JPS6393282A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

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JPS6393282A
JPS6393282A JP61238017A JP23801786A JPS6393282A JP S6393282 A JPS6393282 A JP S6393282A JP 61238017 A JP61238017 A JP 61238017A JP 23801786 A JP23801786 A JP 23801786A JP S6393282 A JPS6393282 A JP S6393282A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光電変換素子の読出し信号を蓄積手段に一時蓄
積した後、アンプを通して出力する光電変換装置に関す
る。
[従来技術] LSI技術の進展に伴う撮像装置の小型化を達成するた
めに、次に述べるような出力アンプの電源の単一化が提
案されている。
第7図(A)は、従来の光電変換装置の概略的構成図、
第7図(B)は、その信号転送動作を説明するための等
価回路図、第7図(G)は、その転送の前後における信
号波形図である。
第7図(A)において、配列された光センサS1〜Sn
の読出し信号は−Hコンデンサ01〜Cnに各々蓄積さ
れる。その後、水平走査部701からのパルスφh1〜
φhnによってトランジスタQS1〜Qsnが順次ON
となり、コンデンサに蓄積された各読出し信号が出力ラ
イン702に順次読出され、出力バッファアンプ703
を通して外部へ出力される。その際、読出し信号が出力
アンプ703から出力されるごとに、出力ライン702
はトランジスタQ r hを通してリセット電圧(ここ
では+4V)にリセットされる。
このように出力アンプ703の入力端子に接続された出
力ライン702の電位を接地電位以外の低電位に設定す
ることで、出力アンプ703のvsS端子を接地し、V
dd端子に正電圧(ここでは+5V)を印加するだけの
電源の単一化を達成することができる。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、このような従来の光電変換装置では、出
力ライン702の電位が、読出し信号の信号成分電位と
リセット電位との間で大きく変化する0通常センサ信号
は後段の信号処理回路(後述)で適当な信号レベルまで
増幅されるが、上述の様な不要成分は、信号成分よりか
なり大きいために、回路系により飽和してしまい、結局
は重要な信号成分も損なわれてしまうという問題点を有
していた。逆に、ダイナミックレンジの大きい出力アン
プを設けることは、駆動電源の低レベル化に不利となり
、撮像装置の小型化の支障ともなる。
詳述するために、同図CB)に示す等価回路を考える。
まず、光センサからの読出し信号は一定のタイミングで
容量Ctに蓄積される。出力ライン702は容量chを
有し、c h=c tとする。また、容量Ctの電位を
Ml、出力ライン702の電位をv2とし、電位v1は
Ovに、電位v2はスイッチQrhが閉じることによっ
て+4Vにリセットされるものとする。
容量Ctに読出し信号が蓄積され、出力ライン702が
リセットされた状態でスイッチQsを閉じると、ch=
ctであるために、電圧v2はリセット電圧+4vから
電圧(2+%vl )Vまで低下する。続いて、スイッ
チQrhが閉じることで、出力ライン702はリヤー2
トされ+4■に復帰する。
このように出力アンプ703の入力v2は、同図(C)
に示すように+4v〜+2vの間で大きく変動する。
さらに充放電時間は次のように考えられる。出力信号V
outのクセ−2ト電位部分はソースホロワ回路のソー
ス電流によって負荷容量(ポンディン容量、配線容量、
入力トランジスタ容量等)を十分駆動できるが、出力信
号の信号成分部分はソースホロワ回路のシンク電流とな
るために、出力抵抗が十分小さくないと放電時定数が大
きくなり、小信号の直線性が悪くなるという問題点があ
った。出力抵抗を小さくすると消費電流をロスすること
になる。
さらに、上記不要成分を除去するためには、サンプルホ
ールド(S/H)回路が必要となる。
S/H回路のタイミングパルスは信号成分との位相関係
が重要で、温度特性および電源電圧特性の点で設けない
方が望ましい、しかし、S/H回路がないと、出力信号
を低域フィルタにより帯域制限する時に、低域フィルタ
の遮断特性を急峻にする必要がある。これは画像信号の
過渡特性を悪化させ1画質を低下させる原因となる。
[問題点を解決するための手段] 本発明による光電変換装置は、 光電変換素子の読出し信号を蓄積手段に一時蓄清した後
、アンプを通して出力する光電変換装置において、 前記蓄積手段にバイアス電圧を適時印加するスイッチ手
段を設けたことを特徴とする。
[作用] このようなスイッチ手段によって上記蓄積容量の基準電
位を適時変化させることができ、読出し信号の信号成分
を損なうことなく、電源を単一化できる。
[実施例] まず、本発明の基本的な動作を説明する。
第1図(A)は、本発明の基本動作の一例を説明するた
めの回路図、第1図(B)は、その電圧波形図である。
同図(A)において、蓄積コンデンサCtには接地電圧
(接点A)又はバイアス電圧+2V(接点B)を選択す
るスイッチが488されており、出力ライン103には
リセット電圧+2Vを印加するためのスイッチQrhが
接続されている。また、コンデンサCtの電圧をVl、
