JP2000327496A - ＩｎＰ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＩｎＰ単結晶の製造方法Info
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- JP2000327496A JP2000327496A JP11138322A JP13832299A JP2000327496A JP 2000327496 A JP2000327496 A JP 2000327496A JP 11138322 A JP11138322 A JP 11138322A JP 13832299 A JP13832299 A JP 13832299A JP 2000327496 A JP2000327496 A JP 2000327496A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶
などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、
歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 InとPの原子組成比In／InPが０．４９０
以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として
用いるようにした。具体的には、上記組成のInP結晶体
を原料として収納したルツボ（１）を加熱炉（６，８）
内に設置して、融点以上に加熱して原料を溶融させた
後、その原料融液（２）を徐々に冷却してInP単結晶を
成長させるようにした。
などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、
歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 InとPの原子組成比In／InPが０．４９０
以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として
用いるようにした。具体的には、上記組成のInP結晶体
を原料として収納したルツボ（１）を加熱炉（６，８）
内に設置して、融点以上に加熱して原料を溶融させた
後、その原料融液（２）を徐々に冷却してInP単結晶を
成長させるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、InP化合物半導体
単結晶の製造方法に係り、特に、耐火性ルツボに収容し
た原料融液を徐々に冷却してInP単結晶を育成する方法
に適用して有用な技術に関する。
単結晶の製造方法に係り、特に、耐火性ルツボに収容し
た原料融液を徐々に冷却してInP単結晶を育成する方法
に適用して有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、GaP、GaAs、InP等のIII―Ｖ族
化合物半導体は、融点付近で高い蒸気圧を有するため
に、原料融液上をB２O３等からなる液体封止剤層で覆う
液体封止法により工業的に製造されており、なかでも、
液体封止チョクラルスキー法（LEC法）が広く用いられ
ている。LEC法は、結晶の成長とともに結晶を引上げて
いく方法であり、種付けにより結晶方位が制御可能で高
純度結晶を得やすいという長所がある。しかし、結晶成
長時の融液中の温度勾配が大きいため、結晶にかかる熱
応力が大きくなり転位密度が高くなってしまい、このよ
うな転位密度の高い化合物半導体単結晶を用いた半導体
レーザやフォトダイオードにおいては、電気的な特性が
低下してしまうという短所がある。
化合物半導体は、融点付近で高い蒸気圧を有するため
に、原料融液上をB２O３等からなる液体封止剤層で覆う
液体封止法により工業的に製造されており、なかでも、
液体封止チョクラルスキー法（LEC法）が広く用いられ
ている。LEC法は、結晶の成長とともに結晶を引上げて
いく方法であり、種付けにより結晶方位が制御可能で高
純度結晶を得やすいという長所がある。しかし、結晶成
長時の融液中の温度勾配が大きいため、結晶にかかる熱
応力が大きくなり転位密度が高くなってしまい、このよ
うな転位密度の高い化合物半導体単結晶を用いた半導体
レーザやフォトダイオードにおいては、電気的な特性が
低下してしまうという短所がある。
【０００３】これに対し、垂直ブリッジマン法（VB法）
や垂直グラジエントフリーズ法（VGF法）は、耐火性ル
ツボ中で原料融液を徐々に冷却して結晶成長を行うた
め、結晶成長時の融液中の温度勾配が数℃／cm〜数十℃
／cmであってLEC法に比ベ１桁以上小さいため、結晶に
かかる熱応力が小さくなり転位密度を低く抑えることが
できるという利点を有している。
や垂直グラジエントフリーズ法（VGF法）は、耐火性ル
ツボ中で原料融液を徐々に冷却して結晶成長を行うた
め、結晶成長時の融液中の温度勾配が数℃／cm〜数十℃
／cmであってLEC法に比ベ１桁以上小さいため、結晶に
