に形成されたTEGの少なくとも一部が対向基板に覆われているため、当該表示装置を解析する際に第1基板と第2基板とを分離すると、TEGの少なくとも一部を覆う対向基板の破損の影響を受けて、対応するTEGの一部が損傷を受け、場合によってはTEG全体が破壊される。このため、TEGの解析が困難となり、表示装置のTEG等に関する技術情報を良好に秘匿することができる。
なお、「枠状のシール材」は、完全に連続して設けられて閉空間を形成する形状のシール材に限らず、例えば液晶セル形成時の液晶注入口を構成するために一部を欠損させた枠状のシール材も含む。
実施形態1に係る液晶表示装置の平面図である。 実施形態1に係る液晶セルの断面図である。 実施形態1に係るTEGの平面図である。 実施形態2に係る液晶表示装置の平面図である。 実施形態2に係る液晶セルの断面図である。 基板割断工程における母基板の斜視図である。 従来のTEGの配置構成の平面図である。
以下、本発明の実施形態に係る表示装置を、図面に基づいて詳細に説明する。また、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
(実施形態1)
<液晶表示装置10の構成>
図1は、本発明の実施形態1に係る液晶表示装置10の平面図を示す。図2は、液晶表示装置10の液晶セル40の断面図を示す。図3は、TEG21及びシール材13の平面図を示す。
液晶表示装置10は、液晶セル40及び液晶セル40に対向配置された不図示のバックライト等を備えている。
−液晶セル40の構成−
液晶セル40は、各々、例えば0.7mm厚のガラスからなる第1基板11と第2基板12とがシール材13を介して貼り合わせられた構造を有している。シール材13は、枠状に形成されており、一部が欠損することにより液晶セル40の側面へ開口する開口部22を備えている。液晶セル40の側面において、開口部22は、紫外線硬化性等の封止樹脂23を用いて封止されている。液晶セル40は、後述するように、互いに貼り合わせた2枚の母基板を割断することにより形成されており、その4辺(図1の辺A〜D)は、それぞれ割断線を示している。
第1基板11(TFT基板)には、薄膜トランジスタ(TFT)を含むソースドライバ回路14、ゲートドライバ回路15、端子16及びそれらを接続する配線17が、表示部18を構成する画素電極19とともに周知の方法によってモノリシックに形成されている。また、集積度を高めるために、電源回路やレベルシフタあるいはセンサー回路等の回路20が額縁領域に設けられている。さらに、第1基板11上には、対向する第2基板12に覆われる領域にTEG21(test element group)が設けられている。
端子16は、液晶セル40のC辺の端子領域43にのみ設けられ、各ドライバ回路からの配線17が、液晶セル40の外部に引き出されている。
上記のソースドライバ回路14、ゲートドライバ回路15、及び回路20は、シール材13に囲まれた領域内に形成されている。
また、上記回路、配線17及びTEG21の評価素子21’’は、それぞれ例えば有機樹脂層からなる絶縁層31で被覆されている。有機樹脂層は回路や配線17等の保護層の役目を担う。なお、反射型液晶セルあるいは反射・透過兼用の液晶セルで見られる散乱性の凹凸反射層を形成するために、この有機樹脂層の表面に凹凸を付与してもよい。
ここで、上記有機樹脂層は、端子領域43には存在しないことが好ましい。これは、例えばフレキシブルプリント基板を液晶セル40に取り付ける際に、清掃作業として端子16の表面をへら等で擦ると有機樹脂層が剥がれる不都合があるからである。なお、凹凸反射層を必要としないのであれば、絶縁層31は、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機膜で形成されていてもよい。
第1基板11は、遮光膜32(ブラックマトリクス)、着色層(図示せず)及び対向電極(図示せず)をともなう第2基板12(CF基板)に対し、その電極面同士が互いに向かい合うように所定の間隙を保持するように枠状のシール材13を介して固定されている。シール材13には、A辺側に開口部22が設けられて真空注入法により液晶材30が充填されている。
本実施形態では、TEGが形成されている基板(第1基板11)とシール材13との接着強度を、対向する基板(第2基板12)とシール材13との接着強度と同程度かあるいはそれよりも強くしている。このため、液晶セルの分解時にTEG上にシール材の残渣が残ることとなる。
