JPWO2007114114A6 - 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 - Google Patents
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Abstract
送受切替スイッチ(203)において、送信信号伝送路に対してシリーズに第1のダイオード(GD1)を設け、受信信号伝送路に対してシャントに第2のダイオード(GD2)を設け、第1のダイオード(GD1)に直流電流が流れる第1の電流経路と第2のダイオード(GD2)に直流電流が流れる第2の電流経路とを並列接続する。制御端子(VcG)に所定の正電圧を印加することにより、ダイオード(GD1,GD2)がオンし、制御端子(VcG)→抵抗(GR)→インダクタ(GSL1)→ダイオード(GD1)→ストリップライン(GSL2)→インダクタ(GL)の経路で直流電流が流れ、制御端子(VcG)→抵抗(GR)→第2のダイオード(GD2)→インダクタ(GL)の経路で直流電流が流れる。
Description
この発明は高周波スイッチおよびそれを備えた複合高周波部品に関し、特に、低い制御電圧送受信信号の切替えを行う低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品に関するものである。
従来、それぞれの周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号をアンテナで送受信するとともに、送受信信号を送信信号と受信信号に切り替える高周波スイッチおよびそれを備えた複合高周波部品が知られている。
上記高周波スイッチには、送信信号をアンテナへ出力し、アンテナからの受信信号を受信部へ入力するための複数のダイオードが含まれている。(例えば特許文献1参照。)
ここで特許文献1に示されている複合高周波部品の構成について図1を基に説明する。
この複合高周波部品は、1800MHz帯のGSM1800(DCS)、1900MHz帯のGSM1900(PCS)、850MHz帯のGSM850、および900MHz帯のGSM900(EGSM)に適応するものである。
図1においてダイプレクサ(合分波器)102は、GSM850/GSM900系の送受信信号と、GSM1800/GSM1900系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ103はGSM850/GSM900系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ104はGSM1800/GSM1900系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ105はGSM850/GSM900系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ106はGSM1800/GSM1900系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。
ここで特許文献1に示されている複合高周波部品の構成について図1を基に説明する。
この複合高周波部品は、1800MHz帯のGSM1800(DCS)、1900MHz帯のGSM1900(PCS)、850MHz帯のGSM850、および900MHz帯のGSM900(EGSM)に適応するものである。
図1においてダイプレクサ(合分波器)102は、GSM850/GSM900系の送受信信号と、GSM1800/GSM1900系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ103はGSM850/GSM900系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ104はGSM1800/GSM1900系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ105はGSM850/GSM900系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ106はGSM1800/GSM1900系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。
送受切替スイッチ103において、GSM850/900の送信信号を伝送する伝送路にダイオードGD1およびインダクタGSL1を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードGD1をシリーズに設けている。またGSM850/900の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインGSL2、ダイオードGD2およびキャパシタGC5を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードGD2をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子VcGから正電圧が印加されたとき、上記2つのダイオードGD1,GD2に対して直流電流が流れるように、この2つのダイオードGD1,GD2を直列関係に接続している。
送受切替スイッチ104についても同様に、GSM1800/1900の送信信号を伝送する伝送路にダイオードDD1およびインダクタDPSL1を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードDD1をシリーズに設けている。またGSM1800/1900の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインDSL2、ダイオードDD2およびキャパシタDC5を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードDD2をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子VcDから正電圧が印加されたとき、上記2つのダイオードDD1,DD2に対して直流電流が流れるように、この2つのダイオードDD1,DD2を直列関係に接続している。
特開2000−165274号公報
前記複合高周波部品は携帯電話端末等の移動体通信システムにおける通信装置に用いられるが、近年の低消費電力化の要請に伴って駆動電圧もますます低下されつつある。ところが図1に示したような従来の送受切替スイッチ(高周波スイッチ)の制御信号の電圧を低下させていくと前記2つのダイオード(例えば図1に示したGSM850/900の送受切替スイッチ103におけるダイオードGD1,GD2)のアノード・カソード間に印加される電圧がダイオードのPN接合電位に近くなる。そのような条件ではダイオードが完全な導通状態にはならず、オン抵抗が増したり、伝送/遮断すべき伝送信号の電圧に応じてダイオードの両端電圧が変動したりするといった現象が生じる。そのため、回路特性としては挿入損失(IL)が劣化し、高調波歪みが増大するという問題が生じる。したがって制御電圧の低電圧化には限界があった。
