JPWO2008111447A1 - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008111447A1 JPWO2008111447A1 JP2009503987A JP2009503987A JPWO2008111447A1 JP WO2008111447 A1 JPWO2008111447 A1 JP WO2008111447A1 JP 2009503987 A JP2009503987 A JP 2009503987A JP 2009503987 A JP2009503987 A JP 2009503987A JP WO2008111447 A1 JPWO2008111447 A1 JP WO2008111447A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core layer
- silicon
- layer
- optical waveguide
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
- G02B6/305—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device and having an integrated mode-size expanding section, e.g. tapered waveguide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12035—Materials
- G02B2006/12061—Silicon
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
10 シリコン基板
11 シリコン酸化膜(第一のクラッド層)
12 シリコン酸化膜(第二及び第三のクラッド層)
13 シリコン窒化膜コア層(第二のコア層)
14 シリコン窒化膜テーパコア層(第二のコア層)
15 シリコン窒化膜コア層(第二のコア層)
16 シリコンコア層(第一のコア層)
17 シリコンテーパコア層(第一のコア層:テーパ導波路部)
18 テーパ状のストライプ(シリコン窒化膜マスク)
19 直線状のストライプ(シリコン窒化膜マスク)
21 シリコン上部層
22 シリコン窒化膜
23 LOCOS法で形成される酸化膜
41 シリコンコア層
40 シリコンテーパコア層(第一のコア層:テーパ導波路部)
50 第一のシリコンテーパコア層(第一のコア層:テーパ導波路部)
51 シリコンコア層
52 第二のシリコンテーパコア層(第一のコア層:テーパ導波路部)
P11、P12、P13 導波路断面部位を示す平面
Δa 第一のコア層と第二のコア層との光波パワー中心のズレ
まず、シリコン基板10上部に、第一のクラッド層となるシリコン酸化膜11と、第一のコア層となるシリコン上部層21とを順次形成し、SOI基板を作成する。このSOI基板上に、第二のコア層となるシリコン窒化膜22をプラズマCVD法により積層する(図2(a))。
次いで、積層されたシリコン窒化膜22に対して、通常のフォトリソグラフィー工程により、シリコン窒化膜コア層15及びシリコン窒化膜コア層13にそれぞれ対応するW1、W2の幅の異なるストライプを、シリコン窒化膜テーパコア層14に対応するテーパ状のストライプを挟んで連続的に接続するようにパターニング形成する(図2(b))。
続いて、パターニング形成されたシリコン窒化膜22のストライプパターン、即ちシリコン窒化膜コア層13、シリコン窒化膜テーパコア層14、シリコン窒化膜コア層15をマスクとして、LOCOS法による熱酸化を行う(図2(c))。LOCOS酸化では、マスク以外のシリコン層21の上面から酸化種(酸素イオン)が拡散しながら、SiO2膜を形成するので、マスクの両側ではSiO2層(シリコン酸化膜)23が形成される。
最後の製造工程では、CVDプロセスにより、第一のコア層、即ちシリコンコア層16及びシリコンテーパコア層17と、第二のコア層、即ちシリコン窒化膜コア層13、シリコン窒化膜テーパコア層14、及びシリコン窒化膜コア層15とが、第二及び第三のクラッド層、すなわちクラッド層12となるシリコン酸化膜で埋め込まれる(図2(d))。
まず、シリコン基板10上部に、第一にクラッド層となるシリコン酸化膜11と、第一のコア層となるシリコン上部層21とを順次形成し、SOI基板を作成する。このSOI基板のシリコン上部層21の上面に、プラズマCVD法により、シリコン窒化膜22を積層する(図5(a))。
次いで、積層されたシリコン窒化膜22に対し、通常のフォトリソグラフィー工程により、シリコンテーパコア層40に対応するテーパ状のストライプ18と、シリコンコア層41に対応する直線状のストライプ19とが連続的に接続するようにパターニング形成する(図5(b))。
続いて、パターニング形成されたシリコン窒化膜22のストライプパターン18、19をマスクとして、LOCOS法による熱酸化を行う(図5(c))。LOCOS酸化では、マスク以外のシリコン層21の上面から酸化種(酸素イオン)が拡散しながら、SiO2膜を形成するので、マスクの両側ではSiO2層(シリコン酸化膜)23が形成される。
次に、シリコン窒化膜のマスクを構成するストライプパターン18、19を全てエッチング除去し、そのマスク下部に形成されたシリコン上部層21から成る第一のコア層、即ちシリコンテーパコア層40及びシリコンコア層41を露出させる。その後に、CVD法により、そのシリコンテーパコア層40及びシリコンコア層41を、第二のクラッド層となるシリコン酸化膜12で埋め込む(図5(d))。
本発明の他の実施形態に係る光導波路において、テーパ導波路部の第一のコア層の断面積が単調縮小する先端側において第一のコア層が消失しており、第一のコア層上部には、第二のクラッド層よりも屈折率の高い誘電体材料をパターニングすることにより形成された第二のコア層が装荷されており、第二のコア層の幅は、光の伝播方向に沿って第一のコア層と同様に単調変化する部分を有しており、前記第一のコア層が消失した領域の上部にも一定の幅を有する第二のコア層が形成されており、第二のコア層上部には、第二のコア層よりも屈折率の低い材料で構成された第三のクラッド層が形成されていてもよい。
である。
Claims (14)
- 半導体基板上に形成された第一のクラッド層と、
前記第一のクラッド層上部に前記第一のクラッド層よりも屈折率の高い半導体材料で形成された第一のコア層と、
