JPS6382418A - 電子写真感光体の製法 - Google Patents
電子写真感光体の製法Info
- Publication number
- JPS6382418A JPS6382418A JP22895386A JP22895386A JPS6382418A JP S6382418 A JPS6382418 A JP S6382418A JP 22895386 A JP22895386 A JP 22895386A JP 22895386 A JP22895386 A JP 22895386A JP S6382418 A JPS6382418 A JP S6382418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- region
- substrate
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N Acetylene Chemical compound C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 88
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 81
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 45
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 22
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 189
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101100445499 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) erg-1 gene Proteins 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体の製法に関し、特に負極性に帯電
可能な電子写真感光体の製法に関するものである。
ら成る電子写真感光体の製法に関し、特に負極性に帯電
可能な電子写真感光体の製法に関するものである。
近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体を搭
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている。
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている。
この要求に対してアモルファスシリコン層が耐熱性、耐
摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に優れているとい
う理由から注目されている。
摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に優れているとい
う理由から注目されている。
しかし乍ら、アモルファスシリコン(以下、a〜Siと
略す)層は、それに何ら不純物元素をドーピ □ングし
ないと約109Ω・cmの暗抵抗値しか得られず、これ
を電子写真用感光体に用いる場合には1012Ω・01
1以上の暗抵抗値にして電荷保持能力を高める必要があ
る。そのために酸素や窒素などの元素を微少量ドーピン
グして高抵抗化にし得るが、その反面、光導電性が低下
するという問題がある、また、ホウ素などを添加しても
高抵抗化が期待できるが、十分に満足し得るような暗抵
抗値が得られず約1011Ω・cm程度にすぎない。
略す)層は、それに何ら不純物元素をドーピ □ングし
ないと約109Ω・cmの暗抵抗値しか得られず、これ
を電子写真用感光体に用いる場合には1012Ω・01
1以上の暗抵抗値にして電荷保持能力を高める必要があ
る。そのために酸素や窒素などの元素を微少量ドーピン
グして高抵抗化にし得るが、その反面、光導電性が低下
するという問題がある、また、ホウ素などを添加しても
高抵抗化が期待できるが、十分に満足し得るような暗抵
抗値が得られず約1011Ω・cm程度にすぎない。
一方、上記の如きドーピング剤の開発と共に、a−Si
光導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体
が提案されている。
光導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体
が提案されている。
例えば、第2図はこの積層型感光体であり、基板(1)
の上にキャリア注入阻止層(2) 、a−Si光導電層
(3)及び表面保護層(4)が順次積層されている。
の上にキャリア注入阻止層(2) 、a−Si光導電層
(3)及び表面保護層(4)が順次積層されている。
この積層型感光体によれば、キャリア注入阻止層(2)
は基板(1)からのキャリアの注入を阻止するものであ
り、表面保護N(4)はa−3i光導電層(3)を保護
して耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層(2
)及び(4)ともに感光体の暗抵抗値を大きくして帯電
能を高めることが目的であり、そのためにこれらの層を
光導電性にする必要はない。
は基板(1)からのキャリアの注入を阻止するものであ
り、表面保護N(4)はa−3i光導電層(3)を保護
して耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層(2
)及び(4)ともに感光体の暗抵抗値を大きくして帯電
能を高めることが目的であり、そのためにこれらの層を
光導電性にする必要はない。
このように従来周知のa−Si電子写真感光体は光キヤ
リア発生層をa−Si光導電層により形成させた点に大
きな特徴があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感
度特性などに優れた長所を有している反面、暗抵抗値が
不十分であるためにドーピング剤を用いたり、或いは積
層型感光体にすることで暗抵抗値を大きくしている。即
ち、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層(2
)及び表面保護層(4)はa−3t光導電層自体が有す
る欠点を補完するものであり、a−3i光導電層(3)
と実質上区別し得る層と言える。
リア発生層をa−Si光導電層により形成させた点に大
きな特徴があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感
度特性などに優れた長所を有している反面、暗抵抗値が
不十分であるためにドーピング剤を用いたり、或いは積
層型感光体にすることで暗抵抗値を大きくしている。即
ち、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層(2
)及び表面保護層(4)はa−3t光導電層自体が有す
る欠点を補完するものであり、a−3i光導電層(3)
と実質上区別し得る層と言える。
本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究の結果、アセチ
レン及びケイ素含有ガスが一定の比率に設定された混合
ガスをグロー放電分解して得られたアモルファスシリコ
ンカーバイド(以下、a−SiCと略す)は光導電性を
有すると共に暗抵抗値がドーピング剤の有無と無関係に
容易に101′Ω・cm以上になり、更にドーピング剤
の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体と成
り得ることを見い出した。
レン及びケイ素含有ガスが一定の比率に設定された混合
ガスをグロー放電分解して得られたアモルファスシリコ
ンカーバイド(以下、a−SiCと略す)は光導電性を
有すると共に暗抵抗値がドーピング剤の有無と無関係に
容易に101′Ω・cm以上になり、更にドーピング剤
の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体と成
り得ることを見い出した。
従って、本発明は上記知見に基いて完成されたものであ
り、その目的は大きな暗抵抗値を有する光導電性a−3
iC層から成る電子写真感光体の製法を提供することに
ある。
り、その目的は大きな暗抵抗値を有する光導電性a−3
iC層から成る電子写真感光体の製法を提供することに
ある。
本発明の他の目的は表面保護層及びキャリア注入阻止層
を実質上不要とし、全層に亘って光導電性a−3iCか
ら成る電子写真感光体の製法を提供することにある。
を実質上不要とし、全層に亘って光導電性a−3iCか
ら成る電子写真感光体の製法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は負極性に帯電可能な電子写真感
光体の製法を提供することにある。
光体の製法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は高速成膜を達成した電子写真感
光体の製法を提供することにある。
光体の製法を提供することにある。
本発明によれば、少なくともアセチレン(CJz)及び
ケイ素(St)含有ガスから成ると共にこのガス組成比
が0.01:1乃至3:1の範囲内に設定され、且つ0
乃至1モルχの周期律表第Va族元素含有ガスを含むa
−SiC生成用ガスをグロー放電分解して基板上に負極
性に帯電可能なa−SiC層を形成することを特徴とす
る電子写真感光体の製法が提供される。
ケイ素(St)含有ガスから成ると共にこのガス組成比
が0.01:1乃至3:1の範囲内に設定され、且つ0
乃至1モルχの周期律表第Va族元素含有ガスを含むa
−SiC生成用ガスをグロー放電分解して基板上に負極
性に帯電可能なa−SiC層を形成することを特徴とす
る電子写真感光体の製法が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の製法によれば、グロー放電分解法によってCz
Htガス及びSt含有ガスから基板上に光導電性a−3
