JPWO2009041196A1 - 非可逆回路素子 - Google Patents

Abstract

ヨークが小型で簡単な構造からなり、十分な貼着強度を有するとともに動作特性を良好にできる非可逆回路素子を得る。平板状ヨーク（１０Ａ）と、永久磁石（４１）と、該永久磁石（４１）により直流磁界が印加されるフェライト（３２）と、該フェライト（３２）に配置された第１中心電極及び第２中心電極とを備えた非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）。フェライト・磁石組立体（３０）の上面には接着剤層を介して平板状ヨーク（１０Ａ）が配置されている。このヨーク（１０Ａ）の裏面には四角形の凸部（１１）が格子状に形成され、貼着強度を高めるとともに、第２中心電極から発生する高周波磁界を流れやすくしている。

Description

本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。

従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。

この種の非可逆回路素子では、中心電極が形成されたフェライトとそれに直流磁界を印加する永久磁石の組立体を外部磁界から保護するため、該組立体の周囲を環状のヨークによって囲ったり（特許文献１参照）、箱形状のヨークによって囲っていた（特許文献２参照）。

しかしながら、従来の非可逆回路素子では、磁気シールド部品として軟鉄などを環状に加工したヨークや箱形状のヨークを用いたため、加工や組立てに手間がかかり、コスト高になっていた。また、フェライトや永久磁石の周囲にヨークが存在することから、非可逆回路素子自体の外形が大型化し、あるいは、大型化を避けるとフェライトや永久磁石が小型化するために電気特性が劣化するという問題点を生じていた。フェライトが小型化すると中心電極も小さくなり、インダクタンス値やＱ値が小さくなることによる。

そこで、本発明者は、従来のヨークに代えて、平板状ヨークを用いることを検討した。平板状ヨークはフェライト・磁石組立体の上面に接着剤層を介して貼着することになるが、単なる平板状では接着強度が必ずしも十分ではなく、また、フェライトに生じる高周波磁界をフェライト近傍に閉じこめて良好な動作特性を得ることも困難である。
国際公開第２００６／０１１３８３号パンフレット 特開２００２−１９８７０７号公報

そこで、本発明の目的は、ヨークが小型で簡単な構造からなり、十分な貼着強度を有するとともに動作特性を良好にできる非可逆回路素子を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明の一形態である非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された導体膜からなる第１中心電極及び第２中心電極と、
平板状ヨークと、
を備え、
前記フェライトと前記永久磁石は、前記第１及び第２中心電極が配置された面と平行に両側から永久磁石によって挟着されたフェライト・磁石組立体を構成し、
前記平板状ヨークは前記フェライト・磁石組立体の上面に接着剤層を介して貼着されており、該貼着面には貼着強度を高めるとともに前記第２中心電極から発生する高周波磁界を流れやすくする凹凸部が形成されていること、
を特徴とする。

前記非可逆回路素子においては、フェライト・磁石組立体の直上に接着剤層を介して平板状ヨークが配置されており、該平板状ヨークは簡単な構成からなり、従来の軟鉄製のヨークと比較すると、製作・取扱いが容易である。また、平板状ヨークの貼着面には凹凸部が形成されており、該凹凸部は接着剤層と馴染むことで貼着強度が高くなり、かつ、第２中心電極から発生する高周波磁界が平板状ヨークの表皮部分あるいは接着剤層部分に流れやすくする作用を有し、高周波帯域での動作特性が向上する。

本発明によれば、フェライト・磁石組立体の直上に接着剤層を介して平板状ヨークを配置したため、ヨークの構造が簡略化される。しかも、平板状ヨークの貼着面には凹凸部が形成されているため、十分な貼着強度を有するとともに高周波帯域での動作特性が良好になる。

