JPS6396858A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPS6396858A JPS6396858A JP61240515A JP24051586A JPS6396858A JP S6396858 A JPS6396858 A JP S6396858A JP 61240515 A JP61240515 A JP 61240515A JP 24051586 A JP24051586 A JP 24051586A JP S6396858 A JPS6396858 A JP S6396858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- cooling
- plasma
- cooling water
- piping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
イオン注入装置等のプラズマを利用した半導体処理用の
真空装置において、装置の大気圧解放中において装置内
の冷却面が結露し、再真空引きに時間がかかり、装置の
スループットを低下させていた。このために、大気圧解
放中、または真空引き中でもプラズマを発生していない
ときには加熱媒体を冷却用の配管に流すようにした装置
を提起する。
真空装置において、装置の大気圧解放中において装置内
の冷却面が結露し、再真空引きに時間がかかり、装置の
スループットを低下させていた。このために、大気圧解
放中、または真空引き中でもプラズマを発生していない
ときには加熱媒体を冷却用の配管に流すようにした装置
を提起する。
本発明はイオン注入装置等の、その内部にプラズマの発
生する真空装置のスループットを向上した構造に関する
。
生する真空装置のスループットを向上した構造に関する
。
イオン注入装置は半導体装置の製造において、不純物の
導入手段として広（使用されているので、ここではこの
種の真空装置の一般例としてイオン注入装置について説
明する。
導入手段として広（使用されているので、ここではこの
種の真空装置の一般例としてイオン注入装置について説
明する。
イオン注入装置においては、ウェハの交換、イオン源の
交換にともない、真空容器の一部を大気圧に解放した後
、再度真空引きを行う。
交換にともない、真空容器の一部を大気圧に解放した後
、再度真空引きを行う。
イオン源の動作温度は５００℃前後に達するため、イオ
ン源を取り囲むイオン源室の真空容器の外壁には冷却水
配管を設けて、ここに常時冷却水を流している。
ン源を取り囲むイオン源室の真空容器の外壁には冷却水
配管を設けて、ここに常時冷却水を流している。
一方、ウェハを出し入れするエンドステーション部では
、イオンビーム照射による温度上昇（例えば、ビーム電
流３０ ｍへ、加速電圧２００にνで６に−の電力によ
る）を防ぐため、ウェハホルダに冷却水配管を設けて、
ここに常時冷却水を流している。
、イオンビーム照射による温度上昇（例えば、ビーム電
流３０ ｍへ、加速電圧２００にνで６に−の電力によ
る）を防ぐため、ウェハホルダに冷却水配管を設けて、
ここに常時冷却水を流している。
ところが、以上のような構成では、ウェハの交換、また
はイオン源の交換のため、それぞれを含む真空容器を大
気圧としたとき、冷却面にガス、とくに水蒸気が多く吸
着してしまい、再度の真空引きのときに長時間のアウト
ガスを引き起こし、所望の真空度到達までの待ち時間に
よって装置の利用効率を下げていた。
はイオン源の交換のため、それぞれを含む真空容器を大
気圧としたとき、冷却面にガス、とくに水蒸気が多く吸
着してしまい、再度の真空引きのときに長時間のアウト
ガスを引き起こし、所望の真空度到達までの待ち時間に
よって装置の利用効率を下げていた。
上記問題点の解決は、冷却媒体と加熱媒体を発生する手
段と、これらの媒体を流す配管と、これらの媒体のいず
れかを該配管に流すようにする切換手段とを有し、 少な（ともプラズマ発生中には該冷却媒体を該配管に流
し、大気解放中、または真空引き中でもプラズマを発生
していないときには該加熱媒体を該配管に流すようにし
た真空装置により達成される。
段と、これらの媒体を流す配管と、これらの媒体のいず
れかを該配管に流すようにする切換手段とを有し、 少な（ともプラズマ発生中には該冷却媒体を該配管に流
し、大気解放中、または真空引き中でもプラズマを発生
していないときには該加熱媒体を該配管に流すようにし
た真空装置により達成される。
本発明は真空容器の大気圧解放時、または真空引き中で
もプラズマを発生していないときには従来の冷却面を加
熱して周囲温度より高く保つようにし、冷却面にガス、
とくに水蒸気の吸着を防止し、装置の利用効率を上げる
ものである。
もプラズマを発生していないときには従来の冷却面を加
熱して周囲温度より高く保つようにし、冷却面にガス、
とくに水蒸気の吸着を防止し、装置の利用効率を上げる
ものである。
第１図は本発明を説明する真空装置の構成図である。
図において、真空容器１の外壁に密着して配管２が設け
られ、配管２を流れる媒体の経路は、リザーバ３→加圧
ポンプ４→バルブｖ２→冷却水套５側配管、またはヒー
タ６側配管−バルプシ１→配管２→リザーバ３ と循環している。
られ、配管２を流れる媒体の経路は、リザーバ３→加圧
ポンプ４→バルブｖ２→冷却水套５側配管、またはヒー
タ６側配管−バルプシ１→配管２→リザーバ３ と循環している。
図中の矢印のｏｐ、は装置動作時、ＡＴＭは大気圧解放
時の経路を示す。
時の経路を示す。
ここで、配管２に冷却媒体、または加熱媒体を流すため
にバルブ■１と、ｖ２で切り換えるようにしている。
にバルブ■１と、ｖ２で切り換えるようにしている。
バルブｖ１、ｖ２の操作により、装置動作中は冷却水套
５により冷却水が、一方大気圧解放時にはヒータ６によ
り温水、または加熱蒸気が配管２に供給されるようにす
る。
５により冷却水が、一方大気圧解放時にはヒータ６によ
り温水、または加熱蒸気が配管２に供給されるようにす
る。
第２図は他の実施例で、本発明をイオン注入装置に応用
した場合の構成図である。
した場合の構成図である。
図において、大気圧解放の機会の多いエンドステーショ
ン１八とイオン源室１の冷却水配管２Ａ、２がそれぞれ
温水と切り換えられるように構成されている。
ン１八とイオン源室１の冷却水配管２Ａ、２がそれぞれ
温水と切り換えられるように構成されている。
冷却水配管２Ａはウェハ７を載せたウェハホルダ８を冷
却する。
却する。
パル７’ＶＩＡはエンドステーション１八用の、バルブ
Ｖｌはイオン源室１用の冷却／加熱の切換バルブである
。
Ｖｌはイオン源室１用の冷却／加熱の切換バルブである
。
それ以外の部分については、例えばマグネットの配管に
は常時冷却水を循環している。
は常時冷却水を循環している。
以上詳細に説明したように本発明によれば、装置の大気
圧解放中の容器内壁、またはウェハホルダ等の冷却面へ
のガス、とくに水蒸気の吸着を大幅に減らし、その後の
再真空引き時間を短縮し、装置の利用効率を上げること