かかる熱応力が小さくなり転位密度を低く抑えることが
できるという利点を有している。
【０００４】このVGF法について、図１に結晶成長装置
を示して説明する。図１に示す結晶成長装置は、原料融
液２を収納するpBN製のルツボ１と、ルツボ１を支持す
るグラファイト製のルツボ支持台３と、ルツボ１および
ルツボ支持台３を収納する石英アンプル５と、石英アン
プルを密閉する石英キャップ４と、原料融液を加熱する
円筒形のヒータ６と高圧容器８からなる加熱炉とで構成
されており、高圧容器８内は密封されている。また、石
英アンプル側部に温度測定用の熱電対７が設置されてお
り、ルツボ近辺の温度が測定できるようになっている。
VGF法は、このような結晶成長装置を用いて、結晶中の
上下方向の温度勾配を制御しながら、ヒータ６を調節し
て徐々に降温して、ルツボ１の下方から上方に結晶を成
長させる方法である。
を示して説明する。図１に示す結晶成長装置は、原料融
液２を収納するpBN製のルツボ１と、ルツボ１を支持す
るグラファイト製のルツボ支持台３と、ルツボ１および
ルツボ支持台３を収納する石英アンプル５と、石英アン
プルを密閉する石英キャップ４と、原料融液を加熱する
円筒形のヒータ６と高圧容器８からなる加熱炉とで構成
されており、高圧容器８内は密封されている。また、石
英アンプル側部に温度測定用の熱電対７が設置されてお
り、ルツボ近辺の温度が測定できるようになっている。
VGF法は、このような結晶成長装置を用いて、結晶中の
上下方向の温度勾配を制御しながら、ヒータ６を調節し
て徐々に降温して、ルツボ１の下方から上方に結晶を成
長させる方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
VGF法では、原料の収納されたルツボを石英アンプル内
に設置して密閉され、この石英アンプルを加熱炉内に設
置して加熱されるため、石英アンプル内のリン蒸気分圧
と原料融液の分解圧が平衡するまで原料融液からリンが
蒸発してしまい、常に原料融液の原子組成比In／InPは
０．５００以上でIn過剰となっていた。このように、原
料融液の原子組成比にずれが生じることにより、結晶成
長中に組成的過冷却が起こってしまい、これが原因で多
結晶や双晶などが発生していた。その結果、InP単結晶
化歩留まりを低下させることが多かった。
VGF法では、原料の収納されたルツボを石英アンプル内
に設置して密閉され、この石英アンプルを加熱炉内に設
置して加熱されるため、石英アンプル内のリン蒸気分圧
と原料融液の分解圧が平衡するまで原料融液からリンが
蒸発してしまい、常に原料融液の原子組成比In／InPは
０．５００以上でIn過剰となっていた。このように、原
料融液の原子組成比にずれが生じることにより、結晶成
長中に組成的過冷却が起こってしまい、これが原因で多
結晶や双晶などが発生していた。その結果、InP単結晶
化歩留まりを低下させることが多かった。
【０００６】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的は、結晶の単結晶化率を高め、歩留
まりが高いInP単結晶の製造方法を提供することであ
る。
たもので、その目的は、結晶の単結晶化率を高め、歩留
まりが高いInP単結晶の製造方法を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、InとPの原子組成比In／InPが０．４９０
以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として
用いるようにしたものである。具体的には、VGF法など
のように、上記組成のInP結晶体を原料として収納した
ルツボを加熱炉内に設置して、融点以上に加熱して原料
を溶融させた後、その原料融液を徐々に冷却してInP単
結晶を成長させるようにしたものである。上記組成のIn
P結晶体を原料とすれば、加熱中にリンが蒸発するにつ
れて原料融液中のリンが減少し、最初０．４９０以上
０．５００未満であった原料融液の原子組成比In／InP
は０．５００（化学量論的組成：Stoichiometric comp
osition）に近づいていき、リン蒸気圧と原料融液の分
解圧が平衡した状態で、原料融液の原子組成比In／InP
と化学量論的組成とのずれがほとんど無くなるため、多
結晶や双晶が発生するのを防ぐことができる。さらに、
上記原料を収納したルツボは密閉型容器内に封入され、
該密閉型容器が加熱炉内に設置されるようにすることに
より、原料融液からリンが蒸発するのを制限することが
でき、原料融液の原子組成比In／InPにずれが生じるの
を効率よく抑えることができる。
決するために、InとPの原子組成比In／InPが０．４９０
以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として
用いるようにしたものである。具体的には、VGF法など
のように、上記組成のInP結晶体を原料として収納した
ルツボを加熱炉内に設置して、融点以上に加熱して原料
