JPS6393135A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPS6393135A JPS6393135A JP23957286A JP23957286A JPS6393135A JP S6393135 A JPS6393135 A JP S6393135A JP 23957286 A JP23957286 A JP 23957286A JP 23957286 A JP23957286 A JP 23957286A JP S6393135 A JPS6393135 A JP S6393135A
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体デバイスに使用される半導体基板の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来、２枚のシリコン（Ｓｉ）ウェハを接着して半導体
基板を形成する方法として、Ｓｉ−Ｓｉ間の結合では、
第２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、Ｓｉウェハ１の表
面を水洗後、親水処理を行ったのち、１０００℃，ｒ’
ｉｚＷ囲気中で熱処理を行い、両Ｓｉウェハ１間にＳｉ
−０−Ｓｉ結合を生じさせ、２枚のＳｉウェハ１を密着
させ半導体基板を形成シテイタ（１９８６年２月号ＮＩ
ＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳＰ４６〜Ｐ４８参
照）。
基板を形成する方法として、Ｓｉ−Ｓｉ間の結合では、
第２図（ａ）〜（ｃ）に示すように、Ｓｉウェハ１の表
面を水洗後、親水処理を行ったのち、１０００℃，ｒ’
ｉｚＷ囲気中で熱処理を行い、両Ｓｉウェハ１間にＳｉ
−０−Ｓｉ結合を生じさせ、２枚のＳｉウェハ１を密着
させ半導体基板を形成シテイタ（１９８６年２月号ＮＩ
ＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳＰ４６〜Ｐ４８参
照）。
上記のような従来の方法では、シリコン表面に特殊な親
水処理を行い、０ １１基をＳｉウェハ１上に形成し、
その後、高温Ｎ４囲気中でＯＨ基が反応し、Ｈ２Ｏ と
なり、脱水縮合を起こす結果、２枚のＳ１ウ工ハ１間に
Ｓｉ−０−Ｓｉ結合ができ、これにより接着を行ってい
た。
水処理を行い、０ １１基をＳｉウェハ１上に形成し、
その後、高温Ｎ４囲気中でＯＨ基が反応し、Ｈ２Ｏ と
なり、脱水縮合を起こす結果、２枚のＳ１ウ工ハ１間に
Ｓｉ−０−Ｓｉ結合ができ、これにより接着を行ってい
た。
しかるに、従来技術において安定に２枚のＳｉウェハ１
間の接着を図るなめには、特殊な親水処理が必要であっ
た。
間の接着を図るなめには、特殊な親水処理が必要であっ
た。
この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、特殊な親木処理を必要とせず２枚の
Ｓｉウェハを接着することができる半導体基板の製造方
法を得ることを目的とする。
になされたもので、特殊な親木処理を必要とせず２枚の
Ｓｉウェハを接着することができる半導体基板の製造方
法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体基板の製造方法は、２枚のＳｉウ
ェハを水素、もしくは水素と他の不活性ガス、もしくは
水素と酸化性ガスを含むガス雰囲気中で加熱処理し、両
Ｓｉウェハ間に５ｉ−０−８ｉ結合を形成し、両Ｓ１ウ
ェ八を接着するものである。
ェハを水素、もしくは水素と他の不活性ガス、もしくは
水素と酸化性ガスを含むガス雰囲気中で加熱処理し、両
Ｓｉウェハ間に５ｉ−０−８ｉ結合を形成し、両Ｓ１ウ
ェ八を接着するものである。
この発明に係る半導体基板の製造方法おいては、水素を
含むガス雰囲気中において加熱処理し、Ｓ ｉ ウ、ｒ
−八人面の５ｉｏ２を５ｉＯｚ＋Ｈ，−３ｉＯ＋［■２
０の反応により効果的にＳｉＯに変化させ、簡ＱｔニＳ
ｉ ウェハ間に５ｉ−０−３ｉ結合を形成し、親水処
理なしで２枚のＳ１ウエノ＼が接着される。
含むガス雰囲気中において加熱処理し、Ｓ ｉ ウ、ｒ
−八人面の５ｉｏ２を５ｉＯｚ＋Ｈ，−３ｉＯ＋［■２
０の反応により効果的にＳｉＯに変化させ、簡ＱｔニＳ
ｉ ウェハ間に５ｉ−０−３ｉ結合を形成し、親水処
理なしで２枚のＳ１ウエノ＼が接着される。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第１図（，１〜（ｃ）について説
明する。これらの図において、１はＳｉウェハで、この
Ｓｉウェハ１が２枚接着され、半導体基板が形成されろ
。２は前記Ｓｉ＋クエハ１を水洗後、Ｓ１ウ工ハ１表面
に形成された自然酸化膜（Ｓ１０□慢１５人）である。
明する。これらの図において、１はＳｉウェハで、この
Ｓｉウェハ１が２枚接着され、半導体基板が形成されろ
。２は前記Ｓｉ＋クエハ１を水洗後、Ｓ１ウ工ハ１表面
に形成された自然酸化膜（Ｓ１０□慢１５人）である。
この水洗完了後、自然酸化膜２を持つＳｉウェハ１を、
例えば水素雰囲気中で１１６０℃、３０分間加熱すると
、 ＳｉＯ□＋Ｈ２→Ｓ ｉ Ｏ＋Ｈ□０ Ｈ２０＋Ｓ １−＝Ｓ ｉＯ＋Ｈ２ 等の反応を起こ１７．５ｉ−０−３ｉ結合がＳｉウェハ
１の間に形成され、２枚のＳｉウェハ１の接着が完了し
、半導体基板が形成される。
例えば水素雰囲気中で１１６０℃、３０分間加熱すると
、 ＳｉＯ□＋Ｈ２→Ｓ ｉ Ｏ＋Ｈ□０ Ｈ２０＋Ｓ １−＝Ｓ ｉＯ＋Ｈ２ 等の反応を起こ１７．５ｉ−０−３ｉ結合がＳｉウェハ
１の間に形成され、２枚のＳｉウェハ１の接着が完了し
、半導体基板が形成される。
なお、上記実施例では、ＳｉＯ□は水洗後の自然酸化膜
２を利用したが、他の方法、例えばプラズマ酸化膜等で
８１０２を形成した後、Ｉ（２雰囲気中でＳ ｉ −０
−３ｉ ｉＩ！ｉ合を形成する方法を用いてもよい。
