JPWO2006025485A1 - 導電性微粒子及び異方性導電材料 - Google Patents
導電性微粒子及び異方性導電材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006025485A1 JPWO2006025485A1 JP2006527209A JP2006527209A JPWO2006025485A1 JP WO2006025485 A1 JPWO2006025485 A1 JP WO2006025485A1 JP 2006527209 A JP2006527209 A JP 2006527209A JP 2006527209 A JP2006527209 A JP 2006527209A JP WO2006025485 A1 JPWO2006025485 A1 JP WO2006025485A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- conductive
- nickel plating
- layer
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1683—Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/285—Sensitising or activating with tin based compound or composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12181—Composite powder [e.g., coated, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Abstract
Description
しかしながら、特に近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って求められているほどの導電性微粒子を製造するためには、特許文献2に記載されている製造方法では充分な性能が発揮されているとは言えず、より厳密な製造方法により高性能な導電性微粒子を製造する必要性がでてきた。
以下に本発明を詳述する。
以下に本発明を詳述する。
本発明の導電性微粒子においては、上記基材微粒子の表面に接する非結晶構造ニッケルメッキ層を有することにより、上記基材微粒子と上記導電層との密着性が高くなり、また、導電層を割れにくくすることができ、耐衝撃性が向上した導電性微粒子とすることができる。また、上記結晶構造ニッケルメッキ層を有することにより、導電性に優れた導電性微粒子とすることができる。
上述したような3層以上の構造を形成させる際には、上記その他の層には導電性を向上させる目的で、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウムや、錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金等の2種以上の金属で構成される合金等を含有させることが好ましい。また、その他の層を形成させる際には、無電解メッキ、電気メッキ、スパッタリング等の従来公知の方法で形成させればよい。
上記結晶構造ニッケルメッキ層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は100nm、好ましい上限は400nmである。
また、上記非結晶構造ニッケルメッキ層の厚さは、基材微粒子との密着性に大きく影響し、上記結晶構造ニッケルメッキ層の厚さは、導電性に大きく影響するため、それぞれの層の厚さの割合も重要となり、上記非結晶構造ニッケルメッキ層の厚さは、上記結晶構造ニッケルメッキ層の厚さの1/20〜1/5であることが好ましい。
上記芯物質が、基材微粒子に接触しているか又は基材微粒子から近接した位置に存在することにより、芯物質が確実に導電層で覆われることになり、突起の基材微粒子に対する密着性が優れた導電性微粒子を得ることができる。更に、芯物質が基材微粒子に接触しているか又は基材微粒子から近接した位置に存在することにより、基材微粒子の表面上に突起を揃えることができる。また、芯物質の大きさを揃えやすく、突起の高さが基材微粒子の表面上で揃った導電性微粒子を得ることが可能となる。
従って、本発明の導電性微粒子を異方性導電材料として用いた電極間の接続時には、導電性微粒子の導電性能のばらつきが小さくなり、導電信頼性に優れるという効果が得られる。
なお、突起の平均高さは、無作為に選んだ50個の導電層上にある凸部の高さを測定し、それを算術平均して突起の平均高さとする。このとき、突起を付与した効果が得られるものとして、導電層上の10nm以上の凸部のものを突起として選ぶものとした。
上記導電層に含有されるニッケル結晶粒塊は、上記X線回折測定により、例えば、ニッケル(111)面、ニッケル(200)面、ニッケル(220)面等の各格子面の回折ピークで確認される。また、各格子面の回折ピークにおける面積強度比により各格子面の割合を求めることができる。
本発明の導電性微粒子においては、X腺回折測定における面積強度比により求められる、ニッケル(111)面に配向するニッケル結晶粒塊の割合が80%以上である。
本発明においては、後述するように厳密なpH調整等により基材微粒子の表面に導電層を形成させていることから、従来では達成し得ないほどの高いニッケル結晶粒塊を含有する導電層を得ることができ、その結果、導電性等に優れた導電性微粒子を得ることができる。
具体的には、例えば、基材微粒子の表面に触媒付与を行う工程1と、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、プロピオン酸、乳酸、及び、酢酸、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも1種の錯化剤を含有するニッケルメッキ液を用い、かつ、ニッケルメッキ反応時のpHを4.9以下に調整することにより前記基材微粒子の表面に非結晶構造ニッケルメッキ層を形成させる工程2と、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、プロピオン酸、乳酸、及び、酢酸、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも1種の錯化剤を含有するニッケルメッキ液を用い、かつ、ニッケルメッキ反応時のpHを7.2〜9に調整することにより結晶構造ニッケルメッキ層を形成させる工程3とを有する製造方法により製造することができる。
このような導電性微粒子の製造方法もまた、本発明の1つである。
本発明の導電性微粒子の製造方法は、基材微粒子の表面に触媒付与を行う工程1を有する。
上記触媒付与を行う方法としては、例えば、アルカリ溶液でエッチングされた基材微粒子に酸中和、及び、二塩化スズ(SnCl2)溶液におけるセンシタイジングを行い、二塩化パラジウム(PdCl2)溶液におけるアクチベイジングを行う無電解メッキ前処理工程を行う方法等が挙げられる。