上述の問題は送受切替スイッチに限らず、例えば互いの周波数帯が異なる2つの通信系の受信信号を切り替える受信信号切替スイッチ等についても同様に生じる。
そこで、この発明の目的は、従来の高周波スイッチに比べて低い制御電圧で切り替えられるようにし、また挿入損失特性や高調波歪み特性の劣化を抑えた低電圧制御高周波スイッチおよびそれを備えた複合高周波部品を提供することにある。
前記課題を解決するためにこの発明の高周波スイッチおよび複合高周波部品は次のように構成する。
(1)共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部とし、前記第1の信号伝送路に第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に第2のダイオードをシャントに設ける。
(2)共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、前記第1の信号伝送路に第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に第2のダイオードをシャントに設けるとともに、前記第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、前記第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、前記第2の信号伝送路には、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの間で且つ前記共用信号入出力部と第2のダイオードとの間にストリップラインを備え、前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続するとともに、前記ストリップラインより第2の信号入出力部側で、第2のダイオードと前記ストリップラインとの接続点である前記並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部とする。
(3)前記第1・第2の電流経路には、例えばそれぞれに前記直流電流が流れる抵抗を設ける。
(4)この発明の複合高周波部品は、それぞれ周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号の入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に、送信信号と受信信号を切り替える高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品であって、前記複数の高周波スイッチのうち少なくとも1つを前記低電圧制御高周波スイッチで構成する。
(5)前記低電圧制御高周波スイッチは、前記複数の通信系の送受信信号のうち、例えば信号電力が最も高い通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に設ける。
(6)また、例えば前記合分波器の前記アンテナ接続部と前記低電圧制御高周波スイッチとの間にストリップラインを備え、前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタの一端を前記合分波器と前記低電圧制御高周波スイッチとの接続点に接続するとともに他端を接地する。
(7)また、例えば前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタおよび前記第1・第2の電流経路を前記合分波器の一部に兼用する。
(8)前記低電圧制御高周波スイッチと前記合分波器との間には、例えば低電圧制御高周波スイッチが切り替える、通信系で使用する周波数帯域以外の周波数成分を遮断する(歪み抑制用)フィルタを設ける。
(9)前記合分波器は少なくとも3つの通信系(例えばGSM850,900/GSM1800/GSM1900)の送受信信号(例えばGSM850/900の送受信信号とGSM1800/1900の送受信信号)のうち互いの周波数帯域が近接した2つの通信系(例えばGSM1800・1900)の送受信信号と他の通信系の送受信信号を合分波し、周波数帯域が近接した前記2つの通信系の受信信号(例えばGSM1800RxとGSM1900Rx)を切り替える受信信号用高周波スイッチを前記低電圧制御高周波スイッチで構成し、所謂トリプルバンドの複合高周波部品を構成する。
(10)前記合分波器は4つの通信系(例えばGSM850/900/1800/1900)の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した第1組をなす2つの通信系(例えばGSM1800/1900)の送受信信号と第2組をなす2つの通信系(例えばGSM850/900)の送受信信号を合分波し、第1組をなす2つの通信系の受信信号(例えばGSM1800RxとGSM1900Rx)を切り替える第1の受信信号用高周波スイッチと、第2組をなす2つの通信系の受信信号(例えばGSM850RxとGSM900Rx)を切り替える第2の受信信号用高周波スイッチの少なくとも一方を前記低電圧制御高周波スイッチで構成し、所謂クワッドバンド用の複合高周波部品を構成する。
(1)第1・第2の電流経路同士を、それぞれに流れる直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧を入力するように構成したことにより、第1・第2のダイオードにそれぞれ制御電圧が印加されることになり、低い制御電圧でオン・オフ制御が可能となる。すなわち、従来のように2つのダイオードを直列関係にして制御電圧を印加するようにした場合に比べてそれぞれのダイオードに印加される電圧が増加する。したがって、挿入損失および高調波歪みが劣化することなく制御電圧の低電圧化が図れる。
(2)前記第2の信号伝送路に、前記共用信号入出力部と前記第2のダイオードとの間に備えるストリップラインより第2の信号入出力部側で、第2のダイオードと前記ストリップラインとの接続点と接地との間にインダクタを設けたことにより、第1・第2のダイオードの切替時にはダイオートの切替速度の差などに起因して、瞬間的に第1のダイオードがオン状態、第2のダイオードがオフ状態となっても、前記インダクタで第1の信号伝送路の信号を第2の信号入出力部前段で等価的に接地することができる。そのため、第1の信号伝送路の信号が第2の信号入出力部側へ漏れるのを防ぐことができる。
(3)第1・第2の電流経路にそれぞれ個別の抵抗を設けることによって、第1・第2のダイオードのオン時に流れる電流を個別に設定可能となる。そのため全体の電力消費を抑えつつ必要且つ最低限の電圧印加および電流通電が可能となる。
(4)複数の通信系の送受信信号を合波・分波する合分波器と、送受の切替えを行う高周波スイッチとを備えた複合高周波部品において、その高周波スイッチを前記低電圧制御高周波スイッチの構成とすることによって低電圧・低消費電流の複合高周波部品が得られる。
(5)前記低電圧制御高周波スイッチを複数の通信系の送受信信号のうち少なくとも信号電力が最も高い通信系の送受信信号の入出力部と合分波器との間に設けることによって、第1・第2のダイオードの印加電圧を下げることによって影響を受けやすい送受信信号の高調波歪み特性の劣化を抑えることができる。