シール材13の接着強度は、シール材13と基板との間に樹脂膜が存在する場合に弱くなる。例えば、シール材13の下地が金属性の遮光膜32であったり、あるいはガラス素地の場合、接着力は強くなる。一方、シール材13の下地に樹脂が存在する場合、接着力は弱くなる。したがって、遮光膜32を樹脂性のブラックマトリクスとし且つシール材13の接着領域の下地の多くを遮光膜32が占めることにより、シール材13と第2基板との接着強度をシール材13と第1基板との接着強度と同程度あるいはそれ以下にすることができる。
このように、シール材13の接着領域のほとんどを樹脂性の遮光膜32とした場合は、以下の効果を有する。第1基板11上の絶縁層31が有機樹脂層であれば、分解の際にシール材13が第2基板12側に残る確率は約半数となる。また、第1基板11上の絶縁層31が無機膜あるいはガラス素地であれば、シール材13は接着力が強い第1基板11側に残り易くなり、その結果シール材13の残渣をTEGの解析の障害とすることができる。
−TEG21の構成−
TEG21は電気的特性の評価を目的としたものであり、最小構成は、測定パッド21’、評価素子21’’、及び、配線である。測定パッド21’はTEG21の最表層に配置され、シール材13で覆われている。したがって、有機樹脂層が存在する場合は有機樹脂層に開口部を設けて、有機樹脂層下の評価素子21’’の配線と有機樹脂層上の測定パッド21’を電気的に接続させる必要がある。また、有機樹脂層を塗布する前に測定を終了するのであれば、有機樹脂層の下に測定パッド21’があってもよい。
評価素子21’’としては、金属薄膜を主材料とする薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、キャパシタ、抵抗体及びこれらを組み合わせたモノリシック回路が挙げられる。また、TEG21は、複数の単体TEGが複数個配列された構造を有している。なお、同一の単体TEGが複数個存在してもよく、また異なる単体TEG(図3における単体TEG21A、単体TEG21B、単体TEG21C)が含まれていてもよい。また、電気的特性の評価以外に用いる単体TEGや記号が含まれていてもよい。評価素子21’’は、上記の測定パッド21’と同様に、シール材13で覆ってもよい。
なお、単体TEGの各々にはA、B、C等の識別マークや測定パッド21’の種類を示す記号が形成されていてもよい。図3に図示されている各単体TEGは、薄膜トランジスタの単体TEGであり、ゲート(G)、ソース(S)及びドレイン(D)の記号が測定パッド21’の近傍にパターニングされている。測定パッド21’は、測定し易いように各単体TEG毎に共通の位置に形成されている。なお、余剰な測定パッド21’が含まれていてもよい。
液晶セル40の4辺の額縁領域のうち、回路や配線17等が集中している額縁領域を第1額縁領域42’とすると、TEG21は、回路や配線17が集中していない辺に対応する表示領域41を挟んだ反対側の第2額縁領域42’’であって、シール材13の略直下に配置される。図1においては、A辺のシール材13の直下にTEG21が配置されている。
モノリシック回路を内蔵した3辺フリー構造の液晶セル40は、端子辺(C辺)にソースドライバまたは後述するRGBスイッチ回路やドライバICへの配線17が配置されている。このため、回路や配線17が集中していない辺に対応する第2額縁領域42’’は、このような端子辺(C辺)と、表示領域41を挟んで対向する端辺(A辺)で確保し易い。また、端子辺(C辺)と反対側の端辺(A辺)は、端子16と距離があり配線抵抗の観点から重要な回路は配置されないため、TEG21を配置できる余地があるといえる。図1においては、ゲートドライバ回路15が右辺(B辺)に配置されているが、走査線が多ければ、ゲートドライバが左右の辺それぞれに配置されることもある。したがって、端子辺(C辺)と反対側の端辺(A辺)領域(第2額縁領域42’’)がTEG21の配置箇所として最も適している。
TEG21は、シール材13の長さ方向に沿って伸びる矩形状に形成されている。TEG21は、その短辺の寸法(W)がシール材13の線幅よりも小さく形成されている。例えば、シール材13の線幅が1mmである場合には、W=0.5mm程度となっている。TEG21は、シール材13の延伸方向に沿うように配置されて、シール材13でTEG21が覆われている。ここで、TEG21は、1辺が少なくとも0.5mm前後である長方形の領域を有する単体TEGを1列に並べた構成にすると、最も幅を狭くすることができ、シール材13で良好に覆うことができる。なお、TEG21の形状は、直線状に限らない。例えば、液晶セル40のコーナー部にTEG21を配置する場合は、略L字状のTEG21とすればよい。このようにすることによってTEG21を構成する評価素子21’’や測定パッド21’のいずれもシール材13で覆うことができる。