なお、センシタイジングとは、絶縁物質の表面にSn2+イオンを吸着させる工程であり、アクチベイチングとは、絶縁性物質表面にSn2++Pd2+→Sn4++Pd0で示される反応を起こしてパラジウムを無電解メッキの触媒核とする工程である。
本発明においては、非結晶構造ニッケルメッキ層を形成させる際に、ニッケルメッキ反応時のpHを4.9以下に調整することにより、基材微粒子と非結晶構造ニッケルメッキ層との密着性が優れたものとなり、導電性微粒子全体として、耐衝撃性等に優れたものとなる。
また、上記ニッケルメッキ液は、メッキ安定剤として、硝酸ビスマス及び/又は硝酸タリウムを含有することが好ましい。
また、上記ニッケルメッキ液は、メッキ安定剤として、硝酸ビスマス及び/又は硝酸タリウムを含有することが好ましい。
また、上記硬化性樹脂は、常温硬化型、熱硬化型、光硬化型、湿気硬化型のいずれの硬化型であってもよい。
また、絶縁性の樹脂バインダーと、本発明の導電性微粒子とを混合することなく、別々に用いて異方性導電材料としてもよい。
本発明によれば、導電層が割れにくく耐衝撃性が向上し、基材微粒子と導電層との密着性に優れた導電性微粒子、及び、該導電性微粒子を用いた異方性導電材料を提供することができる。
得られたニッケルメッキ微粒子1をサンプリングし、乾燥させて、ニッケルメッキ被膜のX線回折測定を行った。X線回折測定は、Rigaku社製「X−RAY DIFFRACTOMETER RINT1400」により、測定条件は、管電圧:50kV、管電流:100mA、X線:CuKα線、波長λ:1.541オングストロムとした。X線回折測定を行った結果、ニッケルの結晶ピークは確認できず、非結晶構造ニッケルメッキ層であることが確認された。
また、得られたニッケルメッキ微粒子2をサンプリングし、乾燥させて、ニッケルメッキ微粒子1と同様にニッケルメッキ被膜のX線回折測定を行った。X線回折測定を行った結果、ニッケルの結晶ピークが確認され、ニッケル(111)面が2θ=44.9°に、ニッケル(200)面が2θ=51.5°に、ニッケル(220)面が2θ=76.7°に確認された。また、各ピークにおける面積強度比は、(111)面:(200)面:(220)面=86:8:6であることが確認され、ニッケル結晶は(111)面へ配向する結晶粒塊が86%であることが確認された。すなわち、ニッケル(111)面の面積強度比により求められる割合が80%以上であることが確認された。
実施例1と同様にして、基材微粒子を作製し、無電解メッキ前処理工程を行った。
硫酸ニッケル170g/L、次亜リン酸ナトリウム170g/L、ピロリン酸ナトリウム340g/L、メッキ安定剤として1g/Lの硝酸タリウム水溶液6mLの混合溶液120mLをアンモニア水でpHを9.4に調整しニッケルメッキ液とし、10分間かけて、反応浴槽に、定量ポンプを通して添加し、ニッケルメッキ反応のpHが7.8であることを確認したこと以外は実施例1と同様にして行い、ニッケルメッキ微粒子3を得た。
得られたニッケルメッキ微粒子3は、実施例1と同様にして、ニッケルメッキ被膜のX線回折測定を行った。X回折測定を行った結果、ニッケルの結晶ピークが確認され、結晶構造ニッケルメッキ層であることが確認された。
実施例1と同様にして、基材微粒子を作製し、無電解メッキ前処理工程を行った。
ニッケルメッキ液のpH、及び、ニッケルメッキ反応のpHを6.0に調整したこと以外は実施例1と同様にして無電解メッキ前期工程を行い、ニッケルメッキ微粒子4を得た。
得られたニッケルメッキ微粒子4は、実施例1と同様にして、ニッケルメッキ被膜のX腺回折測定を行った。X線回折測定を行った結果、ニッケルの結晶ピークは確認できず、非結晶構造ニッケルメッキ層であることが確認された。
得られたニッケルメッキ微粒子5は、実施例1と同様にして、ニッケルメッキ被膜のX線回折測定を行った。X線回折測定を行った結果、ニッケル結晶は(111)面へ配向する結晶粒塊が60%であることが確認され、結晶構造ニッケルメッキ層であることが確認された。
実施例1及び比較例1〜2で得られた導電性微粒子について、以下の評価を行った。結果を表1に示した。
実施例1及び比較例1〜2で得られたそれぞれの導電性微粒子について、100mLのビーカーに、導電性微粒子1g、直径1mmのジルコニアボール10g、及び、トルエン20mLを投入し、ステンレス製の4枚攪拌羽根により300rpmで3分間攪拌し、導電性微粒子の解砕を行った。
解砕を行った導電性微粒子について、走査電子顕微鏡(SEM)写真(1000倍)にて、1000個観察中の割れた粒子数をカウントして、基材微粒子とメッキ被膜との密着性の評価を行った。なお、割れた粒子数は、導電性微粒子の直径の1/2以上のひびや剥がれをおこしたものをカウントした。
樹脂バインダーの樹脂としてエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製、「エピコート828」)100重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール2重量部、及び、トルエン100重量部を、遊星式攪拌機を用いて充分に混合した後、離型フィルム上に乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布し、トルエンを蒸発させて接着性フィルムを得た。
次いで、樹脂バインダーの樹脂としてエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製、「エピコート828」)100重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール2重量部、及びトルエン100重量部に、得られた導電性微粒子を添加し、遊星式攪拌機を用いて充分に混合した後、離型フィルム上に乾燥後の厚さが7μmとなるように塗布し、トルエンを蒸発させて導電性微粒子を含有する接着性フィルムを得た。なお、導電性微粒子の配合量は、フィルム中の含有量が5万個/cm2となるようにした。
得られた接着性フィルムと導電性微粒子を含有する接着性フィルムとを常温でラミネートすることにより、2層構造を有する厚さ17μmの異方性導電フィルムを得た。
得られた異方性導電フィルムを5×5mmの大きさに切断した。これを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有した幅200μm、長さ1mm、高さ0.2μm、L/S20μmのアルミニウム電極のほぼ中央に貼り付けた後、同じアルミニウム電極を有するガラス基板を、電極同士が重なるように位置あわせをしてから貼り合わせた。
このガラス基板の接合部を、40MPa、200℃の圧着条件で熱圧着した後、電極間の抵抗値、及び、電極間のリーク電流の有無を評価した。
一方、比較例1は、導電層に非結晶構造ニッケルメッキ層を含まないため、解砕処理を行うとメッキ被膜が割れやすく耐衝撃性が低下しており、基材微粒子と導電層との密着性が悪いと言える。