本発明に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の一実施例を示す分解斜視図である。 中心電極付きフェライトを示す斜視図である。 前記フェライトを示す斜視図である。 フェライト・磁石組立体を示す分解斜視図である。 組み立てられた回路基板、フェライト・磁石組立体、ヨークを示す断面図である。 ２ポート型アイソレータの第１回路例を示す等価回路図である。 ２ポート型アイソレータの第２回路例を示す等価回路図である。 第１例である平板状ヨークを示し、（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ裏面図である。 フェライト・磁石組立体、ヨーク、接着剤層の拡大断面図である。 高周波磁界の流れを示す説明図である。 第２例である平板状ヨークを示し、（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ裏面図である。 第３例である平板状ヨークを示す裏面図である。

符号の説明

１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ）…平板状ヨーク
１５…接着剤層
２０…回路基板
３０…フェライト・磁石組立体
３２…フェライト
３５…第１中心電極
３６…第２中心電極
４１…永久磁石
Ｐ１…入力ポート
Ｐ２…出力ポート
Ｐ３…グランドポート

以下、本発明に係る非可逆回路素子の実施例について添付図面を参照して説明する。

（アイソレータの全体構成、図１〜図５参照）
本発明に係る非可逆回路素子の一実施例である２ポート型アイソレータの分解斜視図を図１に示す。この２ポート型アイソレータは、集中定数型アイソレータであり、概略、平板状ヨーク１０と、回路基板２０と、フェライト３２と永久磁石４１とからなるフェライト・磁石組立体３０とで構成されている。なお、図１において、斜線を付した部分は導電体である。

フェライト３２には、図２に示すように、表裏の主面３２ａ，３２ｂに互いに電気的に絶縁された第１中心電極３５及び第２中心電極３６が形成されている。ここで、フェライト３２は互いに対向する平行な第１主面３２ａ及び第２主面３２ｂを有する直方体形状をなしている。

また、永久磁石４１はフェライト３２に対して直流磁界を主面３２ａ，３２ｂに略垂直方向に印加するように主面３２ａ，３２ｂに対して、例えば、エポキシ系の接着剤４２を介して接着され（図４参照）、フェライト・磁石組立体３０を形成している。永久磁石４１の主面４１ａは前記フェライト３２の主面３２ａ，３２ｂと同一寸法であり、互いの外形が一致するように主面３２ａ，４１ａ、主面３２ｂ，４１ａどうしを対向させて配置されている。

第１中心電極３５は導体膜にて形成されている。即ち、図２に示すように、この第１中心電極３５は、フェライト３２の第１主面３２ａにおいて右下から立ち上がって２本に分岐した状態で左上に長辺に対して比較的小さな角度で傾斜して形成され、左上方に立ち上がり、上面３２ｃ上の中継用電極３５ａを介して第２主面３２ｂに回り込み、第２主面３２ｂにおいて第１主面３２ａと透視状態で重なるように２本に分岐した状態で形成され、その一端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂに接続されている。また、第１中心電極３５の他端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃに接続されている。このように、第１中心電極３５はフェライト３２に１ターン巻回されている。そして、第１中心電極３５と以下に説明する第２中心電極３６とは、間に絶縁膜が形成されて互いに絶縁された状態で交差している。

第２中心電極３６は導体膜にて形成されている。この第２中心電極３６は、まず、０．５ターン目３６ａが第１主面３２ａにおいて右下から左上に長辺に対して比較的大きな角度で傾斜して第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｂを介して第２主面３２ｂに回り込み、この１ターン目３６ｃが第２主面３２ｂにおいてほぼ垂直に第１中心電極３５と交差した状態で形成されている。１ターン目３６ｃの下端部は下面３２ｄの中継用電極３６ｄを介して第１主面３２ａに回り込み、この１．５ターン目３６ｅが第１主面３２ａにおいて０．５ターン目３６ａと平行に第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｆを介して第２主面３２ｂに回り込んでいる。以下同様に、２ターン目３６ｇ、中継用電極３６ｈ、２．５ターン目３６ｉ、中継用電極３６ｊ、３ターン目３６ｋ、中継用電極３６ｌ、３．５ターン目３６ｍ、中継用電極３６ｎ、４ターン目３６ｏ、がフェライト３２の表面にそれぞれ形成されている。また、第２中心電極３６の両端は、それぞれフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ，３６ｐに接続されている。なお、接続用電極３５ｃは第１中心電極３５及び第２中心電極３６のそれぞれの端部の接続用電極として共用されている。

