JPWO2005075714A1 - 単結晶半導体の製造装置および製造方法 - Google Patents
単結晶半導体の製造装置および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005075714A1 JPWO2005075714A1 JP2005517810A JP2005517810A JPWO2005075714A1 JP WO2005075714 A1 JPWO2005075714 A1 JP WO2005075714A1 JP 2005517810 A JP2005517810 A JP 2005517810A JP 2005517810 A JP2005517810 A JP 2005517810A JP WO2005075714 A1 JPWO2005075714 A1 JP WO2005075714A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seed crystal
- melt
- single crystal
- temperature difference
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
- C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/917—Magnetic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
後掲する特許文献1には、高濃度に不純物としてボロンBが添加されたシリコン種結晶を用いて、大径、大重量の単結晶シリコンインゴットを、ネッキング処理を行わずに無転位の状態で引き上げるという発明が記載されている。
るつぼ内の融液を加熱手段によって加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造装置において、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差以下になるように、融液を前記加熱手段で調整するとともに、融液に磁場を印加すること
を特徴とする。
るつぼ内の融液を加熱手段によって加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造装置において、
るつぼの外側に、当該るつぼに対する加熱量が独立して調整される複数の調整手段が設けられ、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差以下になるように、融液を前記複数の調整手段で調整するとともに、融液に磁場を印加すること
を特徴とする。
種結晶に添加される不純物濃度と、種結晶のサイズとに基づいて、種結晶中に転位が導入されない許容温度差が求められること
を特徴とする。
前記複数の調整手段のうち、少なくとも、るつぼの底部側の加熱手段については、種結晶が融液に着液する際の加熱量と、単結晶半導体の引き上げ中の加熱量とが、不変ないしはほぼ不変であること
を特徴とする。
るつぼ内の融液を加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造方法において、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差以下になるように、融液を加熱するとともに、融液に磁場を印加すること
を特徴とする。
種結晶に添加される不純物濃度と、種結晶のサイズとに基づいて、種結晶中に転位が導入されない許容温度差が求められること
を特徴とする。
図4に示す実験結果に基づく実施例1について説明する。
部における格子不整合率が0.01%以下となるよう、融液5側の不純物種、不純物濃度に応じて、予め不純物種、添加濃度を調整した種結晶14を使用することが望ましい。
また図1の単結晶引上げ装置1に代えて図5に示す単結晶引上げ装置1を使用してもよい。
上述した実施例では、単結晶引き上げ装置1にマルチヒータが備えられた場合を想定して説明した。しかし、単結晶引き上げ装置1にシングルヒータが備えられている場合にも、磁場を融液5に印加することで、同様にして、容易に無転位化が実現される。
Claims (6)
- るつぼ内の融液を加熱手段によって加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造装置において、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差以下になるように、融液を前記加熱手段で調整するとともに、融液に磁場を印加すること
を特徴とする単結晶半導体の製造装置。 - るつぼ内の融液を加熱手段によって加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造装置において、
るつぼに対する加熱量が独立して調整される複数の調整手段が設けられ、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差以下になるように、融液を前記複数の調整手段で調整するとともに、融液に磁場を印加すること
を特徴とする単結晶半導体の製造装置。 - 種結晶に添加される不純物濃度と、種結晶のサイズとに基づいて、種結晶中に転位が導入されない許容温度差が求められること
を特徴とする請求項1または2記載の単結晶半導体の製造装置。 - 前記複数の調整手段のうち、少なくとも、るつぼの底部側の加熱手段については、種結晶が融液に着液する際の加熱量と、単結晶半導体の引き上げ中の加熱量とが、不変ないしはほぼ不変であること
を特徴とする請求項2記載の単結晶半導体の製造装置。 - るつぼ内の融液を加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造方法において、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差以下になるように、融液を加熱するとともに、融液に磁場を印加すること
を特徴とする単結晶半導体の製造方法。 - 種結晶に添加される不純物濃度と、種結晶のサイズとに基づいて、種結晶中に転位が導入されない許容温度差が求められること
を特徴とする請求項5記載の単結晶半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005517810A JP4780705B2 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-09 | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004032670 | 2004-02-09 | ||
JP2004032670 | 2004-02-09 | ||
PCT/JP2005/001937 WO2005075714A1 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-09 | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 |
JP2005517810A JP4780705B2 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-09 | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005075714A1 true JPWO2005075714A1 (ja) | 2008-01-10 |
JP4780705B2 JP4780705B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=34836102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517810A Active JP4780705B2 (ja) | 2004-02-09 | 2005-02-09 | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7396406B2 (ja) |
JP (1) | JP4780705B2 (ja) |
DE (1) | DE112005000300B4 (ja) |
TW (1) | TW200526820A (ja) |
WO (1) | WO2005075714A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5445631B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2014-03-19 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
JP2008088045A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-04-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP5239265B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2013-07-17 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法 |
