JPWO2006025523A1 - 光電気複合モジュール - Google Patents

Abstract

基板３の上に絶縁層３１が積層され、その上に光導波路２１を内蔵された絶縁層２が形成され、絶縁層２の上下に下部グランド電極６１、上部グランド電極６２、導電性ビア７１等が電気的に接続され、光導波路２１は発光素子と送信ＬＳＩを主構成とする送信部１１と、受光素子と受信ＬＳＩを主構成とする受信部１２に結合されている。送信部１１で発光素子を駆動すると信号光は光導波路２１に結合して光伝播するが、光導波路２１に入射されなかった迷光４１は電磁波ノイズ４２とともに基板３と絶縁層２の内部また空間を伝播するが、導電性ビア７１で散乱され、上下グランド電極６１、６２で反射され、信号光のみが受信部１２の受光素子に結合する。

Description

本発明は、光電気複合モジュールに関し、特に発光素子とその駆動ＬＳＩ及び受光素子とその信号処理ＬＳＩなどが光導波路とともに一体的に実装された高速の光電気複合モジュールに関する。

近年、地域内ネットワーク、都市間ネットワーク等に代表される光通信、ならびにサーバ・ルータの装置内・装置間での光リンクなどにおいて用いられる、高速、低コスト、かつ小型な光トランシーバの実現が期待されている。光トランシーバは光送信部と光受信部から構成されているが、その中で光送信部のモジュールは、送信ＬＳＩ及び半導体レーザなどの発光素子を有し、光受信部のモジュールは、受信ＬＳＩ及びフォトダイオードのような受光素子を有している。

これまでこの種の光電気複合モジュールは、光導波路が形成された基板上に光素子を搭載し、光導波路と結合することによって光結合系を形成し、光導波路の一端と光ファイバと結合することにより外部との光入出力を行っている。さらに光加入者系では入出力のためのファイバの本数を１本にするため、発光素子と受光素子の信号波長を区別して、途中に光フィルタを挿入することで波長をふりわける構造が採用されている。そして、送受信一体型の光モジュールにおいては迷光と電磁波ノイズを抑制することが必要となるので、従来より種々の低減手段がとられてきた。例えば、特許文献１に記載されている従来の光伝送モジュールでは、発光素子と受光素子の間の光導波路に、孔があいた遮光板を挿入することによって、光導波路近傍は通過し外側は遮光されることにより、発光素子から光導波路に結合されなかった迷光が抑制される構造がとられていた。

また、迷光が抑制できる別の構造として、例えば、特許文献２には、発光素子及び受光素子の周囲を透明樹脂にてドーム状に被覆し、その外側を遮光用樹脂被覆部でコーティングする構造が提案されている。この構造によれば、発光素子からの迷光が外部に漏れでないようにできるとともに外部からの光が受光素子に受光されないようにすることができる。
一方、電磁波ノイズを抑制するための構造としては、発光素子の駆動によって生じる電磁波ノイズが受信側に到達して受信ＬＳＩで増幅されることのないように、送信部と受信部の距離を離したり、例えば受信部の素子が搭載された基板全体を電磁波遮蔽用のモジュールパッケージで覆うなどの対策が採られてきた。
特開２００１−２４９２４１号公報（３−４頁、図１、図２） 特開２００１−１７４６７５号公報（３頁、図１、図２）

従来の光導波路基板を用いた光モジュールでは、迷光と電磁波ノイズ抑制のために別々の部品に対策を施してきた。しかし個別に対策を施すことで部品点数の低減が難しくなるなど、サイズやコストの低下を阻む要因となっていた。
また、迷光低減のために遮光板を挿入する場合、導波路部分に遮光板の孔部がくるように調整するのでアライメント精度が厳しく、実装コストが高くなるという問題があった。
また、電磁波ノイズ低減のために発光素子と受光素子の距離を離すことによって小型化が阻害されるという問題があった。
また、従来構造では、微細な部分に電磁遮蔽構造を形成することができないため、送信部や受信部などをアレイ化した際に隣接チャンネル間のクロストークを抑制することが困難であった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、第１に、迷光と電磁波ノイズの抑制を別々の部品ではなく同一部品内（同一基板上）に実現できる構造を有する光電気複合モジュールを提供することであり、第２に、遮光板のような部品を用いずに迷光を抑制でき、実装コストを低減できる構造を有する光電気複合モジュールを提供することであり、第３に、発光素子と受光素子の距離を近づけても電磁波ノイズを低減でき小型化できる構造を有する光電気複合モジュールを提供することであり、第４に、クロストークの抑制された、アレイ化された光電気複合モジュールを提供することである。