iC層を形成させると大きな暗抵抗値が得られ、更に周
期律表第Va族元素を0乃至10.000ppI含有さ
せると負極性に帯電することを特徴とし、第1図はその
基本構成となる感光体である。
Htガス及びSt含有ガスから基板上に光導電性a−3
iC層を形成させると大きな暗抵抗値が得られ、更に周
期律表第Va族元素を0乃至10.000ppI含有さ
せると負極性に帯電することを特徴とし、第1図はその
基本構成となる感光体である。
即ち、第1図によれば導電性基板(1)上に、例えばグ
ロー放電分解法によって光導電性a−SiC層(5)を
形成したものであり、この層厚方向に亘って炭素と周期
律表第Va族元素(以下、Va族元素と略す)をそれぞ
れ同一含有比率で含有させている。これによって暗抵抗
率が1013cm・Ω以上となると共に明抵抗率に比べ
て1000倍以上となることを見い出し、この知見に基
づく後述する実施例から明らかな通り、この単一組成の
層だけで十分に実用性のあるa−SiC感光体と成り得
たことは予想外の成果であった。
ロー放電分解法によって光導電性a−SiC層(5)を
形成したものであり、この層厚方向に亘って炭素と周期
律表第Va族元素(以下、Va族元素と略す)をそれぞ
れ同一含有比率で含有させている。これによって暗抵抗
率が1013cm・Ω以上となると共に明抵抗率に比べ
て1000倍以上となることを見い出し、この知見に基
づく後述する実施例から明らかな通り、この単一組成の
層だけで十分に実用性のあるa−SiC感光体と成り得
たことは予想外の成果であった。
更に本発明者等はこのa−SiC感光体を正極性又は負
極性に帯電させて両者の帯電性能を比較した場合、この
a−SiC層(5)にVa族元素を0乃至10、000
pp+mの範囲、好適には0乃至1000ppn+の範
囲内でドーピングすると負極性で有利に帯電能を高める
ことができることも見い出した。
極性に帯電させて両者の帯電性能を比較した場合、この
a−SiC層(5)にVa族元素を0乃至10、000
pp+mの範囲、好適には0乃至1000ppn+の範
囲内でドーピングすると負極性で有利に帯電能を高める
ことができることも見い出した。
このようにVa族元素のドーピング又はノンドープによ
って負極性に帯電し易くなる点については、未だ推論の
域を脱し得ないが、a−SiC層が負電荷を保持するの
に十分に高い抵抗率をもち、また、基板からの正電荷の
注入を防ぐ効果にも優れ、更に負電荷に対する電荷移動
度が優れている等の理由によると考えられる。
って負極性に帯電し易くなる点については、未だ推論の
域を脱し得ないが、a−SiC層が負電荷を保持するの
に十分に高い抵抗率をもち、また、基板からの正電荷の
注入を防ぐ効果にも優れ、更に負電荷に対する電荷移動
度が優れている等の理由によると考えられる。
また、このVa族元素としてはN、P、As、Sb、B
iがあるが、就中、Pが共有結合性に優れて半導体特性
を敏感に変え得る点で好ましく、或いはノンドープにし
ても、膜中の構成元素が少なくなるので安定した特性が
得られ、その上、優れた帯電能及び感度を有するという
点で望ましい。
iがあるが、就中、Pが共有結合性に優れて半導体特性
を敏感に変え得る点で好ましく、或いはノンドープにし
ても、膜中の構成元素が少なくなるので安定した特性が
得られ、その上、優れた帯電能及び感度を有するという
点で望ましい。
上記のようにVa族元素をドーピングさせるに当たって
は、a−5iC生成用ガスに0乃至1モルχ、好適には
O乃至0.1モルχのVa族元素を含有させるとよく、
これによって上記の所要の範囲内にドーピングさせるこ
とが可能となる。また、Va族元素をドープするに当た
ってはHz、NHs、PHs、AsFコ、5bHi等が
用いられる。
は、a−5iC生成用ガスに0乃至1モルχ、好適には
O乃至0.1モルχのVa族元素を含有させるとよく、
これによって上記の所要の範囲内にドーピングさせるこ
とが可能となる。また、Va族元素をドープするに当た
ってはHz、NHs、PHs、AsFコ、5bHi等が
用いられる。
本発明者等は、上記の電子写真感光体を製作するに当た
ってグロー放電分解法に基いてCtHzガス及びSi含
有ガスを所定の比率で混合させるとよく、これにより、
a−5iC層が高速に成膜され、且つ光導電性を有する
ことを見い出した。
ってグロー放電分解法に基いてCtHzガス及びSi含
有ガスを所定の比率で混合させるとよく、これにより、
a−5iC層が高速に成膜され、且つ光導電性を有する
ことを見い出した。
即ち、C□H2とSi含有ガスをグロー放電領域に導入
するに当たってこのガス組成比を0.01:1乃至3:
lの範囲内に、好適には0.05:1乃至1:1、最適
には0.05:1乃至0.3:1の範囲内に設定すれば
よく、0.01:1の比率から外れた場合には暗抵抗率
がIQIIΩ・cm以下となって電荷保持能力が十分で
なく、大きな帯電電位を得ることができなくなり、3:
1の比率から外れた場合には膜中のダングリングボンド
が増加して暗抵抗率がIQIIΩ・cm以下となる。
するに当たってこのガス組成比を0.01:1乃至3:
lの範囲内に、好適には0.05:1乃至1:1、最適
には0.05:1乃至0.3:1の範囲内に設定すれば
よく、0.01:1の比率から外れた場合には暗抵抗率
がIQIIΩ・cm以下となって電荷保持能力が十分で
なく、大きな帯電電位を得ることができなくなり、3:
1の比率から外れた場合には膜中のダングリングボンド
が増加して暗抵抗率がIQIIΩ・cm以下となる。
前記Si含有ガスとしてSiH4,51!Ha+5IJ
s+5IFn+5iC1e、5iHC1s等々があり、
就中+5tH4+5IJi+はそれ自身StがHと結合
しているため膜中にHがとけ込まれやすく膜中のダング
リングボンドを低減し光導電性を向上させる点で望まし
い、 龜九亭劫また、前記ダングリングボンド終端用元
素としてHを用いる場合には、H2ガスはC,H,ガス
及び5tH4ガスの流量合計値に対して3倍以下、好適
には2倍以下に配合すればよく、これから外れると膜中
の水素が過剰となって感光体に要求される電気的特性が
劣化する。
s+5IFn+5iC1e、5iHC1s等々があり、
就中+5tH4+5IJi+はそれ自身StがHと結合
しているため膜中にHがとけ込まれやすく膜中のダング
リングボンドを低減し光導電性を向上させる点で望まし
い、 龜九亭劫また、前記ダングリングボンド終端用元
素としてHを用いる場合には、H2ガスはC,H,ガス
及び5tH4ガスの流量合計値に対して3倍以下、好適
には2倍以下に配合すればよく、これから外れると膜中
の水素が過剰となって感光体に要求される電気的特性が
劣化する。
本発明の製法によれば、上述した通りの製造条件によっ
てa−SiC層を生成するに当たっては、グロー放電用
の高周波電力、反応室内部のガス圧及び基板温度を次の
通りに設定するのがよい。
てa−SiC層を生成するに当たっては、グロー放電用
の高周波電力、反応室内部のガス圧及び基板温度を次の
通りに設定するのがよい。
即ち、高周波電力は0.05乃至0.5W/co+”の
範囲に設定すればよ< 、0.05W/cm”未満であ
ると成膜速度が小さくなり、0.5W/cm”を越える
とプラズマダメージによって膜質が低下してキャリア移
動度が小さくなる。また、ガス圧は0.1乃至2.0T
orrの範囲に設定すればよ< 、0.ITorr未満
であると成膜速度が小さくなり、2.QTorrを越え
ると放電が不安定となる。更に、基板温度はa−Si:
H膜の成膜形成に比べて30乃至80℃位高くするのが
よく、望ましくは200乃至400℃の範囲がよい、こ
の基板温度が200℃未満であれば、StとCのネット
ワーク化が阻害され、400℃を越えると水素の脱離が
著しくなって暗抵抗率が小さくなる。
範囲に設定すればよ< 、0.05W/cm”未満であ
ると成膜速度が小さくなり、0.5W/cm”を越える
とプラズマダメージによって膜質が低下してキャリア移
動度が小さくなる。また、ガス圧は0.1乃至2.0T
orrの範囲に設定すればよ< 、0.ITorr未満
であると成膜速度が小さくなり、2.QTorrを越え
ると放電が不安定となる。更に、基板温度はa−Si:
H膜の成膜形成に比べて30乃至80℃位高くするのが
よく、望ましくは200乃至400℃の範囲がよい、こ
の基板温度が200℃未満であれば、StとCのネット
ワーク化が阻害され、400℃を越えると水素の脱離が
著しくなって暗抵抗率が小さくなる。
本発明の製法によって得られたa−SiCNが光導゛電
性を有するようになった点については、アモルファス化
したケイ素と炭素を不可欠な構成元素とし、更にそのダ
ングリングボンドを終端させるべくHやハロゲン元素を
所要の範囲内で含有させることによって光導電性が生じ
るものと考えられる、本発明者等が炭素の含有比率を幾
通りにも変えて光導電性の有無を確かめる実験を行った
ところ、a−SiC層(5)中に炭素を1乃至90原子
χ、好適には5乃至50原子χの範囲内で含有させると
よく、或いはこの範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量
を変えてもよい。
性を有するようになった点については、アモルファス化
したケイ素と炭素を不可欠な構成元素とし、更にそのダ
ングリングボンドを終端させるべくHやハロゲン元素を
所要の範囲内で含有させることによって光導電性が生じ
るものと考えられる、本発明者等が炭素の含有比率を幾
通りにも変えて光導電性の有無を確かめる実験を行った
ところ、a−SiC層(5)中に炭素を1乃至90原子
χ、好適には5乃至50原子χの範囲内で含有させると
よく、或いはこの範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量
を変えてもよい。
また、Hやハロゲン元素の含有量は5乃至50原子χ、
好適には5乃至40原子2、最適には10乃至30原子
χがよく、通常、Hが用いられている。このHはダング
リングボンドの終端部に取込まれ易いのでバンドギャッ
プ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、優れた
半導体特性が得られる。
好適には5乃至40原子2、最適には10乃至30原子