即ち、第２中心電極３６はフェライト３２に螺旋状に４ターン巻回されていることになる。ここで、ターン数とは、中心電極３６が第１又は第２主面３２ａ，３２ｂをそれぞれ１回横断した状態を０．５ターンとして計算している。そして、中心電極３５，３６の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。

また、接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐや中継用電極３５ａ，３６ｂ，３６ｄ，３６ｆ，３６ｈ，３６ｊ，３６ｌ，３６ｎはフェライト３２の上下面３２ｃ，３２ｄに形成された凹部３７（図３参照）に銀、銀合金、銅、銅合金などの電極用導体を塗布又は充填して形成されている。また、上下面３２ｃ，３２ｄには各種電極と平行にダミー凹部３８も形成され、かつ、ダミー電極３９ａ，３９ｂ，３９ｃが形成されている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導体で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。なお、各種電極は凹部３７，３８に導体膜として形成したものであってもよい。

フェライト３２としてはＹＩＧフェライトなどが用いられている。第１及び第２中心電極３５，３６や各種電極は銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。中心電極３５，３６の絶縁膜としてはガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、ポリイミドなどの樹脂膜などを用いることができる。これらも印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。

なお、フェライト３２を絶縁膜及び各種電極を含めて磁性体材料にて一体的に焼成することが可能である。この場合、各種電極を高温焼成に耐えるＰｄ又はＰｄ／Ａｇを用いることになる。

永久磁石４１は、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン−コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石４１とフェライト３２とを接着する接着剤４２としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。

回路基板２０は、複数枚の誘電体シート上に所定の電極を形成して積層し、焼結した積層型基板であり、その内部には、等価回路である図６及び図７に示すように、整合用コンデンサＣ２，Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｐ１，Ｃｐ２、終端抵抗Ｒが内蔵され、整合用コンデンサＣ１（チップコンデンサ）が回路基板２０上に外付けされている。また、上面には端子電極２５ａ〜２５ｅが、下面には外部接続用端子電極２６，２７，２８がそれぞれ形成されている。なお、回路基板２０内での多層構造の説明については省略する。

前記フェライト・磁石組立体３０は、回路基板２０上に載置され、フェライト３２の下面３２ｄの各種電極が回路基板２０上の端子電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃとリフローはんだ付けされて一体化されるとともに、永久磁石４１の下面が回路基板２０上に接着剤にて一体化される。

平板状ヨーク１０は、電磁シールド機能を有するもので、前記フェライト・磁石組立体３０の上面に接着剤層１５を介して貼着されている。ここで、平板状ヨーク１０が貼着される上面とは、フェライト３２の上面３２ｃと永久磁石４１の上面４１ｃ（図４参照）とで同一高さに形成されている平面をいう。

平板状ヨーク１０の機能は、フェライト・磁石組立体３０からの磁気の漏れ、高周波電磁界の漏れを抑えること、外部からの磁気の影響を抑えること、本アイソレータをチップマウンタを用いて図示しない基板に搭載する際に、バキュームノズルでピックアップする場所を提供することである。なお、平板状ヨーク１０は必ずしも接地されている必要はないが、はんだ付けや導電性接着剤などで接地してもよく、接地すると高周波シールドの効果が向上する。

平板状ヨーク１０はニッケル板にＡｇのめっきが施されたものである。但し、ヨーク１０の材質はニッケルに限定するものではなく、軟鉄鋼板、ケイ素鋼板などであってもよく、めっきはＣｕなどであってもよい。