US9664448B2 (en) * | 2012-07-30 | 2017-05-30 | Solar World Industries America Inc. | Melting apparatus |
JP6424593B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2018-11-21 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2016169126A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
CN105887186B (zh) * | 2016-05-30 | 2020-04-24 | 上海超硅半导体有限公司 | 硅单晶提拉设备与生长方法 |
JP7036116B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2022-03-15 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09249492A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-22 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法 |
JPH11302096A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-11-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶製造用種結晶、単結晶製造用種結晶の製造方法、及び単結晶製造方法 |
WO2001063026A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de monocristal de silicium |
JP2003002782A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3141975B2 (ja) | 1994-01-11 | 2001-03-07 | コマツ電子金属株式会社 | 不純物添加シリコン単結晶の育成方法 |
JP3446032B2 (ja) | 2000-02-25 | 2003-09-16 | 信州大学長 | 無転位シリコン単結晶の製造方法 |
JP4184725B2 (ja) | 2002-07-12 | 2008-11-19 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶半導体の製造方法、単結晶半導体の製造装置 |
-
2004
- 2004-02-09 US US10/588,533 patent/US7396406B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-14 TW TW093138721A patent/TW200526820A/zh unknown
-
2005
- 2005-02-09 JP JP2005517810A patent/JP4780705B2/ja active Active
- 2005-02-09 DE DE112005000300.0T patent/DE112005000300B4/de active Active
- 2005-02-09 WO PCT/JP2005/001937 patent/WO2005075714A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09249492A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-22 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法 |
JPH11302096A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-11-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶製造用種結晶、単結晶製造用種結晶の製造方法、及び単結晶製造方法 |
WO2001063026A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de monocristal de silicium |
JP2003002782A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI301858B (ja) | 2008-10-11 |
US7396406B2 (en) | 2008-07-08 |
DE112005000300B4 (de) | 2016-12-15 |
WO2005075714A1 (ja) | 2005-08-18 |
JP4780705B2 (ja) | 2011-09-28 |
DE112005000300T5 (de) | 2006-12-28 |
US20070157871A1 (en) | 2007-07-12 |
TW200526820A (en) | 2005-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4780705B2 (ja) | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 | |
CN109196144B (zh) | 单晶硅的制造方法及装置 | |
JP4791073B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
US9885122B2 (en) | Method of manufacturing silicon single crystal | |
EP2256235A1 (en) | Silicon single crystal pull-up apparatus and process for producing silicon single crystal | |
KR102095597B1 (ko) | 실리콘 단결정의 제조 방법 | |
JP2008266093A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット | |
US8840721B2 (en) | Method of manufacturing silicon single crystal | |
US7374614B2 (en) | Method for manufacturing single crystal semiconductor | |
KR100899767B1 (ko) | 단결정반도체의 제조장치, 제조방법 및 단결정잉곳 | |
JP4184725B2 (ja) | 単結晶半導体の製造方法、単結晶半導体の製造装置 | |
JP6631460B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 | |
JP4758338B2 (ja) | 単結晶半導体の製造方法 | |
JP2015205793A (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
US20200135460A1 (en) | Single crystal silicon production method, epitaxial silicon wafer production method, single crystal silicon, and epitaxial silicon wafer | |
JP5437565B2 (ja) | 半導体単結晶の製造装置 | |
WO2005075715A1 (ja) | 単結晶半導体の製造方法 | |
JP2009292684A (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびこれに用いる製造装置 | |
TWI751028B (zh) | 單晶矽的製造方法 | |
WO2024024155A1 (ja) | シリコン単結晶 | |
KR20180055373A (ko) | 단결정 잉곳 성장장치 | |
JP2024018607A (ja) | シリコン単結晶 | |
US20200199776A1 (en) | Method for producing silicon single crystal | |
TW202305198A (zh) | 單晶矽的製造方法 | |
JP2021098622A (ja) | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060711 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20060713 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080115 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110701 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4780705 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |