JPWO2003081303A1 - 光学素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

半導体基板の主表面から深さ方向に、孔幅が変調された複数のエッチング孔を形成する光学素子の製造方法を提供する。かかる製造方法は、主表面を有し、主表面から深さ方向に比抵抗が変調された半導体基板を準備する準備工程と、半導体基板の主表面上に、孔部形成領域を規定する規定工程と、主表面を電解液に浸し、電解液に対して半導体基板を高電位として、孔部形成領域から半導体基板を深さ方向に電気化学エッチングして、エッチング孔を形成するエッチング工程とを含む。

Description

技術分野
本発明は、光学素子の製造方法に関し、特に、複数の孔部又は溝部を備えた半導体基板からなる光学素子の製造方法に関する。
背景技術
近年、フォトニックバンドギャップを利用した、波長フィルタ素子、偏光分離素子、光導波路等の光学素子が提案されている。フォトニックバンドギャップとは、屈折率が周期的に変動する周期構造中において、周期に依存した所定の波長帯域の光波が存在できない現象である。例えば、多層膜光フィルタにおいて、光学長で表した多層膜周期が入射光の波長の２分の１である時、その波長付近の入射光は透過できずに反射され、多層膜光フィルタは波長フィルタとして作用する。
図１２は、特表平１１−５０９６４４号公報に記載された、全体が５００で表される光学素子の上面図である。また、図１３は、図１２の光学素子５００をＸＩＩ−ＸＩＩ方向に見た場合の断面図である。光学素子５００は、ｎ型のシリコン基板１からなり、主表面２に略垂直な方向に形成された複数の孔部３を有する。孔部３の直径は、深さ方向に変調されており、主表面２に近い側から孔部３の直径が大きな領域３１、孔部３の直径が小さな領域３２、再び、孔部３の直径が大きな領域３３となっている。
光学素子５００は、このような孔部３が規則的に配列された格子領域４と、格子領域４を分断するように設けられた欠陥領域５とを有する。ここで、欠陥領域５は、格子領域４を構成する孔部３が、列状に形成されていない領域である。
光学素子５００では、格子領域４は、２次元的に屈折率が周期的に変動する周期構造であり、主表面２に平行な方向に伝播する光に対してフォトニックバンドギャップを有する。即ち、フォトニックバンドギャップに相当する波長帯の光は、かかる方向には格子領域４をほとんど透過できない。このため、欠陥領域５の内部に励起された光波は、格子構造４に入り込むことができない。
一方、領域３２は、その上下に形成された領域３１、領域３３に比べて、シリコン基板の占める体積が大きく、孔部３を満たす空気の占める体積が小さい。このため領域３２は、領域３１、領域３３に比べて平均屈折率が大きくなる。この平均屈折率の差による全反射により、光は領域３１と領域３３に挟まれた領域３２に閉じ込められる。
このような原理により、線状に設けられた欠陥領域５は、領域３２の部分をコアとする光導波路として作用し、図１３において、紙面に対して垂直な方向に光を導波する。
光学素子５００の製造方法では、まず、ｎ型で比抵抗が１Ω・ｃｍのシリコン基板１を準備する。続いて、シリコン基板１の主表面２に、孔部３を形成する位置に対応した周期的パターンのピットを形成する。このとき、欠陥領域５にはピットを設けない。
次に、シリコン基板１の主表面２を、３ｗｔ％のフッ化水素酸の電解液に接触させた状態で、主表面２と逆側から光を入射させ、シリコン基板１に正孔を発生させる。更に、シリコン基板１と電解液との間に３Ｖの電圧を加える。この結果、主表面２に設けられたピット付近の電界集中部分にシリコン基板１中に発生した正孔が吸引される。この正孔を用いて電気化学エッチングが進行し、ピットを出発点として孔部３が形成され始める。光照射量を変えることにより、電流密度を大、小、大と順次変化させる。エッチングで形成される孔部３の断面積は、電流密度に応じて大、小、大と変化する。この結果、図１３に示したような、深さ方向に直径が変調された孔部３が形成される。