上述した目的を達成するため、本発明によれば、送信部及び／又は受信部と、絶縁層内に配置された、少なくとも前記送信部又は前記受信部とに光学的に結合された光導波路とを有する光電気複合モジュールにおいて、前記光導波路の少なくとも一部が、筒状に形成された接地された導電性部材により囲まれていることを特徴とする光電気複合モジュールが提供される。

また、上述した目的を達成するため、本発明によれば、送信部及び／又は受信部と、絶縁層内に配置された、少なくとも前記送信部又は前記受信部とに光学的に結合された光導波路とを有する光電気複合モジュールにおいて、前記絶縁層上・下面にはそれぞれ上部グランド電極と下部グランド電極とが形成され、前記光導波路の少なくとも一部が、上部グランド電極と下部グランド電極の少なくとも一方に接続された、光導波路に沿ってその両側に形成された並行導電性部材と該並行導電性部材と交差する方向に形成された交差導電性部材とによっては“コ”字状又は“ロ”字状に囲まれていることを特徴とする光電気複合モジュールが提供される。

本発明は、基板の上に光導波路を内蔵する絶縁層を配置し、この絶縁層の上面及び下面に形成された導電膜（グランドパターン及び信号配線と電源配線）を遮光用及び電磁波遮蔽用膜として有効活用するとともに、光導波路を、絶縁層内に設置された接地された導電性部材によっては“コ”字状若しくは“ロ”字状に囲み、これにより遮光用及び電磁波遮蔽用作用を担わせるものであるので、本発明によれば、別々の部品でなく同一部品内（同一基板上）で遮光と電磁遮蔽が可能となり、また、送信部と受信部との距離を離す必要がなくなり、部品点数の削減と装置の小型化と低コスト化が可能となる。また、迷光低減のための開孔を有する遮光板が不要になるため、実装コストを抑えることが可能となる。また、微細な部分に電磁遮蔽構造を作り込むことができるため、アレイ化した際に隣接チャンネル間のクロストークを抑制することが可能になる。

本発明の第１の実施の形態の主要部の縦断面図と横断面図。 本発明の第１の実施の形態の動作を説明する模式図。 本発明の第２の実施の形態の主要部の縦断面図と横断面図。 本発明の第３の実施の形態の主要部の縦断面図と横断面図。 本発明の第４の実施の形態の主要部の縦断面図と横断面図。 本発明の第５の実施の形態の縦断面図と上面図と横断面図。

符号の説明

１ 光電気複合モジュール
１ａ 光電気複合モジュールの光伝送部
２ 絶縁層
３ 基板
８ 光ファイバ
９ バンプ
１１ 送信部
１２ 受信部
２１ 光導波路
３１ 絶縁層
４１、４３ 迷光
４１１ 絶縁層内迷光
４１２ 空間伝播迷光
４２ 電磁波ノイズ
４２１ 絶縁層伝播電磁波ノイズ
４２２ 空間伝播電磁波ノイズ
４２３ 基板伝播電磁波ノイズ
５１ ＬＤ
５２ 送信ＬＳＩ
５３ 受信ＰＤ
５４ 受信ＬＳＩ
５５ ＷＤＭフィルタ
５６ ミラー
６１ 下部グランド電極
６２ 上部グランド電極
６３ 上部電極・配線
６４ 下部電極・配線
６５、６６、６９ 信号線路
６７、６８ 電源線路
７１ 導電性ビア（導電性材料が充填されたビアホール）
７２ 導電性側壁
７３ 導電性正面壁
７３ａ 開口
７４ 吸収体充填ビア（光吸収性材料が充填されたビアホール）
７５ 吸収層
７６ 遮蔽ケース

