CN101427609A - 显示装置和复合显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够由薄膜晶体管驱动且高亮度的显示装置。在基板(111)上形成低电压驱动的无机发光层(121)和控制晶体管(105),并且由控制晶体管(105)控制施加到无机发光层(121)上的电压。由于无机发光层(121)抗热或抗破坏性强,所以可以由溅射法形成。在同一基板上形成顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置,可以从同一位置放射发光光线。

Description

显示装置和复合显示装置
技术领域
本发明涉及薄型显示装置的技术领域,特别涉及使用无机发光层的显示装置。
背景技术
目前,正在开发使用了有机EL元件的显示装置或发光装置。
但是,存在如下问题:在有机EL元件中使用的有机材料会由于水分等而恶化,寿命较短。此外,由于有机EL元件的有机层抗破坏性弱,所以,不能通过溅射法成膜,并且在有机层上形成的薄膜也难以使用溅射法形成。
此外,在制造彩色显示面板时,需要形成与三色对应的不同材料的有机薄膜,除了大面积化困难之外,存在显示装置价格高的缺点。
在无机EL元件中所使用的无机材料与有机EL相比,具有寿命长的优点。进一步地,无机EL抗破损性强,所以,可以选择溅射法等多种成膜方法,从而容易对应大型基板。
但是,现有的无机EL发光需要施加100V左右的电压,不能由薄膜晶体管等驱动电路控制。
存在使用薄膜晶体管驱动无机EL元件、制造显示器的文献,但是,因为需要高电压,还不能达到批量生产的技术,无机EL不能用于高密度的显示器等中。
近年来,研发了由比现有技术低的电压发光的无机EL材料(特许文献1)。具体地已知,包含ZnS的无机EL材料由数伏(10伏以下)的电压高亮度地发光,期待可以通过低电压由薄膜晶体管进行的发光控制的可能性,因为是高亮度,所以,期望使用白色无机EL和滤色片的彩色显示装置的量产化。
专利文献1:特开2005-336275号公报
发明内容
本申请提供一种能够使用在低电压下发光的无机EL元件而进行TFT驱动的显示装置以及显示器。
为了解决上述问题,本发明的显示装置具有:基板;配置在所述基板上的像素电极;配置在所述像素电极上的无机发光层;配置在所述无机发光层上的对置电极;薄膜晶体管,当导通时,在所述像素电极和所述对置电极之间施加电压,使所述无机发光层发光。
此外,在本发明的显示装置中,所述基板和所述像素电极具有透明性,从所述无机发光层射出的发光光线透过所述像素电极和所述基板,射出到外部。
此外,在本发明的显示装置中,在照射透过所述基板的发光光线的位置配置有滤色片。
此外,在本发明的显示装置中,所述对置电极具有透明性,从所述无机发光层射出的发光光线透过所述对置电极,射出到外部。
此外,在本发明的显示装置中,在照射透过所述对置电极的发光光线的位置配置有滤色片。
此外,在本发明的显示装置中,所述无机发光层包含例如硫化锌。
此外,在本发明的复合显示装置中,在基板的单面上,配置有第一像素电极、第一无机发光层、第一对置电极和第一薄膜晶体管,在所述基板的相反侧的面,配置有第二像素电极、第二无机发光层、第二对置电极和第二薄膜晶体管,所述基板、所述第一、第二像素电极、所述第二对置电极具有透明性,以当所述第一、第二薄膜晶体管导通时,在所述第一像素电极和所述第一对置电极之间、所述第二像素电极和所述第二对置电极之间施加电压,所述第一、第二无机发光层分别进行发光的方式构成,所述第二无机发光层位于所述第一无机发光层的正背后,所述第一无机发光层的发光光线依次透过所述第一像素电极、所述基板和所述第二像素电极,照射到所述第二无机发光层,并且透过所述第二无机发光层和所述第二对置电极,射出到外部,所述第二无机发光层的发光光线透过所述第二对置电极,射出到外部。
此外,在本发明的复合显示装置中,在照射透过所述第二对置电极的发光光线的位置配置有滤色片。
此外,在本发明的复合显示装置中,所述第一、第二无机发光层包含硫化锌。
无机发光材料与有机发光材料相比,不易受到损伤并且能够期待长寿命。
能够通过溅射法形成无机发光层。
能够通过溅射法形成在无机发光层上形成的对置电极。
无机发光层能够低电压驱动,所以,能够由薄膜晶体管控制发光。
