JPWO2007125801A1 - 表示装置、複合表示装置 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 7
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
【要 約】【課題】薄膜トランジスタで駆動でき、高輝度の表示装置を提供する。【解決手段】低電圧駆動の無機発光層１２１と制御トランジスタ１０５とを基板１１１上に形成し、無機発光層１２１に印加する電圧を制御トランジスタ１０５で制御する。無機発光層１２１は熱やダメージに強いので、スパッタリング法によって形成することが可能である。トップエミッション型の表示装置とボトムエミッション型の表示装置を同じ基板上に形成し、同じ位置から発光光を放射させることもできる。
Description
本発明は、薄型の表示装置の技術分野に係り、特に、無機発光層を用いた表示装置に関する。
現在、有機ＥＬ素子を使用した表示装置や発光装置が開発されている。
しかし、有機ＥＬ素子に使用される有機材料は水分等により劣化し寿命が短いことに問題がある。また、有機ＥＬ素子の有機層はダメージに弱いため、スパッタリングによる成膜ができないし、有機層上に形成する薄膜もスパッタリング法を用いることが困難である。
また、カラー表示パネルを作成する場合は、三色に対応した異なる材料の有機薄膜を形成する必要があり、大面積化が困難な上に、表示装置が高価になるという欠点もある。
しかし、有機ＥＬ素子に使用される有機材料は水分等により劣化し寿命が短いことに問題がある。また、有機ＥＬ素子の有機層はダメージに弱いため、スパッタリングによる成膜ができないし、有機層上に形成する薄膜もスパッタリング法を用いることが困難である。
また、カラー表示パネルを作成する場合は、三色に対応した異なる材料の有機薄膜を形成する必要があり、大面積化が困難な上に、表示装置が高価になるという欠点もある。
無機ＥＬ素子に使用される無機材料は、有機ＥＬに比べ、寿命が長い点で優れている。さらに、無機ＥＬは、ダメージに強いため、スパッタリング等の多種類の成膜方法が選択可能で、大型基板への対応が容易である。
しかし、従来の無機ＥＬは発光させるために１００Ｖ程度の電圧を印加することが必要であり、薄膜トランジスタなどの駆動回路で制御することができない。
薄膜トランジスタを使用して無機ＥＬ素子を駆動し、ディスプレイを製造したとする文献は存在するが、高電圧が必要なため、量産技術には至っておらず、無機ＥＬは高密度のディスプレイなどには使用されていない。
しかし、従来の無機ＥＬは発光させるために１００Ｖ程度の電圧を印加することが必要であり、薄膜トランジスタなどの駆動回路で制御することができない。
薄膜トランジスタを使用して無機ＥＬ素子を駆動し、ディスプレイを製造したとする文献は存在するが、高電圧が必要なため、量産技術には至っておらず、無機ＥＬは高密度のディスプレイなどには使用されていない。
近年、従来技術より低い電圧で発光する無機ＥＬ材料が開発されている（特許文献１）。具体的にはＺｎＳを含む無機ＥＬ材料は、数ボルト（１０ボルト以下）の電圧で高輝度で発光することが知られており、低電圧であることにより薄膜トランジスタによる発光制御の可能性が期待され、高輝度であることから、白色無機ＥＬとカラーフィルタを使用したカラー表示装置の量産化が期待されている。
特開２００５−３３６２７５号公報
本願は、低電圧で発光する無機ＥＬ素子を使用して、ＴＦＴ駆動が可能な表示装置およびディスプレイを提供する。
上記課題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板上に配置された画素電極と、前記画素電極上に配置された無機発光層と、前記無機発光層上に配置された対向電極と、導通すると前記画素電極と前記対向電極の間に電圧を印加し、前記無機発光層を発光させる薄膜トランジスタとを有する表示装置である。
また、本発明は、前記基板と、前記画素電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記画素電極と前記基板とを透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記基板を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記対向電極を透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記無機発光層は、例えば硫化亜鉛を含む表示装置である。
また、本発明は、基板の片面上に、第一の画素電極と第一の無機発光層と第一の対向電極と第一の薄膜トランジスタとが配置され、前記基板の反対側の面には、第二の画素電極と第二の無機発光層と第二の対向電極と第二の薄膜トランジスタとが配置され、前記基板と、前記第一、第二の画素電極と、前記第二の対向電極は透明性を有し、前記第一、第二の薄膜トランジスタが導通すると、前記第一の画素電極と前記第一の対向電極の間と、前記第二の画素電極と前記第二の対向電極の間に電圧が印加され、前記第一、第二の無機発光層がそれぞれ発光するように構成され、前記第二の無機発光層は、前記第一の無機発光層の真裏に位置し、前記第一の無機発光層の発光光は、前記第一の画素電極と前記基板と前記第二の画素電極をこの順番で透過して前記第二の無機発光層に照射され、更に、前記第二の無機発光層と前記第二の対向電極を透過して外部に放出され、前記第二の無機発光層の発光光は、前記第二の対向電極を透過して外部に放出されるように構成された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第二の対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第一、第二の無機発光層は、例えば硫化亜鉛を含む複合表示装置である。