次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態を、特に光導波路の電磁遮蔽ならびに遮光構造に着目して示す要部断面図であって、図１（ａ）は縦断面図、図１（ｂ）は光導波路を通る面での横断面図である。図１に示される、本実施の形態の光電気複合モジュールの光伝送部１ａにおいて、Ｓｉからなる基板３の上に絶縁層３１が積層され、その上に光導波路２１が内蔵された絶縁層２が形成されている。そして、絶縁層２の上・下面にはそれぞれ上部グランド電極６２と下部グランド電極６１が形成され、絶縁層２内には、上部グランド電極６２と下部グランド電極６１とに接続された、導電性材料が充填されたビアホール（以下、導電性ビア）７１が複数本形成されている。光導波路２１は発光素子と送信ＬＳＩを主構成要素とする送信部１１と、受光素子と受信ＬＳＩを主構成要素とする受信部１２に光学的に結合されている。
絶縁層２は光導波路２１を内蔵しており光導波に適した屈折率構造を有している。絶縁層の材料としては信号波長に対して低損失であり、レーザビームによるビアホールの加工等が可能なポリマ樹脂が好適である。

本実施の形態において、導電性ビア７１は、送信部１１側に光導波路２１を囲むように配置されている。導電性ビア７１は、送信部と受信部の間の光導波路２１を伝播してくる信号光を吸収又は散乱しない範囲で光導波路２１に近接させるとともに、迷光４１の主要伝播方向(図の左右方向)対して垂直の方向に並べる。そして、その垂直方向に並ぶ導電性ビア７１の列が複数本配置されるようにし、かつ、迷光４１の主要伝播方向に導電性ビア７１がジグザグに配置されるようにして、迷光４１の受信部１２方向（図の右方向）への直進が阻害されるようにすると効果的である。図１に示す第１の実施の形態では、送信側からの迷光４１と電磁波ノイズ４２が外部に漏洩しないようにする構造が示されているが、受信部１２側に導電性ビア７１を配列することにより、外部からの迷光と電磁波ノイズを受信部に進入させない構造とすることもできる。また、送信部側及び受信部側の双方において光導波路を導電性ビア７１で囲った構造としてもよい。

次に、本実施の形態の光電気複合モジュールの動作について図２を参照して説明する。
送信部１１で発光素子を駆動すると信号光は光導波路２１に入射されて光伝播するが、光導波路２１に入射されなかった迷光４１のうち、絶縁層２内を伝播する絶縁層内迷光４１１は絶縁層伝播電磁波ノイズ４２１とともに導電性ビア７１で散乱される。また、空間を伝播する迷光４１２は空間伝播電磁波ノイズ４２２とともに上部グランド電極６２で反射される。また基板３内を伝播してきた基板伝播電磁波ノイズ４２３は下部グランド電極６１で反射され、基板３に入射した空間伝播迷光４１２はＳｉ製の基板に大部分吸収され、残りの部分は下部グランド電極６１で反射される。このため、迷光は受光部の受光素子に結合されず、受信信号光のみが受信部１２の受光素子に結合する。
以上のように、本実施形態の光電気複合モジュールでは、その光伝送部１ａにおいて光導波路が通る基板上に遮光と電磁遮蔽をするための導電性ビア列を作りこむことができるので、モジュール全体の構造が簡略化して部品点数を減らすことができ、小型化、低コスト化が可能になる。また、基板や絶縁層の内部に遮断構造が作りこめるため、送信側から受信側に伝播してくる基板や絶縁層の内部の迷光や電磁波ノイズをカットして、遮光や電磁遮蔽効果を高めることが可能になる。

図３は、本発明の第２の実施の形態の要部断面図であって、図３（ａ）は縦断面図、図３（ｂ）は光導波路を通る面での横断面図である。図３に示される、本実施の形態の光電気複合モジュールの光伝送部１ａにおいては、導電性ビアに代え導電性材料を隙間なく埋めた壁状部材を形成して遮光、電磁遮蔽効果を高めている。すなわち、絶縁層２内に、光導波路２１を挟んでこれに概略並行の一対の導電性側壁７２を設けるとともに、光導波路２１をよける導電性正面壁７３を導電性側壁７２に接続してこれに垂直に形成する。導電性正面壁７３には光導波路２１を通す開口７３ａが設けられている。この導電性壁は、導電性ビアのためのビアホールを形成するのに用いられたレーザ加工を繰り返し用いてビアホールを連続した形状に形成しその内部を導電性材料で充填すれば容易に形成が可能である。これにより絶縁層２内を伝播する迷光４１ならびに電磁波ノイズ４２は導電性側壁７２及び導電性正面壁７３により反射され、受信部１２の受光素子には受信信号光のみが到達する。