前記第一のコア層上部に前記第一のコア層よりも屈折率の低い材料で形成された第二のクラッド層とを有する光導波路であって、
前記第一のコア層の幅は、部分的に熱酸化した酸化膜で挟まれた非酸化の半導体材料の幅で規定されており、
前記第一のコア層の厚さは、前記部分的に熱酸化した酸化膜と前記第一のクラッド層とで挟まれた非酸化の半導体材料の厚さで規定されており、
前記光導波路の少なくとも入出力部分に前記第一のコア層の幅および厚さが共に光の伝播方向に対して単調に減少或いは増加するテーパ状の導波路部分を有することを特徴とする光導波路。 - 請求項1記載の光導波路であって、
前記テーパ導波路部の前記第一のコア層の断面積が単調縮小する先端側において前記第一のコア層が消失しており、
前記第一のコア層上部には、前記第二のクラッド層よりも屈折率の高い誘電体材料をパターニングすることにより形成された第二のコア層が装荷されており、
前記第二のコア層の幅は、光の伝播方向に沿って前記第一のコア層と同様に単調変化する部分を有しており、
前記第一のコア層が消失した領域の上部にも一定の幅を有する前記第二のコア層が形成されており、
前記第二のコア層上部には、前記第二のコア層よりも屈折率の低い材料で構成された第三のクラッド層が形成されていることを特徴する光導波路。 - 請求項1又は2に記載の光導波路であって、
前記第一のコア層の断面積が単調縮小するテーパ導波路部の先端側において第一のコア層が消失しており、
前記第一のコア層上部には、前記第二のクラッド層よりも屈折率の高い誘電体材料をパターニングすることにより形成された第二のコア層が装荷されており、
前記第二のコア層の幅は、光の伝播方向に沿って前記第一のコア層と同様に単調変化する部分を有しており、
前記第一のコア層が消失した領域の上部にも一定の幅を有する第二のコア層が形成されており、
前記第一のコア層の高さの中心は、光の伝搬方向である導波路方向に沿って単調に前記第二のコア層に接近するように形成されており、
前記第二のコア層上部には、前記第二のコア層よりも屈折率の低い材料で構成された第三のクラッド層が形成されていることを特徴とする光導波路。 - 請求項2又は3に記載の光導波路であって、
前記第三のクラッド層がポリマー材料で形成されることを特徴とする光導波路。 - 請求項2又は3に記載の光導波路であって、
前記第一のコア層がシリコンで形成され、前記第二及び第三のクラッド層がシリコン酸化膜で形成されることを特徴とする光導波路。 - 請求項2又は3に記載の光導波路であって、
前記第二のコア層がシリコン窒化膜で形成されることを特徴とする光導波路。 - 光導波路の製造方法であって、
シリコン基板上のシリコン酸化膜上面に形成されたシリコン上部層を有するSOI(Silicon on Insulator)基板の前記シリコン上部層上面にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を単調に幅が変化するテーパ形状を部分的に有するストライプ状にパターニング形成する工程と、
パターニング形成された前記シリコン窒化膜をマスクとしてLOCOS(Local oxidation of Silicon)酸化を行うことにより、第二のクラッド層を形成すると同時に、前記シリコン窒化膜下部に前記ストライプ方向に幅が単調に狭窄し、かつ、厚さも単調に減少したシリコンの第一のコア層を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を除去する工程と、
前記シリコン窒化膜を除去した後に第三のクラッド層を積層する工程とを備えることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 光導波路の製造方法であって、
シリコン基板上のシリコン酸化膜上面に形成されたシリコン上部層を有するSOI(Silicon on Insulator)基板の前記シリコン上部層上面にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を単調に幅が変化するテーパ形状を部分的に有するストライプ状にパターニング形成する工程と、
パターニング形成された前記シリコン窒化膜をマスクとしてLOCOS(Local oxidation of Silicon)酸化を行うことにより、第二のクラッド層を形成すると同時に、前記シリコン窒化膜下部に前記ストライプ方向に幅が単調に狭窄し、かつ、厚さも単調に減少し、さらに前記テーパ先端部ではシリコン層が消失するように、第一のコア層を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上部に第三のクラッド層を積層する工程とを備えることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 光導波路の製造方法であって、
シリコン基板上のシリコン酸化膜上面に形成されたシリコン上部層を有するSOI(Silicon on Insulator)基板の前記シリコン上部層上面にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を単調に幅が変化するテーパ形状を部分的に有するストライプ状にパターニング形成する工程と、
パターニング形成された前記シリコン窒化膜をマスクとしたエッチング工程により前記シリコン上部層の一部を除去してシリコンメサを形成する工程と、
前記シリコン窒化膜をマスクとして、前記シリコンメサをLOCOS(Local oxidation of Silicon)酸化することにより、前記シリコン窒化膜下部に前記ストライプ方向に幅が単調に狭窄し、かつ、厚さも単調に減少し、さらに前記テーパ先端部ではシリコン層が消失するように、前記第一のシリコンコア層を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上部に前記第三のクラッド層を積層する工程とを備えることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の光導波路の製造方法であって、
前記第三のクラッド層を形成する工程として、シリコン酸化膜をCVD(Chemical Vapor Deposition)法で積層する工程を用いることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の光導波路の製造方法であって、
前記第三のクラッド層を形成する工程として、シリコン酸化膜をスパッタリング法で積