平板状ヨーク１０をフェライト・磁石組立体３０の上面に固定する接着剤層１５としては、耐熱性、作業性、機械強度に優れているものを適宜選択して用いればよい。フェノール系、アミン系の接着剤を好適に用いることができる。熱硬化型エポキシ系接着剤などであってもよい。

平板状ヨーク１０は、回路基板２０上に搭載されたフェライト・磁石組立体３０上に組み込まれる。この場合、所定サイズにカットされたヨーク１０を個々に組み込んでもよく、あるいは、多数個のヨーク１０が一体に結合した集合ヨークを１個ずつ分離しながら組み込んでもよい。あるいは、集合された回路基板２０に搭載されたフェライト・磁石組立体３０上に集合されたヨーク１０を組み込み、その後ダイサーなどで個品に分離する工程を採用してもよい。このような多数個取り工程によると、回路基板２０とヨーク１０の外形が等しくなる。

回路基板２０上にフェライト・磁石組立体３０が搭載され、さらに、フェライト・磁石組立体３０の上面に平板状ヨーク１０が貼着されている状態を図５に示す。回路基板２０とヨーク１０との間の空間部４３は図示しない樹脂材にて封止される。

（回路構成、図６及び図７参照）
整合用回路素子と前記第１及び第２中心電極３５，３６との接続関係は、例えば、第１回路例である図６及び第２回路例である図７に示すとおりである。ここで、図７に示す第２回路例に基づいて接続関係を説明する。

回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２６が入力ポートＰ１として機能し、この端子電極２６は整合用コンデンサＣｓ１を介して整合用コンデンサＣ１と終端抵抗Ｒとに接続されている。また、この電極２６は回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ａ及びフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂを介して第１中心電極３５の一端に接続されている。

第１中心電極３５の他端及び第２中心電極３６の一端は、フェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ及び回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｂを介して終端抵抗Ｒ及びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、かつ、コンデンサＣｓ２を介して回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２７に接続されている。この電極２７が出力ポートＰ２として機能する。また、コンデンサＣ１は回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｄ，２５ｅに接続される。

第２中心電極３６の他端は、フェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３６ｐ及び回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｃを介してコンデンサＣ２及び回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２８と接続されている。この電極２８はグランドポートＰ３として機能する。

また、入力ポートＰ１とコンデンサＣｓ１の接続点には接地されたインピーダンス調整用のコンデンサＣｐ１が接続されている。同様に、出力ポートＰ２とコンデンサＣｓ２との接続点にも接地されたインピーダンス調整用のコンデンサＣｐ２が接続されている。

なお、図６に示す第１回路例は図７に示す第２回路例における一部の素子（コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２，Ｃｐ１，Ｃｐ２）を省略した基本タイプである。

以上の構成からなる２ポート型アイソレータにおいては、第１中心電極３５の一端が入力ポートＰ１に接続され他端が出力ポートＰ２に接続され、第２中心電極３６の一端が出力ポートＰ２に接続され他端がグランドポートＰ３に接続されているため、挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータとすることができる。さらに、動作時において、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極３５にはほとんど高周波電流が流れない。従って、第１中心電極３５及び第２中心電極３６によって生じる高周波磁界の方向は第２中心電極３６の配置によってその方向が決まる。高周波磁界の方向が決まることにより、挿入損失をより低下させる対策が容易になる。

また、フェライト・磁石組立体３０の直上に接着剤層１５を介して平板状ヨーク１０が配置されているため、従来の軟鉄製の環状あるいは箱形状のヨークは不要であり、平板状ヨーク１０は製作や取扱いが容易であり、全体としてコストダウンを図ることができる。また、ヨーク１０は回路基板２０とは機械的に接合されていないので、熱ストレスによる回路基板２０の損傷がなく、信頼性が向上する。

フェライト・磁石組立体３０は、フェライト３２と一対の永久磁石４１が接着剤４２で一体化されていることで、機械的に安定となり、振動や衝撃で変形・破損しない堅牢なアイソレータとなる。

