JPS638523A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS638523A JPS638523A JP15166286A JP15166286A JPS638523A JP S638523 A JPS638523 A JP S638523A JP 15166286 A JP15166286 A JP 15166286A JP 15166286 A JP15166286 A JP 15166286A JP S638523 A JPS638523 A JP S638523A
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- strain gauge
- semiconductor
- synthetic resin
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Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体歪ゲージを設けた半導体圧力センサに係
り、特に自動車用コントロールユニットに内蔵するに好
適な半導体圧力センサに関する。
り、特に自動車用コントロールユニットに内蔵するに好
適な半導体圧力センサに関する。
自動車用コントロールユニットに内蔵する半導体圧力セ
ンサは、小形化する必要から従来は特開昭５６−１４０
２３０号公報に記載のように、アルミナで形成された回
路基板上に増幅用オペアンプと歪ゲージとを接合させ、
この増巾された圧力信号を前記回路基板と接合されたリ
ードフレームを介して。
ンサは、小形化する必要から従来は特開昭５６−１４０
２３０号公報に記載のように、アルミナで形成された回
路基板上に増幅用オペアンプと歪ゲージとを接合させ、
この増巾された圧力信号を前記回路基板と接合されたリ
ードフレームを介して。
コントロールユニットのプリント基板に伝達していた。
上記従来技術は通常のＩＣのような自動組立に対する配
慮がされておらず、増幅用オペアンプやリードフレーム
に加える力を配慮しながら組立る必要があった。このた
め組立時に故障する問題があった。特に真空を基準とす
る絶対圧形の圧力センサの場合は、歪ゲージ表面にガソ
リンのような揮発成分が接触すると歪ゲージが故障する
問題もあった。
慮がされておらず、増幅用オペアンプやリードフレーム
に加える力を配慮しながら組立る必要があった。このた
め組立時に故障する問題があった。特に真空を基準とす
る絶対圧形の圧力センサの場合は、歪ゲージ表面にガソ
リンのような揮発成分が接触すると歪ゲージが故障する
問題もあった。
本発明の目的は組立が容易で耐液性の優れた半導体圧力
センサをを提供することにある。
センサをを提供することにある。
上記目的は半導体歪ゲージと回路基板と金属端子とを合
成樹脂容器内に収納し、この容器内にフッ素成分を含有
するシリコンゲルを充填して前記各部品を被覆した後ポ
ートを接合することにより達成できる。
成樹脂容器内に収納し、この容器内にフッ素成分を含有
するシリコンゲルを充填して前記各部品を被覆した後ポ
ートを接合することにより達成できる。
上記の構成によると、容器表面上にオペアンプのリード
のように接合力の弱い部品が露出していないので、組立
が容易になり組立時に故障が発生することはない、また
回路全体がフッ素成分を含有するシリコンゲルで被覆さ
れているので、ガソリンのような揮発成分が入ってきて
も故障することがない。
のように接合力の弱い部品が露出していないので、組立
が容易になり組立時に故障が発生することはない、また
回路全体がフッ素成分を含有するシリコンゲルで被覆さ
れているので、ガソリンのような揮発成分が入ってきて
も故障することがない。
以下１本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
する。
する。
図において、上面が開放された合成樹脂容器１の側面に
は複数個の金属端子２が内面に突出して固設されている
。これらの金属端子２が突出した容器１の内面にはこの
金属端子２を支持する突出部３が容器１と一体に形成さ
れている。容器１の底部には上方に向って台４が一体に
形成されており、この台４上には回路基板５がシリコン
接着剤で固定されている。また半導体歪ゲージ６はダイ
アに接合されて真空室を形成しており、このダイアは容
器１の底部にシリコン接着剤８で固定されている。そし
てこのダイアと前記回路基板５が固定された台４との間
には溝９が形成されている。
は複数個の金属端子２が内面に突出して固設されている
。これらの金属端子２が突出した容器１の内面にはこの
金属端子２を支持する突出部３が容器１と一体に形成さ
れている。容器１の底部には上方に向って台４が一体に
形成されており、この台４上には回路基板５がシリコン
接着剤で固定されている。また半導体歪ゲージ６はダイ
アに接合されて真空室を形成しており、このダイアは容
器１の底部にシリコン接着剤８で固定されている。そし
てこのダイアと前記回路基板５が固定された台４との間
には溝９が形成されている。
そしてこの回路基板５には前記半導体歪ゲージ６から発
する圧力信号を増巾する増巾回路が形成されている。こ
の回路基板５と半導体歪ゲージ６とは金ワイヤ１０で接
続されており１回路基板５と前記金属端子２とはアルミ
ワイヤ１１で接続されている。
する圧力信号を増巾する増巾回路が形成されている。こ
の回路基板５と半導体歪ゲージ６とは金ワイヤ１０で接
続されており１回路基板５と前記金属端子２とはアルミ
ワイヤ１１で接続されている。
前記容器１内にはフッ素成分を含有するシリコンゲル１
２が充填されており、前記回路基板５゜半導体歪ゲージ
６、金ワイヤ１０．アルミワイヤ１１及び金属端子２の
容器１内に突出した部分をそれぞれ被覆している。この
ように形成された容器１の上部全面を被覆するように、
感圧室１３が形成されたポート１４が接合されて圧力セ
ンサが構成されている。
２が充填されており、前記回路基板５゜半導体歪ゲージ
６、金ワイヤ１０．アルミワイヤ１１及び金属端子２の
容器１内に突出した部分をそれぞれ被覆している。この
ように形成された容器１の上部全面を被覆するように、
感圧室１３が形成されたポート１４が接合されて圧力セ
ンサが構成されている。
以下、本発明の作用及び効果を説明する。歪ゲージ６を
容器１にシリコン接着剤９により接着するとき、この接
着剤９の量が多いときは溝８で受けて、接着のための接
着剤９の安定化が図れる。
容器１にシリコン接着剤９により接着するとき、この接
着剤９の量が多いときは溝８で受けて、接着のための接
着剤９の安定化が図れる。
この結果接着時の接着剤９が発生する熱応力により歪ゲ
ージ６の特性が悪化することを防止でき、歪ゲージの精
度を高くすることができる。また金属端子２の容器１内
に突出した部分は容器１の突出部３に支持されているた
め、アルミワイヤ１１を接続するときに端子２を形成す
るリードフレームを変形させたり共振したりすることを
防止できる。この結果アルミワイヤ１１の接続信頼性を
高めることができる。このように安定した状態で回路基
板５．半導体歪ゲージ６及び金属端子２を容器１内に装
着できるので、圧力センサの信頼性が向上しコントロー
ルユニットなどの印刷配線板に自動組立できるようにな
った。また、容器１内にフッ素成分を含有するシリコン
