JP2019087714A - 光半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
(2)前記第1半導体層と前記第2半導体層とが接続する第1接続領域を少なくとも一部含むように、前記第3半導体層上に導波路を形成する工程を含んでいてもよい。
(3)前記第1接続領域は、前記第1半導体層と前記第3半導体層とが前記第2半導体層を介さずに接続する第2接続領域で囲われ、前記導波路は、前記第1接続領域の前記第3半導体層上に形成され、前記エッチング液にさらす工程において、前記第1接続領域の前記第2半導体層を除去してもよい。
(4)前記第2半導体材料は、InGaAs,InGaAsP,InGaAlAs,InAlAs,InAlAsPまたはInGaAlAsPとし、前記第3半導体材料は、InPとしてもよい。
(5)前記第2半導体層を形成する工程の前に、前記第1マスクでパターニングされた前記第1半導体層をエッチングする工程をさらに含んでいてもよい。
(6)前記第3半導体層を形成する工程の前に、前記第2半導体層上のみに第4半導体材料の第4半導体層を形成する工程をさらに含んでいてもよい。
(7)前記第2半導体層を形成する工程において、複数の前記第2半導体層を形成し、回折格子パターンを有する第1領域と、前記第1領域の共振器長方向に連結するとともに前記回折格子パターンが設けられていない第2領域と、を備えた共振器パターンを形成する工程を有し、前記共振器パターンを形成する工程は、前記複数の第2半導体層のそれぞれに重なり、前記第1領域の前記共振器長方向における長さが互いに異なる複数の前記共振器パターンを前記共振器長方向と交差する方向に複数隣接して設ける工程と、前記複数の共振器パターンのうち選択された共振器パターンを残し、他の共振器パターンを除去する工程と、を含み、前記第2半導体層の露出箇所を前記エッチング液にさらす工程において、前記複数の第2半導体層のうち、前記選択された共振器パターンに重なる第2半導体層の露出箇所を前記エッチング液にさらしてもよい。
本発明の実施形態に係る光半導体素子の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図2(a)〜図2(d)は、第1実施形態に係る光半導体素子の製造方法を例示するための模式的断面図である。図2(a)で例示するように、InP基板101の上面に、パターニングした誘電体膜103を形成する。誘電体膜103は、後に柱部分となる箇所に形成しておく。次に、図2(b)で例示するように、InP基板101の露出部分に、InGaAsの犠牲層102を選択成長させる。次に、図2(c)で例示するように、誘電体膜103を除去した後に、InP基板101の露出部分および犠牲層102上に、n型InPのバッファ層101aを成長させることで、犠牲層102を埋め込む。誘電体膜103が除去された部分がInPの柱となる。その後、例えば、InP基板101と犠牲層102とが接続する第1接続領域を少なくとも一部含むように、埋込層上に導波路を成長させる。その後、犠牲層102の一部を露出させ、図2(d)で例示するように、犠牲層102の露出箇所を、InP基板101、バッファ層101aおよび埋込層よりも犠牲層102を早く取り除くエッチング液にさらすことで、犠牲層102を取り除く。それにより、犠牲層102の部分が空隙105となる。
図3(a)〜図3(e)は、第2実施形態に係る光半導体素子の製造方法を例示するための模式的断面図である。図3(a)で例示するように、InP基板101の上面に、パターニングした誘電体膜103を形成する。誘電体膜103は、後に柱部分となる箇所に形成しておく。次に、図3(b)で例示するように、InP基板101の露出部分に対して、ドライエッチングを行う。例えば、InP基板101の露出部分の0.4μm程度を除去することでInP基板101に凹部を形成する。
図4(a)〜図4(d)は、第3実施形態が対象とする光半導体素子100について説明するための図である。光半導体素子100は、一例として、波長可変半導体レーザである。図4(a)は、光半導体素子100の上面図である。図4(b)は、導波路に沿った断面図であり、図4(a)の点線に沿った断面図である。図4(c)は、光半導体素子100の上面からの透過図である。図4(d)は、ウェハ200における光半導体素子100を説明するための図である。
図7(a)〜図8(d)は、第4実施形態に係る光半導体素子の製造方法を例示する図である。製造工程は第3実施形態と同じであるが、誘電体マスク31のパターンが異なる。誘電体マスク31は、図9(a)のように半導体基板1上において、複数の空隙8が形成される領域を囲む領域にのみ形成する。この領域は、光導波層6を含むメサからメサ溝9を挟んで両脇の半導体領域下に位置する。この場合、半導体基板1上のほぼ全面が犠牲層32の選択成長領域になる。それにより、誘電体マスク31の除去後に再成長で埋め込むべき段差領域は、第3実施形態と比べて小さくなる。
回折格子7として機能する回折格子パターンの本数は、レーザの光学特性などに影響する。ストライプ状のレジストパターンを用いたEB露光における窓長の制御性および窓境界に生じるストライプ本数の増減により、回折格子パターン7aの本数にばらつきが生じることがある。1つの回折格子領域における回折格子パターンの本数は例えば10〜20本などであり、1本の増減でもレーザの光学特性は大きく変化してしまう。そこで、長さの異なる複数の回折格子領域を形成し、それらの領域のうち所望の本数の回折格子パターンを含む領域に後続工程で光導波層6を形成していけばよい。
Claims (7)
- 第1半導体材料の第1半導体層上に、パターニングされた第1マスクを形成する工程と、
前記第1半導体層の露出部分に、前記第1半導体材料とは異なる第2半導体材料の第2半導体層を形成する工程と、
前記第1マスクを除去した後、前記第1半導体層の露出部分および前記第2半導体層上に第3半導体材料の第3半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層の一部を露出させ、前記第2半導体層の露出箇所を、前記第1半導体材料および前記第3半導体材料よりも早く前記第2半導体材料を取り除くエッチング液にさらす工程と、を含む、光半導体素子の製造方法。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層とが接続する第1接続領域を少なくとも一部含むように、前記第3半導体層上に導波路を形成する工程を含む、請求項1記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記第1接続領域は、前記第1半導体層と前記第3半導体層とが前記第2半導体層を介さずに接続する第2接続領域で囲われ、
前記導波路は、前記第1接続領域の前記第3半導体層上に形成され、
前記エッチング液にさらす工程において、前記第1接続領域の前記第2半導体層を除去する、請求項2記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記第2半導体材料は、InGaAs,InGaAsP,InGaAlAs,InAlAs,InAlAsPsまたはInGaAlAsPであり、
前記第3半導体材料は、InPである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。 - 前記第2半導体層を形成する工程の前に、前記第1マスクでパターニングされた前記第1半導体層をエッチングする工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記第3半導体層を形成する工程の前に、前記第2半導体層上のみに第4半導体材料の第4半導体層を形成する工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記第2半導体層を形成する工程において、複数の前記第2半導体層を形成し、
回折格子パターンを有する第1領域と、前記第1領域の共振器長方向に連結するとともに前記回折格子パターンが設けられていない第2領域と、を備えた共振器パターンを形成する工程を有し、
前記共振器パターンを形成する工程は、前記複数の第2半導体層のそれぞれに重なり、前記第1領域の前記共振器長方向における長さが互いに異なる複数の前記共振器パターンを前記共振器長方向と交差する方向に複数隣接して設ける工程と、前記複数の共振器パターンのうち選択された共振器パターンを残し、他の共振器パターンを除去する工程と、を含み、
前記第2半導体層の露出箇所を前記エッチング液にさらす工程において、前記複数の第2半導体層のうち、前記選択された共振器パターンに重なる第2半導体層の露出箇所を前記エッチング液にさらす、請求項1〜6のいずれか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
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