また、本発明は、前記基板と、前記画素電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記画素電極と前記基板とを透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記基板を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記対向電極を透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記無機発光層は、例えば硫化亜鉛を含む表示装置である。
また、本発明は、基板の片面上に、第一の画素電極と第一の無機発光層と第一の対向電極と第一の薄膜トランジスタとが配置され、前記基板の反対側の面には、第二の画素電極と第二の無機発光層と第二の対向電極と第二の薄膜トランジスタとが配置され、前記基板と、前記第一、第二の画素電極と、前記第二の対向電極は透明性を有し、前記第一、第二の薄膜トランジスタが導通すると、前記第一の画素電極と前記第一の対向電極の間と、前記第二の画素電極と前記第二の対向電極の間に電圧が印加され、前記第一、第二の無機発光層がそれぞれ発光するように構成され、前記第二の無機発光層は、前記第一の無機発光層の真裏に位置し、前記第一の無機発光層の発光光は、前記第一の画素電極と前記基板と前記第二の画素電極をこの順番で透過して前記第二の無機発光層に照射され、更に、前記第二の無機発光層と前記第二の対向電極を透過して外部に放出され、前記第二の無機発光層の発光光は、前記第二の対向電極を透過して外部に放出されるように構成された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第二の対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第一、第二の無機発光層は、例えば硫化亜鉛を含む複合表示装置である。
無機発光材料は有機発光材料に比べてダメージに強く長寿命が期待できる。
無機発光層をスパッタリング法によって形成することができる。
無機発光層上に形成する対向電極をスパッタリング法によって形成することができる。
無機発光層は低電圧駆動が可能なので、薄膜トランジスタによって発光を制御することができる。
また、無機発光層は熱に強いので、同じ基板上にボトムエミッション型の表示装置とトップエミッション型の表示装置を配置し、それらの発光光を重ねることもできる。
硫化亜鉛を含有する薄膜を無機発光層とすれば高輝度であり、発光させるための電圧も１０Ｖ以下の低電圧で済む。
無機発光層をスパッタリング法によって形成することができる。
無機発光層上に形成する対向電極をスパッタリング法によって形成することができる。
無機発光層は低電圧駆動が可能なので、薄膜トランジスタによって発光を制御することができる。
また、無機発光層は熱に強いので、同じ基板上にボトムエミッション型の表示装置とトップエミッション型の表示装置を配置し、それらの発光光を重ねることもできる。
硫化亜鉛を含有する薄膜を無機発光層とすれば高輝度であり、発光させるための電圧も１０Ｖ以下の低電圧で済む。
１１、２１……表示装置
３１……複合表示装置
１００、１１１、２１１……基板
１０５、２０５……制御トランジスタ
１１８、２１８……画素電極
１２１、２２１……無機発光層
１２３、２２３……対向電極
１４１、２４１、３４１……カラーフィルタ
３１……複合表示装置
１００、１１１、２１１……基板
１０５、２０５……制御トランジスタ
１１８、２１８……画素電極
１２１、２２１……無機発光層
１２３、２２３……対向電極
１４１、２４１、３４１……カラーフィルタ
液晶有機ＥＬのアクティブマトリックスのＴＦＴタイプを参考に実施例を記載する。
図１、図２の符号１１、２１は、本発明の一例の表示装置であり、図１の表示装置はボトムエミッション型、図２の表示装置２１はトップエミッション型である。ＴＦＴは、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、又はポリシリコンで形成することができる。
これらの表示装置１１、２１は、基板１１１、２１１をそれぞれ有しており、各基板１１１、２１１上には絶縁膜１１２、２１２がそれぞれ形成され、絶縁膜１１２、２１２上には一乃至複数個の薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)が配置されている。
これらの表示装置１１、２１は、基板１１１、２１１をそれぞれ有しており、各基板１１１、２１１上には絶縁膜１１２、２１２がそれぞれ形成され、絶縁膜１１２、２１２上には一乃至複数個の薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)が配置されている。
