JPS639096A - 半導体メモリ - Google Patents

半導体メモリ

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Publication number
JPS639096A
JPS639096A JP61151582A JP15158286A JPS639096A JP S639096 A JPS639096 A JP S639096A JP 61151582 A JP61151582 A JP 61151582A JP 15158286 A JP15158286 A JP 15158286A JP S639096 A JPS639096 A JP S639096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
systems
circuit
bus line
serial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61151582A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Sawara
佐原 弘
Haruki Toda
春希 戸田
Shigeo Oshima
成夫 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61151582A priority Critical patent/JPS639096A/ja
Priority to EP87109345A priority patent/EP0254886B1/en
Priority to DE87109345T priority patent/DE3786204T2/de
Priority to KR1019870006674A priority patent/KR960001781B1/ko
Publication of JPS639096A publication Critical patent/JPS639096A/ja
Priority to US07/794,668 priority patent/US5237532A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体メモリに関するものであシ、特にカラム
方向のシリアルアクセス機能(次のアクセスアドレスが
決まっている)を有するメモリに使用されるものである
(従来の技術) 通常のランダム・アクセス・メモリでは、第3図に示す
ようにカラム方向に対して、外部入力アドレスを取)込
みデコードを行ない、カラム選択線を活性化することに
よシデータバス線へデータを転送し、出力駆動回路を活
性化してデータを出力するという一連の動作が、外部入
力のコントa−ル信号あるいはアドレス信号で決まるl
ブイクル中に行なわれる。
一方、シリアルアクセス機能を有するメモリの場合には
、ランダム・アクセス・メモリとは異なシ、次にアクセ
スするアドレスが決められている。
このため上記一連の動作を、外部入力信号で決まる1サ
イクル中に行なう必要はなく、前もってセットアツプ(
準備しておく)することが可能である。第4図はこのこ
とを考慮した構成で、1〜4はビット線対またはデータ
レジスタ、5〜8はカラム選択ゲート回路、9〜12は
カラム選択線駆動回路、13〜16はデコーダ、17は
シリアルアト9レス発生回路、18Viデ一タバス線ス
イツチ回路、19は出力駆動回路、CO〜C3はカラム
選択線、DB、DBはデータバス線対、人はアドレスバ
ス線、SOは出力である。
上記第4図の構成であれば、データバス線と出力駆動回
路間にスイッチ回路18を設けることによシ、前ブイク
ル中にデータバス線DB、DBIで次のデータを転送し
ておくことができる。即ち第5図にも示される如く、前
サイクルでのアクセスデータが出力された後、スイッチ
回路18をオフし、出力駆動回路19とデータバスii
 DB 、 DBを切シ離し、出力駆動回路内にデータ
を保持したまま、アドレスを切シ換え、デコードを行な
い、カラム選択線を活性化し、次のサイクルでアクセス
するデータをデータバス線DB、DBまで転送しておく
。との場合次の本サイクルでは、スイッチ回路18をオ
ンとしデータバス線から出力駆動回路19にデータを転
送することからアクセスが開始されるので、アクセスの
高速化が図れる。
しかしながら第4図の構成では、本サイクルでのアクセ
スがどの段階の動作から開始されるにせよ、上記一連の
動作を1つ系統で行なわなければならないため、アクセ
スが高速化されるのみで、サイクルタイムの高速化には
つなが夛難いものであった。
(発明が解決しようとする問題点) 上記のように従来のシリアルアクセス機能を有するメモ
リでは、本サイクルでのアクセスがどの段階の動作から
開始されるにせよ、データ選択・取9出しのための一連
の動作を1つの系統で行なわなければならないため、サ
イクルタイムの高速化を図り難いものであった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、カラム方向