を溶融させた後、その原料融液を徐々に冷却してInP単
結晶を成長させるようにしたものである。上記組成のIn
P結晶体を原料とすれば、加熱中にリンが蒸発するにつ
れて原料融液中のリンが減少し、最初０．４９０以上
０．５００未満であった原料融液の原子組成比In／InP
は０．５００（化学量論的組成：Stoichiometric comp
osition）に近づいていき、リン蒸気圧と原料融液の分
解圧が平衡した状態で、原料融液の原子組成比In／InP
と化学量論的組成とのずれがほとんど無くなるため、多
結晶や双晶が発生するのを防ぐことができる。さらに、
上記原料を収納したルツボは密閉型容器内に封入され、
該密閉型容器が加熱炉内に設置されるようにすることに
より、原料融液からリンが蒸発するのを制限することが
でき、原料融液の原子組成比In／InPにずれが生じるの
を効率よく抑えることができる。
【０００８】以下に、本発明者等が本発明に到るまでの
研究経過を説明する。
研究経過を説明する。
【０００９】InPの単結晶を育成する際、InPは加熱する
ことによってリンが蒸発しやすくなり、融液状態では３
０気圧前後の蒸気圧を有する。このため、一般にLEC法
ではB ２０３等からなる液体封止剤で覆い、高圧ガス雰
囲気で育成している。
ことによってリンが蒸発しやすくなり、融液状態では３
０気圧前後の蒸気圧を有する。このため、一般にLEC法
ではB ２０３等からなる液体封止剤で覆い、高圧ガス雰
囲気で育成している。
【００１０】一方、VGF法では石英アンプルに原料融液
を封止して単結晶を育成するため、アンプル内のリン蒸
気分圧と原料融液の分解圧が平衡するまで原料融液から
リンが蒸発してしまう。そのため、常に原料融液の原子
組成比In／InPは０．５００以上でIn過剰となってい
る。この原料融液中の原子組成のずれにより、結晶育成
時に組成的過冷却がおこり、多結晶や双晶などが発生す
ることが判った。そこで、本発明者らはInP単結晶を育
成するのに原子組成比In／InPが０．５００未満である
リン過剰InPの結晶体を原料として用いることを検討し
た。
を封止して単結晶を育成するため、アンプル内のリン蒸
気分圧と原料融液の分解圧が平衡するまで原料融液から
リンが蒸発してしまう。そのため、常に原料融液の原子
組成比In／InPは０．５００以上でIn過剰となってい
る。この原料融液中の原子組成のずれにより、結晶育成
時に組成的過冷却がおこり、多結晶や双晶などが発生す
ることが判った。そこで、本発明者らはInP単結晶を育
成するのに原子組成比In／InPが０．５００未満である
リン過剰InPの結晶体を原料として用いることを検討し
た。
【００１１】一般に、InP多結晶原料はHB法で製造され
ており、その原子組成比In／InPは０．５００（化学量
論的組成）又は０．５００以上であり、In過剰組成とな
りやすい。しかし、本発明者等は、製造条件を最適化す
ることにより、HB法においてもリン過剰組成のInP多結
晶原料を製造することに成功した。例えば、InP多結晶
の合成中にリンを所定の蒸気圧で過剰に印加し、急冷す
ることでリン過剰組成のInP多結晶を得ることができ
た。
ており、その原子組成比In／InPは０．５００（化学量
論的組成）又は０．５００以上であり、In過剰組成とな
りやすい。しかし、本発明者等は、製造条件を最適化す
ることにより、HB法においてもリン過剰組成のInP多結
晶原料を製造することに成功した。例えば、InP多結晶
の合成中にリンを所定の蒸気圧で過剰に印加し、急冷す
ることでリン過剰組成のInP多結晶を得ることができ
た。
【００１２】具体的にはInを１０７０℃まで加熱し、リ
ンを２０気圧、３０気圧、５０気圧、７５気圧、１００
気圧ならびに１２０気圧で印加し、それぞれInP多結晶
を合成した後、約３０分で室温まで冷却した。
ンを２０気圧、３０気圧、５０気圧、７５気圧、１００
気圧ならびに１２０気圧で印加し、それぞれInP多結晶
を合成した後、約３０分で室温まで冷却した。
【００１３】合成後のInP多結晶中のInの重量を分析
し、原子組成比を調べた結果を表１に示す。表１に示す
ように、５０，７５，１００，１２０気圧でリンを印加
した場合にリン過剰組成のInP多結晶が合成でき、それ
ぞれの原子組成比In／InPの値は０．４９８，０．４９
３，０．４９０，０．４９０であった。なお、１２０気
圧でリンを印加した場合は、InP多結晶中にリンが析出
したため、原子組成比In／InPが０．４９０以下のリン
過剰InP多結晶を得ることは困難である。
し、原子組成比を調べた結果を表１に示す。表１に示す
ように、５０，７５，１００，１２０気圧でリンを印加
した場合にリン過剰組成のInP多結晶が合成でき、それ
ぞれの原子組成比In／InPの値は０．４９８，０．４９
３，０．４９０，０．４９０であった。なお、１２０気
圧でリンを印加した場合は、InP多結晶中にリンが析出
したため、原子組成比In／InPが０．４９０以下のリン
過剰InP多結晶を得ることは困難である。