(6)合分波器のアンテナ接続部と低電圧制御高周波スイッチとの間にストリップラインを備え、低電圧制御高周波スイッチのインダクタを合分波器と低電圧制御高周波スイッチとの接続点と接地との間に設けたことにより、アンテナ端子側から入る静電気の放電経路が上記インダクタによって形成され、低電圧制御高周波スイッチに接続される受信回路または送信回路を静電気から保護できる。
(7)前記低電圧制御高周波スイッチのインダクタおよび第1、第2の電流経路を合分波器の一部に兼用することによって、やはりアンテナ端子側から入る静電気の放電経路が上記インダクタによって形成され、低電圧制御高周波スイッチに接続される受信回路または送信回路を静電気から保護できる。
(8)低電圧制御高周波スイッチと合分波器との間に低電圧制御高周波スイッチが切り替える信号の周波数帯域以外の周波数成分を遮断するフィルタを設けることによって、低電圧制御高周波スイッチで生じる高調波成分が除去され、その分、低電圧制御高周波スイッチに印加する制御電圧をさらに下げることができる。
(9)前記合分波器を少なくとも3つの通信系のうち互いの周波数帯域が近接した2つの通信系の送受信信号と他の通信系の送受信信号を合分波し、周波数帯域が近接した2つの通信系の受信信号を切り替える受信信号用高周波スイッチを前記低電圧制御高周波スイッチで構成することによって、3つの周波数帯域について送受信信号の入出力、2つの受信信号の出力を行ういわゆるトリプルバンド用のスイッチプレクサとして用いることができる。
(10)前記合分波器を4つの通信系の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した第1組をなす2つの通信系の送受信信号と第2組をなす2つの通信系の送受信信号を合分波し、第1組をなす2つの通信系の受信信号を切り替える、第1の受信信号用高周波スイッチと、第2組をなす2つの通信系の受信信号を切り替える、第2の受信信号用高周波スイッチと、低電圧制御高周波スイッチで構成することにより、4つの通信系の送信信号の入力および受信信号の出力を行うクワッドバンド用のスイッチプレクサ用いることができる。
100,200,210,220,230,240,250,260,270,280,290,300,310−複合高周波部品
102,202−ダイプレクサ
103,203,213,223,233,243,253,263,273,283,293,303,313−送受切替スイッチ
104,204,214,224,234,244,254,264,274,284,294,304,314−送受切替スイッチ
105,205,215,225,235,245,255,265,275,285,295,305,315−フィルタ
106,206,216,226,236,246,256,266,276,286,296,306,316−フィルタ
SL1−第1の信号伝送路
SL2−第2の信号伝送路
CR1−第1の電流経路
CR2−第2の電流経路
VcG,VcD−制御端子
287,297,307,308,317,318−受信信号用高周波スイッチ
102,202−ダイプレクサ
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104,204,214,224,234,244,254,264,274,284,294,304,314−送受切替スイッチ
105,205,215,225,235,245,255,265,275,285,295,305,315−フィルタ
106,206,216,226,236,246,256,266,276,286,296,306,316−フィルタ
SL1−第1の信号伝送路
SL2−第2の信号伝送路
CR1−第1の電流経路
CR2−第2の電流経路
VcG,VcD−制御端子
287,297,307,308,317,318−受信信号用高周波スイッチ
《第1の実施形態》
第1の実施形態に係る送受切替スイッチについて図2を参照して説明する。
図2はこの発明による低電圧制御高周波スイッチを用いた送受切替スイッチの回路図である。この送受切替スイッチ203は、制御端子VcGからの印加電圧に応じて、送信回路からGTx端子に入力される送信信号をアンテナ端子ANTへ出力するか、アンテナ端子ANTからの受信信号を受信端子GRxへ出力するかを切り替えるものである。
第1の実施形態に係る送受切替スイッチについて図2を参照して説明する。
図2はこの発明による低電圧制御高周波スイッチを用いた送受切替スイッチの回路図である。この送受切替スイッチ203は、制御端子VcGからの印加電圧に応じて、送信回路からGTx端子に入力される送信信号をアンテナ端子ANTへ出力するか、アンテナ端子ANTからの受信信号を受信端子GRxへ出力するかを切り替えるものである。
図2に示すように、第1の信号伝送路SL1に対して第1のダイオードGD1をシリーズに設け、第2の信号伝送路SL2にキャパシタGC5を介して第2のダイオードGD2をシャントに設けている。共用信号入出力部であるアンテナ端子ANTと第1の信号入出力部であるGTx端子との間に第1の信号伝送路SL1を構成している。また、アンテナ端子ANTと第2の信号入出力部であるGRx端子との間に第2の信号伝送路SL2を構成している。さらに、第1のダイオードGD1を含む第1の電流経路CR1と、第2のダイオードGD2を含む第2の電流経路CR2とを構成していて、この第1の電流経路CR1と第2の電流経路CR2とを直流電流の通電方向を一致させて並列接続するとともに、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタGLを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧入力部である制御端子VcGを、抵抗GRを介して接続している。
このような構成により、制御端子VcGに正電圧を印加することによって、第1のダイオードGD1と第2のダイオードGD2が共にオンして、第1の電流経路CR1と第2の電流経路CR2にそれぞれ図中矢印で示す方向に直流電流が流れる。
第1のダイオードGD1のオンによってGTx端子からの送信信号が、第1の信号伝送路SL1を通り、キャパシタCantを介してアンテナ端子ANTへ出力される。また第2のダイオードGD2のオンによって、第2の信号伝送路SL2はこのダイオードGD2およびキャパシタGD5でシャントされて、送信信号がGRx端子へ出力されることがない。
なお、この第2のダイオードGD2のオン状態で第1の信号伝送路SL1と第2の信号伝送路SL2との接続点が等価的に開放となるようにストリップラインGSL2の電気長を定めている。
また、抵抗GRとコンデンサGC5との接続点とダイオードGD1のアノード側とを結ぶ経路にインダクタGSL1を設けている。このインダクタGSL1を設けることにより、抵抗GRとコンデンサGC5との接続点とダイオードGD1のアノード側とを結ぶ経路、およびコンデンサGC5を介してGTx端子からの送信信号が接地されるのを防ぐことができる。なお、このインダクタGSL1の箇所にインダクタに代えて抵抗を用いても同様の効果を得ることができる。