また、比較例2は、錯化剤としてグリシンを用いているため、ニッケルメッキ層が柱状に配向しており、メッキ被膜が縦方向にひび割れを起こしやすくなっている。その結果、解砕処理を行うとメッキ被膜が割れやすく耐衝撃性が低下しており、基材微粒子と導電層との密着性が悪いと言える。
Claims (9)
- 基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された導電層とからなる導電性微粒子であって、
前記導電層は、前記基材微粒子の表面に接する非結晶構造ニッケルメッキ層と、結晶構造ニッケルメッキ層とを有し、
X線回折測定における面積強度比により求められる、ニッケル(111)面に配向するニッケル結晶粒塊の割合が80%以上である
ことを特徴とする導電性微粒子。 - 非結晶構造ニッケルメッキ層の含リン率が10〜18%であり、かつ、結晶構造ニッケルメッキ層の含リン率が1〜8%であることを特徴とする請求項1記載の導電性微粒子。
- 導電層は、ビスマス及び/又はタリウムを1000ppm以下含有することを特徴とする請求項1又は2記載の導電性微粒子。
- 導電層は、表面に突起を有することを特徴とする請求項1、2又は3記載の導電性微粒子。
- 突起は、芯物質を有することを特徴とする請求項4記載の導電性微粒子。
- 芯物質の80%以上が、基材微粒子に接触しているか又は前記基材微粒子との距離が5nm以内であることを特徴とする請求項5記載の導電性微粒子。
- 更に、導電層の表面に金層が形成されていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の導電性微粒子。
- 請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の導電性微粒子の製造方法であって、
基材微粒子の表面に触媒付与を行う工程1と、
クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、プロピオン酸、乳酸、及び、酢酸、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも1種の錯化剤を含有するニッケルメッキ液を用い、かつ、ニッケルメッキ反応時のpHを4.9以下に調整することにより前記基材微粒子の表面に非結晶構造ニッケルメッキ層を形成させる工程2と、
クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、プロピオン酸、乳酸、及び、酢酸、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも1種の錯化剤を含有するニッケルメッキ液を用い、かつ、ニッケルメッキ反応時のpHを7.2〜9に調整することにより結晶構造ニッケルメッキ層を形成させる工程3とを有する
ことを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 - 請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004255928 | 2004-09-02 | ||
JP2004255928 | 2004-09-02 | ||
PCT/JP2005/015994 WO2006025485A1 (ja) | 2004-09-02 | 2005-09-01 | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006025485A1 true JPWO2006025485A1 (ja) | 2008-05-08 |
JP4235227B2 JP4235227B2 (ja) | 2009-03-11 |
Family
ID=36000134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006527209A Active JP4235227B2 (ja) | 2004-09-02 | 2005-09-01 | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7491445B2 (ja) |
EP (1) | EP1796106A4 (ja) |
JP (1) | JP4235227B2 (ja) |
KR (1) | KR101123602B1 (ja) |
CN (1) | CN100590751C (ja) |
TW (1) | TW200623153A (ja) |
WO (1) | WO2006025485A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149613A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-08-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009008383A1 (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 導電性微粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
WO2009057612A1 (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 回路接続材料及び回路部材の接続構造 |
JP5358328B2 (ja) | 2009-07-16 | 2013-12-04 | デクセリアルズ株式会社 | 導電性粒子、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法 |
JP4957838B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2012-06-20 | 日立化成工業株式会社 | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
JP5410387B2 (ja) | 2010-08-31 | 2014-02-05 | デクセリアルズ株式会社 | 導電性粒子及びその製造方法、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法 |
CN103827981A (zh) * | 2011-09-22 | 2014-05-28 | 株式会社日本触媒 | 导电性微粒及含有导电性微粒的各向异性导电材料 |
JP5970178B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2016-08-17 | 株式会社日本触媒 | 導電性微粒子 |
WO2013085039A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | 株式会社日本触媒 | 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料 |
JP5883283B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2016-03-09 | 株式会社日本触媒 | 導電性粒子及び異方性導電材料 |