図１、２には、薄膜トランジスタのうち、符号１０５、２０５で示される制御トランジスタが示されている。
制御トランジスタ１０５、２０５の上には、第一の絶縁膜１１４、２１４が配置されており、第一の絶縁膜１１４、２１４の表面には、パターニングされたソース電極１１６ｓ、２１６ｓとドレイン電極１１６ｄ、２１６ｄがそれぞれ配置されている。
制御トランジスタ１０５、２０５の上には、第一の絶縁膜１１４、２１４が配置されており、第一の絶縁膜１１４、２１４の表面には、パターニングされたソース電極１１６ｓ、２１６ｓとドレイン電極１１６ｄ、２１６ｄがそれぞれ配置されている。
制御トランジスタ１０５、２０５は、ゲート電極１３１、２３１と、ゲート絶縁膜１３２、２３２と、半導体層１３３、２３３とを有している。ゲート絶縁膜１３２、２３２は、ゲート電極１３１、２３１と半導体層１３３、２３３で挟まれている。
半導体層１３３、２３３上の、両端位置には、半導体層１３３、２３３とは逆の導電型のソース領域１３４ｓ、２３４ｓとドレイン領域１３４ｄ、２３４ｄが配置されている。
半導体層１３３、２３３上の、両端位置には、半導体層１３３、２３３とは逆の導電型のソース領域１３４ｓ、２３４ｓとドレイン領域１３４ｄ、２３４ｄが配置されている。
ソース電極１１６ｓ、２１６ｓとドレイン電極１１６ｄ、２１６ｄとは、それぞれソース領域１３４ｓ、２３４ｓとドレイン領域１３４ｄ、２３４ｄとに接続されている。
ゲート電極１３１、２３１に、後述するように電圧が印加され、半導体層１３３、２３３に反転層が形成され、ソース領域１３４ｓ、２３４ｓとドレイン領域１３４ｄ、２３４ｄとが反転層で接続されると、制御トランジスタ１０５、２０５は導通するように構成されている。
ドレイン電極１１６ｄ、２１６ｄと、ソース電極１１６ｓ、２１６ｓの上には第二の絶縁膜１１７、２１７が配置され、第二の絶縁膜１１７、２１７の上にはパターニングされた複数の画素電極１１８、２１８が配置されている。
ここでは、第二の絶縁膜１１７、２１７には導電性のプラグ１１９、２１９が埋め込まれており、ソース電極１１６ｓ、２１６ｓと画素電極１１８、２１８の間は、プラグ１１９、２１９によって電気的に接続されている。
画素電極１１８、２１８の間には、各画素電極１１８、２１８間を分離させる絶縁性の隔壁１２２、２２２が形成されており、隔壁１２２、２２２で区切られた領域内には、無機発光層１２１、２２１が配置されている。無機発光層１２１、２２１の底面は、画素電極１１８、２１８と接触している。
無機発光層１２１、２２１の表面には、対向電極１２３、２２３が配置されており、更に、対向電極１２３、２２３の表面には、保護膜１２４、２２４が配置されている。無機発光層１２１、２２１の表面は、対向電極１２３、２２３と接触している。
図１のボトムエミッション型の表示装置１１では、基板１１１の裏面にカラーフィルタ１４１が配置されており、図２のトップエミッション型の表示装置２１では、対向電極２２３上にカラーフィルタ２４１が配置されている。
カラーフィルタ１４１、２４１は、Ｒ、Ｇ、又はＢ(Ｒは赤色、Ｇは緑色、Ｂは青色を表わす)に対応した透過部１４２、２４２と、透過部１４２間に配置され、遮光性のブラックマトリクス１４３、２４３とを有しており、隣接する透過部１４２、２４２を透過した光が混じり合わずにＲ、Ｇ又はＢの一色に着色されるように構成されている。
カラーフィルタ１４１、２４１は、Ｒ、Ｇ、又はＢ(Ｒは赤色、Ｇは緑色、Ｂは青色を表わす)に対応した透過部１４２、２４２と、透過部１４２間に配置され、遮光性のブラックマトリクス１４３、２４３とを有しており、隣接する透過部１４２、２４２を透過した光が混じり合わずにＲ、Ｇ又はＢの一色に着色されるように構成されている。
ボトムエミッション型の表示装置１１では、基板１１１が透明性を有する他、画素電極１１８や第一、第二の絶縁膜１１４、１１７等の無機発光層１２１と底面下の基板１１１の間に位置する部材は透明性を有しており、無機発光層１２１に電圧が印加され、無機発光層１２１が発光すると、発光光は、無機発光層１２１の底面下に位置する画素電極１１８等の部材と基板１１１とを透過し、基板１１１の裏面側に射出されるように構成されている。
基板１１１の裏面側に射出された発光光はカラーフィルタ１４１の透過部１４２を透過し、Ｒ、Ｇ、又はＢのいずれかの色の光になる。
基板１１１の裏面側に射出された発光光はカラーフィルタ１４１の透過部１４２を透過し、Ｒ、Ｇ、又はＢのいずれかの色の光になる。
図２のトップエミッション型の表示装置２１では、対向電極２２３や保護膜２２４等の無機発光層２２１よりも、上側に位置する部材は透明性を有しており、無機発光層２２１から射出された発光層は対向電極２２３等を透過し外部に放射される。トップエミッション型の表示装置２１では、発光光は基板２１１を透過しない。
対向電極２２３を透過し、外部に放射された発光光はカラーフィルタ２４１の透過部２４２を透過し、ボトムエミッション型の表示装置１１と同様に、Ｒ、Ｇ、又はＢのいずれかの色の光になる。
対向電極２２３を透過し、外部に放射された発光光はカラーフィルタ２４１の透過部２４２を透過し、ボトムエミッション型の表示装置１１と同様に、Ｒ、Ｇ、又はＢのいずれかの色の光になる。