のシリアルアクセス機能を有する半導体メモリにおいて
、従来技術ではなされなかったサイクルタイムの高速化
を可能とする半導体メモリを提供しようとするものであ
る。
(発明の構成〕 (問題点を解決するための手段と作用)本発明は、カラ
ム方向のシリアルアクセス機能を有する半導体メモリに
おいて、データ選択・取り出しのための回路を同一チッ
プ内で2系統に分割し、一方の系統からのアクセス中に
他方の系統がセットアツプするよう動作させることにょ
シ、サイクルタイムの高速化を図るものである。
(実施例) 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図は同実施例のカラム方向シリアル・アクセス・メモリ
の内部回路構成図、第2図はその動作説明図である。こ
れは、カラム方向のシリアルアクセス機能を有する半導
体メモリにおりて、同一チップ内にデータ選択・取り出
しのための手段を2系統設けたもので、20.22はA
系統ビット線ま九はデータレジスタ、21.23はB系
統ビット線またはデータレジスタ、24.26はA系統
カラム選択ゲート回路、25.27はB系統カラム選択
ゲート回路、28.30はA系統カラム選択線駆動回路
、29.31はB系統カラム選択線駆動回路、32.3
4はA系統デコーダ、33.35はB系統デコーダ、3
6はA系統シリアルアドレス発生回路、37はB系統シ
リアルアドレス発生回路、38はA系統データバス線ス
イッチ回路、39はB系統データバス線スイッチ回路、
40は出力駆動回路、CAO,CAJ  はA系統カラ
ム選択線、CBO2CB1 はB系統カラム選択線、D
BA、DBA はA系統データバス線対、DBB、DB
BFiB系統データ系統データバス上対系統アドレスバ
スi、ABはB系統アドレスバス線SOは出力である。
以下動作を述べる。ここでアクセスは、ビット線対また
はデータレジスタを20.21.:!2,23゜・・・
の屓で行なうものとする。本ブイクルが、A系統に属す
るビット線対またはデータレジスタ22のデータをアク
セスするサイクルの場合について以下説明する。即ち前
ブイクルは、B系統からアクセスするサイクルであるた
め、データバス線スイッチ回路3Bは第2図のステツブ
S1の如くオフ、スイッチ回路39はステツブ811の
如くオン状態にあル、ステツブSJJ、SJ&の如く出
力駆動回路40には、ビット線対またはデータレジスタ
21のデータがデータバスMDBB、DBBを介して転
送される。出力駆動回路40から切シ離されているA系
統は、シリアルアドレス発生回路36にアドレスがセッ
トされ、デコーダS4が選択され、カラム選択線CAJ
が活性状態となり、ビット線対あるいはデータレジスタ
22のデータが、ステツブS5の如くデータバス線DB
A、DBAに転送される。
本サイクルに入ると、データバス線スイッチ回路39は
ステツブ831の如くオフし、スイッチ回路38はステ
ツブ821の如くオン状態となシ、データバス線DBA
、DBAと出力駆動回路40が接続され、との出力駆動
回路40にビット線対またはデータレジスタ22のデー
タがステツブS23の如く転送され、出力される。出力
駆動回路40から切り離されたB系統は、シリアルアド
レス発生回路37が活性化され、アドレスがステツブS
32の如くカウントアツプあるいはカウントダウンする
。このカウントアツプあるいはカウントダウンしたアド
レスに対しデコーダ35が選択され、ステツブ3.t4
の如くカラム選択線CBIが活性化され、ビット線対ま
たはデータレジスタ23のデータがデータバス線DBB
、DBB にステツブS35の如く転送され、次ブイク
ルでのアクセスに対してセットアツプされる。
第4図の如き従来のシリアルアクセス方式では、第5図
の如くサイクルタイムの高速化がなされないのに対し、
第1図の如き本発明ではA、B各系統が両方で働くため
、第2図の如くサイクルタイムが従来の半分の時間で済
むため、サイクルタイムの高速化が可能となるものであ
る。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、一方の系統でデータ
出力中に、他方の系統がデータをセットアツプするよう
交互に動作させるようにしたため、サイクルタイムの高
速化が可能となり、また同一チップ内にデータ選択・取
り出し回路を2系統設けたため、1チツグで高速のメモ
リ動作が行なえるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路構成図、第2図は同回
路の動作説明図、第3図はランダム・アクセス・メモリ
でのカラム方向の内部回路動作図、第4図は従来方式に
おけるカラム方向シリアル・アクセス・メモリの内部回
路構成図、第5図は同動作説明図である。 20.22・・・A系統ビット線tたはデータレジスタ
、21.23・・・B系統ビット線またはデータレジス
タ、24.26・・・A系統カラム選択ゲート回路、2
5.27・・・B系統カラム選択ゲート回路、28.3
0・・・A系統カラム選択線駆動回路、:I9,31・
・・B系統カラム選択線駆動回路、32.34・−A系