χがよく、通常、Hが用いられている。このHはダング
リングボンドの終端部に取込まれ易いのでバンドギャッ
プ中の局在準位密度を低減化させ、これにより、優れた
半導体特性が得られる。
更にこのHの一部をハロゲン元素に置換してもよく、こ
れにより、a−SiC@の局在準位密度を下げて光導電
性及び耐熱性(温度特性)を高めることができる。その
置換比率はダングリングボンド終端用全元素中0.01
乃至50原子χ、好適には1乃至30原子χがよい。ま
た、このハロゲン元素にはF、C1,Br+It^を等
があるが、就中、Fを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。
れにより、a−SiC@の局在準位密度を下げて光導電
性及び耐熱性(温度特性)を高めることができる。その
置換比率はダングリングボンド終端用全元素中0.01
乃至50原子χ、好適には1乃至30原子χがよい。ま
た、このハロゲン元素にはF、C1,Br+It^を等
があるが、就中、Fを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。
また、光導電性a−3iC(5)の厚みは、少なくとも
5μI以上あればよく、これによって表面電位が一20
0V以上となり、一方、この層(5)の厚みは画像の分
解能及び画像流れが生じない範囲内でその上限が適宜選
ばれており、本発明者等の実験によれば、5乃至100
μm1好適にはlO乃至50μmの範囲内に設定すると
よい。
5μI以上あればよく、これによって表面電位が一20
0V以上となり、一方、この層(5)の厚みは画像の分
解能及び画像流れが生じない範囲内でその上限が適宜選
ばれており、本発明者等の実験によれば、5乃至100
μm1好適にはlO乃至50μmの範囲内に設定すると
よい。
そして、このa−SiC層の分光感度特性、並びに暗減
衰曲線及び光減衰曲線を求めたところ、前者については
可視光領域で分光感度ピーク(ピーク波長約600nm
)があり、これによって複写機用光源として一般的に
用いられているタングステンランプに十分に適用し得る
ことが判った。また、後者の減衰曲線についても高い表
面電位をもつと共に優れた光感度特性を有し、更に残留
電位が小さくなっていることが判った。
衰曲線及び光減衰曲線を求めたところ、前者については
可視光領域で分光感度ピーク(ピーク波長約600nm
)があり、これによって複写機用光源として一般的に
用いられているタングステンランプに十分に適用し得る
ことが判った。また、後者の減衰曲線についても高い表
面電位をもつと共に優れた光感度特性を有し、更に残留
電位が小さくなっていることが判った。
かくして、単一組成の光導電性a−3iC層だけで十分
に実用と成り得る電子写真感光体が提供される。
に実用と成り得る電子写真感光体が提供される。
次に本発明者等は上記の結果を踏まえて、更に鋭意研究
に努めたところ、この単一組成の層内部に種々の層領域
を生成させることによって電子写真特性を更に向上し得
ることを見い出した。
に努めたところ、この単一組成の層内部に種々の層領域
を生成させることによって電子写真特性を更に向上し得
ることを見い出した。
即ち、本発明の製法においては、グロー放を分解法によ
る成膜中に炭素又はVa族元素の含有比率を層厚方向に
亘って変化させ、これによって複数の層領域を生成させ
、このNem域の数に対応して下記の第1の態様乃至第
4の態様までの電子写真感光体の製法が得られる。
る成膜中に炭素又はVa族元素の含有比率を層厚方向に
亘って変化させ、これによって複数の層領域を生成させ
、このNem域の数に対応して下記の第1の態様乃至第
4の態様までの電子写真感光体の製法が得られる。
以下、本発明に係る電子写真感光体の製法の態様を第3
図乃至24図により説明する。
図乃至24図により説明する。
呈1亘脹檀
第1の態様によれば、a−SiC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−9iC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法にあって、前記
ガスはCJz及びSi含有ガスから成り、そのガス組成
比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、且つV
a族元素含有ガスを含有させると共に成膜中にこの含有
比率を小さくしたことを特徴とする電子写真感光体の製
法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−9iC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法にあって、前記
ガスはCJz及びSi含有ガスから成り、そのガス組成
比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、且つV
a族元素含有ガスを含有させると共に成膜中にこの含有
比率を小さくしたことを特徴とする電子写真感光体の製
法が提供される。
即ち、この第1の態様によれば、第1図に示した単一組
成の光導電性a−SiCNに対してVa族元素を含有さ
せ、これに伴ってその含有比率を変えることにより少な
くとも第1の層領域及び第2の層領域を生成させるもの
であり、このB様を第3図乃至第9図により説明する。
成の光導電性a−SiCNに対してVa族元素を含有さ
せ、これに伴ってその含有比率を変えることにより少な
くとも第1の層領域及び第2の層領域を生成させるもの
であり、このB様を第3図乃至第9図により説明する。
第3図においては導電性基板(1)上に第1の層領域(
6)及び第2の層領域(7)を順次形成し、両者の層領
域が一体化した光導電性a−3iC層(5a)から成っ
ており、そして、第1の層領域(6)には第2のN6N
域(7)に比べてVa族元素が多く含まれていることが
重要である。
6)及び第2の層領域(7)を順次形成し、両者の層領
域が一体化した光導電性a−3iC層(5a)から成っ
ており、そして、第1の層領域(6)には第2のN6N
域(7)に比べてVa族元素が多く含まれていることが
重要である。
第2の1ieff域(7)はVa族元素の含有量がO乃
、至10. OOOppmの範囲内で、好適にはO乃至
1 、000pp+mの範囲内で適宜法められ、これに
よって負極性に帯電すると共に表面電位、光感度特性等
の所要な電子写真特性が得られる。そして、このILJ
域よりもVa族元素を多く含有した第1のN81域(6
)を形成すると、光導電性a−5iC層(5a)の基板
側領域で導電率が大きくなり、これにより、基板側から
のキャリアの注入が阻止されると共にa−SiC層の全
領域で発生した光キャリアが基板へ円滑に流れ、その結
果、表面電位が大きくなると共に光感度特性が向上する
ことを見い出した。
、至10. OOOppmの範囲内で、好適にはO乃至
1 、000pp+mの範囲内で適宜法められ、これに
よって負極性に帯電すると共に表面電位、光感度特性等
の所要な電子写真特性が得られる。そして、このILJ
域よりもVa族元素を多く含有した第1のN81域(6
)を形成すると、光導電性a−5iC層(5a)の基板
側領域で導電率が大きくなり、これにより、基板側から
のキャリアの注入が阻止されると共にa−SiC層の全
領域で発生した光キャリアが基板へ円滑に流れ、その結
果、表面電位が大きくなると共に光感度特性が向上する
ことを見い出した。
この第1の層領域(6)はその領域全体に亘って光導電
性を有しており、これによって第2図に示した従来のa
−3t電子写真感光体のキャリア注入阻止層(2)と区
別し得る。
性を有しており、これによって第2図に示した従来のa
−3t電子写真感光体のキャリア注入阻止層(2)と区
別し得る。
即ち、第1の層領域(6)はその領域全体の光導電性に
よって光感度特性を全般に亘って向上させる。特に、第
1の層領域(6)に到達し易い比較的長波長な光に対し
ては優れた光感度特性が得られ、これにより、半導体レ
ーザーを記録用光源とした電子写真感光体に好適となる
。
よって光感度特性を全般に亘って向上させる。特に、第
1の層領域(6)に到達し易い比較的長波長な光に対し
ては優れた光感度特性が得られ、これにより、半導体レ
ーザーを記録用光源とした電子写真感光体に好適となる
。
また、従来のa−St電子写真感光体によれば、前記キ
ャリア注入阻止層(2)の層厚をa−Si光導電層(3
)に対して175倍以下に設定するのに対して、本発明
の製法によれば、第1の層領域(6)の層厚は第2のN
’pH域(7)に比べて1倍以下であっても十分に残留
電位を小さくして光感度特性を向上させることができ、
その好適な層厚比は172以下、最適には174以下に
設定するのがよい。
ャリア注入阻止層(2)の層厚をa−Si光導電層(3
)に対して175倍以下に設定するのに対して、本発明
の製法によれば、第1の層領域(6)の層厚は第2のN
’pH域(7)に比べて1倍以下であっても十分に残留
電位を小さくして光感度特性を向上させることができ、
その好適な層厚比は172以下、最適には174以下に
設定するのがよい。
この光導電性a−SiC層(5a)の炭素含有量は、第
4図乃至第9図に示す通りであり、横軸は基板から感光
体表面に至る層厚方向を示し、縦軸は炭素含有量を示し
ている。尚、この横軸において(6)。
4図乃至第9図に示す通りであり、横軸は基板から感光
体表面に至る層厚方向を示し、縦軸は炭素含有量を示し
ている。尚、この横軸において(6)。
(7)に示すそれぞれの範囲は第1の層領域及び第2の
層領域を表している。
層領域を表している。
即ち、第4図は炭素含有比率が全層に亘って一定であり
、或いは第5図は第1の層領域で炭素含有量を少なくし
ており、これに対して第6図乃至第9図は第1の層領域
が第2の層領域に比べて炭素が多く含有されていること
を示すものであり、これによって表面電位が一段と高(
なって光感度特性が向上する。また、第7図乃至第9図
のように炭素の含有量を層厚方向に亘って漸次変えると
表面電位及び光感度を一層高め且つ残留電位が小さくな
る。
、或いは第5図は第1の層領域で炭素含有量を少なくし
ており、これに対して第6図乃至第9図は第1の層領域