TEG21は、第1基板11上において、割断線である辺Aから離間して設けられている。
TEG21がシール材13に囲まれた領域内に配置されているので端子領域43には余剰部が生じる。この余剰部には、実装に用いる位置決めマーク24、製造管理上必要とされる識別手段(2次元バーコード等の光学読み取りマーク25や人間が判読できる英数字等の品番26)を配置させている。
このような識別手段は、製造ロット等の追跡調査手段としてその役割が期待されている。しかしながら、市場流通後には必要とされないTEG21によって端子領域43が占められる従来のTGEの配置構成では、端子領域43にマーク類を配置することが困難である。
なお、本実施形態では、TEG21をA辺に配置したが、TEG21の配置箇所は、これに限られない。TEG21は、回路や配線17と干渉しないことを条件として他の辺、例えば、D辺のシール材13直下に配置してもよい。
また、液晶材30の配向モードは任意のものを適用できるが、ラビングレスの配向モード、例えば、VAモードを用いると、TEG21パターンによるラビング時の転写ムラを完全に回避することができる。
<液晶表示装置10の製造方法>
次に、液晶表示装置10の製造方法について説明する。
まず、絵素、遮光膜、及び、対向電極等を形成した第2基板12の母基板を準備する。次に、TFT素子、及び、画素電極等を形成した第1基板11の母基板を準備し、セル厚を規定するためのスペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て複数形成する。なお、スペーサは第2基板12の母基板側に形成してもよく、又、球状スペーサを散布する方式を用いてもよい。
次に、第1基板11の母基板又は第2基板12の母基板のいずれかにシール材13を塗布する。シール材13は、一部を欠損させて塗布する。続いて、第1基板11の母基板と第2基板12の母基板とをシール材13を介して貼り合わせる。
続いて、スクライブホイールを用いて、母基板同士を貼り合わせて形成された大判の貼り合わせ基板から液晶セル40を切り出す。
このとき、母基板の液晶セル40以外の部分は捨て基板領域となる。また、このとき、母基板同士を貼り合わせる際に用いたシール材13が一部欠損していることにより、液晶セル40の側面には開口部22が形成される。
次に、液晶皿等に液晶材30を設け、その中に液晶セル40を、その側面の開口部22を液晶皿に対向させてディップした後、液晶セル40内に液晶材30を真空注入させる。続いて、液晶セル40側面の開口部22を封止樹脂23で封止する。
次に、液晶セル40の外表面に光学フィルムを貼り付ける。光学フィルムとしては、偏光板、位相差板、反射防止フィルム、保護フィルム等が挙げられる。次に、バックライトを準備し、これを液晶セル40の第1基板11側に設置することにより、液晶表示装置10を作製する。
<実施形態1の作用効果>
液晶表示装置10は、TEG21の評価素子21’’や測定パッド21’が第2基板12に覆われているので、製品として出荷された液晶セル40を第3者が入手しても、そのままでは電気的な測定を実施することが不可能となる。また、測定パッド21’がシール材13に覆われているので、基板を剥離したとしてもシール材13の残渣によって電気的な測定が困難となる。
また、評価素子21’’がシール材13に覆われているので、詳細に調べるために(例えば断面観察をおこなうために)液晶セル40を分解して第2基板12を剥がそうとしても、シール材13の残渣が残ったり、あるいは単体TEGを構成している薄膜がシール材13と共に剥がれてしまったり、あるいは単体TEGそのものを傷つけてしまう。このため、第3者が当該製品を調査することが困難となる。
また、TEG21は、シール材13の長さ方向に沿って伸びる矩形状に、且つ、その短辺の寸法(W)をシール材13の線幅よりも小さく形成されているため、液晶セル40の額縁領域を大きくすることなくTEG21を配置できる。さらに、シール材13でTEG21全体を覆うことができるため、液晶セル40を分解するときのシール材13の剥離作業の際に、TEG21を破壊させることができる。
また、TEG21は、母基板101,102上の捨て基板領域107に配置されていないので、液晶セル−液晶セル間の捨て基板の寸法を小さく、最も好ましくは0とすることができる。このため、母基板一枚当たりからの液晶セル40の取れ数を増やすことができ、高機能な液晶セル40をより安価に製造できる。