ゲルを充填しであるので、歪ゲージ６などのにガソリン
のような揮発成分が接触することがなく、このための故
障の発生を防止することができる。
ージ６の特性が悪化することを防止でき、歪ゲージの精
度を高くすることができる。また金属端子２の容器１内
に突出した部分は容器１の突出部３に支持されているた
め、アルミワイヤ１１を接続するときに端子２を形成す
るリードフレームを変形させたり共振したりすることを
防止できる。この結果アルミワイヤ１１の接続信頼性を
高めることができる。このように安定した状態で回路基
板５．半導体歪ゲージ６及び金属端子２を容器１内に装
着できるので、圧力センサの信頼性が向上しコントロー
ルユニットなどの印刷配線板に自動組立できるようにな
った。また、容器１内にフッ素成分を含有するシリコン
ゲルを充填しであるので、歪ゲージ６などのにガソリン
のような揮発成分が接触することがなく、このための故
障の発生を防止することができる。
本実施例ではポート１４の材料は特定していないが、金
属製でも合成樹脂製でもケース１に接合できるものであ
れば何れでもよい。また本実施例では回路基板５と歪ゲ
ージ６及び金属端子２との接続ワイヤがそれぞれ金ワイ
ヤ１０及びアルミワイヤ１１である場合について説明し
たが、これらのワイヤはいずれもアルミワイヤでもよく
、他の銅ワイヤなどでもよく、材質は限定されていない
。
属製でも合成樹脂製でもケース１に接合できるものであ
れば何れでもよい。また本実施例では回路基板５と歪ゲ
ージ６及び金属端子２との接続ワイヤがそれぞれ金ワイ
ヤ１０及びアルミワイヤ１１である場合について説明し
たが、これらのワイヤはいずれもアルミワイヤでもよく
、他の銅ワイヤなどでもよく、材質は限定されていない
。
本発明によれば、半導体圧力センサの歪ゲージを容器に
定量の接着剤で固定でき、金属端子を容器に強固に支持
でき、しかも回路基板、歪ゲージ及び金属端子が容器内
でシリコンゲルにより被覆されるため、安定した組立て
ができ耐液性を向上させることができる。
定量の接着剤で固定でき、金属端子を容器に強固に支持
でき、しかも回路基板、歪ゲージ及び金属端子が容器内
でシリコンゲルにより被覆されるため、安定した組立て
ができ耐液性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
平面図である。 １・・・合成樹脂容器、２・・・金属端子、５・・・回
路基板、６・・・半導体歪ゲージ、９・・・溝、１２・
・・シリコンゲル、１３・・・感圧室、１４・・・ポー
ト。
平面図である。 １・・・合成樹脂容器、２・・・金属端子、５・・・回
路基板、６・・・半導体歪ゲージ、９・・・溝、１２・
・・シリコンゲル、１３・・・感圧室、１４・・・ポー
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体歪ゲージと、この半導体歪ゲージから発する
圧力信号を増巾する回路基板と、この増巾された信号を
外部へ取出す金属端子とを収納した合成樹脂容器に、感
圧室が形成されたポートを装着してなる半導体圧力セン
サにおいて、前記合成樹脂容器内にフッ素成分を含有す
るシリコンゲルを充填して前記半導体歪ゲージ、回路基
板及び金属端子を被覆した後前記ポートを接合したこと
を特徴とする半導体圧力センサ。 ２、特許請求の範囲第１項において、半導体歪ゲージと
回路基板の合成樹脂容器への装着部間に溝を設けたこと
を特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15166286A JPS638523A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15166286A JPS638523A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS638523A true JPS638523A (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=15523480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15166286A Pending JPS638523A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS638523A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2798732A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-23 | Denso Corp | Dispositif formant capteur de pression a semiconducteurs comportant une plaquette de capteur recouverte par un element de protection |
| EP1091201A2 (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pressure sensor unit |
| US6512255B2 (en) | 1999-09-17 | 2003-01-28 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor device having sensor chip covered with protective member |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15166286A patent/JPS638523A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2798732A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-23 | Denso Corp | Dispositif formant capteur de pression a semiconducteurs comportant une plaquette de capteur recouverte par un element de protection |
| US6512255B2 (en) | 1999-09-17 | 2003-01-28 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor device having sensor chip covered with protective member |
| EP1091201A2 (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pressure sensor unit |
| EP1091201A3 (en) * | 1999-10-04 | 2001-06-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pressure sensor unit |
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