が第2の層領域に比べて炭素が多く含有されていること
を示すものであり、これによって表面電位が一段と高(
なって光感度特性が向上する。また、第7図乃至第9図
のように炭素の含有量を層厚方向に亘って漸次変えると
表面電位及び光感度を一層高め且つ残留電位が小さくな
る。
また、前記第1のNjii域(6)には酸素や窒素の少
なくとも一種を含有させてもよく、これによってa−5
iCJ!(5a)の基板(1)に対する密着性が向上す
る。
なくとも一種を含有させてもよく、これによってa−5
iCJ!(5a)の基板(1)に対する密着性が向上す
る。
1又Jすl遥
第2の態様によれば、a−SiC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5iC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記
ガスはCzHt及びSi含有ガスから成りそのガス組成
比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中
にCtHz含有組成比を変えて前記a−SiC層に少な
くとも第1の領域、第2の層領域及び第3の領域を具備
させ、第1の層領域は第2の層領域より基板側に、第2
の層領域は第3の層領域より基板側にそれぞれ配置され
、第3の層領域は第2の層領域に比べて炭素が多く含ま
れ、且つ前記第2の層領域の形成時に前記a−SiC生
成用ガスにO乃至1モルχのVa族元素含有ガスを含む
とともに第1の層領域の形成時にa−SiC生成用ガス
中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2の層
領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5iC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記
ガスはCzHt及びSi含有ガスから成りそのガス組成
比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中
にCtHz含有組成比を変えて前記a−SiC層に少な
くとも第1の領域、第2の層領域及び第3の領域を具備
させ、第1の層領域は第2の層領域より基板側に、第2
の層領域は第3の層領域より基板側にそれぞれ配置され
、第3の層領域は第2の層領域に比べて炭素が多く含ま
れ、且つ前記第2の層領域の形成時に前記a−SiC生
成用ガスにO乃至1モルχのVa族元素含有ガスを含む
とともに第1の層領域の形成時にa−SiC生成用ガス
中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2の層
領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。
即ち、この第2の態様によれば、第10図に示す通り、
第1の態様にて示した第2の層領域(7)の上に更に第
3の層領域(8)を形成し、これに伴って第3の層領域
(8)の炭素含有量を第2のJ!層領域7)よりも多く
し、そして、第1の層領域(6)、第2の層領域(7)
及び第3の層領域(8)を実質上一体化して光導電性a
−SiC層(5b)とした。
第1の態様にて示した第2の層領域(7)の上に更に第
3の層領域(8)を形成し、これに伴って第3の層領域
(8)の炭素含有量を第2のJ!層領域7)よりも多く
し、そして、第1の層領域(6)、第2の層領域(7)
及び第3の層領域(8)を実質上一体化して光導電性a
−SiC層(5b)とした。
この第3の層領域(8)を形成すると、a−SiC層(
5b)の表面側の暗抵抗値が大きくなり、これに伴って
感光体の表面電位が顕著に向上することを見い出した。
5b)の表面側の暗抵抗値が大きくなり、これに伴って
感光体の表面電位が顕著に向上することを見い出した。
この第3の層領域(8)は光導電性a−3iC層(5b
)の表面側を高抵抗化させるために形成されており、第
2図にて述べた従来周知の表面保護11 (4)とは全
く区別し得るものである。また、光キヤリア発生層とキ
ャリア輸送層とに分けられた機能分離型感光体によれば
、キャリア輸送層を10′3Ω・Cl11以上に高抵抗
化させるが、この層に格別大きな光導電性が要求されて
おらず、通常、光導電率の暗導電率に対する比率が10
00倍未満の光導電性に設定されているに過ぎない、こ
れに対して、第3の層領域(8)はこの比率が1000
倍以上の光導電性を有しており、上記キャリア輸送層に
対しても十分に区別し得る。
)の表面側を高抵抗化させるために形成されており、第
2図にて述べた従来周知の表面保護11 (4)とは全
く区別し得るものである。また、光キヤリア発生層とキ
ャリア輸送層とに分けられた機能分離型感光体によれば
、キャリア輸送層を10′3Ω・Cl11以上に高抵抗
化させるが、この層に格別大きな光導電性が要求されて
おらず、通常、光導電率の暗導電率に対する比率が10
00倍未満の光導電性に設定されているに過ぎない、こ
れに対して、第3の層領域(8)はこの比率が1000
倍以上の光導電性を有しており、上記キャリア輸送層に
対しても十分に区別し得る。
第3の層領域(8)の層厚は、第2の101域(7)に
比べて1倍以下、好ましくは1ノ2倍以下、最適には1
/4倍以下がよく、これにより、表面電位が顕著に向上
すると共に光感度に優れ、且つ残留電位が小さくなり、
望ましいと言える。
比べて1倍以下、好ましくは1ノ2倍以下、最適には1
/4倍以下がよく、これにより、表面電位が顕著に向上
すると共に光感度に優れ、且つ残留電位が小さくなり、
望ましいと言える。
本発明によれば、光導電性a−5iC層(5b)の炭素
含有分布は第11図乃至第16図に示す通りであり、横
軸は基板から感光体表面に至るi厚方向を示し、縦軸は
炭素含有量を示している。尚、この横軸において、(6
) (7) (8)に示すそれぞれの範囲は第1の層領
域、第2の層領域及び第3の層領域を表している。
含有分布は第11図乃至第16図に示す通りであり、横
軸は基板から感光体表面に至るi厚方向を示し、縦軸は
炭素含有量を示している。尚、この横軸において、(6
) (7) (8)に示すそれぞれの範囲は第1の層領
域、第2の層領域及び第3の層領域を表している。
第12図、第14図、第15図及び第16図は層厚方向
に亘って炭素の含有量を漸次変え、これにより、表面電
位が向上すると共に光感度に優れ、且つ残留電位が小さ
くなる。
に亘って炭素の含有量を漸次変え、これにより、表面電
位が向上すると共に光感度に優れ、且つ残留電位が小さ
くなる。
員しp崖盪
第3の態様によれば、a−SiC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5tC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記
ガスはCzHt及びSt含有ガスから成り、そのガス組
成比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜
中にCJz含有組成比を変えて前記a−Siclに少な
くとも第1の層領域、第2の層領域、第3の層領域及び
第4の層領域を基板側から感光体表面へ向けて順次具備
し、且つ第3の層領域は第2の層境域に比べて、第4の
層領域は第3の層領域に比べてそれぞれ炭素が多(含ま
れ前記第2のN fil域の形成時に前記a−SiC生
成用ガスにO乃至1モル2のVa族元素含有ガスを含む
とともに第1の層領域の形成時にa−3tC生成用ガス
中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2の層
領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5tC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記
ガスはCzHt及びSt含有ガスから成り、そのガス組
成比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜
中にCJz含有組成比を変えて前記a−Siclに少な
くとも第1の層領域、第2の層領域、第3の層領域及び
第4の層領域を基板側から感光体表面へ向けて順次具備
し、且つ第3の層領域は第2の層境域に比べて、第4の
層領域は第3の層領域に比べてそれぞれ炭素が多(含ま
れ前記第2のN fil域の形成時に前記a−SiC生
成用ガスにO乃至1モル2のVa族元素含有ガスを含む
とともに第1の層領域の形成時にa−3tC生成用ガス
中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2の層
領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。
即ち、第3の態様によれば、第17図に示す通り、第2
の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更に第4の
層領域(9)を形成し、これに伴って第4の層領域(9
)が第3の層領域(8)に比べて炭素を多く含んでおり
、そして、第1の層領域(6)から第4の層領域(9)
を実質上一体化して光導電性a−3iC層(5c)とし
た。
の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更に第4の
層領域(9)を形成し、これに伴って第4の層領域(9
)が第3の層領域(8)に比べて炭素を多く含んでおり
、そして、第1の層領域(6)から第4の層領域(9)
を実質上一体化して光導電性a−3iC層(5c)とし
た。
この第4の層領域(9)は第3の層領域(8)に比べて
炭素を多く含有させて高抵抗化させ、これより、帯電能
を高めて表面電位を向上させることができ、その結果、
耐電圧が高くて長寿命の感光体を得ることができる。
炭素を多く含有させて高抵抗化させ、これより、帯電能
を高めて表面電位を向上させることができ、その結果、
耐電圧が高くて長寿命の感光体を得ることができる。
本発明の製法によれば、光導電性a−SiC層(5c)
の炭素含有分布は第18図乃至第21図に示す通りであ