第1の信号伝送路SL1に設けたキャパシタCgt、第2の信号伝送路SL2に設けたキャパシタCgrおよびアンテナ端子ANTに接続したキャパシタCantはそれぞれ直流電流遮断用およびインピーダンス整合用のキャパシタである。
また、第2のダイオードGD2に対して直列接続したキャパシタGC5はGD2のオン時に、信号を高周波的に接地するとともに直流電流が接地へ短絡しないように作用する。
このように第1・第2の電流経路CR1・CR2同士を並列接続し、第1・第2のダイオードGD1・GD2にそれぞれ制御端子VcGの電圧を印加するように構成したことにより、図1に示した従来の高周波スイッチに比べて第1・第2のダイオードGD1・GD2に印加される電圧が高くなり、その分、制御端子VcGに印加する制御電圧を低く設定できる。例えば、従来は制御電圧として2.4〜2.8Vまたは2.3〜3.0Vが用いられていたが、この図2に示す回路では制御電圧を1.6〜2.0Vという低い電圧に定めることができる。
ところで、図2において第1・第2のダイオードGD1・GD2のオン時は、GTx端子から送信信号が入力される。また、ストリップラインGSL2はこの送信信号の周波数のほぼ1/4波長と等価な電気長としている。そのため、既に述べたとおり第2のダイオードGD2のオン時にはストリップラインGSL2の共用信号入出力部であるアンテナ端子ANT側が等価的に開放状態になり、前記送信信号はGSL2によりその大部分が遮断される。また、一部漏れた信号も、第2のダイオードGD2がオンになっているため、第2のダイオードGD2およびキャパシタGC5を介して接地することができ、GRx端子へ送信信号が漏れることはない。
ところが、第1・第2のダイオードGD1・GD2の切替時にはダイオートの切替速度の差などに起因して、瞬間的に第1のダイオードGDlがオン状態、第2のダイオードGD2がオフ状態になることがあり、その時間はストリップラインGSL2から漏れた前記送信信号がGRx端子側へ漏れ出してしまう。この漏れ出した信号がGRx端子の後段に接続されている図外の低雑音増幅器(LNA)等の受信回路に入力されると、その受信回路を破壊するおそれがある。
しかし、図2に示した回路では、GRx端子の前段にインダクタGLをシャントに配置し、インダクタGLを送信信号の周波数に対して等価的に接地されるようなインダクタンス値(線路で構成する場合には、その線路の電気長を送信信号のほぼλ/2)にすることにより、漏れた送信信号はインダクタGLにより接地される。
このようにインダクタGLを配置することにより、第1・第2のダイオードGD1・GD2の切替速度の差を起因とする送信信号のGRx端子側への漏れによるRx側回路の破壊を未然に防ぐことができる。
《第2の実施形態》
次に、第2の実施形態に係る複合高周波部品について図3を参照して説明する。
図3に示す複合高周波部品200は、1800MHz帯のGSM1800(DCS)、1900MHz帯のGSM1900(PCS)、850MHz帯のGSM850、および900MHz帯のGSM900(EGSM)に適応するものである。
次に、第2の実施形態に係る複合高周波部品について図3を参照して説明する。
図3に示す複合高周波部品200は、1800MHz帯のGSM1800(DCS)、1900MHz帯のGSM1900(PCS)、850MHz帯のGSM850、および900MHz帯のGSM900(EGSM)に適応するものである。
図3においてダイプレクサ202は、GSM850/GSM900系の送受信信号と、GSM1800/GSM1900系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ203はGSM850/GSM900系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ204はGSM1800/GSM1900系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ205はGSM850/GSM900系の送信信号を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ206はGSM1800/GSM1900系の送信信号を通過させるとともに、高調波を減衰させる。
図1に示した従来の複合高周波部品と異なるのは、送受切替スイッチ203,204の構成である。図3に示すダイプレクサ202の構成は図1に示したダイプレクサ102と同様である。ここでキャパシタCt1、Cu1およびストリップラインLt1によってローパスフィルタを構成し、キャパシタCc1,Cc2,Ct2およびストリップラインLt2によってハイパスフィルタを構成している。
図3に示すフィルタ205は、図1に示したフィルタ105と同様であり、この例ではキャパシタGCc1,GCu1,GCu2およびストリップラインGLt1によってローパスフィルタを構成している。
図3に示すフィルタ206は、図1に示したフィルタ106と同様であり、キャパシタDCc1,DCc2,DCu1,DCu2,DCu3、ストリップラインDLt1,DLt2によってローパスフィルタを構成している。
図3に示すフィルタ206は、図1に示したフィルタ106と同様であり、キャパシタDCc1,DCc2,DCu1,DCu2,DCu3、ストリップラインDLt1,DLt2によってローパスフィルタを構成している。
図3に示すGSM850/900用の送受切替スイッチ203は、図2に示した送受切替スイッチ203と同様に構成している。すなわちGSM850/900の送信信号伝送路に第1のダイオードGD1をシリーズに設け、GSM850/900の受信信号の伝送路に第2のダイオードGD2およびコンデンサGC5をシャントに設けている。また、制御端子VcG→抵抗GR→インダクタGSL1→第1のダイオードGD1→ストリップラインGSL2→インダクタGLの経路で直流電流が流れる第1の電流経路を構成し、VcG→GR→第2のダイオードGD2→GLの経路で直流電流が流れる第2の電流経路を構成し、第1のダイオードGD1と第2のダイオードGD2を含む上記第1・第2の電流経路が並列接続される関係としている。
なお、GSM850/900の受信信号伝送路に設けたキャパシタGCu3はダイオードGD2のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとるためのキャパシタである。
なお、GSM850/900の受信信号伝送路に設けたキャパシタGCu3はダイオードGD2のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとるためのキャパシタである。
GSM1800/1900側の送受切替スイッチ204の構成もGSM850/900側の送受切替スイッチ203の構成と基本的に同様であり、GSM1800/1900の送信信号伝送路に対してシリーズに第1のダイオードDD1を設け、GSM1800/1900の受信信号伝送路に対してシャントに第2のダイオードDD2を設けている。