（平板状ヨークの具体例、図８〜図１２参照）
ところで、本発明において、平板状ヨーク１０の貼着面（裏面）には、貼着強度を高めるとともに、動作時に第２中心電極３６から発生する高周波磁界をヨーク１０の表皮部分あるいは接着剤層１５に流れやすくするための凹凸部が形成されている。

図８（Ａ）は、第１例である平板状ヨーク１０Ａの貼着面を示し、微小な四角形状をなす島状の凸部１１がヨーク１０Ａの４辺に対して略４５°の角度で傾斜した格子状に形成されている。図８（Ａ）において、凹部１２には網目が付されている。このような凸部１１、凹部１２はエッチング加工により容易に形成することができる。

図８（Ｂ）は、ヨーク１０Ａの凸部１１、凹部１２とフェライト・磁石組立体３０及びコンデンサＣ１との位置関係を示している。また、図９は、貼着部分を拡大して示している。寸法の一例を示すと、ヨーク１０Ａの厚みＨ１は１００μｍ、凹部１２の深さＨ２は３０μｍ、接着剤層１５の厚みＨ３は４０μｍである。凸部１１は２００×２００μｍの大きさ、間隔は２００μｍである。このように、平板状ヨーク１０Ａの貼着面に凸部１１，凹部１２を格子状に形成することによって、貼着面が接着剤層１５と馴染むことになり、貼着強度が向上する。また、貼着時に貼着面とフェライト・磁石組立体３０の上面との間からの空気の抜けがよくなる。従って、ヨーク１０Ａを母材からカットする際の位置ずれや剥がれが解消する。単なる平板状のヨークと第１例であるヨーク１０Ａとの接着強度を実験したところ、フェノール系接着剤において、単なる平板状のヨークでは接着強度が６．８Ｎであったのが、ヨーク１０Ａでは１１．０Ｎに増大した。また、アミン系接着剤において、単なる平板状のヨークでは接着強度が３．７Ｎであったのが、ヨーク１０Ａでは７．１Ｎに増大した。

また、ヨーク１０Ａを母材からダイサーでカットする際、ダイサーの刃部が凸部１１に略４５°の角度で当接することから、ヨーク１０Ａに位置ずれや剥がれが生じにくくなる。仮に、ダイサーの刃部が凸部１１に微小な角度で当接すると、刃部から凸部１１に水平方向の力が大きく作用し、ヨーク１０Ａが切断中にずれやすくなる。

凸部１１、凹部１２を形成することによって動作時の特性が向上する理由は以下のとおりである。動作時において、第２中心電極３６から発生する高周波磁界は、ヨーク１０Ａが存在しない場合、図１０（Ａ）に点線で示すように、広い範囲に広がろうとする。図１０（Ｂ）に示すように、ヨーク１０Ａをフェライト３２の上面に近接させると、高周波磁界はフェライト３２の上面とヨーク１０Ａとの間を通過しようとする。この場合、ヨーク１０Ａの裏面がフェライト３２の上面に密着すると高周波磁界の流れが乱れる。ヨーク１０Ａの裏面（貼着面）に凸部１１を形成することにより、高周波磁界の通路（微小な隙間）を確保することができ、高周波磁界はヨーク１０Ａの表皮部分あるいは接着剤層１５に流れることになり、高周波帯域（特に、８００ＭＨｚ〜５ＧＨｚ）での動作特性が向上する。

図１１（Ａ）は、第２例である平板状ヨーク１０Ｂの貼着面を示し、円弧状の凸部１１がフェライト３２の両端部に対応する位置に形成されている（図１１（Ｂ）参照）。図１１（Ａ）において、凹部１２には網目が付されている。このような凸部１１、凹部１２はエッチング加工により容易に形成することができる。