しかしながら、かかる製造方法では、電解液の温度や濃度、光照射量等のエッチング条件が経時変化することにより、領域３１、３２、３３の各領域の深さや直径が設計通りにならなかった。この結果、光学素子５００を光導波路として用いた場合、フォトニックバンドギャップ波長や光透過特性が所望の値からずれるという問題が発生した。また、かかる問題は、光学素子５００を偏光素子や光学フィルタ等として使用する場合にも問題となった。
発明の開示
そこで、本発明は、孔部の直径や溝部の溝幅が深さ方向で異なる光学素子の製造方法において、孔部の深さ、直径等を設計通りの寸法で形成できる光学素子の製造方法の提供を目的とする。
即ち、本発明は、半導体基板の主表面から深さ方向に、孔幅が変調された複数のエッチング孔を形成する光学素子の製造方法であって、主表面を有し、主表面から深さ方向に比抵抗が変調された半導体基板を準備する準備工程と、半導体基板の主表面上に、孔部形成領域を規定する規定工程と、主表面を電解液に浸し、電解液に対して半導体基板を高電位として、孔部形成領域から半導体基板を深さ方向に電気化学エッチングして、エッチング孔を形成するエッチング工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法である。
かかる製造方法を用いることにより、電解液の温度等の製造条件の変動によらず、設計通りの構造の光学素子を得ることができる。また、製造歩留まりが向上し、光学素子を安価に製造できる。
なお、特開２００１−２７２５６６号公報に、エッチング特性の異なる媒質を積層してエッチングすることにより、孔部の径が周期的に変調されたフォトニック結晶を製造する方法が記載されている。しかしながら、かかる製造方法は、ＲＩＥ等により孔部を形成する工程と、孔部の径を拡大する孔部拡大工程とを備えるものであり、本願発明のように、一の電気化学エッチングのみで孔幅が変調されたエッチング孔を形成する方法とは異なっている。
上記準備工程は、半導体基板の主表面から深さ方向に、低比抵抗層、高比抵抗層、低比抵抗層を順に含む半導体基板を準備する工程であっても良い。
また、上記準備工程は、半導体基板の主表面から深さ方向に、比抵抗が正弦波状に変調された半導体基板を準備する工程であっても良い。
上記準備工程は、変調された比抵抗の極小値に対する極大値の比が、略１．０１以上で略１０００以下である半導体基板を準備する工程である。
比抵抗の極大値が、略１Ω・ｃｍ以上で略５０００Ω・ｃｍ以下であり、比抵抗の極小値が、略０．０１Ω・ｃｍ以上で１００Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
上記規定工程は、半導体基板の主表面の所定の位置をエッチングしてピットを形成し、孔部形成領域とする工程であっても良い。
また、上記規定工程は、半導体基板の主表面を略平行なストライプ状にエッチングし、孔部形成領域とする工程であっても良い。
上記エッチング工程は、更に、半導体基板に光を照射する工程を含むものであっても良い。
上記エッチング孔の主表面に平行な断面は、略円形であっても良い。
また、上記エッチング孔の主表面に平行な断面は、略矩形であっても良い。
発明を実施するための最良の形態
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態にかかる、全体が１００で表される光学素子の上面図である。また、図２は、図１の光学素子１００の、Ｉ−Ｉ方向に見た場合の断面図である。図１、２中、図１２、１３と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
図２に示すように、光学素子１００は、ｎ型のシリコン基板１を含む。シリコン基板１は、比抵抗の異なる３種類のシリコン層１１、１２、１３を含んでいる。シリコン層１１、１３は低抵抗層であり、例えば、比抵抗が５Ω・ｃｍ、膜厚が５μｍである。一方、シリコン層１２は高抵抗層であり、例えば、比抵抗が１０Ω・ｃｍ、膜厚が２μｍである。シリコン層１１、１２、１３は、例えば化学気相成長法により形成される。なお、シリコン層１３の下部のシリコン基板１は導電性であれば良く、例えば、比抵抗は１００Ω・ｃｍ程度で良い。