【００１４】
【表１】 このリン過剰であるInPの結晶体を原料としてInP単結晶
を育成したところ、多結晶や双晶の発生が抑えられ飛躍
的に単結晶化率を高め、歩留まりを向上させることがで
きた。
を育成したところ、多結晶や双晶の発生が抑えられ飛躍
的に単結晶化率を高め、歩留まりを向上させることがで
きた。
【００１５】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
ので、原料融液を徐々に冷却してInP単結晶を得る結晶
育成法において、InとPの原子組成比In／InPが０．４９
０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料とし
て用いるようにしたものであり、これにより、多結晶や
双晶等の発生を効果的に抑制できるようになり、InP単
結晶を歩留まりよく製造することができる。
ので、原料融液を徐々に冷却してInP単結晶を得る結晶
育成法において、InとPの原子組成比In／InPが０．４９
０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料とし
て用いるようにしたものであり、これにより、多結晶や
双晶等の発生を効果的に抑制できるようになり、InP単
結晶を歩留まりよく製造することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００１７】図１はVGF法により結晶育成する際に用い
られる結晶成長装置の概略図である。図１に示す結晶成
長装置は、従来のVGF法で用いられていた装置と同じで
あり、原料融液２を収納するpBN製のルツボ１と、ルツ
ボ１を支持するグラファイト製のルツボ支持台３と、ル
ツボ１およびルツボ支持台３を収納する石英アンプル５
と、石英アンプルを密閉する石英キャップ４と、原料融
液を加熱する円筒形のヒータ６と高圧容器８からなる加
熱炉とで構成されており、高圧容器８内は密封されてい
る。また、石英アンプル側部に温度測定用の熱電対７が
設置されており、ルツボ近辺の温度が測定できるように
なっている。
られる結晶成長装置の概略図である。図１に示す結晶成
長装置は、従来のVGF法で用いられていた装置と同じで
あり、原料融液２を収納するpBN製のルツボ１と、ルツ
ボ１を支持するグラファイト製のルツボ支持台３と、ル
ツボ１およびルツボ支持台３を収納する石英アンプル５
と、石英アンプルを密閉する石英キャップ４と、原料融
液を加熱する円筒形のヒータ６と高圧容器８からなる加
熱炉とで構成されており、高圧容器８内は密封されてい
る。また、石英アンプル側部に温度測定用の熱電対７が
設置されており、ルツボ近辺の温度が測定できるように
なっている。
【００１８】まず、HB法で合成した原子組成比In／InP
が０．４９０以上、０．５００未満であるInP多結晶
１．５kgをpBN製ルツボ１に入れ、石英アンプル５内を
真空排気の後、図１に示すように石英アンプル５と石英
キャップ４を酸水素バーナーで熔着し、石英アンプル内
を減圧密封した。この石英アンプルをヒータ６により加
熱して加熱炉内を１０７０℃程度に昇温し、InPを融解
させた。このとき、InPの分解圧で石英アンプル５が破
裂するのを防止するため、高圧容器８内にアルゴンガス
のような不活性ガスを導入し、３５気圧とした。
が０．４９０以上、０．５００未満であるInP多結晶
１．５kgをpBN製ルツボ１に入れ、石英アンプル５内を
真空排気の後、図１に示すように石英アンプル５と石英
キャップ４を酸水素バーナーで熔着し、石英アンプル内
を減圧密封した。この石英アンプルをヒータ６により加
熱して加熱炉内を１０７０℃程度に昇温し、InPを融解
させた。このとき、InPの分解圧で石英アンプル５が破
裂するのを防止するため、高圧容器８内にアルゴンガス
のような不活性ガスを導入し、３５気圧とした。
【００１９】次に、ルツボ１の底部をInPの融点（１０
６２℃）と同じ温度にし、５〜１０℃／ｃｍの温度勾配
でルツボ底部から上部に向かって融液中の温度が高くな
るように、ヒータ６の温度を調整した。温度が十分に安
定した後、結晶の成長速度が約１mm／hとなるように、
ヒータ６を調整し徐々に冷却した。約１５０時間成長し
た後、３０時間かけて結晶を冷却した。
６２℃）と同じ温度にし、５〜１０℃／ｃｍの温度勾配
でルツボ底部から上部に向かって融液中の温度が高くな
るように、ヒータ６の温度を調整した。温度が十分に安
定した後、結晶の成長速度が約１mm／hとなるように、
ヒータ６を調整し徐々に冷却した。約１５０時間成長し
た後、３０時間かけて結晶を冷却した。
【００２０】この条件で繰り返しInP結晶を成長させた
ところ、１０本中８本が多結晶や双晶が発生していない
単結晶であり、高い歩留まりでInPの単結晶を得ること
ができた。
ところ、１０本中８本が多結晶や双晶が発生していない
単結晶であり、高い歩留まりでInPの単結晶を得ること
ができた。
【００２１】本発明者は、本実施形態の効果を確認する