り、横軸は基板から感光体表面に至る層厚方向を示し、
縦軸は炭素含有量を示している。尚、この横軸において
、(6) (7) (8) (9)に示すそれぞれの範
囲は第1の層領域、第2の層領域、第3の層領域及び第
4の領域を表している。
の炭素含有分布は第18図乃至第21図に示す通りであ
り、横軸は基板から感光体表面に至る層厚方向を示し、
縦軸は炭素含有量を示している。尚、この横軸において
、(6) (7) (8) (9)に示すそれぞれの範
囲は第1の層領域、第2の層領域、第3の層領域及び第
4の領域を表している。
第19図及び第21図は層厚方向に亘って炭素の含有量
を漸次変え、これにより、表面電位及び光感度が向上し
、且つ残留電位が小さくなる。
を漸次変え、これにより、表面電位及び光感度が向上し
、且つ残留電位が小さくなる。
1(旦皿棋
第4図の態様によれば、a−3iC生成用ガスをグロー
放電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−SiC層
及びa−SiC表面保護層を順次形成した電子写真感光
体の製法にあつて、前記光導電性a−3iC生成用ガス
はCgHg及びSt含有ガスから成り、そのガス組成比
を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中に
CtHz含有組成比を変えて前記a−SiC層に少なく
とも第1の層領域、第2の層領域及び第3の層領域を具
備させ、第1の層領域は第2の層領域より基板側に、第
2の層領域は第3の層領域より基板側にそれぞれ配置さ
れ、第3の層領域は第2の領域に比べて炭素が多く含ま
れ、且つ前記第2の11 fil域の形成時に前記a−
SiC生成用ガスにO乃至1モルχのVa族元素含有ガ
スを含むとともに第1の層領域の形成時にa−9iC生
成用ガス中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が
第2の層領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする
電子写真感光体の製法が提供される。
放電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−SiC層
及びa−SiC表面保護層を順次形成した電子写真感光
体の製法にあつて、前記光導電性a−3iC生成用ガス
はCgHg及びSt含有ガスから成り、そのガス組成比
を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中に
CtHz含有組成比を変えて前記a−SiC層に少なく
とも第1の層領域、第2の層領域及び第3の層領域を具
備させ、第1の層領域は第2の層領域より基板側に、第
2の層領域は第3の層領域より基板側にそれぞれ配置さ
れ、第3の層領域は第2の領域に比べて炭素が多く含ま
れ、且つ前記第2の11 fil域の形成時に前記a−
SiC生成用ガスにO乃至1モルχのVa族元素含有ガ
スを含むとともに第1の層領域の形成時にa−9iC生
成用ガス中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が
第2の層領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする
電子写真感光体の製法が提供される。
即ち、この第4の態様によれば、第22図に示す通り、
第2の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更にa
−SiC表面保護層(10)を形成したものであり、こ
のa−SiC表面保護1i (10)は光導電性a−5
t0層(5b)の表面をオーバーコートして保護するた
めに形成される。
第2の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更にa
−SiC表面保護層(10)を形成したものであり、こ
のa−SiC表面保護1i (10)は光導電性a−5
t0層(5b)の表面をオーバーコートして保護するた
めに形成される。
a−3iC表面保護層(10)はa−3iCから成ると
いう点では光導電性a−5iC層(5b)と同じである
が、炭素の含有量を多くして高硬度とし、これによって
表面保護作用をもたらす。
いう点では光導電性a−5iC層(5b)と同じである
が、炭素の含有量を多くして高硬度とし、これによって
表面保護作用をもたらす。
このa−3iC表面保護層(10)は、その構成元素の
組成比を変えて光導電性又は非光導電性とすることがで
き、炭素の含有量を多くすると非光導電性になる傾向が
あり、これに伴って高硬度特性が得られ、高硬度a−5
iC表面保護層となる。
組成比を変えて光導電性又は非光導電性とすることがで
き、炭素の含有量を多くすると非光導電性になる傾向が
あり、これに伴って高硬度特性が得られ、高硬度a−5
iC表面保護層となる。
第4の態様によれば、炭素含有分布は第23図及び第2
4図に示す通りであり、横軸は基板から感光体表面に至
る層厚方向を示し、縦軸は炭素含有量を示している。尚
、この横軸において(6) (7) (8) (10)
に示すそれぞれの範囲は第1の層領域、第2の層領域、
第3の層領域及びa−3iC表面保flI層を表してい
る。
4図に示す通りであり、横軸は基板から感光体表面に至
る層厚方向を示し、縦軸は炭素含有量を示している。尚
、この横軸において(6) (7) (8) (10)
に示すそれぞれの範囲は第1の層領域、第2の層領域、
第3の層領域及びa−3iC表面保flI層を表してい
る。
本発明によれば、単一組成のa−3iC層並びに第1乃
至第3の態様のa−3iC層は、いずれも光導電性a−
SiC層から成り、これによって十分実用的な電子写真
特性が得られるが、これらのa−5iC層の表面上に従
来周知の表面保護層を形成してもよい。
至第3の態様のa−3iC層は、いずれも光導電性a−
SiC層から成り、これによって十分実用的な電子写真
特性が得られるが、これらのa−5iC層の表面上に従
来周知の表面保護層を形成してもよい。
この層はそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬度特性を
有するものであれば種々の材料を用いることができ、例
えばポリイミド樹脂などの有機材料+ a −S I
CHS i Oz I S iOHA 1 ! 021
S t CI S s 3 N a 1 a −S
t 1 a −S s :H,a−5t:F、a−3i
C:H,;a−5iC:Fなどの無機材料を用いること
ができる。
有するものであれば種々の材料を用いることができ、例
えばポリイミド樹脂などの有機材料+ a −S I
CHS i Oz I S iOHA 1 ! 021
S t CI S s 3 N a 1 a −S
t 1 a −S s :H,a−5t:F、a−3i
C:H,;a−5iC:Fなどの無機材料を用いること
ができる。
次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第25図により説明する。
分解装置を第25図により説明する。
図中、第1.第2.第3.第4.第5.第6タンク(1
1) (12) (13) (14) (15) (1
6)には、それぞれSiH*、CJz。
1) (12) (13) (14) (15) (1
6)には、それぞれSiH*、CJz。
PH5(H*ガス希釈で0.2χ含有)、PH5(Ht
ガス希釈で331)l11m含有)、H!、NOガスが
密封されており、H2はキャリアーガスとしても用いら
れる。これらのガスは対応する第1.第2.第3.第4
.第5.第6調整弁(17)(1B) (19) (2
0) (21) (22)を開放することにより放出さ
れ、その流量がマスフローコントローラ(23)(24
)(25)(26) (27) (28)により制御さ
れ、第1.第2、第3.第4.第5タンク(11) (
12) (13) (14) (15)からのガスは第
1主管(29)へ、第6タンク(16)からのNOガス
は第2主管(30)へ送られる。尚、(31) (32
)は止め弁である。第1主管(29)及び第2主管(3
0)を通じて流れるガスは反応管(33)へと送り込ま
れるが、この反応管(33)の内部には容量結合型放電
用電極(34)が設置されており、それに印加される高
周波電力は50%1乃至3に−が、また周波数はIMH
2乃至10MH2が適当である0反応管(33)の内部
には、アルミニウムから成る筒状の成膜基板(35)が
試料保持第(36)の上に載置されており、この保持台
(36)はモーター(37)により回転駆動されるよう
になっており、そして、基板(35)は適当な加熱手段
により、約200乃至400℃好ましくは約200乃至
350℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管(3
3)の内部はa−5iC膜形成時に高度の真空状態(放
電圧0.1乃至2,0Torr )を必要とすることに
より回転ポンプ(38)と拡散ポンプ(39)に連結さ
れている。
ガス希釈で331)l11m含有)、H!、NOガスが
密封されており、H2はキャリアーガスとしても用いら
れる。これらのガスは対応する第1.第2.第3.第4
.第5.第6調整弁(17)(1B) (19) (2
0) (21) (22)を開放することにより放出さ
れ、その流量がマスフローコントローラ(23)(24
)(25)(26) (27) (28)により制御さ
れ、第1.第2、第3.第4.第5タンク(11) (
12) (13) (14) (15)からのガスは第
1主管(29)へ、第6タンク(16)からのNOガス
は第2主管(30)へ送られる。尚、(31) (32
)は止め弁である。第1主管(29)及び第2主管(3
0)を通じて流れるガスは反応管(33)へと送り込ま
れるが、この反応管(33)の内部には容量結合型放電
用電極(34)が設置されており、それに印加される高
周波電力は50%1乃至3に−が、また周波数はIMH
2乃至10MH2が適当である0反応管(33)の内部
には、アルミニウムから成る筒状の成膜基板(35)が
試料保持第(36)の上に載置されており、この保持台