層する工程を用いることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の光導波路の製造方法であって、
前記第三のクラッド層を形成する工程として、ポリマー膜をスピン塗布法により形成する工程を用いることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の光導波路を用いたことを特徴とするスポットサイズ変換器。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の光導波路を用いたことを特徴とする方向性結合器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009503987A JP5413810B2 (ja) | 2007-03-14 | 2008-03-05 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007065083 | 2007-03-14 | ||
JP2007065083 | 2007-03-14 | ||
JP2008023778 | 2008-02-04 | ||
JP2008023778 | 2008-02-04 | ||
JP2009503987A JP5413810B2 (ja) | 2007-03-14 | 2008-03-05 | 光導波路及びその製造方法 |
PCT/JP2008/053924 WO2008111447A1 (ja) | 2007-03-14 | 2008-03-05 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008111447A1 true JPWO2008111447A1 (ja) | 2010-06-24 |
JP5413810B2 JP5413810B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=39759390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009503987A Active JP5413810B2 (ja) | 2007-03-14 | 2008-03-05 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8126301B2 (ja) |
JP (1) | JP5413810B2 (ja) |
WO (1) | WO2008111447A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019086385A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 日本電信電話株式会社 | オンウェハ光特性検査用回路および検査方法 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8126301B2 (en) * | 2007-03-14 | 2012-02-28 | Nec Corporation | Optical waveguide and method for producing the same |
JP5104808B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | 光導波路の製造方法 |
JP5416003B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-02-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光導波路素子、半導体光導波路アレイ素子、およびその製造方法 |
JP5691216B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-04-01 | 富士通株式会社 | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
EP2442165B1 (en) | 2010-10-15 | 2015-04-15 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Coupling methods and systems using a taper |
US9268089B2 (en) * | 2011-04-21 | 2016-02-23 | Octrolix Bv | Layer having a non-linear taper and method of fabrication |
WO2013010058A1 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Innolume Gmbh | Adiabatic mode-profile conversion by selective oxidation for photonic integrated circuit |
US9185404B2 (en) * | 2011-10-07 | 2015-11-10 | Qualcomm Incorporated | Performing transform dependent de-blocking filtering |
US8995800B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-03-31 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Method of fabricating silicon waveguides with embedded active circuitry |
US9020317B2 (en) | 2012-10-11 | 2015-04-28 | Octrolix Bv | Surface waveguide having a tapered region and method of forming |
US9221074B2 (en) | 2012-10-11 | 2015-12-29 | Octrolix Bv | Stress-tuned planar lightwave circuit and method therefor |