光学素子１００は、主表面２に略垂直な方向に形成された複数の孔部３を有する。シリコン層１１、１２、１３のそれぞれに対応した領域が、孔部３の直径が大きな領域３１、孔部３の直径が小さな領域３２、孔部３の直径が大きな領域３３となっている。孔部３の直径は略０．０５μｍ〜略１．９５μｍ程度であり、光学素子１００の領域３１、３３では略０．２５μｍ、領域３２では略０．３５μｍとする。
また、図１に示すように、光学素子１００は、このような孔部３が規則的に配列された格子領域４と、格子領域４を分断するように設けられた欠陥領域５とを有する。ここで、格子領域４では、孔部３のピッチは、略０．２μｍ〜略２．０μｍ程度であり、光学素子１００では、略０．５μｍとする。また、欠陥領域５は、格子領域４を構成する孔部３が、列状に形成されない領域である。
光学素子１００では、格子領域４は、２次元的に屈折率が周期的に変動する周期構造であり、主表面２に平行な方向に伝播する光に対してフォトニックバンドギャップを有する。即ち、フォトニックバンドギャップに相当する光波長帯の光は、かかる方向には格子領域４をほとんど透過できない。このため、欠陥領域５の内部に励起された光波は、格子構造４に入り込むことができない。
一方、領域３２は、その上下に形成された領域３１、領域３３に比べて、シリコン基板の占める体積が大きく、孔部３を満たす空気の占める体積が小さい。このため領域３２は、領域３１、領域３３に比べて平均屈折率が大きくなる。この平均屈折率の差による全反射により、光は領域３１と領域３３に挟まれた領域３２に閉じ込められる。
この結果、線状に設けられた欠陥領域５は、領域３２の部分をコアとする光導波路として作用し、図２において、紙面に対して略垂直な方向に光を導波する。
次に、図３〜５を参照しながら、本実施の形態にかかる光学素子１００の製造方法について説明する。製造方法は、以下の工程１〜３を含む。
工程１：図３に示すように、比抵抗が略１００Ω・ｃｍのｎ型のシリコン基板１を準備する。続いて、シリコン基板１の上に、例えば化学気相成長法により、比抵抗の異なる３種類のシリコン層１１、１２、１３を順次形成する。ドーピング濃度を制御することにより、各シリコン層を所定の比抵抗とする。
シリコン層１１、１３は低抵抗層であり、比抵抗は略０．０１Ω・ｃｍ〜略１００Ω・ｃｍであり、好適には、略０．５Ω・ｃｍ〜略５０Ω・ｃｍである。ここでは、５Ω・ｃｍとする。比抵抗がかかる値より小さくなると、孔部３のエッチングが等方性となり、隣接する孔部３がつながり、光学素子１００の強度が低下する。一方、比抵抗がかかる値より大きくなると、孔部３の形状が不規則となり光学素子１００中での光散乱が増大する。また、シリコン層１１、１３の膜厚は略５μｍである。
一方、シリコン層１２は高抵抗層であり、比抵抗は略１．０１Ω・ｃｍ〜略１０００Ω・ｃｍであり、好適には、略２Ω・ｃｍ〜略１００Ω・ｃｍである。ここでは、１０Ω・ｃｍとする。また、膜厚は略２μｍである。
但し、シリコン層１１、１３の比抵抗に対して、シリコン層１２の比抵抗が、略１．０１倍〜略１０００倍となるように、各層の比抵抗を選択することが必要である。かかる比抵抗の比が小さくなると、各層の間の屈折率のコントラストが低下して、光導波路や、後述する光フィルタとして、十分なフォトニックバンドギャップの効果が得られない。一方、比抵抗の比が大きくなると、孔部３のエッチングが不規則となり、光学素子１００中において光が散乱するようになる。
なお、好適な比抵抗、膜厚は、シリコン層の導電型によらず略同じである。
工程２：図４に示すように、主表面２にピット３５を形成する。かかるピット３５は、図１に示す孔部３の配置に対応するように、周期的なパターンとして形成される。ピット３５は、例えば、主表面２上に形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を電子線ビームリソグラフィ技術を用いてパターニングし、開口部を形成した後、水酸化カリウム等のアルカリ溶液に浸漬して、主表面２を異方性エッチングすることにより形成する。
工程３：図５に示すように、シリコン基板１の主表面２を、４ｗｔ％のフッ化水素酸の電解液３６に接触させる。また、電解液に浸漬した電極３７に対して、シリコン基板１が略１Ｖ高い電位となるように電圧を印加する。更に、シリコン基板１の裏面（主表面２と反対側）から、光３８を照射する。なお、シリコン基板１、シリコン層１１、１２、１３がｐ型の場合は、シリコン基板１等の中に正孔が多数キャリアとして存在するため、光３８の照射をしなくても良い。