(36)はモーター(37)により回転駆動されるよう
になっており、そして、基板(35)は適当な加熱手段
により、約200乃至400℃好ましくは約200乃至
350℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管(3
3)の内部はa−5iC膜形成時に高度の真空状態(放
電圧0.1乃至2,0Torr )を必要とすることに
より回転ポンプ(38)と拡散ポンプ(39)に連結さ
れている。
以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、a−3iC膜(Pを含有する)を基板(35)
に形成する場合には、第1.第2.第3.第5iPi整
弁(17) (1B) (19) (21)を開いてそ
れぞれより5IH41CJz、I’1lff、Hzガス
を放出する。放出量はマスフローコントローラ(23)
(24) (25) (27)により制御され、5i
Ht+CJz+PHi+Htの混合ガスは第1主管(2
9)を介して反応管(33)へと流し込まれる。そして
、反応管(33)の内部が0.1乃至2.0Torr程
度の真空状態、基板温度が200乃至400℃、容量型
放電用電極(34)の高周波電力が50%1乃至3に%
1、または周波数が1乃至10MHzに設定されている
ことに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してP
を含有したa−SiC膜が基板上に高速で形成される。
例えば、a−3iC膜(Pを含有する)を基板(35)
に形成する場合には、第1.第2.第3.第5iPi整
弁(17) (1B) (19) (21)を開いてそ
れぞれより5IH41CJz、I’1lff、Hzガス
を放出する。放出量はマスフローコントローラ(23)
(24) (25) (27)により制御され、5i
Ht+CJz+PHi+Htの混合ガスは第1主管(2
9)を介して反応管(33)へと流し込まれる。そして
、反応管(33)の内部が0.1乃至2.0Torr程
度の真空状態、基板温度が200乃至400℃、容量型
放電用電極(34)の高周波電力が50%1乃至3に%
1、または周波数が1乃至10MHzに設定されている
ことに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してP
を含有したa−SiC膜が基板上に高速で形成される。
次に本発明の実施例を詳細に説明する。
(例1)
本例においては、光導電性a−SiC層をアルミニウム
製成膜基板に生成し、そのC,H!ガスの配合比率に対
する導電率を測定した。
製成膜基板に生成し、そのC,H!ガスの配合比率に対
する導電率を測定した。
即ち、第25図に示した容量結合型グロー放電分解装室
を用いて第1タンク(11)よりSiH4ガスを1゜O
sccmの流量で、第5タンク(15)よりH2ガスを
300secmの流量で放出し、第2タンク(12)よ
りC,Hz導電率及び光導電率を測定したところ、第2
6図に示す通りの結果が得られた。尚、製造条件として
基板温度を300℃、ガス圧を0.45Torrs高周
波電力を150訂こ設定した。
を用いて第1タンク(11)よりSiH4ガスを1゜O
sccmの流量で、第5タンク(15)よりH2ガスを
300secmの流量で放出し、第2タンク(12)よ
りC,Hz導電率及び光導電率を測定したところ、第2
6図に示す通りの結果が得られた。尚、製造条件として
基板温度を300℃、ガス圧を0.45Torrs高周
波電力を150訂こ設定した。
第26図によれば、横軸にC,H,+ガス流量(see
m)を、縦軸に導電率〔(Ω・cm)−’)を表わし、
・印は暗導電率のプロット、O印は光導電率のプロット
であり、a、bはそれぞれの特性曲線である。
m)を、縦軸に導電率〔(Ω・cm)−’)を表わし、
・印は暗導電率のプロット、O印は光導電率のプロット
であり、a、bはそれぞれの特性曲線である。
第26図から明らかな通り、暗導電率は10−”(Ω・
co+)−’以上と成り得、最大で10− ” (Ω・
CI+)弓取上まで得られた。また、光導電率は暗導電
率に比べて1000倍以上となり、このa−5iC層が
電子写真感光体用として十分に満足し得る光導電性をも
っていることが判る。
co+)−’以上と成り得、最大で10− ” (Ω・
CI+)弓取上まで得られた。また、光導電率は暗導電
率に比べて1000倍以上となり、このa−5iC層が
電子写真感光体用として十分に満足し得る光導電性をも
っていることが判る。
(例2)
本例においては、(例1)に基いてPH,ガス(又はB
zHbガス)を導入して暗導電率及び光導電率を測定し
たところ、第27図に示す通りの結果が得られた。
zHbガス)を導入して暗導電率及び光導電率を測定し
たところ、第27図に示す通りの結果が得られた。
図中、横軸はSiH4とCJzの合計流量に対するPH
3純量(これはH!ガスの希釈比率より換算して求めら
れるPH3の絶対流量のことである)である。尚、PH
!純量をBgHb純量に置き換えた場合も参考例として
記載する。
3純量(これはH!ガスの希釈比率より換算して求めら
れるPH3の絶対流量のことである)である。尚、PH
!純量をBgHb純量に置き換えた場合も参考例として
記載する。
第27図によれば、・印は暗導電率のブロア)であり、
O印は光導電率のプロットであり、c+dはそれぞれの
特性曲線である。
O印は光導電率のプロットであり、c+dはそれぞれの
特性曲線である。
第27図から明らかな通り、光導電率は暗導電率に比べ
て1ooo倍以上となり、PやBをドーピングしたa−
SiC層が電子写真感光体用として満足し得る光導電性
をもっている。
て1ooo倍以上となり、PやBをドーピングしたa−
SiC層が電子写真感光体用として満足し得る光導電性
をもっている。
(例3)
本例においては、(例1)中C,O,ガス流量を101
05eに設定して得られたa−3iCiiに対して分光
感度特性を測定し、その結果は第28図に示された分光
感度曲線eとなった。尚、この図は各波長において等エ
ネルギー光を照射した時の光導電率を示す。
05eに設定して得られたa−3iCiiに対して分光
感度特性を測定し、その結果は第28図に示された分光
感度曲線eとなった。尚、この図は各波長において等エ
ネルギー光を照射した時の光導電率を示す。
第28図より明らかな通り、可視光領域に光感度が認め
られ、これによって電子写真用の光導電体として十分に
用いることができる。
られ、これによって電子写真用の光導電体として十分に
用いることができる。
(例4)
本例においては、(例1)中czuzガス流量を1Os
cc翔に設定して得られたa−SiC層(厚み30μm
)に対して表面電位、暗減衰及び光減衰のそれぞれの特
性を測定した。この測定は−5,6KVのコロナチャー
ジャで負帯電し、暗中での表面電位の経時変化と、65
0nmの単色光照射直後の表面電位の経時変化を追った
ものである。
cc翔に設定して得られたa−SiC層(厚み30μm
)に対して表面電位、暗減衰及び光減衰のそれぞれの特
性を測定した。この測定は−5,6KVのコロナチャー
ジャで負帯電し、暗中での表面電位の経時変化と、65
0nmの単色光照射直後の表面電位の経時変化を追った
ものである。
その結果は第29図に示す通りであり、f、gはそれぞ
れ暗減衰曲線及び光減衰曲線である。
れ暗減衰曲線及び光減衰曲線である。
第29図より明らかな通り、表面電位が約−530Vと
大きくなっており、暗減衰も5秒後で30X程度であり
、電荷保持能力に優れている。また、光導電率にも優れ
ており、残留電位も小さいと言える。
大きくなっており、暗減衰も5秒後で30X程度であり
、電荷保持能力に優れている。また、光導電率にも優れ
ており、残留電位も小さいと言える。
尚、(例4)にて得られたa−3iC層を+5.6KV
おコロナチャージャで正帯電させたところ、表面電位が
数十Vであった。
おコロナチャージャで正帯電させたところ、表面電位が
数十Vであった。
そして、この(例4)に基づいて製作されたa−SiC
層感光感光体−5,6KVのコロナチャージャによって
負極性に帯電させ、次いで画像露光して磁気ブラシ現象
を行った結果、画像濃度が高く、高コントラストで良質
な画像が得られ、20万回の繰り返しテスト後において
も初期画像の劣化が見られず、耐久性も良好であること
が確認できた。
層感光感光体−5,6KVのコロナチャージャによって
負極性に帯電させ、次いで画像露光して磁気ブラシ現象
を行った結果、画像濃度が高く、高コントラストで良質
な画像が得られ、20万回の繰り返しテスト後において
も初期画像の劣化が見られず、耐久性も良好であること
が確認できた。
(例5)
本例においては第1の態様の感光体を製作した。
即ち、基板用アルミニウム製ドラムを第25図に示した
容量結合型グロー放電分解装置の反応管(33)内に設
置し、そして、第1タンク(11)よりSiH。
容量結合型グロー放電分解装置の反応管(33)内に設
置し、そして、第1タンク(11)よりSiH。
ガスを、第2タンク(12)よりC,Htガスを、第3
タンク(13)よりPH,ガスを、第5タンク(15)
より+rzガスを、第6タンク(16)よりNoガスを
それぞれ放出し、第1表に示す製造条件で第1のEi?
iW域及び第2の層領域を形成した。
タンク(13)よりPH,ガスを、第5タンク(15)
より+rzガスを、第6タンク(16)よりNoガスを
それぞれ放出し、第1表に示す製造条件で第1のEi?
iW域及び第2の層領域を形成した。
かくして得られた感光体の電子写真特性は、暗中で−5
,6KVの高圧源に接続されたコロナチャージャで負極
性に帯電させ、次いで分光された単色光(650nm)
を感光体表面に照射し、これによって下記の通りの特性
が得られた。尚、残留電位は露光開始の5秒後の値であ
る。
,6KVの高圧源に接続されたコロナチャージャで負極
性に帯電させ、次いで分光された単色光(650nm)
を感光体表面に照射し、これによって下記の通りの特性
が得られた。尚、残留電位は露光開始の5秒後の値であ
る。
表面電位・・・−720v
光感度・・・0.53cm”erg−’残留電位・・・
30V (例6) 本例において第1の態様の感光体を(例4)と同様に製