さらに、TEG21は、液晶セル40の割断線から離間して配置されているので、割断不良を抑えることができる。したがって液晶セル40の歩留まりの低下を抑制することができる。
(実施形態2)
<液晶表示装置60の構成>
図4は、本発明の実施形態2に係る液晶表示装置60の平面図を示す。図5は、液晶表示装置60の液晶セル90の断面図を示す。
液晶表示装置60は、液晶セル90及び液晶セル90に対向配置された不図示のバックライト等を備えている。
液晶セル90は、例えば、0.3mm厚のガラスからなる第1基板61(TFT基板)と0.1mmのガラスからなる第2基板62とが枠状のシール材63を介して貼り合わせられた構造を有している。すなわち、各基板の厚みは、一般に流通しているフラットパネルディスプレイ用のマザーガラスの厚み(0.5〜0.7mm)よりも明らかに薄く形成されている。
薄膜トランジスタを含むRGBスイッチ回路64、ゲートドライバ回路65、ドライバIC77、端子66及びそれらを接続する配線67が、第1基板61の表面において表示部68を構成し、第1基板61の絶縁層81上に形成された画素電極69とともに周知の方法によってモノリシックに形成されている。なお、集積度を高めるために、電源回路やレベルシフタあるいはセンサー回路等の回路が、額縁領域の余剰部に設けられていてもよい。本実施形態のようにドライバIC77とRGBスイッチ回路64との組み合わせによる駆動方式は、低消費電力化を実現できる点で有利であり、近年好んで採用されている。
端子66は、液晶セル90のC辺にのみ設けられ、ゲートドライバ回路65及びドライバIC77から配線67が液晶セル90の外部に引き出されている。
上記のRGBスイッチ回路64、ゲートドライバ回路65あるいは電源回路等の回路は、枠状のシール材63に囲まれた領域内に形成されている。
本実施形態では、端子領域がドライバIC77及び配線67等で占められているため、TEG71を配置できる自由度が低い。また、端子領域に有機樹脂層からなる絶縁層が存在しないため、TEG71を形成できない。仮にTEG71を端子領域に配置できたとしても、端子領域の余剰部には、まず、実装に用いる位置決めマーク74、製造管理上必要とされる識別手段(2次元バーコード等の光学読み取りマーク75や人間が判読できる英数字等の品番76)を配置させる。このため、いっそうTEG71を配置できる余地は少ない。したがって、本実施形態では、TEG71は、RGBスイッチ回路64又は外付けのドライバIC77への配線67が形成された第1額縁領域92’の表示領域91を挟んだ反対側の端部における、回路や配線が少ない第2額縁領域92’’に配置されている。また、TEG71は、シール材63の長さ方向に沿って伸びる矩形状に形成されている。TEG71は、シール材63の延伸方向に沿うように、シール材63の下部に配置されている。なお、TEG71の形状は、直線状に限らない。例えば液晶セル90のコーナー部にTEG71を配置する場合は略L字状のTEG71とすればよい。このようにすることによってTEG71を構成する評価素子62’’や測定パッド62’のいずれもシール材63で覆うことができる。
TEG71は、第1基板61上において、割断線であるA辺から離間して設けられている。
第1基板61は、遮光膜82(ブラックマトリクスとも称する)、着色層(図示せず)及び対向電極(図示せず)をともなう第2基板62(CF基板)とその電極面同士が互いに向かい合うように所定の間隙を保持するようにシール材63を介して固定されている。シール材63には開口部が存在せず、いわゆる滴下注入法により液晶材80が充填されている。
<液晶表示装置60の製造方法>
液晶表示装置60の製造方法としては、まず、第1基板61の母基板を準備し、その表面に枠状のシール材63を設ける。続いて、シール材63内に液晶材80を滴下した後、別に準備した第2基板62を貼り合わせる。なお、第2基板62の母基板上にシール材63を設け、液晶材80を滴下して第1基板を貼り合わせても良い。
このように貼り合わせた第1基板61及び第2基板62をエッチングまたは研磨によって薄膜化する。このように液晶セルを切り出す前に貼り合わせ基板の厚みを薄くするので、液晶セルに切り出した後に単品毎に薄膜化する方法と比べて効率的である。また、この方法を採った場合は、貼り合わせよりも前工程の間、すなわち基板表面に各種薄膜をパターニングしTEGが完成する時点までの間は基板が厚いので、基板の搬送やTEGの測定作業時の際の基板の取り扱いが容易である。