此外,由于无机发光层抗热性强,所以能够在相同的基板上配置底部发射型显示装置和顶部发射型显示装置,使它们的发光光纤重叠。
若将含有硫化锌的薄膜作为无机发光层,则能够实现高亮度,并且用于发光的电压是为10V以下的低电压。
附图说明
图1是用于说明本发明显示装置中的底部发射型的显示装置的图。
图2是用于说明本发明显示装置中的顶部发射型显示装置的图。
图3是用于说明本发明的复合显示装置的图。
图4是用于说明本发明显示装置的内部结构的平面图。
图5(a)是本发明显示装置的驱动电路的一例,(b)是液晶显示装置的驱动电路的一例。
符号说明
11、21......显示装置
31......复合显示装置
100、111、211......基板
105、205......控制晶体管
118、218......像素电极
121、221......无机发光层
123、223......对置电极
141、241、341......滤色片
具体实施方式
参考液晶有机EL的有源矩阵TFT型记载实施例。
图1、图2的符号11、21是本发明的一例的显示装置,图1的显示装置是底部发射型,图2的显示装置21是顶部发射型。TFT能够由单晶硅、非晶硅或多晶硅形成。
这些显示装置11、21分别具有基板111、211,在各基板111、211上分别形成绝缘膜112、212,在绝缘膜112、212上配置一个至多个薄膜晶体管(TFT)。
在图1、2中,示出薄膜晶体管的由符号105、205表示的控制晶体管。
在控制晶体管105、205上配置第一绝缘膜114、214,在第一绝缘膜114、214的表面上,分别配置构图后的源电极116s、216s和漏电极116d、216d。
控制晶体管105、205具有栅电极131、231、栅极绝缘膜132、232、半导体层133、233。栅极绝缘膜132、232由栅电极131、231和半导体层133、233夹持。
在半导体层133、233上的两端位置,配置与半导体层133、233相反导电型的源极区域134s、234s和漏极区域134d、234d。
源电极116s、216s和漏电极116d、216d分别与源极区域134s、234s和漏极区域134d、234d连接。
以如下方式构成:在栅电极131、231上,如下所述地施加电压,在半导体层133、233上形成反转层,并且,当源极区域134s、234s和漏极区域134d、234d由反转层连接时,控制晶体管105、205导通。
在漏电极116d、216d和源电极116s、216s上配置第二绝缘膜117、217,在第二绝缘膜117、217上配置构图后的多个像素电极118、218。
此处,在第二绝缘膜117、217中埋入导电性插塞119、219,源电极116s、216s和像素电极118、218之间由插塞119、219电连接。
在像素电极118、218之间形成将各像素电极118、218间隔离的绝缘性的分隔壁122、222,在由分隔壁122、222分隔的区域内,配置无机发光层121、221。无机发光层121、221的底面与像素电极118、218接触。
在无机发光层121、221的表面配置对置电极123、223,进一步地,在对置电极123、223的表面配置保护膜124、224。无机发光层121、221的表面与对置电极123、223接触。
在图1的底部发射型显示装置11中,在基板111的背面配置滤色片141,在图2的顶部发射型显示装置21中,在对置电极223上配置滤色片241。
滤色片141、241具有与R、G或B(R是红色,G是绿色,B是蓝色)对应的透过部142、242和配置在透过部142之间的遮光性的黑矩阵143、243,透过邻接的透过部142、242的光不混合而是着色为R、G或B的一种颜色。
在底部发射型显示装置11中以如下方式构成:除了基板111具有透明性以外,像素电极118或第一、第二绝缘膜114、117等位于无机发光层121和底面下的基板111之间的构件也具有透明性,在无机发光层121上施加电压,无机发光层121发光时,发光光线透过位于无机发光层121底面下的像素电极118等构件和基板111,射出到基板111的背面侧。
射出到基板111的背面侧的发光光线透过滤色片141的透过部142,成为R、G或B任意一种颜色的光。