図５に示す状態では、シリコン基板１内の正孔はピット３５付近に吸引され、この正孔を用いて電気化学エッチングが進行し、ピット３５を出発点として孔部３の形成が始まる。
ここで、エッチングは、主に、孔部３の先端付近で行われる。また、エッチング量は、孔部３の先端付近のシリコンの比抵抗により影響を受ける。即ち、低抵抗のシリコン層では孔部３の直径は大きくなり、一方、高抵抗のシリコン層では孔部３の直径は小さくなる。
エッチングが進行して孔部３の深さが深くなると、図５に示すように、孔部３の先端は、低抵抗のシリコン層１１から高抵抗のシリコン層１２に移り、更には、低抵抗のシリコン層１３に移る。かかるエッチング工程では、孔部３の先端付近のシリコン層の比抵抗が、５Ω・ｃｍ（シリコン層１１）、１０Ω・ｃｍ（シリコン層１２）、５Ω・ｃｍ（シリコン層１３）と順次変化する。このため、エッチングで形成される孔部３の直径も、大、小、大と変化する。即ち、深さ方向に孔部３の直径が変調され、主表面２に近い側から、孔部３の直径が大きな領域３１、孔部３の直径が小さな領域３２、孔部３の直径が大きな領域３３から構成された孔部３が形成できる。
なお、ピットを形成せずに、酸化シリコン膜等をパターニングして形成したマスクを用いて、孔部３を形成することも可能である。
以上の工程１〜３を行うことにより、図２に示すような、光学素子１００が完成する。かかる製造方法では、孔部３の、直径の異なる領域の長さ（領域３１、３２、３３の深さ）は、シリコン層１１、１２、１３の膜厚に対応して決まり、電解液３６の温度、濃度の経時変化の影響を受けない。また、孔部３の直径も、シリコン層１１、１２、１３の比抵抗により決まる。このため、設計通りの寸法のフォトニックバンドギャップを備え、例えば、光通信に使用される、波長が略０．６μｍ〜略２．０μｍの光に対して、安定した光伝播特性を有する光学素子１００を得ることができる。
また、製造工程における歩留まりも向上し、所望の特性を備えた光学素子１００を、安価に製造することができる。
（実施の形態２）
図６は、本実施の形態にかかる、全体が２００で表される光学素子の上面図である。また、図７は、図６の光学素子２００の、ＶＩＩ−ＶＩＩ方向に見た場合の断面図である。図６、７中、図１、２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
図６に示すように、光学素子２００では、主表面２に略垂直な方向に形成された孔部２３が、全面に均等に分布するように設けられている。また、図７に示すように、それぞれの孔部２３は、直径が深さ方向に周期的に変調された形状となっている。
かかる構造の光学素子２００は、平均的な屈折率を深さ方向（主表面２に垂直な方向）に周期的に変化させた光学素子と同じ効果が得られる。このため、その周期に応じたフォトニックバンドギャップが形成され、例えば光通信に使用される波長帯が略０．６μｍ〜略２．０μｍの光を透過しない光フィルタとして作用する。
次に、本実施の形態にかかる光学素子２００の製造方法について、簡単に説明する。製造方法は、以下の工程１〜３を含む。
工程１：ｎ型のシリコン基板１を準備する。図８は、シリコン基板１の、主表面からの深さと比抵抗との関係である。図８から分かるように、シリコン基板１は、比抵抗が、極大値が略６Ω・ｃｍ、極小値が略４Ω・ｃｍ、周期が略０．５μｍの正弦波状に変化するような構造となっている。深さ方向の周期は、略０．２μｍ〜略２．０μｍの範囲の他の値に設定しても構わない。かかる構造は、例えば、供給するドーパントの量を変化させながら、ＣＶＤ法でシリコン層を堆積することにより形成できる。深さ１．８μｍ以上のシリコン基板１の比抵抗は、略１０Ω・ｃｍで一定とした。なお、極大値、極小値は、比抵抗が正弦波状に変調された領域における比抵抗の最大値、最小値をいう。また、実施の形態１では、高比抵抗層、低比抵抗層の比抵抗をいう。
なお、シリコン基板１の比抵抗の、極小値に対する極大値の比は、実施の形態１と同様に、略１．０１倍〜略１０００倍となるように選択することが必要である。