出力ライン103の電圧をv2とする。
まず、コンデンサCtを接点Aに接続して接地し、セン
サからの読出し信号をコンデンサCtに蓄積する。続い
て、コンデンサCtを接点Bに接続して+2vのバイア
ス電圧を印加するにれによって読出し信号レベルがゼロ
の時のコンデンサCtの電圧が出力ラインのリセット電
圧と等しくなる。
続いて、スイッチQsを閉じると、ct=chであるか
ら、電圧v1の信号成分のl/2が出力ライン103に
現われ、電圧v2として出力アンプ102に入力する。
そして、スイッチQrhが閉じることで出力ライン10
3は+2■にリセットされる(同図(B)参照)。
このように本発明によれば、信号成分のみが出力アンプ
102に入力し、入力電圧がリセットするごとに大きく
変化することがないために、出力アンプ102のダイナ
ミー、クレンジを大きくすることができ、Vrh又はV
ctの設定電位(振幅)に余裕をもたせることが可能と
なる。
次に、本発明の実施例に使用される光電変換素子の構成
および基本的動作について説明する。
第2図(A)は、特開昭80−12759号公報〜特開
昭80−12785号公報に記載されている光電変換セ
ルの概略的断面図、第2図(B)は、その等価回路図で
ある。
両図において、n+シリコン基板1上に光電変換セルが
形成され配列されており、各光電変換セルは5i02 
、 Si3 N4 、又はポリシリコン等より成る素子
分離領域2によって隣接する光電変換セルから電気的に
絶縁されている。
各光電変換セルは次のような構成を有する。
エピタキシャル技術等で形成される不純物濃度の低いn
−領域3上にはpタイプの不純物をドーピングすること
でp領域4が形成され、p領域4には不純物拡散技術又
はイオン注入技術等によってn十領域5が形成されてい
る。pDA域4およびn十領域5は、各々バイポーラト
ランジスタのベースおよびエミッタである。
このように各領域が形成されたn−領域3上には酸化膜
6が形成され、酸化膜6上に所定の面積を有するキャパ
シタ電極7が形成されている。
キャパシタ電極7は酸化膜6を挟んでp領域4と対向し
、キャパシタ電極7にパルス電圧を印加することで浮遊
状態にされたp領域4の電位を制御する。
その他に、n十領域5に接続されたエミッタ電極8.基
板lの裏面に不純物濃度の高いn十領域11、およびバ
イポーラトランジスタのコレクタに電位を与えるための
コレクタ電極12がそれぞれ形成されている。
次に、基本的な動作を説明する。まず、バイポーラトラ
ンジスタのベースであるp領域4は負電位の初期状態に
あるとする。このp領域4側から光13が入射し、入射
光によって発生した電子・正孔対のうちの正孔がp領域
4に蓄積され、蓄積された正孔によってp領域4の電位
が正方向に上昇する(蓄vi動作)。
続いて、キャパシタ電極7に読出し用の正電圧パルスが
印加され、蓄積動作時のベース電位変化分に対応した読
出し信号が浮遊状態にしたエミッタ電極8から出力され
る(読出し動作)、ただし、ベースであるp領域4の蓄
積電荷量はほとんど減少しないために、読出し動作の繰
返しが可ス彪である。
また、p領域4に蓄積された正孔を除去するには、エミ
ッタ電極8を接地し、キャパシタ電極8に正電圧のリフ
レッシュパルスを印加する。このパルスを印加すること
でp領域4はn十領域5に対して順方向にバイアスされ
、蓄積された正孔が除去される。そして、リフレッシュ
パルスが立下がった時点でp領域4は負電位の初期状態
に復帰する(リフレッシュ動作)、以後、同様に蓄積、
読出し、リフレッシュという各動作が作り返される。
次に、このような光′心変換セルを用いた本発明の詳細
な説明する。
第3図は、本発明による光電変換装置の第1実施例の回
路図である。
同図において、光電変換セルS1〜Snのキャパシタ電
極には駆動パルスφrが印加され、コレクタ電極には一
定の正電圧が印加されている。また、エミッタ電極は垂
直ラインVL1〜VLnに各々接続され、各垂直ライン
はトランジスタQt1〜Qtnを介して容量Ctの蓄積
コンデンサc1〜Cnの一方の端子に各々接続されてい
る。コンデンサ01〜Cnの他方の端子には、後述する
ようにバイアス電圧Vctが適時印加される。
各コンデンサの一方の端子はトランジスタQS1〜Qs
nを介して出力ライン101に共通に接続されている。
出力ライン101は容量chを有し、蓄積コンデンサC
1〜Cnの容量Ctと等しい。
出力ライン101には出力アンプ102の入力端子が接
続され、またリセット電圧Vrhを適時印加するための
トランジスタQ r hが接続されている。リセ−/ 
ト電圧Vrhは出力アンプ102の直線性が良好な範囲
で電圧値が選択され、本実施例では1.5〜3.5Vで
ある。また、上述したように出力アンプ102は単一電
源で駆動される。
トランジスタQSI〜Q s nのゲート電極には、走
査回路103からパルスφh1〜φhnが順次印加され
、トランジスタQtz”Qtnのゲート電極にはパルス
φtが共通に印加される。
また、各垂直ラインはトランジスタQr1〜Q r n
を介して電圧Vvcが印加され、各トランジスタのゲー
ト電極にはパルスφVCが印加される。
第4図は、本実施例の動作を説明するためのタイミング
チャートである。
まず、パルスφVCおよびφtによってトランジスタQ
 T 1〜Q r nおよびトランジスタQtt〜Q 
t nをONとして、コンデンサC1〜Cnをクリアし
く期間T1)、taいて駆動パルスφrによって各光電
変換セルの読出し信号をトランジスタQt1〜Qtnを
通してコンデンサ01〜Cnに蓄積する(期間T2)、
この時のバイアス電圧Vctは接地電位である。