ために、本発明に係る組成比から外れる条件下で比較実
験を行なった。
ために、本発明に係る組成比から外れる条件下で比較実
験を行なった。
【００２２】（比較例１）HB法で合成した原子組成比In
／InPが０．５００であるInPの結晶体を原料として、上
記実施例と同様にInP結晶を育成した。その結果、１０
本中７本の結晶に多結晶や双晶が発生しており、多結晶
や双晶の発生していない単結晶は１０本中半分に満たな
い３本のみであり歩留まりが悪いことが分かった。
／InPが０．５００であるInPの結晶体を原料として、上
記実施例と同様にInP結晶を育成した。その結果、１０
本中７本の結晶に多結晶や双晶が発生しており、多結晶
や双晶の発生していない単結晶は１０本中半分に満たな
い３本のみであり歩留まりが悪いことが分かった。
【００２３】（比較例２）HB法で合成した原子組成比In
／InPが０．５００を超え、０．５１未満であるIn過剰I
nPの結晶体を原料として、上記実施例と同様にInP結晶
を育成した。その結果、１０本中１本のみが多結晶や双
晶の発生していない単結晶であり、実用にはほど遠い歩
留まりであった。
／InPが０．５００を超え、０．５１未満であるIn過剰I
nPの結晶体を原料として、上記実施例と同様にInP結晶
を育成した。その結果、１０本中１本のみが多結晶や双
晶の発生していない単結晶であり、実用にはほど遠い歩
留まりであった。
【００２４】以上の結果から、InとPの原子組成比In／I
nPが０．４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶
体を原料とすると、大幅に多結晶、双晶の発生を効果的
に抑制でき、InP単結晶を歩留まりよく製造することが
できるようになる。
nPが０．４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶
体を原料とすると、大幅に多結晶、双晶の発生を効果的
に抑制でき、InP単結晶を歩留まりよく製造することが
できるようになる。
【００２５】なお、本実施形態では、リンの蒸発量を少
なくするために石英アンプルを密閉して単結晶を育成す
る場合について述べたが、例えば、高圧容器内にルツボ
を設置して結晶を育成する場合には、高圧容器内を高圧
にすれば石英アンプルを用いなくてもリンの蒸発量をあ
る程度抑えることができるため、本発明のリン過剰InP
の結晶体を原料として用いる育成方法によれば、原料融
液中の原子組成比の化学量論的組成からのずれを小さく
することができ、多結晶、双晶の発生を抑制できる。
なくするために石英アンプルを密閉して単結晶を育成す
る場合について述べたが、例えば、高圧容器内にルツボ
を設置して結晶を育成する場合には、高圧容器内を高圧
にすれば石英アンプルを用いなくてもリンの蒸発量をあ
る程度抑えることができるため、本発明のリン過剰InP
の結晶体を原料として用いる育成方法によれば、原料融
液中の原子組成比の化学量論的組成からのずれを小さく
することができ、多結晶、双晶の発生を抑制できる。
【００２６】また、本実施形態ではVGF法によりInP単結
晶を成長させる方法について説明したが、本発明はVGF
法に制限されるものではない。ルツボ内の原料融液を徐
々に冷却してInP単結晶を育成する方法であればよく、
例えば、HB法（Horizontal Bridgman法）のように、原
料融液中で水平方向に温度勾配ができるようにヒータの
温度を調整し、温度が安定した後、ヒータを調整し徐々
に冷却して結晶を成長させる方法にも適用可能である。
晶を成長させる方法について説明したが、本発明はVGF
法に制限されるものではない。ルツボ内の原料融液を徐
々に冷却してInP単結晶を育成する方法であればよく、
例えば、HB法（Horizontal Bridgman法）のように、原
料融液中で水平方向に温度勾配ができるようにヒータの
温度を調整し、温度が安定した後、ヒータを調整し徐々
に冷却して結晶を成長させる方法にも適用可能である。
【００２７】
【発明の効果】本願において開示される発明によって得
られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００２８】すなわち、本発明のInP単結晶の製造方法
によれば、原料融液を徐々に冷却してInP単結晶を得る
結晶育成法において、InとPの原子組成比In／InPが０．
４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料
として用いるようにしたので、多結晶や双晶等の発生を
効果的に抑制出きるようになり、InP単結晶を歩留まり
よく製造することができるという効果がある。
によれば、原料融液を徐々に冷却してInP単結晶を得る
結晶育成法において、InとPの原子組成比In／InPが０．
４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料
として用いるようにしたので、多結晶や双晶等の発生を