工程２：実施の形態１と同様に、シリコン基板１の主表面２に、ピットを形成する。本実施の形態では、ピットは、主表面に均等に分布するように形成する。隣接するピットの距離は、略０．２〜略２．０μｍの範囲で設定され、ここでは略０．５μｍとする。
工程３：実施の形態１の工程３（図５）と同じ構成を用いて、シリコン基板１の主表面２を２ｗｔ％のフッ化水素酸の電解液に接触させる。更に、シリコン基板１の電位が、電解液の電位より約０．８Ｖ高くなるように電圧を印加する。また、電気化学エッチングに必要な正孔を供給するため、強度が１００ｍＷ／ｃｍ^２の光を照射する。なお、シリコン基板１をｐ型とした場合は、光の照射は不要である。
かかる状態では、主表面２に設けられたピット付近に正孔が吸引され、上述の実施の形態１と同様に、電気化学エッチングが進行する。エッチング工程では、比抵抗が小さい領域ほど孔部３の直径が大きくなり、比抵抗が大きい領域ほど孔部３の直径が小さくなる。この結果、図７に示すような、比抵抗の深さ方向の分布に対応して孔部３の直径が変調された光学素子２００が得られる。
かかる製造方法を用いることにより、電解液の温度等の製造条件の変動によらず、設計通りの構造の光学素子２００を得ることができる。また、製造歩留まりが向上し、光学素子２００を安価に製造できる。
（実施の形態３）
図９は、本実施の形態にかかる、全体が３００で表される光学素子の上面図である。また、図１０は、図９の光学素子３００の、Ｘ−Ｘ方向に見た場合の断面図である。図９、１０中、図１、２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
図９に示すように、光学素子３００では、主表面２に略垂直な方向に形成された複数の溝部６を有する。溝部６のピッチは、略０．２μｍ〜略２．０μｍの範囲から選択される。また、図１０に示すように、それぞれの溝部６は、溝幅が、深さ方向に周期的に変調された形状となっている。
かかる構造の光学素子３００は、偏光の振動方向により、選択的に偏光を透過する偏光選択素子として作用する。即ち、溝幅が深さ方向に周期的に変調された構造では、平均的な屈折率が深さ方向に周期的に変動するとともに、溝部６に平行な振動方向を有する偏光と、溝部６に垂直な振動方向を有する偏光とでは、平均屈折率が異なる。このため、溝部６に平行な振動方向を有する偏光と、溝部６に垂直な振動方向を有する偏光とでは、異なる波長帯にフォトニックバンドギャップが生ずる。この結果、光を通さない波長帯が、偏光の振動方向によって異なるようになり、ある波長帯においては、一方の振動方向の偏光のみを透過するような偏光選択素子となる。
次に、本実施の形態にかかる光学素子３００の製造方法について、簡単に説明する。製造方法は、以下の工程１〜３を含む。
工程１：ｐ型のシリコン基板１を準備する。図１１は、シリコン基板１の、主表面からの深さと比抵抗との関係である。図１１から分かるように、シリコン基板１は、比抵抗が、極大値が略６Ω・ｃｍ、極小値が略４Ω・ｃｍ、周期が略０．５μｍの正弦波状に変化するような構造となっている。深さ方向の周期は、略０．２μｍ〜略２．０μｍの範囲の他の値に設定しても構わない。かかる構造は、例えば、供給するドーパントの量を変化させながら、ＣＶＤ法でシリコン層を堆積することにより形成できる。深さ１．８μｍ以上のシリコン基板１の比抵抗は、徐々に大きくなり、最終的に略１０Ω・ｃｍで一定となる。
なお、シリコン基板１の比抵抗の、極小値に対する極大値の比は、実施の形態１と同様に、略１．０１倍〜略１０００倍となるように選択することが必要である。
工程２：シリコン基板１の主表面２に、図９に示すような、略等間隔に配置された浅い初期溝を形成する。初期溝のピッチは、略０．２μｍ〜略２．０μｍの範囲から選択され、ここでは略０．５μｍとする。初期溝は、シリコン基板１の主表面２に酸化シリコン等のマスクを形成した後、水酸化カリウム溶液を用いて主表面２を異方性エッチングして形成する。
工程３：実施の形態１の工程３（図５）と同様の構造を用いて、シリコン基板１の主表面２を５ｗｔ％のフッ化水素酸の電解液に接触させる。更に、シリコン基板１の電位が、電解液の電位より約０．８Ｖ高くなるように電圧を印加する。なお、シリコン基板１をｎ型とした場合は、光の照射が必要となる。