図４は、本発明の第３の実施の形態の要部断面図であって、図４（ａ）は縦断面図、図４（ｂ）は光導波路を通る面での横断面図である。図４に示される、本実施の形態の光電気複合モジュールの光伝送部１ａにおいては、導電性ビア７１による散乱だけでなく、光吸収体が充填されたビアホール（以下、吸収体充填ビア）７４により直接吸収あるいは散乱光吸収により遮光効果を高めている。吸収体充填ビア７４は、“コ”字状に配列された導電性ビア７１の内側に配置し、迷光４の経路を遮るようにする。これにより絶縁層２内を伝播する迷光４１は導電性ビア７１に散乱され、さらに吸収体充填ビア７４で吸収され、受信部１２の受光素子には受信信号光のみが到達するようになる。吸収体材料はポリマ樹脂の中から容易に選択が可能である。

図５は、本発明の第４の実施の形態の要部断面図であって、図５（ａ）は縦断面図、図５（ｂ）は光導波路を通る面での横断面図である。図５に示される、本実施の形態の光電気複合モジュールの光伝送部１ａにおいては、絶縁層２の上部を光吸収性材料からなる吸収層７５としたものであり、導電性ビア７１による散乱と、吸収体充填ビア７４と吸収層７５による直接吸収及び散乱光吸収とにより、遮光効果を高めている。ここで、吸収体充填ビア７４は、“コ”字状に配列された導電性ビア７１の内側に配置し、迷光４１の経路を遮断するようにする。これにより絶縁層２内を伝播する迷光４１は導電性ビア７１に散乱され、さらに吸収体充填ビア７４と吸収層７５で吸収され、受信部１２の受光素子には受信信号光のみが到達するようになる。同様に吸収層７５に直接到達した迷光４３はそのまま吸収される。光吸収性材料は、ポリマ樹脂の中から容易に選択が可能であり、吸収層７５はスピンコートによる形成が可能である。また、吸収層７５と絶縁層２とを貫通するビアホールはレーザ加工により容易に形成できる。
なお、第１〜第４の実施の形態においては送信部、受信部及び光導波路を各１個ずつ有する場合について説明したが、送信部又は受信部を複数個アレイ状に配置するようにしてもよい。あるいは送信部、受信部及び光導波路の組を複数個アレイ状に配置するようにしてもよい。本発明によれば、アレイ化した場合でも導電性ビア等は微細な部分に形成が可能なため、個別の光導波路ごとに遮光ならびに電磁遮蔽構造を設置することができ、コンパクトに集積化されたアレイ化モジュールにおいても隣接チャンネル間でのクロストークを抑制することが可能である。

図６は、本発明の第５の実施の形態の光電気複合モジュールの模式図であって、図６（ａ）は縦断面図、図６（ｂ）は上面図、図６（ｃ）は光導波路を通る面で見た横断面図である。光電気複合モジュール１は、送信部１１と、受信部１２と、これらの間を光学的に結合する、絶縁層２内に敷設された光導波路２１とを有しており、これらは基板３上の絶縁層３１上に設置されており、一体型モジュールとして構成されている。絶縁層２の上・下面には、それぞれ上部電極・配線６３と下部電極・配線６４が形成されており、また絶縁層２内部には導電性ビア７１と吸収体充填ビア７４とが形成されている。ここで、上部電極・配線６３と下部電極・配線６４とは、それぞれグランド電極と信号線路と電源線路を含むものである。
送信部１１はＬＤ５１と送信ＬＳＩ５２で構成されている。ＬＤ５１は、絶縁層３１上に形成された信号線路６９上にフリップチップ接続され、送信ＬＳＩ５２からの電流振幅信号をうけて、光信号を生成する。ＬＤ５１の層構造及び内部構造は光導波路との光結合に適した構造となっている。また、端面発光型に限られず、面発光型のＬＤを用いてもよい。この場合は、絶縁層２上に搭載し、ミラーにて光路を９０度変換してその出射光を光導波路２１と結合するようにしてもよい。送信ＬＳＩ５２は、絶縁層２上の上部グランド電極６２、電源線路６８、信号線路６５上にバンプ９でフリップチップ実装されており、外部からの電気信号（規定電圧の変調信号）に応じて、ＬＤ５１に必要な電流振幅の駆動電流を与える。送信ＬＳＩ５２が接続された信号線路６５とＬＤ５１が接続された信号線路６９とは、絶縁層２を貫通して形成された導電性ビアにより接続されている。
受信部１２は受信ＰＤ５３と受信ＬＳＩ５４で構成されている。受信ＰＤ５３は絶縁層２上の信号線路６６上にフリップチップ接続され、入力信号光を電流振幅信号に変換して、受信ＬＳＩ５４に送信する。受信ＰＤ５３は面型ＰＤに限られず、端面入射型のＰＤを用いてもよい。この場合は、ＰＤを下部電極・配線６４上に搭載して、光導波路２１と直接結合するようにしてもよい。受信ＬＳＩ５４は絶縁層２上の上部グランド電極６２、信号線路６６、電源線路６７上にフリップチップ接続され、受信ＰＤ５３からの電流振幅信号を規定電圧になるように電圧信号に変換する。受信部１２は、上部グランド電極６２に接続された金属製の遮蔽ケース７６内に収容されている。
本実施の形態においては、信号線路をコプレーナ伝送線路として構成していたが、信号線路を上部グランド電極上にマイクロストリップ線路として形成するようにしてもよい。このようにすることにより、迷光及び電磁波ノイズをより完全に遮蔽することができる。