統デコーダ、33.35・・・B系統デコーダ、36・
・−A系統シリアルアドレス発生回路、37・・・B系
統シリアルアドレス発生回路、38・・・A系統データ
バス線スイッチ回路、39・・・B系統データバス線ス
イッチ回路、40・・・出力駆動回路、CAO,CAJ
  ・・・A系統カラム選択線、CBO,CBJ・・・
B系統カラム選択線、DBA、DBA ・・・A系統デ
ータバス線対、DBB、DBB  ・・・B系統データ
バス線対、AA・・・A系統アドレスバス線、AB・・
・Bi統子アドレスバス線SO・・・出力。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カラム方向のシリアルアクセス機能を有する半導
    体メモリであって、同一チップ内にデータ選択・取り出
    し回路を2系統設け、一方の系統でデータ出力中に他方
    の系統がデータをセットアップするよう交互に動作させ
    ることを特徴とする半導体メモリ。
  2. (2)前記データ選択・取り出し回路は、第1、第2系
    統のシリアルアドレス発生回路と、その出力をそれぞれ
    デコードする第1、第2系統のデコーダと、これらデコ
    ーダの出力で第1、第2系統のビット線またはデータレ
    ジスタからデータを取り出しそれぞれ第1、第2系統の
    データバスに与える第1、第2系統のカラム選択ゲート
    回路と、前記第1、第2系統のデータバスからのデータ
    出力をそれぞれオン/オフする第1、第2系統のスイッ
    チ回路と、該スイッチ回路から得られるデータを選択的
    に出力する出力駆動回路とを具備したことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項に記載の半導体メモリ。
JP61151582A 1986-06-30 1986-06-30 半導体メモリ Pending JPS639096A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61151582A JPS639096A (ja) 1986-06-30 1986-06-30 半導体メモリ
EP87109345A EP0254886B1 (en) 1986-06-30 1987-06-29 Serially-accessed type memory device
DE87109345T DE3786204T2 (de) 1986-06-30 1987-06-29 Speicheranordnung des Serienzugriffstyps.
KR1019870006674A KR960001781B1 (ko) 1986-06-30 1987-06-30 직렬억세스형 기억장치
US07/794,668 US5237532A (en) 1986-06-30 1991-11-18 Serially-accessed type memory device for providing an interleaved data read operation

Applications Claiming Priority (1)

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JP61151582A JPS639096A (ja) 1986-06-30 1986-06-30 半導体メモリ

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JPS639096A true JPS639096A (ja) 1988-01-14

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ID=15521664

Family Applications (1)

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JP61151582A Pending JPS639096A (ja) 1986-06-30 1986-06-30 半導体メモリ

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EP (1) EP0254886B1 (ja)
JP (1) JPS639096A (ja)
KR (1) KR960001781B1 (ja)
DE (1) DE3786204T2 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE3786204D1 (de) 1993-07-22
KR880000959A (ko) 1988-03-30
EP0254886A3 (en) 1990-02-14
EP0254886B1 (en) 1993-06-16
KR960001781B1 (ko) 1996-02-05
DE3786204T2 (de) 1993-12-02
EP0254886A2 (en) 1988-02-03

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