上述の実施の形態１、２の孔部３の形成と同様に、溝部６の形成においても、比抵抗の小さい領域では溝幅は大きくなり、比抵抗の大きな領域では溝幅は小さくなる。この結果、図１０に示したような、比抵抗の分布に対応して溝幅が変調された構造が得られる。
かかる製造方法を用いることにより、電解液の温度等の製造条件の変動によらず、設計通りの構造の光学素子３００を得ることができる。また、製造歩留まりが向上し、光学素子３００を安価に製造できる。
なお、実施の形態１〜３では、シリコン基板として、ｎ型又はｐ型のいずれかを用いる場合について説明したが、いずれの導電型の基板を用いてもかまわない。
産業上の利用の可能性
本発明は、設計通りの構造を有する光学素子の製造方法を提供するものであり、光導波路、光フィルタ等の光学素子の製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の実施の形態１にかかる光学素子の上面図である。
図２は、本発明の実施の形態１にかかる光学素子の断面図である。
図３は、本発明の実施の形態１にかかる光学素子の製造工程の断面図である。
図４は、本発明の実施の形態１にかかる光学素子の製造工程の断面図である。
図５は、本発明の実施の形態１にかかる光学素子の製造工程の断面図である。
図６は、本発明の実施の形態２にかかる光学素子の上面図である。
図７は、本発明の実施の形態２にかかる光学素子の断面図である。
図８は、シリコン基板の主表面からの深さと比抵抗との関係である。
図９は、本発明の実施の形態３にかかる光学素子の上面図である。
図１０は、本発明の実施の形態３にかかる光学素子の断面図である。
図１１は、シリコン基板の主表面からの深さと比抵抗との関係である。
図１２は、従来の光学素子の上面図である。
図１３は、従来の光学素子の断面図である。

Claims (7)

1. 半導体基板の主表面から深さ方向に、孔幅が変調された複数のエッチング孔を形成する光学素子の製造方法であって、
   主表面を有し、該主表面から深さ方向に比抵抗が変調された半導体基板を準備する準備工程と、
   該半導体基板の該主表面上に、孔部形成領域を規定する規定工程と、
   該主表面を電解液に浸し、該電解液に対して該半導体基板を高電位として、該孔部形成領域から該半導体基板を深さ方向に電気化学エッチングして、エッチング孔を形成するエッチング工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
2. 上記準備工程が、該半導体基板の該主表面から深さ方向に、低比抵抗層、高比抵抗層、低比抵抗層を順に含む半導体基板を準備する工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
3. 上記準備工程が、該半導体基板の該主表面から深さ方向に、上記比抵抗が正弦波状に変調された半導体基板を準備する工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
4. 上記準備工程が、変調された上記比抵抗の極小値に対する極大値の比が、略１．０１以上で略１０００以下である半導体基板を準備する工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
5. 上記比抵抗の極大値が、略１Ω・ｃｍ以上で略５０００Ω・ｃｍ以下であり、該比抵抗の極小値が、略０．０１Ω・ｃｍ以上で１００Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
6. 上記規定工程が、上記半導体基板の上記主表面の所定の位置をエッチングしてピットを形成し、上記孔部形成領域とする工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
7. 上記規定工程が、上記半導体基板の上記主表面を略平行なストライプ状にエッチングし、上記孔部形成領域とする工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。

Images