但し、第1のダイオードDD1に対して、ストリップラインDPSLtとキャパシタDPCt1との直列回路を並列に接続している点では異なる。なお、DPSLtは、ダイオードDD1のオフ時に、ダイオードDD1の容量とDPSLtとの並列共振によりアイソレーションを確保するために設けている。なお、コンデンサDPCt1は、直流電流が、ダイオードDD1を介さずに流れるのを防止するために設けている。
この送受切替スイッチ204の制御端子VcDに所定の正電圧を印加すると、第1のダイオードDD1がオンして、VcD→抵抗DR→インダクタDPSL1→DD1→ストリップラインDSL2→インダクタDLの経路で直流電流が流れる。また、第2のダイオードDD2がオンして、VcD→DR→DD2→DLの経路で直流電流が流れる。
なお、キャパシタDCu4は、ダイオードDD2のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとるためのキャパシタである。
このようにしてGSM850/900側の送受の切替、GSM1800/1900側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。
次に、上記複合高周波部品を、セラミックからなる複数のシート層を積層してなる多層基板に一体化した場合の構成例を図4〜図6を基に説明する。
図4〜図6は各層における導体パターンの下面図である。図4の(1)が最下層、図6の(24)が最上層であり、図示の都合上図4〜図6の3つの図に分けて表している。図4〜図6において、図中の各部の符号は図3に示した回路図中の各符号に対応している。また、これらの図中のGNDは接地電極である。図4の(1)においてGは接地端子、である。その他の端子は図3に示した回路図中の各符号に対応している。
図4〜図6は各層における導体パターンの下面図である。図4の(1)が最下層、図6の(24)が最上層であり、図示の都合上図4〜図6の3つの図に分けて表している。図4〜図6において、図中の各部の符号は図3に示した回路図中の各符号に対応している。また、これらの図中のGNDは接地電極である。図4の(1)においてGは接地端子、である。その他の端子は図3に示した回路図中の各符号に対応している。
図7は上記積層体の最上面に各チップ部品を搭載した状態の上面図である。ここで図中の各符号は図3の回路図中の各符号に対応している。
以上のように、第2の実施形態に係る複合高周波部品によれば、低電圧化・低消費電流化が図れる。
《第3の実施形態》
次に、第3の実施形態に係る複合高周波部品について図8を参照して説明する。
この複合高周波部品210が図3に示した複合高周波部品と異なるのは送受切替スイッチ213,214の構成である。ダイプレクサ212は図3に示したダイプレクサ202と同様であり、フィルタ215,216も図3に示したフィルタ205,206と同様である。
次に、第3の実施形態に係る複合高周波部品について図8を参照して説明する。
この複合高周波部品210が図3に示した複合高周波部品と異なるのは送受切替スイッチ213,214の構成である。ダイプレクサ212は図3に示したダイプレクサ202と同様であり、フィルタ215,216も図3に示したフィルタ205,206と同様である。
GSM850/900の送受切替スイッチ213は、送信信号の伝送路にシリーズに第1のダイオードGD1を備え、受信信号の伝送路に対してシャントに第2のダイオードGD2を備えている。図3に示した送受切替スイッチ203と異なり、第1のダイオードGD1のカソードとストリップラインGSL2との接続点にインダクタGLの一端を接続し、その他端を接地している。
制御端子VcGに正電圧を印加した時、VcG→抵抗GR→インダクタGSL1→GD1→GLの経路(第1の電流経路)で直流電流が流れる。また、VcG→GR→GD2→ストリップラインGSL2→GLの経路(第2の電流経路)で直流電流が流れる。このようにインダクタGLの接続位置を変えることによって第1・第2の電流経路は図3に示した例と異なるが、2つのダイオードGD1,GD2に印加される制御電圧は同様に並列に印加される。
このように、インダクタGLをダイプレクサ212と送受切替スイッチ213との接続点と接地との間に設けたことにより、アンテナ端子側から静電気等のサージ電圧が印加されても、その静電気等はインダクタGLを介して直ちに接地に放電されるので、送受切替スイッチ213に接続される受信回路または送信回路を静電気等から保護できる。
GSM1800/1900の送受切替スイッチ214についても図3に示した送受切替スイッチ204とは異なり、ダイオードDD1のカソードとストリップラインDSL2との接続点にインダクタDLの一端を接続し、その他端を接地している。そのため、制御端子VcD→抵抗DR→インダクタDPSL1→DD1→DLの経路(第1の電流経路)で直流電流が流れる。またVcD→DR→ダイオードDD2→ストリップラインDSL2→DLの経路(第2の電流経路)で直流電流が流れる。
このようにしてGSM850/900側の送受の切替、GSM1800/1900側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となり、低電圧・低消費電流の複合高周波部品が得られる。
《第4の実施形態》
次に、第4の実施形態に係る複合高周波部品について図9を参照して説明する。
この複合高周波部品220が図3に示した複合高周波部品と異なるのはGSM850/900側の送受切替スイッチ223の構成である。2つのダイオードGD1,GD2に流れる直流電流が共通に流れる(合成電流が流れる)インダクタGLの接続位置である。この例ではインダクタGLをダイプレクサ222の共用信号入出力部に接続している。制御端子VcGに正電圧が印加された時、VcG→抵抗GR→インダクタGSL1→第1のダイオードGD1→ストリップラインLt1→GLの経路(第1の電流経路)で直流電流が流れる。また、VcG→GR→第2のダイオードGD2→ストリップラインGSL2→Lt1→GLの経路(第2の電流経路)で直流電流が流れる。
次に、第4の実施形態に係る複合高周波部品について図9を参照して説明する。
この複合高周波部品220が図3に示した複合高周波部品と異なるのはGSM850/900側の送受切替スイッチ223の構成である。2つのダイオードGD1,GD2に流れる直流電流が共通に流れる(合成電流が流れる)インダクタGLの接続位置である。この例ではインダクタGLをダイプレクサ222の共用信号入出力部に接続している。制御端子VcGに正電圧が印加された時、VcG→抵抗GR→インダクタGSL1→第1のダイオードGD1→ストリップラインLt1→GLの経路(第1の電流経路)で直流電流が流れる。また、VcG→GR→第2のダイオードGD2→ストリップラインGSL2→Lt1→GLの経路(第2の電流経路)で直流電流が流れる。
ダイプレクサ222、GSM1800/1900側の送受切替スイッチ224、フィルタ225,226については、図3に示したダイプレクサ202、送受切替スイッチ204、フィルタ205,206と同様である。
このようにダイプレクサ222の直流電流が流れる電流経路を送受切替スイッチに兼用しても同様の作用効果が得られる。