作した。
30V (例6) 本例において第1の態様の感光体を(例4)と同様に製
作した。
その製作条件は第2表に示す通りであり、電子写真特性
は下記の通りになった。
は下記の通りになった。
表面電位・・・−680V
光感度・・弓、63cm”erg−’
残留電位・・・30V
\、
\、
ン
ゝ、
\、
(例7)
本例においては第2のB様の感光体を第3表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。
表面電位・・・−720■
光感度・・・0.65cmI2erg−1残留電位・・
・25V (例8) 本例においては第3の態様の感光体を第4表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。
・25V (例8) 本例においては第3の態様の感光体を第4表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。
表面電位・・・−790v
光感度・・・0.65CIII!erg−1残留電位・
・・30V また、この感光体の表面電位、暗減衰及び光減衰のそれ
ぞれの特性を(例4)と同様に測定したところ、第30
図に示す通りの結果が得られた。図中、h、iはそれぞ
れ暗減衰曲線及び光減衰曲線である。
・・30V また、この感光体の表面電位、暗減衰及び光減衰のそれ
ぞれの特性を(例4)と同様に測定したところ、第30
図に示す通りの結果が得られた。図中、h、iはそれぞ
れ暗減衰曲線及び光減衰曲線である。
第30図より明らかな通り、表面電位が約−790Vと
著しく大きくなっており、暗減衰も5秒後で24χ程度
であって電荷保持能力に優れている。
著しく大きくなっており、暗減衰も5秒後で24χ程度
であって電荷保持能力に優れている。
(例9)
本例においては第4の態様の感光体を第5表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。
表面電位・・・−830■
光感度°・・0.63clI!erg−1残留電位・・
・40V (例10) 本例においては、第25図に示したグロー放電分解装置
を用いて下記の製造条件によって成膜速度を測定したと
ころ、第31図に示す通りの結果が得られた。
・40V (例10) 本例においては、第25図に示したグロー放電分解装置
を用いて下記の製造条件によって成膜速度を測定したと
ころ、第31図に示す通りの結果が得られた。
11uk生
RF電力・・・150W
ガス圧力・・・0.45Torr
基板温度・・・300℃
SiH,ガス流量・・・1003cC11UZガス流量
・・・3003ccI11第31図中○印は測定結果の
プロットであり、jはその特性曲線である。
・・・3003ccI11第31図中○印は測定結果の
プロットであり、jはその特性曲線である。
第31図より明らかな通り、CJzガスの含有比率が大
きくなるのに伴って成膜速度が大きくなっており、約5
〜13μI11ノ時の成膜速度となった。
きくなるのに伴って成膜速度が大きくなっており、約5
〜13μI11ノ時の成膜速度となった。
(例11)
本例においては、(例10 )と同一の製造条件によっ
てCtHzガスの含有比率を変えながら膜中の水素含有
量を追ったところ、第32図に示す通りの結果が得られ
た。
てCtHzガスの含有比率を変えながら膜中の水素含有
量を追ったところ、第32図に示す通りの結果が得られ
た。
第32図中、○印及び・印はそれぞれC及びStと結合
したHの結合量を示すプロットであり、k、lはそれぞ
れその特性曲線である。
したHの結合量を示すプロットであり、k、lはそれぞ
れその特性曲線である。
第32図より明らかな通り、CtHtガスの含有比率が
大きくなるのに伴ってC−H結合が増大すると共にS−
H結合が減少することが判る。
大きくなるのに伴ってC−H結合が増大すると共にS−
H結合が減少することが判る。
以上の通り、本発明の電子写真感光体の製法によれば、
全層に亘って光導電性を有するa−5iCが高い暗抵抗
値となり、且つ光感度特性にも優れていることによって
実質上表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とする
ことができ、その結果、光導電性a−3iC層だけから
成る電子写真感光体が提供できた。
全層に亘って光導電性を有するa−5iCが高い暗抵抗
値となり、且つ光感度特性にも優れていることによって
実質上表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とする
ことができ、その結果、光導電性a−3iC層だけから
成る電子写真感光体が提供できた。
また、本発明の製法によれば、C,H,ガスとSt含有
ガスを組合せてグロー放電分解すると著しい高い成膜速
度が得られ、これによって製造効率及び製造コストが改
善される。
ガスを組合せてグロー放電分解すると著しい高い成膜速
度が得られ、これによって製造効率及び製造コストが改
善される。
更に本発明の製法によれば、層厚方向に亘って炭素及び
Va族元素の含有量を変えることによって表面電位を向
上させると共に光感度特性を高め、且つ残留電位を顕著
に小さくすることができる。
Va族元素の含有量を変えることによって表面電位を向
上させると共に光感度特性を高め、且つ残留電位を顕著
に小さくすることができる。
特に、炭素の含有量を層厚方向に亘って変えると、抵抗
率が制御されて所要の層領域が得られ、その結果、格段
に高性能な電子写真感光体が提供できる。
率が制御されて所要の層領域が得られ、その結果、格段
に高性能な電子写真感光体が提供できる。
また、本発明の製法によれば、負極性に有利に帯電する
ことができる負極性用電子写真感光体が提供される。
ことができる負極性用電子写真感光体が提供される。
更に、従来のa−Si感光体を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に流点が生
じるという問題があったが、本発明の製法によれば、a
−Stの誘電率が8−12であるのに対してa−SiC
はε・7と約半分程度であるために帯電能に優れており
、これにより、表面電位を高くしても何ら上記の放電破
壊が発生しなくなり、その結果、高品質且つ高信頼性の
電子写真感光体が提供される。
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に流点が生
じるという問題があったが、本発明の製法によれば、a
−Stの誘電率が8−12であるのに対してa−SiC
はε・7と約半分程度であるために帯電能に優れており
、これにより、表面電位を高くしても何ら上記の放電破
壊が発生しなくなり、その結果、高品質且つ高信頼性の
電子写真感光体が提供される。
また、本発明の電子写真感光体の製法によれば、それ自
体で帯電能及び耐環境性に優れていることから特に保護
層を設ける必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或
いは現像剤の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等
によって表面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩
剤等で研摩再生を繰り返し行ってもその研摩量において
制限を受けずに感光体の初期特性を維持することができ
、それによって初期における良好な画像を長期に亘り安
定して供給することが可能となる。
体で帯電能及び耐環境性に優れていることから特に保護
層を設ける必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或
いは現像剤の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等
によって表面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩
剤等で研摩再生を繰り返し行ってもその研摩量において
制限を受けずに感光体の初期特性を維持することができ
、それによって初期における良好な画像を長期に亘り安
定して供給することが可能となる。
更に本発明の製法により得られる電子写真感光体を、従
来のa−Si感光体と比較して場合、このa−Si感光
体の問題点として耐湿性に劣っているので画像流れが生
じ易く、また、帯電能に劣っているのでゴースト現象が
発生するが、これを解決するためにa−Si感光体の使
用時にヒータを用いてその感光体を加熱し、その発生を
防止している。
来のa−Si感光体と比較して場合、このa−Si感光
体の問題点として耐湿性に劣っているので画像流れが生
じ易く、また、帯電能に劣っているのでゴースト現象が
発生するが、これを解決するためにa−Si感光体の使
用時にヒータを用いてその感光体を加熱し、その発生を
防止している。
これに対して本発明の製法に係る電子写真感光体は耐湿
性且つ帯電能に優れているために上記のようにヒータを
用いて使用する必要はないという長所がある。
性且つ帯電能に優れているために上記のようにヒータを
用いて使用する必要はないという長所がある。
また、本発明の電子写真感光体の製法はa−5i悪感光
と比べて炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特
性(ピーク600〜700nm )が得られると共に光
感度自体を増大させることができ、更に必要に応じて不
純物元素をドーピングすれば長波長側の増感も可能にな
るという利点がある。
と比べて炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特
性(ピーク600〜700nm )が得られると共に光
感度自体を増大させることができ、更に必要に応じて不
純物元素をドーピングすれば長波長側の増感も可能にな
るという利点がある。
第1図は本発明の製法に係る電子写真感光体の層構成を
示す説明図、第2図は従来の電子写真感光体の層構造を
示す説明図、第3図は本発明に係る第1の態様の感光体
の層領域を示す説明図、第4図、第5図、第6図、第7
図、第8図及び第9図はそれぞれ本発明に係る第1の態