効果的に抑制出きるようになり、InP単結晶を歩留まり
よく製造することができるという効果がある。
【図１】本実施形態及び従来のVGF法で用いた結晶育成
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
１：ルツボ ２：原料融液 ３：ルツボ支持台 ４：石英キャップ ５：石英アンプル ６：ヒータ ７：熱電対 ８：高圧容器
Claims (3)
- 【請求項１】 InP化合物半導体単結晶の製造方法にお
いて、InとPの原子組成比In／InPが０．４９０以上、
０．５００未満であるInPの結晶体を原料として用いる
ことを特徴とするInP単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 上記組成のInP結晶体を原料として収納
したルツボを加熱炉内に設置して、融点以上に加熱して
原料を溶融させた後、その原料融液を徐々に冷却してIn
P単結晶を成長させることを特徴とする請求項１に記載
のInP単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 上記原料を収納したルツボは密閉型容器
内に封入され、該密閉型容器が加熱炉内に設置されるこ
とを特徴とする請求項２に記載のInP単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11138322A JP2000327496A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11138322A JP2000327496A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=15219204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11138322A Pending JP2000327496A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2000327496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179567A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Ｊｘ金属株式会社 | 化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法 |
| WO2022168369A1 (ja) | 2021-02-02 | 2022-08-11 | Ｊｘ金属株式会社 | リン化インジウム基板、半導体エピタキシャルウエハ、リン化インジウム単結晶インゴットの製造方法及びリン化インジウム基板の製造方法 |
-
1999
- 1999-05-19 JP JP11138322A patent/JP2000327496A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179567A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Ｊｘ金属株式会社 | 化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法 |
| KR20190043626A (ko) | 2017-03-31 | 2019-04-26 | 제이엑스금속주식회사 | 화합물 반도체 및 화합물 반도체 단결정의 제조 방법 |
| US11371164B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-06-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Compound semiconductor and method for producing single crystal of compound semiconductor |
| WO2022168369A1 (ja) | 2021-02-02 | 2022-08-11 | Ｊｘ金属株式会社 | リン化インジウム基板、半導体エピタキシャルウエハ、リン化インジウム単結晶インゴットの製造方法及びリン化インジウム基板の製造方法 |
| US11926924B2 (en) | 2021-02-02 | 2024-03-12 | Jx Metals Corporation | Indium phosphide substrate, semiconductor epitaxial wafer, method for producing indium phosphide single-crystal ingot and method for producing indium phosphide substrate |
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