US9922887B2 (en) * | 2012-12-11 | 2018-03-20 | Acacia Communications, Inc. | Wafer-scale testing of photonic integrated circuits using horizontal spot-size converters |
JP5773552B2 (ja) | 2013-09-20 | 2015-09-02 | 沖電気工業株式会社 | 光素子の製造方法及び光素子 |
CN106068470B (zh) | 2014-03-07 | 2020-01-31 | 日本电气株式会社 | 光波导和以及使用其的光学部件和可变波长激光器 |
JP6295762B2 (ja) | 2014-03-25 | 2018-03-20 | 日本電気株式会社 | 光集積回路とその製造方法 |
JP5759039B1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-08-05 | 日本電信電話株式会社 | 光結合構造 |
CN106164723B (zh) * | 2014-04-08 | 2020-04-28 | 华为技术有限公司 | 使用绝热锥形波导的边缘耦合 |
JP2016024438A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
JP6394285B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-09-26 | 富士通株式会社 | 光導波路、スポットサイズ変換器及び光装置 |
US20230296853A9 (en) | 2015-10-08 | 2023-09-21 | Teramount Ltd. | Optical Coupling |
US20210003777A1 (en) * | 2019-01-23 | 2021-01-07 | Teramount Ltd. | Waveguide mode coupling |
JP6730801B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2020-07-29 | 新光電気工業株式会社 | 光導波路の製造方法 |
JP2017134348A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | 光導波シート、光伝送モジュール及び光導波シートの製造方法 |
WO2017135436A1 (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | 古河電気工業株式会社 | 光素子及びその製造方法、並びに光変調器 |
JP6387373B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2018-09-05 | 株式会社フジクラ | 微小光回路および光モード変換器 |
JP6872329B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2021-05-19 | 富士通株式会社 | 光ファイバ搭載光集積回路装置 |
US10054740B2 (en) * | 2016-12-29 | 2018-08-21 | Intel Corporation | Waveguide transition structure and fabrication method |
WO2018179752A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光導波路、光学式濃度測定装置および光導波路の製造方法 |
CN107329208B (zh) * | 2017-07-10 | 2023-05-09 | 熠谱(上海)半导体制造有限公司 | 一种折射率梯度变化的硅光子模斑转换器 |
CN108983352B (zh) * | 2018-08-29 | 2020-08-07 | 南通赛勒光电科技有限公司 | 一种端面耦合器及其制备方法 |
US10473858B1 (en) * | 2019-02-08 | 2019-11-12 | Finisar Corporation | Waveguide routing configurations and methods |
JP7306125B2 (ja) * | 2019-07-18 | 2023-07-11 | 住友電気工業株式会社 | スポットサイズ変換器およびその製造方法 |
WO2021178727A1 (en) * | 2020-03-04 | 2021-09-10 | The Regents Of The University Of California | Evanescent coupler mode converters |
GB2601842B (en) * | 2020-06-09 | 2023-01-18 | Rockley Photonics Ltd | Optoelectronic device and method of manufacture thereof |
GB2596060A (en) * | 2020-06-09 | 2021-12-22 | Rockley Photonics Ltd | Optoelectronic device and method of manufacture thereof |
JPWO2022254701A1 (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | ||
WO2023243014A1 (ja) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路接続構造 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5682455A (en) * | 1996-02-29 | 1997-10-28 | Northern Telecom Limited | Semiconductor optical waveguide |
US5793913A (en) * | 1996-07-10 | 1998-08-11 | Northern Telecom Limited | Method for the hybrid integration of discrete elements on a semiconductor substrate |