図４は、表示装置１１、２１の内部を説明するための概略平面図であり、金属膜によって、走査線ＬSとデータ線ＬDが形成されている(電源電圧線Ｌddは省略する)。走査線ＬSとデータ線ＬDは基板１１１、２１１上で格子状に配置されている。
符号３１０は、走査線ＬSとデータ線ＬDによって囲まれた画素領域であり、基板１１１、２１１上には、多数の画素領域３１０が行列状に配置されている。各画素領域３１０の内側には、各画素領域３１０毎に、無機発光層１２１、２２１が位置する画素部３０１と、発光を制御する回路が位置する回路部３０２とが配置されている。
図５(ａ)は、本発明の表示装置１１、２１を駆動する回路の模式図であり、ここでは無機発光層１２１、２２１に直流の電源電圧Ｖddを印加して発光させる直流駆動方式の回路が示されている。
回路部３０２は、上記制御トランジスタ１０５、２０５と、蓄積容量３２２と、選択トランジスタ３２１が配置されている。
回路部３０２は、上記制御トランジスタ１０５、２０５と、蓄積容量３２２と、選択トランジスタ３２１が配置されている。
制御トランジスタ１０５、２０５のソース電極は画素電極１１８、２１８に接続されている。画素電極１１８、２１８は無機発光層１２１、２２１の片側の面に密着されており、無機発光層１２１、２２１の反対側の面は、対向電極１２３、２２３に密着されている。対向電極１２３、２２３は接地電位に接続されている。
制御トランジスタ１０５、２０５のドレイン電極は、電源電圧線Ｌddに接続されて、ゲート電極は、選択トランジスタ３２１を介してデータ線ＬDに接続されている。選択トランジスタ３２１のゲート端子は走査線ＬSに接続されており、走査線ＬSに印加されたゲート電圧の極性又は大きさにより、選択トランジスタ３２１が導通すると制御トランジスタ１０５、２０５のゲート電極はデータ線ＬDに接続される。選択トランジスタ３２１が遮断すると、制御トランジスタ１０５、２０５のゲート電極はデータ線ＬDから切り離される。
ゲート電極がデータ線ＬDに接続されると、データ線ＬDの電圧の極性又は大きさにより、制御トランジスタ１０５、２０５は、導通又は遮断する。
ゲート電極がデータ線ＬDに接続されると、データ線ＬDの電圧の極性又は大きさにより、制御トランジスタ１０５、２０５は、導通又は遮断する。
制御トランジスタ１０５、２０５が導通すると、画素電極１１８、２１８は電源電圧線Ｌddに接続され、無機発光層１２１、２２１に電源電圧Ｖddが印加され、発光する。
制御トランジスタ１０５、２０５のゲート電極とドレイン電極の間は、蓄積容量３２２で接続されており、制御トランジスタ１０５、２０５が導通状態では、蓄積容量３２２はゲート電極に接続されたデータ線ＬDの電圧によって充電される。
その状態で選択トランジスタ３２１が遮断すると、蓄積容量３２２の充電電圧によって制御トランジスタ１０５、２０５の導通が維持される。
制御トランジスタ１０５、２０５のゲート電極とドレイン電極の間は、蓄積容量３２２で接続されており、制御トランジスタ１０５、２０５が導通状態では、蓄積容量３２２はゲート電極に接続されたデータ線ＬDの電圧によって充電される。
その状態で選択トランジスタ３２１が遮断すると、蓄積容量３２２の充電電圧によって制御トランジスタ１０５、２０５の導通が維持される。
その後、データ線ＬDの電圧が、制御トランジスタ１０５、２０５を遮断させる極性又は大きさに変化した後、選択トランジスタ３２１が導通し、制御トランジスタ１０５、２０５のゲート電極がデータ線ＬDに接続されると、制御トランジスタ１０５、２０５は遮断し、それと共に、蓄積容量３２２の充電電圧も放電され、発光は停止する。
同図(ｂ)は、液晶表示装置の場合の駆動回路を示しており、液晶の等価回路である液晶容量ＣLは、一端が接地電位に接続され他端が選択トランジスタＴｒによってデータ線ＬDに接続されている。
液晶容量ＣLには、蓄積容量Ｃstが並列接続されている。
選択トランジスタＴｒのゲート電極は走査線ＬSに接続されており、選択トランジスタＴｒが導通すると、液晶容量ＣLと蓄積容量Ｃstは、一緒に充電又は放電するように構成されている。
液晶容量ＣLには、蓄積容量Ｃstが並列接続されている。
選択トランジスタＴｒのゲート電極は走査線ＬSに接続されており、選択トランジスタＴｒが導通すると、液晶容量ＣLと蓄積容量Ｃstは、一緒に充電又は放電するように構成されている。
本発明の蓄積容量３２２は、上記例では制御トランジスタ１０５、２０５のゲート電極とドレイン電極の間に接続されていたが、液晶表示装置のように、選択トランジスタ３２１の一端と接地電位との間に接続してもよい。
本発明に用いられる無機発光層１２１、２２１は、有機化合物の発光層(有機ＥＬ層)と比べると、高温に加熱されても輝度が低下せず、また、熱分解しないという点で優れている。従って、無機発光層を形成した後、更に別の無機発光層を形成しても、先に形成された無機発光層が後の無機発光層を形成するときの熱によって劣化するようなことがなく、無機発光層を複数層積層させることもできるし、基板の片面に無機発光層を形成した後、基板の反対側の面に、別の発光層を形成することもできる。