本実施の形態において、光回路部分として光導波路２１が基板３上にＶ字型になるように敷設されている。基板３の片端には送信部１１が形成され、導波路が交わる部分にはＷＤＭフィルタ５５が配置され、その後方側に受信部１２が設置されている。Ｖ字状に開いた光導波路２１の一方の端部はＬＤ５１と結合され、他方は光ファイバ８と結合されている。
ＷＤＭフィルタ５５は、２本の導波路がＶ字に交わる部分に形成された溝に挿入されている。外部からの入力光はＷＤＭフィルタ５５を透過した後、ミラー５６にて反射されて受信ＰＤ５３に入射する。送信部１１からの信号光はＷＤＭフィルタ５５にて反射されて光ファイバ８を介して外部へ出力される。
光ファイバ８は、外部からの光入力を光導波路２１を介して受信部１２へ導き、そして送信部からの光信号を光導波路２１を介して外部へ光出力する。光ファイバ８は基板上に形成されたＶ溝などにより位置決めされている。

この送受一体型の光電気複合モジュール構成において、送信部１１と受信部１２との間を光結合する光導波路２１が敷設されている絶縁層２では、その送信部側及び受信部側の両方の上・下面に上部グランド電極６２と下部グランド電極６１が形成され、そして送信部側と受信部側とにそれぞれ導電性ビア７１及び吸収体充填ビア７４が配置されている。ここで、導電性ビア７１は送信部側及び受信部側の両方において光導波路２１を囲むように配置されている。さらに、遮蔽ケース７６により、送信部１１で発生した空間伝播電磁波ノイズの受信部１２への伝達が遮断されている。すなわち、下、上部グランド電極６１、６２、導電性ビア７１、遮蔽ケース７６によって等電位面が形成され、空間伝播、基板伝播及び絶縁層伝播の各電磁波ノイズを遮蔽することができる。本実施の形態において、遮蔽ケース７６は外部からの電磁波ノイズの影響を受けやすい受信部１２側に配置したが、送信部１１側に配置してもよい。
以上のことから、本発明の第５の実施の形態では、迷光低減のために孔のついた遮光板が不要になるため、実装コストを抑えることが可能である。また、電磁波ノイズ低減のための電磁遮蔽構造を送信側あるいは受信側の近傍にとることができるので送信側と受信側の間の距離を離す必要がなくなり小型化が可能になる。

次に、図６を参照して本発明の実施例１を説明する。ＬＤ５１は発振波長１３１０ｎｍの端面発光レーザで、受信ＰＤ５３は面型のフォトダイオードであって、これらの光素子をフリップチップ実装した。絶縁層２は光導波路の損失が０．５ｄＢ／ｃｍであった。送信ＬＳＩ５２は、外部から１５６Ｍｂｉｔ／ｓの差動入力の電気信号によりＬＤ５１の注入電流を制御する。波長１３１０ｎｍの光信号は光導波路２１を介してＷＤＭフィルタ５５で反射して、光ファイバ８から外部へ光出力される。一方、波長１５５０ｎｍ、６２２Ｍｂｉｔ／ｓの光入力は、光ファイバ８、光導波路２１を介して伝達され、ＷＤＭフィルタ５５を透過しミラー５６で反射して受信ＰＤ５３で受光され、受信ＬＳＩ５４で電気信号として出力された。このときのＬＤ５１から受信ＰＤ５３への光のアイソレーションは６５ｄＢ、電気のアイソレーションは８０ｄＢであり、迷光、及び電磁波ノイズを低減する効果が得られた。