また、インダクタGLをアンテナ端子側に設けたことにより、アンテナ端子側から静電気等のサージ電圧が印加されても、その静電気等はインダクタGLを介して直ちに接地に放電されるので、送受切替スイッチ223に接続される受信回路または送信回路を静電気等から保護できる。
《第5の実施形態》
次に第5の実施形態に係る複合高周波部品について図10を参照して説明する。
図3に示した例では、制御端子VcGからの電流が共通に流れる単一の抵抗GRを用いたが、この図10に示す複合高周波部品230は、第1のダイオードGD1に直流電流が流れる電流経路に抵抗GR1を設け、第2のダイオードGD2に直流電流が流れる電流経路に抵抗GR2を設けている。
次に第5の実施形態に係る複合高周波部品について図10を参照して説明する。
図3に示した例では、制御端子VcGからの電流が共通に流れる単一の抵抗GRを用いたが、この図10に示す複合高周波部品230は、第1のダイオードGD1に直流電流が流れる電流経路に抵抗GR1を設け、第2のダイオードGD2に直流電流が流れる電流経路に抵抗GR2を設けている。
制御端子VcGに正電圧が印加された時、VcG→GR1→インダクタGSL1→GD1→ストリップラインGSL2→インダクタGLの経路(第1の電流経路)で直流電流が流れ、これとともにVcG→GR2→GD2→GLの経路(第2の電流経路)で直流電流が流れる。
GSM1800/1900側の送受切替スイッチ234についても同様に第1・第2のダイオードDD1,DD2に直流電流が流れる電流経路に個別に抵抗DR1,DR2を設けている。
このようにダイオードごとに電流制限用抵抗を設けることによって、各ダイオードに加わる電圧を大きくすることができる。
《第6の実施形態》
次に第6の実施形態に係る複合高周波部品について図11を参照して説明する。
この複合高周波部品240が図10に示したものと異なるのは送受切替スイッチ243,244の構成である。図10に示した送受切替スイッチ233,234では、ダイードGD1,DD1に直流電流が流れる電流経路にインダクタGSL1,DPSL1をそれぞれ設けていたが、この図11に示す例では、それらのインダクタGSL1,DPSL1を省略している。このように、信号伝送路にシリーズに設けたダイオードGD1,DD1に対して通電する直流電流の電流経路には抵抗GR1,DR1をそれぞれ設けているので、制御端子側への送信信号の不要な伝送を抑制することができる。また、抵抗GR1,DR1を用いることで、ダイオードGD1,DD1に、より高い電圧を印加することができる。なお、図10に示した例で、インダクタGSL1,DPSL1は、電流を流す役割と共に高周波のリークを防いでいる。図11に示す例では抵抗GR1,DR1のみを用いているが、これら抵抗も上記インダクタと同様な役割を果たす。
次に第6の実施形態に係る複合高周波部品について図11を参照して説明する。
この複合高周波部品240が図10に示したものと異なるのは送受切替スイッチ243,244の構成である。図10に示した送受切替スイッチ233,234では、ダイードGD1,DD1に直流電流が流れる電流経路にインダクタGSL1,DPSL1をそれぞれ設けていたが、この図11に示す例では、それらのインダクタGSL1,DPSL1を省略している。このように、信号伝送路にシリーズに設けたダイオードGD1,DD1に対して通電する直流電流の電流経路には抵抗GR1,DR1をそれぞれ設けているので、制御端子側への送信信号の不要な伝送を抑制することができる。また、抵抗GR1,DR1を用いることで、ダイオードGD1,DD1に、より高い電圧を印加することができる。なお、図10に示した例で、インダクタGSL1,DPSL1は、電流を流す役割と共に高周波のリークを防いでいる。図11に示す例では抵抗GR1,DR1のみを用いているが、これら抵抗も上記インダクタと同様な役割を果たす。
《第7の実施形態》
次に、第7の実施形態に係る複合高周波部品について図12を参照して説明する。
この複合高周波部品250が図3に示した高周波複合部品と異なるのはダイプレクサ252およびGSM850/900側の送受切替スイッチ253の構成である。この図12に示す例では、ダイプレクサ252のGSM850/900側のフィルタとして、キャパシタCt1,Cu1,GCc1,GCu1およびストリップラインLt1,GLt1で構成している。すなわち2段のローパスフィルタを構成し、GSM850/900の通信系で用いる周波数帯域より高周波域(高調波成分)の遮断効果を高めている。その分、図3に示したフィルタ205に相当する回路を省略している。
次に、第7の実施形態に係る複合高周波部品について図12を参照して説明する。
この複合高周波部品250が図3に示した高周波複合部品と異なるのはダイプレクサ252およびGSM850/900側の送受切替スイッチ253の構成である。この図12に示す例では、ダイプレクサ252のGSM850/900側のフィルタとして、キャパシタCt1,Cu1,GCc1,GCu1およびストリップラインLt1,GLt1で構成している。すなわち2段のローパスフィルタを構成し、GSM850/900の通信系で用いる周波数帯域より高周波域(高調波成分)の遮断効果を高めている。その分、図3に示したフィルタ205に相当する回路を省略している。
GSM850/900側の送受切替スイッチ253は基本的には図3に示した送受切替スイッチ203と同様であるが、図3に示したフィルタ205に相当する回路を省略したことに伴い、送信端子GTxとのインピーダンス整合をとるためのキャパシタGCu2を設けている。
このように送受切替スイッチ253の送信信号出力部側に、GSM850/900の通信系で使用する周波数帯域以外の周波数成分を遮断するフィルタを設けたことにより、ダイオードGD1の非直線性による高調波歪みの成分を抑圧することができ、その分、ダイオードGD1に印加する制御電圧、すなわち制御端子VcGに印加する制御電圧を可能な限り低く設定できる。
《第8の実施形態》
次に第8の実施形態に係る複合高周波部品について図13を参照して説明する。
この複合高周波部品260が図12に示したものと異なるのはダイプレクサ262およびフィルタ266の構成である。この図13に示す例では、ダイプレクサ262のGSM1800/1900側のスプリアスを抑えるためにローパスフィルタを送受切替スイッチ264の前段に設けている。
次に第8の実施形態に係る複合高周波部品について図13を参照して説明する。
この複合高周波部品260が図12に示したものと異なるのはダイプレクサ262およびフィルタ266の構成である。この図13に示す例では、ダイプレクサ262のGSM1800/1900側のスプリアスを抑えるためにローパスフィルタを送受切替スイッチ264の前段に設けている。
このようにGSM1800/1900の送信信号を切り替える送受切替スイッチ264の出力側にGSM1800/1900の通信系で使用する周波数帯域以外の高周波域(高調波成分)を遮断するフィルタを設けることによって、ダイオードDD1の非直線性による高調波歪みの成分を抑圧することができ、その分、ダイオードDD1に印加する制御電圧、すなわち制御端子VcDに印加する制御電圧も可能な限り低く設定できる。
《第9の実施形態》
次に、第9の実施形態に係る複合高周波部品について図14を参照して説明する。