在图2的顶部发射型显示装置21中,对置电极223或保护膜224等的与无机发光层221相比位于上侧的构件具有透明性,从无机发光层221射出的发光光线透过对置电极223等射出到外部。在顶部发射型显示装置21中,发光光线不透过基板211。
透过对置电极223射出到外部的发光光线透过滤色片241的透过部242,与底部发射型显示装置11相同地,成为R、G或B任意一种颜色的光。
图4是用于说明显示装置11、21的内部的概要平面图,由金属膜形成扫描线LS和数据线LD(省略电源电压线Ldd)。扫描线LS和数据线LD格子状地配置在基板111、211上。
符号310是由扫描线LS和数据线LD包围的像素区域,在基板111、211上,矩阵状地配置多个像素区域310。在各像素区域310的内侧,按每个像素区域310,配置无机发光层121、221所位于的像素部301和对发光进行控制的电路所位于的电路部302。
图5(a)是驱动本发明的显示装11、21的电路的示意图,此处,示出了在无机发光层121、221上施加直流电源电压Vdd而发光的直流驱动方式的电路。
电路部302配置有上述控制晶体管105、205、蓄积电容322、选择晶体管321。
控制晶体管105、205的源电极连接到像素电极118、218。像素电极118、218与无机发光层121、221的单侧的面紧密接触,无机发光层121、221的相反侧的面与对置电极123、223紧密接触。对置电极123、223连接到接地电位。
控制晶体管105、205的漏电极连接到电源电压线Ldd,栅电极通过选择晶体管321连接到数据线LD。选择晶体管321的栅极端子连接到扫描线LS,根据施加到扫描线LS上的栅极电压的极性或大小,选择晶体管321导通时,控制晶体管105、205的栅电极连接到数据线LD。当选择晶体管321断开时,控制晶体管105、205的栅电极被从数据线LD切离。
栅电极连接到数据线LD时,根据数据线LD的电压极性或大小,控制晶体管105、205导通或断开。
当控制晶体管105、205导通时,像素电极118、218连接到电源电压线Ldd,在无机发光层121、221上施加电源电压Vdd并进行发光。
控制晶体管105、205的栅电极和漏电极之间由蓄积电容322连接,在控制晶体管105、205导通的状态下,蓄积电容322利用连接到栅电极的数据线LD的电压被充电。
在该状态下,选择晶体管321断开时,由蓄积电容322的充电电压维持控制晶体管105、205的导通。
之后,当数据线LD的电压变化为断开控制晶体管105、205的极性或大小之后,选择晶体管321导通,控制晶体管105、205的栅电极连接到数据线LD时,控制晶体管105、205断开,与此同时,蓄积电容322的充电电压也被放电,发光停止。
该图(b)示出液晶显示装置的情况下的驱动电路,对于作为液晶的等价电路的液晶电容CL来说,一端连接到接地电位,另一端由选择晶体管Tr连接到数据线LD
在液晶电容CL上并联连接蓄积电容Cst
当选择晶体管Tr的栅电极连接到扫描线LS、选择晶体管Tr导通时,液晶电容CL和蓄积电容Cst以一起充电或放电的方式构成。
对于本发明的蓄积电容322来说,在上述例子中,连接在控制晶体管105、205的栅电极和漏电极之间,但是,如液晶显示装置那样,也可以连接在选择晶体管321的一端和接地电位之间。
在本发明中使用的无机发光层121、221与有机化合物的发光层(有机EL层)相比,具有即使加热到高温时也不会降低亮度并且不会热分解的优点。因此,在形成无机发光层之后,进一步地形成其他的无机发光层,先形成的无机发光层也不会由于在形成之后的无机发光层时的热量而恶化,可以层叠多层无机发光层,并且在基板的单面形成无机发光层之后,在基板的相反侧的面形成其他发光层也可以。
图3的符号31表示本发明的复合显示装置。在该复合显示装置31中,对与图1、2相同的构件给出相同的符号,并省略其说明,该复合显示装置31在与具有透明性的基板100的单面相反侧的面分别形成无机发光层121、221。由该无机发光层121、221的一个无机发光层121,在基板100的单面侧构成底部发射型显示装置331,由另一个无机发光层221在基板100的相反侧的面构成顶部发射型显示装置332。