本発明の活用例として、地域内ネットワーク、都市間ネットワーク等に代表される光通信、ならびにサーバ・ルータ等装置内・装置間での光リンクに使用される光電気複合モジュールが挙げられる。

Claims (23)

1. 送信部及び／又は受信部と、絶縁層内に配置された、少なくとも前記送信部又は前記受信部とに光学的に結合された光導波路とを有する光電気複合モジュールにおいて、
   前記光導波路の少なくとも一部が、筒状に形成された接地された導電性部材により囲まれていることを特徴とする光電気複合モジュール。
2. 送信部及び／又は受信部と、絶縁層内に配置された、少なくとも前記送信部又は前記受信部とに光学的に結合された光導波路とを有する光電気複合モジュールにおいて、
   前記絶縁層上・下面にはそれぞれ上部グランド電極と下部グランド電極とが形成され、
   前記光導波路の少なくとも一部が、上部グランド電極と下部グランド電極の少なくとも一方に接続された、光導波路に沿ってその両側に形成された並行導電性部材と、該並行導電性部材と交差する方向に形成された交差導電性部材とによって“コ”字状又は“ロ”字状に囲まれていることを特徴とする光電気複合モジュール。
3. 前記絶縁層の上面又は下面の少なくとも一方には、グランド電極と信号配線とが同層に形成されていることを特徴とする請求項２記載の光電気複合モジュール。
4. 前記並行導電性部材が、導電性ビア列又は導電性壁により構成されていることを特徴とする請求項２記載の光電気複合モジュール。
5. 前記交差導電性部材が、導電性ビア列又は前記光導波路を通す開口部が開設された導電性壁により構成されていることを特徴とする請求項２記載の光電気複合モジュール。
6. 前記絶縁層内には、光及び電磁波を反射する反射部材及び／又は光吸収部材がさらに配置されていることを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
7. 前記絶縁層内には、光及び電磁波を反射する反射部材及び／又は光吸収部材がさらに配置されていることを特徴とする請求項２記載の光電気複合モジュール。
8. 前記反射部材が前記絶縁層を貫通して形成された、接地された導電性ビアにより構成されていることを特徴とする請求項７記載の光電気複合モジュール。
9. 前記光吸収部材が前記絶縁層を貫通するビアホールを光吸収材料にて充填してなる吸収体充填ビアにより構成されていることを特徴とする請求項７記載の光電気複合モジュール。
10. 前記送信部が、発光素子と該発光素子を駆動する送信ＬＳＩを有することを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
11. 前記送信部が、発光素子と該発光素子を駆動する送信ＬＳＩを有することを特徴とする請求項９記載の光電気複合モジュール。
12. 前記送信ＬＳＩが前記絶縁層上に搭載されていることを特徴とする請求項１１記載の光電気複合モジュール。
13. 前記受信部が、受光素子と該受光素子の出力信号を処理する受信ＬＳＩを有することを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
14. 前記受信部が、受光素子と該受光素子の出力信号を処理する受信ＬＳＩを有することを特徴とする請求項１２記載の光電気複合モジュール。
15. 前記受光素子と前記受信ＬＳＩが前記絶縁層上に搭載されていることを特徴とする請求項１４記載の光電気複合モジュール。
16. 前記送信部又は前記受信部の少なくとも一方が遮蔽ケース内に収容されていることを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
17. 前記送信部又は前記受信部の少なくとも一方が遮蔽ケース内に収容されていることを特徴とする請求項１５記載の光電気複合モジュール。
18. 前記送信部と前記受信部との間には、送信信号光と受信信号光の内のいずれか一方のみを透過させる光フィルタが配置されていることを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
19. 前記送信部と前記受信部との間には、送信信号光と受信信号光の内のいずれか一方のみを透過させる光フィルタが配置されていることを特徴とする請求項１７記載の光電気複合モジュール。
20. 前記絶縁層の一部の層が迷光を吸収する材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
21. 前記絶縁層の一部の層が迷光を吸収する材料で構成されていることを特徴とする請求項１９記載の光電気複合モジュール。
22. 複数の前記送信部若しくは複数の前記受信部、又は前記送信部、前記受信部及び前記光導波路の複数組がアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項１記載の光電気複合モジュール。
23. 複数の前記送信部若しくは複数の前記受信部、又は前記送信部、前記受信部及び前記光導波路の複数組がアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項２１記載の光電気複合モジュール。

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