JP5941328B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2016-06-29 | 日本化学工業株式会社 | 導電性粒子及びそれを含む導電性材料 |
JP5368611B1 (ja) * | 2012-07-12 | 2013-12-18 | ナトコ株式会社 | 導電性微粒子 |
WO2015037711A1 (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-19 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
KR102362072B1 (ko) * | 2014-02-24 | 2022-02-11 | 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 | 소결성 금속 입자 및 전자제품 응용에서의 그의 용도 |
JP6523860B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2019-06-05 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
JP6592298B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2019-10-16 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
JP6567921B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2019-08-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法 |
JP6660171B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2020-03-11 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体 |
JP6610117B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | 接続構造体、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法及びインクジェット記録装置 |
DE102020205043A1 (de) * | 2020-04-21 | 2021-10-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiterbauelementanordnung oder Leistungshalbleiterbauelementeinhausung |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2507381B2 (ja) | 1987-01-30 | 1996-06-12 | 積水フアインケミカル株式会社 | 導電性微球体 |
JPH0290660A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Kobe Steel Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
US5306334A (en) * | 1992-07-20 | 1994-04-26 | Monsanto Company | Electroless nickel plating solution |
JPH0913166A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-14 | Nissin Electric Co Ltd | 膜結晶性の制御方法 |
JPH09176827A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-08 | Nissin Electric Co Ltd | 膜形成方法 |
DE19733991A1 (de) * | 1997-08-06 | 1999-02-11 | Doduco Gmbh | Reduktives Ni-Bad |
JP3379456B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2003-02-24 | ソニーケミカル株式会社 | 異方導電性接着フィルム |
JP3696429B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2005-09-21 | 日本化学工業株式会社 | 導電性無電解めっき粉体とその製造方法並びに該めっき粉体からなる導電性材料 |
DE10052960C9 (de) * | 2000-10-25 | 2008-07-03 | AHC-Oberflächentechnik GmbH & Co. OHG | Bleifreie Nickellegierung |
JP2003034879A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Sony Chem Corp | Niメッキ粒子及びその製造方法 |
TW557237B (en) * | 2001-09-14 | 2003-10-11 | Sekisui Chemical Co Ltd | Coated conductive particle, coated conductive particle manufacturing method, anisotropic conductive material, and conductive connection structure |
JP2003234020A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子 |
US20050227074A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Masaaki Oyamada | Conductive electrolessly plated powder and method for making same |
JP4063655B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2008-03-19 | 日本化学工業株式会社 | 導電性無電解めっき粉体及びその製造方法 |
KR101131229B1 (ko) * | 2004-01-30 | 2012-03-28 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 도전성 미립자 및 이방성 도전 재료 |