除了基板100相同以外,其他构件也与图1、2的显示装置11、21相同,但是,在图2的顶部发射型显示装置21中像素电极218不必是透明的,相对于此,在该复合显示装置31中,顶部发射型显示装置332的像素电极218是透明导电膜,基板100也是透明的。
从底部发射型显示装置331的无机发光层121放射的发光光线透过底部发射型显示装置331的内部、基板100和顶部发射型显示装置332的像素电极218,到达顶部发射型显示装置332的无机发光层221,并透过无机发光层221和对置电极223,放射到外部。
即,从底部发射型显示装置331射出的发光光线透过顶部发射型显示装置332的内部放射到外部。
从顶部发射型显示装置332的无机发光层221放射的发光光线透过顶部发射型显示装置332内部的对置电极223放射到外部。
这样,在图3的复合显示装置31中,底部发射型显示装置331的发光光线也从顶部发射型显示装置332的发光光线放射的位置放射,所以,当这些发光光线同时放射时,成为合计的光量,呈现高亮度。
在顶部发射型显示装置332的表面位置配置滤色片341。
该滤色片341也与上述滤色片141、241相同地,具有R、G或B透过部342和黑矩阵343。透过部342配置在从复合显示装置31放射的发光光线到达的位置,当发光光线透过透过部342时,被着色成R、G或B任意一种。
并且,在底部发射型显示装置331和顶部发射型显示装置332交替发光的情况下,每个无机发光层121、221的发光时间变短,所以,延长寿命。
在该复合显示装置31中,可以先形成底部发射型显示装置331的无机发光层121,后形成顶部发射型显示装置332的无机发光层221,也可以其相反顺序形成。
此外,底部发射型显示装置331和顶部发射型显示装置332也可以分别形成并贴合在一起。
除了多晶硅、非晶硅以外,上述各晶体管也可以由硅结晶形成。
无机发光层121、221可以由溅射法形成,也可以由蒸镀法形成,但是,溅射法容易适应大型基板。此外,可以由无机发光材料的涂敷和干燥形成,或者由涂敷、干燥和烧结形成。
并且,在上述各例中,施加直流的电源电压Vdd,使无机发光层121、221发光,但是,不限于由薄膜晶体管进行控制,也可以施加交流电压而使其发光。

Claims (9)

1.一种显示装置,具有:
基板;
配置在所述基板上的像素电极;
配置在所述像素电极上的无机发光层;
配置在所述无机发光层上的对置电极;
薄膜晶体管,当导通时,在所述像素电极和所述对置电极之间施加电压,使所述无机发光层发光。
2.根据权利要求1的显示装置,其中,
所述基板和所述像素电极具有透明性,从所述无机发光层射出的发光光线透过所述像素电极和所述基板,射出到外部。
3.根据权利要求2的显示装置,其中,
在照射透过所述基板的发光光线的位置配置有滤色片。
4.根据权利要求1的显示装置,其中,
所述对置电极具有透明性,从所述无机发光层射出的发光光线透过所述对置电极,射出到外部。
5.根据权利要求4的显示装置,其中,
在照射透过所述对置电极的发光光线的位置配置有滤色片。
6.根据权利要求1的显示装置,其中,
所述无机发光层包含硫化锌。
7.一种复合显示装置,其中,
在基板的单面上,配置有第一像素电极、第一无机发光层、第一对置电极和第一薄膜晶体管,
在所述基板的相反侧的面,配置有第二像素电极、第二无机发光层、第二对置电极和第二薄膜晶体管,
所述基板、所述第一、第二像素电极、所述第二对置电极具有透明性,
以如下方式构成:当所述第一、第二薄膜晶体管导通时,在所述第一像素电极和所述第一对置电极之间、所述第二像素电极和所述第二对置电极之间施加电压,所述第一、第二无机发光层分别进行发光,
所述第二无机发光层位于所述第一无机发光层的正背后,所述第一无机发光层的发光光线依次透过所述第一像素电极、所述基板和所述第二像素电极,照射到所述第二无机发光层,并且透过所述第二无机发光层和所述第二对置电极,射出到外部,
所述第二无机发光层的发光光线透过所述第二对置电极,射出到外部。
8.根据权利要求7的复合显示装置,其中,
在照射透过所述第二对置电极的发光光线的位置配置有滤色片。
9.根据权利要求7的复合显示装置,其中,
所述第一、第二无机发光层包含硫化锌。
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