次に、バイアス電圧Vctを+2■に設定した後、パル
スφh1〜φhnのタイミングで出力動作が行われる。
すなわち、パルスφh1によってトランジスタQSIが
ONとなり、すでに述べたように、コンデンサC1に蓄
積されている光電変換セルS1の読出し信号が出力ライ
ン101に読出される。続いて、パルスφrhによって
トランジスタQ r hがONとなり出力ライン101
が電圧+2Vにリセットされる。以下同様にして、コン
デンサ02〜Cnに蓄積された読出し信号が順次出力ラ
イン101に読出され、出力アンプ102を通して外部
へ出力される(期間T3)。
出力動作が終了すると、パルスφVCおよび駆動パルス
φrによってリフレッシュ動作を行う(期間T4)。
第5図は、上記実施例を使用した撮像袋はの一例の概略
的構成図である。
同図において、撮像素子501は上記実施例の構成を有
し、その出力信号V o 、u tは信号処理回路50
2によってゲイン調整等の処理が行われ、NTSC信号
等の標準テレビジョン信号として出力される。
また、撮像素子501を駆動するための各種パルスφお
よびバイアス電圧Vctはドライバ503によって供給
され、ドライバ503は制御部504の制御によって動
作する。すなわち、ここではドライバ503がバイアス
電圧■ctを適時印加するスイッチ手段を兼ねている。
また、制御部504は撮像素子501の出力に基いて信
号処理回路502のゲイン等を調整するとともに、露出
制御手段505を制御して撮像素子301に入射する光
量を調整する。
なお、蓄積コンデンサ01〜Cnに印加されるバイアス
電圧Vatはドライバ503から供給されているが、第
6図に示すように撮像素子501に内部電源601を設
けてもよい、この場合は、制御部504からの制御パル
スφctによって内部電源601を動作させ、バイアス
゛−[圧Vctを発生させる。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明による光電変換装置
は、読出し時に一時蓄積容量の基準電位を変化させると
いう簡単な方法で、撮像素子駆動電圧の単一電源化が可
能となり、撮像装置の小型化および低消費電力化を更に
一歩前進させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)は、本発明の基本動作の一例を説明するた
めの回路図、第1図CB)は、その電圧波形図、 第2図(A)は、特開昭80−12759号公報〜特開
昭80−12765号公報に記載されている光電変換セ
ルの概略的断面図、第2図(B)は、その等価回路図、
第3図は、本発明による光電変換装置の第1実施例の回
路図、 第4図は1本実施例の動作を説明するためのタイミング
チャート、 第5図は、上記実施例を使用した撮像装置の一例の概略
的構成図、 第6図は、本発明の他の実施例の部分的回路図、 第7図(A)は、従来の光電変換装置の概略的構成図、
第7図(B)は、その信号転送動作を説明するための等
価回路図、第7図(C)は、その転送の前後における信
号波形図である。 lot・・・出力ライン 102・・・出力バッファアンプ 103・・・走査回路 601・・・内部電源 C1〜Cn1111・蓄積コンデンサ S1〜Sn・・・光電変換セル Qrhe番・トランジスタ 代理人  弁理士 山 下 穣 子 弟1図 (B) ct = ch 第2図(A) ′ −7、・シ′ 第2図(8) 第4図 Vrh ”V

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光電変換素子の読出し信号を蓄積手段に一時蓄積
    した後、アンプを通して出力する光電変換装置において
    、 前記蓄積手段にバイアス電圧を適時印加 するスイッチ手段を設けたことを特徴とする光電変換装
    置。
  2. (2)上記アンプの入力端子のリセット電位を上記蓄積
    手段のバイアス電位とほぼ同電位に設定したことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の光電変換装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US7369169B2 (en) 1995-08-11 2008-05-06 Kabushiki Kaisha Toshiba MOS-type solid-state imaging apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56166U (ja) * 1979-06-15 1981-01-06

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56166U (ja) * 1979-06-15 1981-01-06

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300978B1 (en) 1995-08-11 2001-10-09 Kabushiki Kaisha Toshiba MOS-type solid-state imaging apparatus
US7113213B2 (en) 1995-08-11 2006-09-26 Tokyo Shibaura Electric Co Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system
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