JPWO2005106083A1 - InP単結晶ウェハ及びInP単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
有底円筒形のルツボで構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法において、結晶成長方向の温度勾配を25℃/cm以下とし、降温量を0.25℃/hr以上として、種結晶から結晶肩部を成長させてInP単結晶を製造するようにし、転位密度が500/cm2以下である領域が70%以上を占める鉄ドープもしくはアンドープのInP単結晶ウェハを実現した。
Description
本発明者等は、VGF法よりも生産性に優れているLEC法(蒸気圧制御法)を利用してウェハ面積の70%以上の無転位領域をもつ低転位密度のInP単結晶を製造することとした。そして、低転位密度のInP単結晶を製造するためには結晶成長方向の温度勾配を小さくすることが有効であることから、これをできるだけ小さくすることについて検討した。
2 内側容器
3,4,5 加熱ヒータ
6 揮発性元素材料
7 回転引き上げ軸
8 回転軸
9 種結晶
10 サセプタ
11 原料融液(半導体用材料)
12 液体封止剤(例えばB2O3)
13 pBN製のルツボ
図5は、本実施形態に係る結晶成長装置の概略構成図である。本実施形態の結晶成長装置は、両端を閉塞した円筒状の高圧容器からなる外側容器1と、この外側容器1内に設けられた上下に分割可能な略円筒状の密閉容器からなる内側容器2と、加熱ヒータ3、4,5と、外側容器1の中央部に垂直に配置された回転軸8と、回転軸8の上端に配置されたサセプタ10と、該サセプタ10に嵌合され、原料融液(半導体用材料)11及び液体封止剤(例えばB2O3)12を収容可能な有底円筒状をしたpBN製のルツボ13と、ルツボ13の上方に垂直に設けられ下端に種結晶9を固定する種結晶保持具(図示しない)を備えた回転引き上げ軸7と、で構成される。
まず、ルツボ13内に水平ブリッジマン法(HB法)により合成したInP多結晶4000gと、ドーピング剤としてFeを1g収容した。そして、その上にB2O3からなる液体封止剤12を700g投入した。そして、このルツボ13を下軸7の内端部に設けたサセプタ10に載置した。また、リザーバ15には純度99.9999%のPを約20g収容した。
そして、得られたFeドープInP単結晶のシード側、中央付近から切り出したInP単結晶ウェハについて、ウェハ全面をカバーするように137点において転位密度(EPD)を測定した。図1は直胴部のシード側から切り出したウェハにおけるEPD分布を示すEPDマップで、図2は直胴部の中央付近から切り出したウェハのEPDマップである。
図3においては、EPD≦500/cm2の無転位領域が67.2%(92/137)で、EPD≦200/cm2の領域が48.9%(67/137)で、EPD=0の領域が26.3%(36/137)で、平均EPDは362/cm2であった。
図4においては、EPD≦500/cm2の無転位領域は皆無であり、平均EPDは2×104/cm2であった。
この場合、結晶肩部で双晶が発生してしまいInP単結晶は得られなかった。
Claims (10)
- 鉄ドープもしくはアンドープのInP単結晶ウェハであって、転位密度が500/cm2以下である領域が70%以上を占めることを特徴とするInP単結晶ウェハ。
- 転位密度が200/cm2以下である領域が60%以上を占めることを特徴とする請求項1に記載のInP単結晶ウェハ。
- 転位密度が0/cm2である領域が50%以上を占めることを特徴とする請求項2に記載のInP単結晶ウェハ。
- 有底円筒形のルツボで構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法により成長させることを特徴とする請求項1に記載のInP単結晶ウエハ。
- 有底円筒形のルツボで構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法により成長させることを特徴とする請求項2に記載のInP単結晶ウエハ。
- 有底円筒形のルツボで構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法により成長させることを特徴とする請求項3に記載のInP単結晶ウエハ。
- 有底円筒形のルツボで構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法において、
結晶成長方向の温度勾配を25℃/cm以下とし、降温量を0.25℃/hr以上として、種結晶から結晶肩部を成長させることを特徴とするInP単結晶の製造方法。 - 請求項7に記載の方法により製造される鉄ドープもしくはアンドープのInP単結晶から切り出されるInP単結晶ウェハであって、転位密度が500/cm2以下である領域が70%以上を占めることを特徴とするInP単結晶ウェハ。
- 転位密度が200/cm2以下である領域が60%以上を占めることを特徴とする請求項8に記載のInP単結晶ウェハ。
- 転位密度が0/cm2である領域が50%以上を占めることを特徴とする請求項9に記載のInP単結晶ウェハ。
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