図３の符号３１は、本発明の複合表示装置を示している。この複合表示装置３１について、図１、２と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略すると、該複合表示装置３１は、透明性を有する基板１００の片面と反対側の面に、それぞれ無機発光層１２１、２２１が形成されている。その無機発光層１２１、２２１のうち、一方の無機発光層１２１によって、基板１００の片面側にボトムエミッション型の表示装置３３１が構成され、他方の無機発光層２２１によって、基板１００の反対側の面にトップエミッション型の表示装置３３２が構成されている。
基板１００を共通にする他、他の部材は、図１、２の表示装置１１、２１と同じであるが、図２のトップエミッション型の表示装置２１では、画素電極２１８は透明である必要はないのに対し、この複合表示装置３１では、トップエミッション型の表示装置３３２の画素電極２１８は透明導電膜であり、基板１００も透明である。
ボトムエミッション型の表示装置３３１の無機発光層１２１から放射された発光光は、ボトムエミッション型の表示装置３３１の内部と基板１００とトップエミッション型の表示装置３３２の画素電極２１８を透過し、トップエミッション型の表示装置３３２の無機発光層２２１に到達し、無機発光層２２１と対向電極２２３を透過し、外部に放射される。
即ち、ボトムエミッション型の表示装置３３１から放出された発光光は、トップエミッション型の表示装置３３２の内部を透過して外部に放射される。
トップエミッション型の表示装置３３２の無機発光層２２１から放射された発光光は、トップエミッション型の表示装置３３２の内部の対向電極２２３を透過して外部に放射される。
即ち、ボトムエミッション型の表示装置３３１から放出された発光光は、トップエミッション型の表示装置３３２の内部を透過して外部に放射される。
トップエミッション型の表示装置３３２の無機発光層２２１から放射された発光光は、トップエミッション型の表示装置３３２の内部の対向電極２２３を透過して外部に放射される。
このように、図３の複合表示装置３１では、トップエミッション型の表示装置３３２の発光光が放射される位置から、ボトムエミッション型の表示装置３３１の発光光も放射されるので、それらの発光光が同時に放射されると、合計の光量になり、高輝度である。
トップエミッション型の表示装置３３２の表面位置には、カラーフィルタ３４１が配置されている。
このカラーフィルタ３４１も上記カラーフィルタ１４１、２４１と同様に、Ｒ、Ｇ、又はＢの透過部３４２とブラックマトリクス３４３とを有している。透過部３４２は、複合表示装置３１から放射される発光光が到達する位置に配置されており、発光光が透過部３４２を透過すると、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかに着色される。
このカラーフィルタ３４１も上記カラーフィルタ１４１、２４１と同様に、Ｒ、Ｇ、又はＢの透過部３４２とブラックマトリクス３４３とを有している。透過部３４２は、複合表示装置３１から放射される発光光が到達する位置に配置されており、発光光が透過部３４２を透過すると、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかに着色される。
なお、ボトムエミッション型の表示装置３３１とトップエミッション型の表示装置３３２が交代で発光する場合、各無機発光層１２１、２２１毎の発光時間は短くなるから、長寿命になる。
この複合表示装置３１では、ボトムエミッション型の表示装置３３１の無機発光層１２１を先に形成し、トップエミッション型の表示装置３３２の無機発光層２２１を後に形成してもよいし、その逆の順番で形成してもよい。
また、ボトムエミッション型の表示装置３３１とトップエミッション型の表示装置３３２を別々に形成しておき、貼り合わせてもよい。
また、ボトムエミッション型の表示装置３３１とトップエミッション型の表示装置３３２を別々に形成しておき、貼り合わせてもよい。
上記各トランジスタは、多結晶シリコン、アモルファスシリコンの他、シリコン結晶に形成されていてもよい。
無機発光層１２１、２２１は、スパッタリング法で形成してもよいし、蒸着法で形成してもよいが、スパッタの方が大型基板に対応しやすい。また、無機発光材料の塗布と乾燥、或いは、塗布・乾燥と焼成によって形成してもよい。
無機発光層１２１、２２１は、スパッタリング法で形成してもよいし、蒸着法で形成してもよいが、スパッタの方が大型基板に対応しやすい。また、無機発光材料の塗布と乾燥、或いは、塗布・乾燥と焼成によって形成してもよい。
なお、上記各例では、直流の電源電圧Ｖddを印加して、無機発光層１２１、２２１を発光させたが、薄膜トランジスタによって制御する限り、交流電圧を印加して発光させてもよい。
上記課題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板上に配置された画素電極と、前記画素電極間に配置され、前記画素電極上に区切られた領域を形成する絶縁性の隔壁と、前記画素電極上の前記区切られた領域にそれぞれ配置された無機発光層と、前記無機発光層上に配置された対向電極と、導通すると前記画素電極と前記対向電極の間に電圧を印加し、前記無機発光層を発光させる薄膜トランジスタとを有する表示装置である。