この複合高周波部品270が図3に示した複合高周波部品と異なるのはGSM1800/1900側の送受切替スイッチ274の構成である。図3に示した例では、GSM1800/1900側とGSM850/900側の両方の送受切替スイッチについてそれぞれの2つのダイオードに制御電圧が並列に印加されるように構成したが、この図14に示す例では、GSM1800/1900側の送受切替スイッチ274について、2つのダイオードDD1,DD2に対して制御電圧が直列に印加されるようにしている。すなわちGSM1800/1900側の送受切替スイッチ274については従来と同様の回路構成としている。
次に、第9の実施形態に係る複合高周波部品について図14を参照して説明する。
この複合高周波部品270が図3に示した複合高周波部品と異なるのはGSM1800/1900側の送受切替スイッチ274の構成である。図3に示した例では、GSM1800/1900側とGSM850/900側の両方の送受切替スイッチについてそれぞれの2つのダイオードに制御電圧が並列に印加されるように構成したが、この図14に示す例では、GSM1800/1900側の送受切替スイッチ274について、2つのダイオードDD1,DD2に対して制御電圧が直列に印加されるようにしている。すなわちGSM1800/1900側の送受切替スイッチ274については従来と同様の回路構成としている。
この例では、制御端子VcDに所定の正電圧が印加された時、2つのダイオードDD1,DD2がともにオンし、VcD→抵抗DR→ダイオードDD2→ストリップラインDSL2→ダイオードDD1→インダクタDPSL1の経路で直流電流が流れる。
このようにいわゆるデュアルバンドのスイッチプレクサの場合、信号電力が低い通信系の送受信信号を切り替える高周波スイッチにおいて、ダイオードに印加される制御電圧が低くなることに伴って生じる高調波歪みの問題が顕著に現れる。そのため、この図14に示したように、信号電力が相対的に高い通信系であるGSM850/900側の送受切替スイッチ273に対してのみ、2つのダイオードに制御電圧が並列に印加されるように構成してもよい。
《第10の実施形態》
次に、第10の実施形態に係る複合高周波部品について図15を参照して説明する。
第2〜第9の実施形態では、GSM850/900の送信信号入力端子、受信信号出力端子、GSM1800/1900の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、この図15に示す複合高周波部品280はGSM1800と1900の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図3に示した回路と異なるのは、GSM1800/1900の受信信号をGSM1800と1900の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ287を設けている点である。
次に、第10の実施形態に係る複合高周波部品について図15を参照して説明する。
第2〜第9の実施形態では、GSM850/900の送信信号入力端子、受信信号出力端子、GSM1800/1900の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、この図15に示す複合高周波部品280はGSM1800と1900の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図3に示した回路と異なるのは、GSM1800/1900の受信信号をGSM1800と1900の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ287を設けている点である。
受信信号用高周波スイッチ287は、GSM1900の受信信号伝送路にシリーズに第1のダイオードPD1を設け、GSM1800の受信信号伝送路に対してシャントに第2のダイオードPD2を設けている。また、制御端子VcDRに所定の正電圧が印加された時、ダイオードPD1,PD2が共にオンして、VcDR→抵抗PR→PD2→ストリップラインPSL2→PD1→インダクタPSL1の経路で直流電流が流れるように構成している。このようにして送受切替スイッチ284から出力されるGSM1800/1900の受信信号を受信信号用高周波スイッチ287でGSM1900の受信信号とGSM1800の受信信号とに切り替える。
なお、送受切替スイッチ284と受信信号用高周波スイッチ287との間には直流電流遮断用のキャパシタDC6を設けている。
《第11の実施形態》
次に第11の実施形態に係る複合高周波部品について図16を参照して説明する。
この複合高周波部品290が図15に示した回路と異なるのはGSM1800/1900用の受信信号用高周波スイッチ297の構成である。この受信信号用高周波スイッチ297はGSM1900の受信信号伝送路に対してシリーズに第1のダイオードPD1を設け、GSM1800の受信信号伝送路に対してシャントに第2のダイオードPD2を設けている。また、制御端子VcDRに所定の正電圧が印加された時、ダイオードPD1を直流電流が流れる第1の電流経路とダイオードPD2に直流電流が流れる第2の電流経路とを並列に接続している。すなわち、制御端子VcDRに所定の正電圧が印加されると、VcDR→抵抗PR→インダクタPSL1→PD1→ストリップラインPSL2→インダクタPLの経路(第1の電流経路)で電流が流れ、これとともにVcDR→PR→PD2→PL経路(第2の電流経路)で電流が流れる。
次に第11の実施形態に係る複合高周波部品について図16を参照して説明する。
この複合高周波部品290が図15に示した回路と異なるのはGSM1800/1900用の受信信号用高周波スイッチ297の構成である。この受信信号用高周波スイッチ297はGSM1900の受信信号伝送路に対してシリーズに第1のダイオードPD1を設け、GSM1800の受信信号伝送路に対してシャントに第2のダイオードPD2を設けている。また、制御端子VcDRに所定の正電圧が印加された時、ダイオードPD1を直流電流が流れる第1の電流経路とダイオードPD2に直流電流が流れる第2の電流経路とを並列に接続している。すなわち、制御端子VcDRに所定の正電圧が印加されると、VcDR→抵抗PR→インダクタPSL1→PD1→ストリップラインPSL2→インダクタPLの経路(第1の電流経路)で電流が流れ、これとともにVcDR→PR→PD2→PL経路(第2の電流経路)で電流が流れる。
このように受信信号用高周波スイッチ297についても2つのダイオードPD1,PD2に制御電圧が並列に印加されるように構成することによって、その制御電圧の低電圧化が図れる。
《第12の実施形態》
次に第12の実施形態に係る複合高周波部品について図17を参照して説明する。
この複合高周波部品300は、GSM850/900側にも受信信号用高周波スイッチ308を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。GSM1800/1900側の受信信号用高周波スイッチは図15に示したものと同様である。
次に第12の実施形態に係る複合高周波部品について図17を参照して説明する。