JP3734900B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2006-01-11 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光導波路構造、光デバイス、及び、それらの製造方法 |
JP3976514B2 (ja) | 2001-04-05 | 2007-09-19 | 日本電気株式会社 | 光導波路の製造方法 |
JP3795848B2 (ja) | 2002-10-03 | 2006-07-12 | 日本電信電話株式会社 | 光平面回路型光学素子の製造方法 |
JP3890046B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2007-03-07 | 日本電信電話株式会社 | 平面回路型光学素子の製造方法 |
JP4195992B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-12-17 | パナソニック電工株式会社 | スポットサイズ変換器の製造方法 |
US8126301B2 (en) * | 2007-03-14 | 2012-02-28 | Nec Corporation | Optical waveguide and method for producing the same |
-
2008
- 2008-03-05 US US12/530,759 patent/US8126301B2/en active Active
- 2008-03-05 WO PCT/JP2008/053924 patent/WO2008111447A1/ja active Application Filing
- 2008-03-05 JP JP2009503987A patent/JP5413810B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019086385A (ja) * | 2017-11-07 | 2019-06-06 | 日本電信電話株式会社 | オンウェハ光特性検査用回路および検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5413810B2 (ja) | 2014-02-12 |
US20100086255A1 (en) | 2010-04-08 |
WO2008111447A1 (ja) | 2008-09-18 |
US8126301B2 (en) | 2012-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5413810B2 (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
EP1400822B1 (en) | Mode-field transforming planar optical waveguide device and manufacturing method | |
KR101121459B1 (ko) | 광섬유 및 평면 광학 도파관을 치밀하게 결합하는 방법 및장치 | |
JP2007072433A (ja) | 光集積素子及び光制御素子 | |
WO2008066160A1 (fr) | Convertisseur optique et procédé de fabrication afférent | |
JP2004133446A (ja) | 光モジュール及び製造方法 | |
KR20090006808A (ko) | 실리콘 구조 및 그 제조 방법 | |
TWI717994B (zh) | 波導管佈線組態及方法 | |
JP4377195B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
US9217827B2 (en) | Optical waveguide arrangements comprising an auxiliary waveguide-like structure | |
JP2004184986A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
JP4638749B2 (ja) | 熱光学位相変調器及びその製造方法 | |
JP4914396B2 (ja) | 光導波路の作製方法 | |
JP2014174335A (ja) | 半導体光導波路素子、半導体光導波路素子を作製する方法 | |
US20120201492A1 (en) | Optical branching element and optical branching circuit, and manufacturing method thereof | |
WO2009098829A1 (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
JP3890046B2 (ja) | 平面回路型光学素子の製造方法 | |
JP4259399B2 (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
JP3911271B2 (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
JP2013231753A (ja) | スポットサイズ変換器およびその製造方法 | |
JP2010175924A (ja) | 光結合器およびその製造方法 | |
JP3795848B2 (ja) | 光平面回路型光学素子の製造方法 | |
WO2011078033A1 (ja) | 平面光波回路及び平面光波回路の製造方法 | |
WO2023234111A1 (ja) | 光学素子および光学素子の製造方法 | |
WO2004008203A1 (en) | Planar waveguide with tapered region |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101019 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101019 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5413810 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131103 |