また、本発明は、前記基板と、前記画素電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記画素電極と前記基板とを透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記基板を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記対向電極を透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記無機発光層は、硫化亜鉛を含む表示装置である。
また、本発明は、基板と、前記基板の片面上に配置された第一の画素電極と、前記基板の反対側の面上に配置された第二の画素電極と、前記第一の画素電極間に配置され、前記第一の画素電極上に区切られた領域を形成する絶縁性の第一の隔壁と、前記第二の画素電極間に配置され、前記第二の画素電極上に区切られた領域を形成する絶縁性の第二の隔壁と、前記第一、第二の画素電極上にそれぞれ配置された第一、第二の無機発光層と、前記第一の画素電極上の前記区切られた領域と前記第二の画素電極上の前記区切られた領域にそれぞれ配置された第一、第二の無機発光層と、前記第一、第二の無機発光層上にそれぞれ配置された第一、第二の対向電極と、導通すると前記第一画素電極と前記第一の対向電極の間に電圧を印加し、前記第一の無機発光層を発光させる第一の薄膜トランジスタと、導通すると前記第二画素電極と前記第二の対向電極の間に電圧を印加し、前記第二の無機発光層を発光させる第二の薄膜トランジスタとを有し、前記基板と、前記第一、第二の画素電極と、前記第二の対向電極は透明性を有し、前記第二の無機発光層は、前記第一の無機発光層の真裏に位置し、前記第一の無機発光層の発光光は、前記第一の画素電極と前記基板と前記第二の画素電極をこの順番で透過して前記第二の無機発光層に照射され、更に、前記第二の無機発光層と前記第二の対向電極を透過して外部に放出され、前記第二の無機発光層の発光光は、前記第二の対向電極を透過して外部に放出されるように構成された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第二の対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第一、第二の無機発光層は、例えば硫化亜鉛を含む複合表示装置である。
また、本発明は、前記画素電極と前記対向電極の間には直流電圧が印加される表示装置である。
また、本発明は、前記第一の画素電極と前記第一の対向電極の間には直流電圧が印加され、前記第二の画素電極と前記第二の対向電極の間には直流電圧が印加される複合表示装置である。
また、本発明は、前記基板と、前記画素電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記画素電極と前記基板とを透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記基板を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記対向電極を透過して外部に放出される表示装置である。
また、本発明は、前記対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された表示装置である。
また、本発明は、前記無機発光層は、硫化亜鉛を含む表示装置である。
また、本発明は、基板と、前記基板の片面上に配置された第一の画素電極と、前記基板の反対側の面上に配置された第二の画素電極と、前記第一の画素電極間に配置され、前記第一の画素電極上に区切られた領域を形成する絶縁性の第一の隔壁と、前記第二の画素電極間に配置され、前記第二の画素電極上に区切られた領域を形成する絶縁性の第二の隔壁と、前記第一、第二の画素電極上にそれぞれ配置された第一、第二の無機発光層と、前記第一の画素電極上の前記区切られた領域と前記第二の画素電極上の前記区切られた領域にそれぞれ配置された第一、第二の無機発光層と、前記第一、第二の無機発光層上にそれぞれ配置された第一、第二の対向電極と、導通すると前記第一画素電極と前記第一の対向電極の間に電圧を印加し、前記第一の無機発光層を発光させる第一の薄膜トランジスタと、導通すると前記第二画素電極と前記第二の対向電極の間に電圧を印加し、前記第二の無機発光層を発光させる第二の薄膜トランジスタとを有し、前記基板と、前記第一、第二の画素電極と、前記第二の対向電極は透明性を有し、前記第二の無機発光層は、前記第一の無機発光層の真裏に位置し、前記第一の無機発光層の発光光は、前記第一の画素電極と前記基板と前記第二の画素電極をこの順番で透過して前記第二の無機発光層に照射され、更に、前記第二の無機発光層と前記第二の対向電極を透過して外部に放出され、前記第二の無機発光層の発光光は、前記第二の対向電極を透過して外部に放出されるように構成された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第二の対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された複合表示装置である。
また、本発明は、前記第一、第二の無機発光層は、例えば硫化亜鉛を含む複合表示装置である。