様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第10図は本発
明に係る第2の態様の感光体の1IHJf域を示す説明
図、第11図、第12図、第13図、第14図、第15
図及び第16図はそれぞれ本発明に係る第2の態様の感
光体の炭素含有量を示す説明図、第17図は本発明に係
る第3の態様の感光体の層領域を示す説明図、第18図
、第19図、第20図及び第21図はそれぞれ本発明に
係る第3の態様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第
22図は本発明に係る第4の態様の感光体の層領域を示
す説明図、第23図及び第24図は本発明に係る第4の
態様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第25図は本
発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装
置の説明図、第26図はC2H2ガスの流量比率に対す
る導電率を示す線図、第27図はPH,ガス及びB、e
)1mガスのそれぞれの流量比率に対する導電率を示す
線図、第28図はアモルファスシリコンカーバイド層の
分光感度特性を示す線図、第29図はアモルファスシリ
コンカーバイド層の暗減衰及び光減衰を示す線図、第3
0図は第3の態様のアモルファスシリコンカーバイド層
の暗減衰及び光減衰を示す線図、第31図はC,H,ガ
スの流量比率に対する成膜速度を示す線図、第32図は
C,lI□ガスの流量比率に対する水素原子の結合比率
を示す線図である。 1・・・基板 5.5a、5b、5c・・・・光導電性アモルファスシ
リコンカーバイド層 6・・・第1のN領域 7・・・第2の層領域 8・・・第3の層領域 9・・・第4の層領域 10・・・アモルファスシリコンカーバイド表面保!i
層 特許出願人 (663)京セラ株式会社同 河村
孝夫
示す説明図、第2図は従来の電子写真感光体の層構造を
示す説明図、第3図は本発明に係る第1の態様の感光体
の層領域を示す説明図、第4図、第5図、第6図、第7
図、第8図及び第9図はそれぞれ本発明に係る第1の態
様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第10図は本発
明に係る第2の態様の感光体の1IHJf域を示す説明
図、第11図、第12図、第13図、第14図、第15
図及び第16図はそれぞれ本発明に係る第2の態様の感
光体の炭素含有量を示す説明図、第17図は本発明に係
る第3の態様の感光体の層領域を示す説明図、第18図
、第19図、第20図及び第21図はそれぞれ本発明に
係る第3の態様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第
22図は本発明に係る第4の態様の感光体の層領域を示
す説明図、第23図及び第24図は本発明に係る第4の
態様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第25図は本
発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装
置の説明図、第26図はC2H2ガスの流量比率に対す
る導電率を示す線図、第27図はPH,ガス及びB、e
)1mガスのそれぞれの流量比率に対する導電率を示す
線図、第28図はアモルファスシリコンカーバイド層の
分光感度特性を示す線図、第29図はアモルファスシリ
コンカーバイド層の暗減衰及び光減衰を示す線図、第3
0図は第3の態様のアモルファスシリコンカーバイド層
の暗減衰及び光減衰を示す線図、第31図はC,H,ガ
スの流量比率に対する成膜速度を示す線図、第32図は
C,lI□ガスの流量比率に対する水素原子の結合比率
を示す線図である。 1・・・基板 5.5a、5b、5c・・・・光導電性アモルファスシ
リコンカーバイド層 6・・・第1のN領域 7・・・第2の層領域 8・・・第3の層領域 9・・・第4の層領域 10・・・アモルファスシリコンカーバイド表面保!i
層 特許出願人 (663)京セラ株式会社同 河村
孝夫
Claims (3)
- (1)アモルファスシリコンカーバイド生成用ガスをグ
ロー放電分解して負極性に帯電可能な光導電性アモルフ
ァスシリコンカーバイド層を基板上に形成した電子写真
感光体の製法において、前記ガスはアセチレン及びケイ
素含有ガスから成り、そのガス組成比を0.01:1乃
至3:1の範囲内に設定し、且つ周期律表第Va族元素
含有ガスを含有させると共に成膜中にこの含有比率を小
さくしたことを特徴とする電子写真感光体の製法。 - (2)前記アモルファスシリコンカーバイド層は1乃至
90原子%の炭素を含有していることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)記載の電子写真感光体の製法。 - (3)前記アモルファスシリコンカーバイド層は1乃至
90原子%の炭素と5乃至50原子%の水素を含項記載
の電子写真感光体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22895386A JPS6382418A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 電子写真感光体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22895386A JPS6382418A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 電子写真感光体の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382418A true JPS6382418A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16884443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22895386A Pending JPS6382418A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 電子写真感光体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6382418A (ja) |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP22895386A patent/JPS6382418A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6382418A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6382417A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6382419A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6381439A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6381441A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6382421A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6382423A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JP2657490B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6382416A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP2657491B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63104062A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6382420A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6382422A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6382424A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPS6381440A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6381438A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6381442A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6381444A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6381443A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63104063A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63108347A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPH01271761A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63108348A (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
JPH0789233B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH01274155A (ja) | 電子写真感光体 |