第1基板61と第2基板62とを同時に薄膜化させれば、第1基板61及び第2基板61は同じ厚みとなる。また、個別に薄膜化させれば、異なる厚みの第1基板61と第2基板62とが得られる。また、比較的厚い第1基板61(例えば0.7mm)と相対的に薄い第2基板62(例えば0.5mm)を貼り合わせた後に同時に薄膜化させると、最初の厚みの差(0.2mm)を保ったままで液晶セルの総厚を薄くすることができる。
次に、スクライブホイール等を用いて、貼り合わせ基板から液晶セル90を切り出す。次に、液晶セル40の外表面に上述した光学フィルムを貼り付けたのち、バックライトを準備し、これを液晶セル90の第1基板61側に設置することにより、液晶表示装置60を作製する。
<実施形態2の作用効果>
液晶表示装置60は、液晶セル90の4辺全てにわたって欠損部が無く、4辺の端部に連続してシール材63が存在している。このため、TEG71を液晶セル90の4辺いずれに配置してもシール材63でTEG71を覆うことができる。したがって、設計自由度が良好となる。また、液晶セル90を分解するときのシール材63の剥離作業の際に、TEG71が破壊される可能性がより高くなる。さらに、測定できる状態を維持してTEG71を露出させることがより困難となる。
また、第1基板61及び第2基板62をエッチングまたは研磨によって薄膜化しているので、液晶セル90の分解の際に基板が破砕し易くなっている。したがって、TEG71を傷つけずに基板を剥離することが困難となり、第3者による解析が困難となる。ここで、第1基板61及び第2基板62の双方を同じ厚みにせずに、ドライバIC77を取り付ける基板側を相対的に厚くすると良い。少なくとも第1基板61または第2基板62の一方が薄膜化加工されていれば、液晶セル90の分解時(光学フィルムの剥離作業時や基板の切断時)に基板が良好に破砕される。なお、基板が破砕し易い、すなわち分解の際にTEG71が破壊し易いものであれば、TEG7を1はシール材63の直下から若干はみ出しても構わない。また、液晶セル90の表示面側に直に保護フィルムを貼り付けるのではなくて、別途用意したアクリル樹脂を保護部材として液晶セル90の表示面側に透明な接着材を介して貼り付けると、保護部材と液晶セル90との剥離時に、基板すなわちTEGが破砕し易い。また、外付けのタッチパネルを保護部材と置き換えて液晶セル90の表示面側に貼り付けても、基板すなわちTEGが破砕し易くなる。
また、基板の割断時に発生するバリやクラックは、基板の厚みが薄く且つ金属膜が割断線上に存在する場合に顕著になるが、TEG71は液晶セル90の基板の割断線から離間して設けられているので、このような不具合を避けることができる。
さらに、TEG71は、モノリシックのRGBスイッチ回路64又は外付けのドライバIC77への配線67が形成された第1額縁領域92’の反対側の端部における、回路や配線67が少ない第2額縁領域92’’に配置されている。このため、液晶セル90の額縁領域を大きくすることなくコンパクトにTEG71を配置させることができる。
以上本発明について実施形態1,2を例に挙げて説明したが、上述の構成に限らず主旨を逸脱しない範囲で変形することが可能である。解析対象となるモノリシック回路が存在しない場合、例えば薄膜ダイオードを用いた液晶セルや単純マトリクス型の液晶セルであっても、TEGを秘匿する手段として応用できる。
また、本発明の表示装置は、実施形態1,2にそれぞれ示したようなLCD(liquid crystal display;液晶表示ディスプレイ)に係る表示装置に限られず、PD(plasma display;プラズマディスプレイ)、PALC(plasma addressed liquid crystal display;プラズマアドレス液晶ディスプレイ)、有機EL(organic electro luminescence )、無機EL(inorganic electro luminescence )、FED(field emission display;電界放出ディスプレイ)、又は、SED(surface-conduction electron-emitterdisplay;表面電界ディスプレイ)等に係る表示装置であってもよい。
[実施例]
本発明の実施例として、上述の実施形態1及び2に係る構成の液晶セル(実施例)と、従来の既知のTEG配置構成を有する液晶セル(比較例)と、について、その作用効果に関して比較検討を行った。従来の既知のTEG配置構成を有する液晶セルとしては、図7に示すように、液晶セル100A〜100Dを採用した。
液晶セル100A〜Dは、額縁領域に端子を備えた第1基板103及び第2基板104が枠状のシール材105を介して貼り合わされた構成を有している。枠状のシール材105は、表示部110を囲むように設けられている。枠状のシール材105は、一部が欠損した開口部を備え、封止樹脂118が液晶セル100A〜Dの側面側から開口部を封止している。液晶セル100A〜Dは、それぞれTEG121A〜Dを備えるが、その配置された部位又は形状が異なっている。