US20050227073A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Masaaki Oyamada | Conductive electrolessly plated powder and method for making same |
US20070269603A1 (en) * | 2004-08-05 | 2007-11-22 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive Fine Particle, Method for Producing Conductive Fine Particle and Electroless Silver Plating Liquid |
-
2005
- 2005-09-01 JP JP2006527209A patent/JP4235227B2/ja active Active
- 2005-09-01 KR KR1020077002971A patent/KR101123602B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-01 WO PCT/JP2005/015994 patent/WO2006025485A1/ja active Application Filing
- 2005-09-01 EP EP05776769A patent/EP1796106A4/en not_active Withdrawn
- 2005-09-01 CN CN200580027748A patent/CN100590751C/zh active Active
- 2005-09-01 US US10/590,861 patent/US7491445B2/en active Active
- 2005-09-02 TW TW094130003A patent/TW200623153A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149613A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-08-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100590751C (zh) | 2010-02-17 |
KR20070046843A (ko) | 2007-05-03 |
EP1796106A1 (en) | 2007-06-13 |
CN101006526A (zh) | 2007-07-25 |
KR101123602B1 (ko) | 2012-03-20 |
US7491445B2 (en) | 2009-02-17 |
US20070190349A1 (en) | 2007-08-16 |
TWI375232B (ja) | 2012-10-21 |
WO2006025485A1 (ja) | 2006-03-09 |
EP1796106A4 (en) | 2010-04-14 |
JP4235227B2 (ja) | 2009-03-11 |
TW200623153A (en) | 2006-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4235227B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4638341B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4243279B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4957838B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4674096B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4860163B2 (ja) | 導電性微粒子の製造方法 | |
JP6009933B2 (ja) | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 | |
JP4718926B2 (ja) | 導電性微粒子、及び、異方性導電材料 | |
JP2007242307A (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4936678B2 (ja) | 導電性粒子及び異方性導電材料 | |
JP6084868B2 (ja) | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 | |
JP4217271B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP2007324138A (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4772490B2 (ja) | 導電性粒子の製造方法 | |
JP2009032397A (ja) | 導電性微粒子 | |
JP5529901B2 (ja) | 導電性粒子及び異方性導電材料 | |
JP7144472B2 (ja) | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 | |
JP4589810B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP4598621B2 (ja) | 導電性微粒子、及び、異方性導電材料 | |
JP5323147B2 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP2007194210A (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
WO2007072912A1 (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP2006086104A (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 | |
JP2012160460A (ja) | 導電性微粒子及び異方性導電材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20080718 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20080808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081212 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4235227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 5 |