また、本発明は、前記画素電極と前記対向電極の間には直流電圧が印加される表示装置である。
また、本発明は、前記第一の画素電極と前記第一の対向電極の間には直流電圧が印加され、前記第二の画素電極と前記第二の対向電極の間には直流電圧が印加される複合表示装置である。
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に配置された画素電極と、
前記画素電極上に配置された無機発光層と、
前記無機発光層上に配置された対向電極と、
導通すると前記画素電極と前記対向電極の間に電圧を印加し、前記無機発光層を発光させる薄膜トランジスタとを有する表示装置。 - 前記基板と、前記画素電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記画素電極と前記基板とを透過して外部に放出される請求項１記載の表示装置。
- 前記基板を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された請求項２記載の表示装置。
- 前記対向電極は透明性を有し、前記無機発光層から放出された発光光は、前記対向電極を透過して外部に放出される請求項１記載の表示装置。
- 前記対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された請求項４記載の表示装置。
- 前記無機発光層は、硫化亜鉛を含む請求項１記載の表示装置。
- 基板の片面上に、第一の画素電極と第一の無機発光層と第一の対向電極と第一の薄膜トランジスタとが配置され、
前記基板の反対側の面には、第二の画素電極と第二の無機発光層と第二の対向電極と第二の薄膜トランジスタとが配置され、
前記基板と、前記第一、第二の画素電極と、前記第二の対向電極は透明性を有し、
前記第一、第二の薄膜トランジスタが導通すると、前記第一の画素電極と前記第一の対向電極の間と、前記第二の画素電極と前記第二の対向電極の間に電圧が印加され、前記第一、第二の無機発光層がそれぞれ発光するように構成され、
前記第二の無機発光層は、前記第一の無機発光層の真裏に位置し、前記第一の無機発光層の発光光は、前記第一の画素電極と前記基板と前記第二の画素電極をこの順番で透過して前記第二の無機発光層に照射され、更に、前記第二の無機発光層と前記第二の対向電極を透過して外部に放出され、
前記第二の無機発光層の発光光は、前記第二の対向電極を透過して外部に放出されるように構成された複合表示装置。 - 前記第二の対向電極を透過した発光光が照射される位置にカラーフィルタが配置された請求項７記載の複合表示装置。
- 前記第一、第二の無機発光層は、硫化亜鉛を含む請求項７記載の複合表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008513160A JP4926169B2 (ja) | 2006-04-27 | 2007-04-18 | 複合表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006124141 | 2006-04-27 | ||
| JP2006124141 | 2006-04-27 | ||
| JP2008513160A JP4926169B2 (ja) | 2006-04-27 | 2007-04-18 | 複合表示装置の製造方法 |
| PCT/JP2007/058449 WO2007125801A1 (ja) | 2006-04-27 | 2007-04-18 | 表示装置、複合表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2007125801A1 true JPWO2007125801A1 (ja) | 2009-09-10 |
| JP4926169B2 JP4926169B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=38655328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008513160A Active JP4926169B2 (ja) | 2006-04-27 | 2007-04-18 | 複合表示装置の製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7999464B2 (ja) |
| EP (2) | EP2012561A4 (ja) |
| JP (1) | JP4926169B2 (ja) |
| KR (1) | KR101089532B1 (ja) |
| CN (1) | CN101427609B (ja) |
| RU (1) | RU2401520C2 (ja) |
| TW (1) | TW200808111A (ja) |
| WO (1) | WO2007125801A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI746064B (zh) * | 2009-08-07 | 2021-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