液晶セル100AのTEG121Aは、全体として矩形状に形成されており、捨て基板領域107に設けられている。液晶セル100BのTEG121Bは、全体として矩形状に形成されており、割断線上に設けられている。液晶セル100CのTEG121Cは、額縁領域の測定パッド121’Cと評価素子121’’Cとがシール材105を跨いで離間して設けられている。液晶セル100DのTEG121Dは、全体として矩形状に形成されており、端子111が形成された側の額縁領域に設けられている。
また、作用効果としては、他者解析の回避が良好(○)か否(×)か、基板の分断性の確保が良好(○)か否(×)か、母基板からの液晶セルの取れ数の確保が良好(○)か否(×)か、端子設計の自由度が良好(○)か否(×)か、について、それぞれ検討した。
上記比較検討結果を表1に示す。表1において、従来の既知のTEG配置構成(比較例)に関し、構成Aは図7(A)に係る液晶セル100Aを、構成Bは液晶セル100Bを、構成Cは液晶セル100Cを、構成Dは液晶セル100Dを、それぞれ示す。
Figure 2009087706
表1に示すように、液晶セル100Aは、TEG121Aが捨て基板領域107に設けられているため、母基板からの液晶セル100Aの取れ数が少ないという問題が生じた。また、液晶セル100Bは、TEG121Bが割断線上に設けられているため、基板の分断性に問題があった。さらに、液晶セル100Cは、TEG121Cの測定パッド121’Cと評価素子121’’Cとがシール材105を跨いで離間して設けられているため、他者による解析を回避できず、さらに端子設計の自由度が良好ではなかった。また、液晶セル100Dは、TEG121Dが端子形成側の額縁領域に設けられているため、他者による解析を回避できず、さらに端子設計の自由度が良好ではなかった。
これに対し、実施形態1及び2の構成に係る液晶セル(実施例)は、上記項目のいずれも良好な結果を示した。
以上説明したように、本発明は、表示装置について有用である。

Claims (9)

  1. 枠状のシール材を介して互いに貼り合わせられた第1及び第2基板と、
    上記第1基板の上記第2基板側表面であって、上記シール材に囲まれた領域に形成されたモノリシック回路と、
    を備え、
    上記第1又は第2基板にはTEGが形成されていると共に、該TEGの少なくとも一部は該第1又は第2基板の対向基板に覆われている表示装置。
  2. 請求項1に記載された表示装置において、
    上記TEGの上記第1又は第2基板の対向基板に覆われている部分は測定パッドである表示装置。
  3. 請求項2に記載された表示装置において、
    上記測定パッドは、上記シール材で覆われている表示装置。
  4. 請求項1に記載された表示装置において、
    上記TEGの上記第1又は第2基板の対向基板に覆われている部分は評価素子であると共に、該評価素子が上記シール材で覆われている表示装置。
  5. 請求項1に記載された表示装置において、
    上記TEGは、
    上記シール材の長さ方向に沿って伸びる矩形状に形成され、
    上記TEGの幅が該シール材の幅より小さく形成されると共に、
    上記シール材に覆われている表示装置。
  6. 請求項1から5のいずれかに記載された表示装置において、
    上記第1基板は、母基板を割断して形成されており、
    上記TEGは、上記第1基板上において、割断線から離間して設けられている表示装置。
  7. 請求項1から6のいずれかに記載された表示装置において、
    上記第1及び第2基板の少なくとも一方に薄型化加工が施されている表示装置。
  8. 請求項1から7のいずれかに記載された表示装置において、
    上記第1又は第2基板の一端部には、モノリシックのドライバ部又は外付けのドライバ部への配線群が形成された第1額縁領域が設けられ、
    上記第1又は第2基板の上記第1額縁領域の反対側の端部には、第2額縁領域が設けられていると共に、
    上記TEGは、上記第2額縁領域に形成されている表示装置。
  9. 請求項1から8のいずれかに記載された表示装置において、
    上記TEGが形成されている基板と上記シール材との接着強度が、上記対向基板とシール材との接着強度と同等以上である表示装置。
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