ができる。
圧解放中の容器内壁、またはウェハホルダ等の冷却面へ
のガス、とくに水蒸気の吸着を大幅に減らし、その後の
再真空引き時間を短縮し、装置の利用効率を上げること
ができる。
第１図は本発明を説明する真空装置の構成図、第２図は
他の実施例で、本発明をイオン注入装置に応用した場合
の構成図である。 図において、 １は真空容器、 ２は配管、 ３はリザーバ、 ４は加圧ポンプ、 ５は冷却水套、 ６はヒータ、 ７はウェハ、 ８はウェハホルダ、 ｖｌ、ｖ２、ＶＩＡは切換バルブ 水容「可の構べ呵 卒１ 酊
他の実施例で、本発明をイオン注入装置に応用した場合
の構成図である。 図において、 １は真空容器、 ２は配管、 ３はリザーバ、 ４は加圧ポンプ、 ５は冷却水套、 ６はヒータ、 ７はウェハ、 ８はウェハホルダ、 ｖｌ、ｖ２、ＶＩＡは切換バルブ 水容「可の構べ呵 卒１ 酊
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 冷却媒体と加熱媒体を発生する手段と、これらの媒体を
流す配管と、これらの媒体のいずれかを該配管に流すよ
うにする切換手段とを有し、少なくともプラズマ発生中
には該冷却媒体を該配管に流し、大気圧解放中、または
真空引き中でもプラズマを発生していないときには該加
熱媒体を該配管に流すようにした ことを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240515A JPS6396858A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240515A JPS6396858A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396858A true JPS6396858A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=17060669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240515A Pending JPS6396858A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6396858A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199824A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Hitachi Ltd | 基板への不純物の導入方法 |
| JPH0393141A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| JP2016044834A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 日本電子株式会社 | 流体循環装置、荷電粒子線装置、および流体循環方法 |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61240515A patent/JPS6396858A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02199824A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Hitachi Ltd | 基板への不純物の導入方法 |
| JPH0393141A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| JP2016044834A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 日本電子株式会社 | 流体循環装置、荷電粒子線装置、および流体循環方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4261762A (en) | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum | |
| JP2833946B2 (ja) | エッチング方法および装置 | |
| JP6313753B2 (ja) | 不活性気圧の前冷却および後加熱 | |
| US10867820B2 (en) | Substrate transfer device and substrate transfer method | |
| JP3121915B2 (ja) | 封止装置 | |
| US20010016302A1 (en) | Wafer chucks allowing controlled reduction of substrate heating and rapid substrate exchange | |
| JPH09326385A (ja) | 基板冷却方法 | |
| JPH01268030A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 | |
| JP3817414B2 (ja) | 試料台ユニットおよびプラズマ処理装置 | |
| WO2015016039A1 (ja) | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 | |
| JPH04280619A (ja) | ウエハ保持方法およびその保持装置 | |
| JP6052184B2 (ja) | 静電クランプおよびイオン注入システム | |
| JP6590820B2 (ja) | 広温度範囲チャックに対する複数流体冷却システム | |
| JPS6396858A (ja) | 真空装置 | |
| JP2017506828A5 (ja) | ||
| JP2004508460A (ja) | 表面へ管を通して気体または液体を供給する装置、その管のセットおよびその方法 | |
| JPH11135416A (ja) | 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 | |
| JP3954464B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2867389B2 (ja) | イオンビーム装置およびその使用方法 | |
| JPH03102820A (ja) | 真空処理装置 | |
| EP0377224A2 (en) | Method and vacuum chamber for ion implantation | |
| JP2020092053A (ja) | 真空冷却装置及びイオンミリング装置 | |
| JPH0927462A (ja) | イオン注入方法およびその装置 | |
| JPH05299364A (ja) | トラップ装置 | |
| JPH1126370A (ja) | 露光前処理装置 |