この複合高周波部品300は、GSM850/900側にも受信信号用高周波スイッチ308を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。GSM1800/1900側の受信信号用高周波スイッチは図15に示したものと同様である。
制御端子VcGRに所定の正電圧が印加されると、2つのダイオードAD1,AD2が共にオンし、VcGR→抵抗AR→ダイオードAD2→ストリップラインASL2→ダイオードAD1→インダクタASL1の経路で直流電流が流れる。このようにしてGSM850/900側にも受信信号用高周波スイッチ308を設けることによってクワッドバンドのスイッチプレクサとして用いることができる。
《第13の実施形態》
次に第13の実施形態に係る複合高周波部品について図18を参照して説明する。
この複合高周波部品310が図17に示した回路と異なるのはGSM850/900側の受信信号用高周波スイッチ318の構成である。また、GSM1800/1900側の受信信号用高周波スイッチ317は図16に示した受信信号用高周波スイッチ297と同様の構成としている。
次に第13の実施形態に係る複合高周波部品について図18を参照して説明する。
この複合高周波部品310が図17に示した回路と異なるのはGSM850/900側の受信信号用高周波スイッチ318の構成である。また、GSM1800/1900側の受信信号用高周波スイッチ317は図16に示した受信信号用高周波スイッチ297と同様の構成としている。
この例では、GSM850/900側の受信信号用高周波スイッチ318についても、その2つのダイオードAD1,AD2に対して制御電圧が並列に印加されるように構成している。すなわち、制御端子VcGRに所定の正電圧が印加されると、ダイオードPD1を直流電流が流れる第1の電流経路とダイオードPD2に直流電流が流れる第2の電流経路とを並列に接続している。制御端子VcGRに所定の正電圧が印加されると、VcGR→抵抗AR→インダクタASL1→AD1→ストリップラインASL2→インダクタALの経路(第1の電流経路)で電流が流れ、これとともにVcGR→AR→AD2→ALの経路(第2の電流経路)で電流が流れる。
このように受信信号用高周波スイッチ318についても2つのダイオードAD1,AD2に制御電圧が並列に印加されるように構成することによって、その制御電圧の低電圧化が図れる。
Claims (10)
- 共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、
第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、
前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部とし、
前記第1の信号伝送路に前記第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に前記第2のダイオードをシャントに設けたことを特徴とする低電圧制御高周波スイッチ。 - 共用信号入出力部と第1の信号入出力部との間に第1の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第2の信号入出力部との間に第2の信号伝送路を有する高周波スイッチであって、
前記第1の信号伝送路に第1のダイオードをシリーズに設け、前記第2の信号伝送路に第2のダイオードをシャントに設けるとともに、前記第1のダイオードを含む、直流電流が流れる第1の電流経路と、前記第2のダイオードを含む、直流電流が流れる第2の電流経路とを備え、
前記第2の信号伝送路には、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの間で且つ前記共用信号入出力部と第2のダイオードとの間にストリップラインを備え、
前記第1・第2の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続するとともに、前記ストリップラインより第2の信号入出力部側で、第2のダイオードと前記ストリップラインとの接続点である前記並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、前記並列接続の他方の接続点を制御電圧入力部としたことを特徴とする低電圧制御高周波スイッチ。 - 前記第1・第2の電流経路のそれぞれに前記直流電流が流れる抵抗を設けた請求項1または2に記載の低電圧制御高周波スイッチ。
- それぞれの周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号の入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に、送信信号と受信信号を切り替える高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記複数の高周波スイッチのうち少なくとも1つを請求項1、2または3に記載の低電圧制御高周波スイッチで構成した複合高周波部品。 - 前記低電圧制御高周波スイッチは、前記複数の通信系の送受信信号のうち、少なくとも信号電力が最も高い通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器との間に設けた請求項4に記載の複合高周波部品。
- 前記合分波器の前記アンテナ接続部と前記低電圧制御高周波スイッチとの間にストリップラインを備え、前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタの一端を前記合分波器と前記低電圧制御高周波スイッチとの接続点に接続するとともに他端を接地した請求項4または5に記載の複合高周波部品。
- 前記低電圧制御高周波スイッチの前記インダクタおよび前記第1・第2の電流経路を前記合分波器の一部に兼用した請求項4〜6のうちいずれか1項に記載の複合高周波部品。
- 前記低電圧制御高周波スイッチと前記合分波器との間に、低電圧制御高周波スイッチが切り替える、通信系で使用する周波数帯域以外の周波数成分を遮断するフィルタを設けた請求項4〜7のうちいずれか1項に記載の複合高周波部品。
- 前記合分波器は少なくとも3つの通信系の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した2つの通信系の送受信信号と他の通信系の送受信信号を合分波し、周波数帯域が近接した前記2つの通信系の受信信号を切り替える受信信号用高周波スイッチを請求項1、2または3に記載の低電圧制御高周波スイッチで構成した複合高周波部品。
- 前記合分波器は4つの通信系の送受信信号のうち互いの周波数帯域が近接した第1組をなす2つの通信系の送受信信号と第2組をなす2つの通信系の送受信信号を合分波し、第1組をなす2つの通信系の受信信号を切り替える第1の受信信号用高周波スイッチと、第2組をなす2つの通信系の受信信号を切り替える第2の受信信号用高周波スイッチの少なくとも一方を請求項1、2または3に記載の低電圧制御高周波スイッチで構成した複合高周波部品。
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