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| GB2489939A (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-17 | Plastic Logic Ltd | Control of capacitive coupling in pixel circuitry |
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| JP2006195638A (ja) | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Toyota Motor Corp | 車両用警報システム |
| US7594839B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-09-29 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
-
2007
- 2007-04-18 KR KR1020087025968A patent/KR101089532B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-18 CN CN2007800147396A patent/CN101427609B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-18 WO PCT/JP2007/058449 patent/WO2007125801A1/ja active Application Filing
- 2007-04-18 RU RU2008146742/28A patent/RU2401520C2/ru active
- 2007-04-18 EP EP07741885A patent/EP2012561A4/en not_active Withdrawn
- 2007-04-18 EP EP11163431A patent/EP2364065A1/en not_active Withdrawn
- 2007-04-18 JP JP2008513160A patent/JP4926169B2/ja active Active
- 2007-04-25 TW TW096114634A patent/TW200808111A/zh unknown
-
2008
- 2008-10-03 US US12/245,113 patent/US7999464B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163787A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ発光装置 |
| JP2005005223A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子および表示デバイス |
| WO2005004547A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示装置 |
| WO2005051048A1 (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | 3M Innovative Properties Company | A method of making an electroluminescent device including a color filter |
| JP2005336275A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Chatani Sangyo Kk | エレクトロルミネセンス発光体の製造方法 |
| JP2007115645A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101427609B (zh) | 2012-02-22 |
| US20090058265A1 (en) | 2009-03-05 |
| JP4926169B2 (ja) | 2012-05-09 |
| TW200808111A (en) | 2008-02-01 |
| KR101089532B1 (ko) | 2011-12-05 |
| US7999464B2 (en) | 2011-08-16 |
| RU2401520C2 (ru) | 2010-10-10 |
| RU2008146742A (ru) | 2010-06-10 |
| CN101427609A (zh) | 2009-05-06 |
| KR20080111501A (ko) | 2008-12-23 |
| WO2007125801A1 (ja) | 2007-11-08 |
| EP2364065A1 (en) | 2011-09-07 |
| EP2012561A1 (en) | 2009-01-07 |
| EP2012561A4 (en) | 2010-11-10 |
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