図１１（Ｂ）は、ヨーク１０Ｂの凸部１１とフェライト・磁石組立体３０との位置関係を示している。ヨーク１０Ｂの厚みや凹部１２の深さ、接着剤層１５の厚みなどは前記ヨーク１０Ａで説明したとおりである。このように、平板状ヨーク１０Ｂの貼着面に凸部１１，凹部１２を形成することによって、貼着面が接着剤層１５と馴染むことになり、貼着強度が向上する。従って、ヨーク１０Ｂを母材からカットする際の位置ずれや剥がれが解消する。

ヨーク１０Ｂにおいて、凸部１１を形成することによって動作時の特性が向上する理由は以下のとおりである。動作時において、第２中心電極３６から発生する高周波磁界がヨーク１０Ｂを通過しようとすると、通過しようとする磁界によってヨーク１０Ｂに渦電流が発生し、該高周波磁界の通過を妨げる。高周波磁界がヨーク１０Ｂを通過する箇所（高周波磁界の集中箇所、具体的には、フェライト３２の長辺方向両端部の近傍）に凸部１１を設けることによって、高周波磁界の通過を妨げる渦電流（図１１（Ｂ）の点線矢印参照）が発生しやすくなり、高周波磁界はヨーク１０Ｂの表皮部分あるいは接着剤層１５を良好に流れ、高周波帯域（特に、８００ＭＨｚ〜５ＧＨｚ）での動作特性が向上する。

図１２は、第３例である平板状ヨーク１０Ｃの貼着面を示し、基本的には第２例である前記ヨーク１０Ｂと同様の凸部１１が形成されており、かつ、凸部１１に高周波磁界の通路として凹部１２'が形成されている。

（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。

特に、平板状ヨークの貼着面に形成される凹凸部は様々な形状を採用することができ、格子状の凸部は図８に示したように四角形以外に、円形、三角形、楕円形などであってもよい。

以上のように、本発明は、非可逆回路素子に有用であり、特に、ヨークが小型で簡単な構造からなり、十分な貼着強度を有するとともに動作特性を良好にできる点で優れている。

Claims (6)

1. 永久磁石と、
   前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
   前記フェライトに互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された導体膜からなる第１中心電極及び第２中心電極と、
   平板状ヨークと、
   を備え、
   前記フェライトと前記永久磁石は、前記第１及び第２中心電極が配置された面と平行に両側から永久磁石によって挟着されたフェライト・磁石組立体を構成し、
   前記平板状ヨークは前記フェライト・磁石組立体の上面に接着剤層を介して貼着されており、該貼着面には貼着強度を高めるとともに前記第２中心電極から発生する高周波磁界を流れやすくする凹凸部が形成されていること、
   を特徴とする非可逆回路素子。
2. 前記平板状ヨークは四つの辺からなる四角形状をなし、貼着面に形成された凹凸部は四角形状をなす島状の凸部を有し、該凸部の各辺がヨークの四つの辺に対して略４５°の角度で傾斜していること、を特徴とする請求の範囲第１項に記載の非可逆回路素子。
3. 前記平板状ヨークの貼着面に形成した凹凸部は、前記第２中心電極から発生する高周波磁界が該ヨークを通過するのを妨げる電流が該ヨークに発生しやすくする凸部を有していること、を特徴とする請求の範囲第１項に記載の非可逆回路素子。
4. 前記凹凸部はエッチング加工によって形成されたものであることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
5. 前記第１中心電極は、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続され、
   前記第２中心電極は、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドポートに電気的に接続され、
   前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第１整合容量が電気的に接続され、
   前記出力ポートと前記グランドポートとの間に第２整合容量が電気的に接続され、
   前記入力ポートと前記出力ポートとの間に抵抗が電気的に接続されていること、
   を特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
6. さらに、表面に端子電極が形成された回路基板を備え、
   前記フェライト・磁石組立体は、前記回路基板上に、前記第１及び第２中心電極が配置された面が該回路基板の表面に対して垂直方向に配置され、
   前記フェライト・磁石組立体の上面に接着剤層を介して前記平板状ヨークが配置されていること、
   を特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の非可逆回路素子。

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