２を利用したが、他の方法、例えばプラズマ酸化膜等で
８１０２を形成した後、Ｉ（２雰囲気中でＳ ｉ −０
−３ｉ ｉＩ！ｉ合を形成する方法を用いてもよい。
また、水素の他に不活性ガス（Ａｒ等）を混合した高温
ガス雰囲気中で接着する方法も、前記５１０２とＨ、の
反応を利用する方法であることはいうまでもない。
ガス雰囲気中で接着する方法も、前記５１０２とＨ、の
反応を利用する方法であることはいうまでもない。
また、Ｈ２と同時に他の酸化ガス（０□等）を含めＳｉ
Ｏ□を形成しながら、同時にＳ ｉ Ｏ２Ａ−Ｈ２の反
応によりＳ ｉ −０−Ｓ ｉ結合を形成する方法を用
いても同様の効果が得られろ。
Ｏ□を形成しながら、同時にＳ ｉ Ｏ２Ａ−Ｈ２の反
応によりＳ ｉ −０−Ｓ ｉ結合を形成する方法を用
いても同様の効果が得られろ。
この発明は以上説明したように、高）品ガス雰囲気とし
て水素、もしくは水素と他の不活性ガス、もｆ／ りは
水素と酸化性ガスを用い、Ｓｘウェハ表面でのＳｉＯ□
との反応により両Ｓｉウェハ間にＳｉ−Ｏ−Ｓ ｉ結合
を形成し、両Ｓｉウェハを接着するようにしたので、従
来のように特殊な親水処理を施す必要がなく、安定に２
枚のＳ１ウェハの接着ができろ効果がある。
て水素、もしくは水素と他の不活性ガス、もｆ／ りは
水素と酸化性ガスを用い、Ｓｘウェハ表面でのＳｉＯ□
との反応により両Ｓｉウェハ間にＳｉ−Ｏ−Ｓ ｉ結合
を形成し、両Ｓｉウェハを接着するようにしたので、従
来のように特殊な親水処理を施す必要がなく、安定に２
枚のＳ１ウェハの接着ができろ効果がある。
第１図（よこの発明の２枚のＳ」ウェハの接着方法の一
実施例を説明する工程図、第２図は従来の接着力法の工
程を示す図である。 図において、１はＳ１ウェハ、２は自然酸化］り（Ｓ１
０□）である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す、
。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 （ａ） （ｂ）
（ｃ）１°Ｓｉウェハ 第２図
実施例を説明する工程図、第２図は従来の接着力法の工
程を示す図である。 図において、１はＳ１ウェハ、２は自然酸化］り（Ｓ１
０□）である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す、
。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 （ａ） （ｂ）
（ｃ）１°Ｓｉウェハ 第２図
Claims (1)
- ２枚のＳｉウェハを高温ガス雰囲気中で直接接着する半
導体基板の製造方法において、前記高温ガス雰囲気とし
て水素、もしくは水素と他の不活性ガス、もしくは水素
と酸化性ガスを用い、前記Ｓｉウェハ表面でのＳｉＯ＿
２との反応により両Ｓｉウェハ間にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合
を形成し、前記両Ｓｉウェハを接着せしめることを特徴
とする半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23957286A JPS6393135A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23957286A JPS6393135A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393135A true JPS6393135A (ja) | 1988-04-23 |
Family
ID=17046790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23957286A Pending JPS6393135A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393135A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451547A (en) * | 1991-08-26 | 1995-09-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate |
| US7963245B2 (en) | 2005-08-11 | 2011-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid application device and ink jet recording apparatus |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP23957286A patent/JPS6393135A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451547A (en) * | 1991-08-26 | 1995-09-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate |
| US7963245B2 (en) | 2005-08-11 | 2011-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid application device and ink jet recording apparatus |
| US8671880B2 (en) | 2005-08-11 | 2014-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid application device and ink jet recording apparatus |
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