JPS63108347A - 電子写真感光体の製法 - Google Patents
電子写真感光体の製法Info
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- JPS63108347A JPS63108347A JP25426286A JP25426286A JPS63108347A JP S63108347 A JPS63108347 A JP S63108347A JP 25426286 A JP25426286 A JP 25426286A JP 25426286 A JP25426286 A JP 25426286A JP S63108347 A JPS63108347 A JP S63108347A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体の製法に関し、特に負極性に帯電
可能な電子写真感光体の製法に関するものである。
ら成る電子写真感光体の製法に関し、特に負極性に帯電
可能な電子写真感光体の製法に関するものである。
近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体を搭
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている、この要求に対してア
モルファスシリコン層が耐熱性、耐摩耗性、無公害性並
びに光感度特性等に優れているという理由から注目され
ている。
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている、この要求に対してア
モルファスシリコン層が耐熱性、耐摩耗性、無公害性並
びに光感度特性等に優れているという理由から注目され
ている。
しかし乍ら、アモルファスシリコン(以下、a−5iと
略す)層は、それに何ら不純物元素をドーピングしない
と約10’Ω・C−の暗抵抗率しか得られず、これを電
子写真用感光体に用いる場合には1012Ω・C−以上
の暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。そ
のために酸素や窒素などの元素を微少量ドーピングして
高抵抗化にし得るが、その反面、光導電性が低下すると
いう問題がある、また、ホウ素などを添加しても高抵抗
化が期待できるが、十分に満足し得るような暗抵抗率が
得られず約10”Ω・cm程度にすぎない。
略す)層は、それに何ら不純物元素をドーピングしない
と約10’Ω・C−の暗抵抗率しか得られず、これを電
子写真用感光体に用いる場合には1012Ω・C−以上
の暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。そ
のために酸素や窒素などの元素を微少量ドーピングして
高抵抗化にし得るが、その反面、光導電性が低下すると
いう問題がある、また、ホウ素などを添加しても高抵抗
化が期待できるが、十分に満足し得るような暗抵抗率が
得られず約10”Ω・cm程度にすぎない。
一方、上記の如きドーピング剤の開発と共に、a−斜光
導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体が
提案されている。
導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体が
提案されている。
例えば、第2図はこの積層型感光体であり、基板(1)
の上にキャリア注入阻止層(2) 、a−3t光導電層
(3)及び表面保護層(4)が順次積層されている。
の上にキャリア注入阻止層(2) 、a−3t光導電層
(3)及び表面保護層(4)が順次積層されている。
この積層型光体によれば、キャリア注入阻止層(2)は
基板(1)からのキャリアの注入を阻止するものであり
、表面保護層(4)はa−5t光導電層(3)を保護し
て耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層(2)
及び(4)ともに感光体の暗抵抗率を大きくして帯電能
を高めることが目的であり、そのためにこれらの層を光
導電性にする必要はない。
基板(1)からのキャリアの注入を阻止するものであり
、表面保護層(4)はa−5t光導電層(3)を保護し
て耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層(2)
及び(4)ともに感光体の暗抵抗率を大きくして帯電能
を高めることが目的であり、そのためにこれらの層を光
導電性にする必要はない。
このように従来周知のa−3i電子写真感光体は光キヤ
リア発生層をa−3i光導電層により形成させた点に大
きな特徴があり、これによって耐熱性、耐久性及び光怒
度特性などに優れた長所を有している反面、暗抵抗率が
不十分である元めにドーピング剤を用いたり、更に積層
型感光体にすることで暗抵抗率を大きくしている。即ち
、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層(2)
及び表面保護層(4)はa−5i光導電層自体が有する
欠点を補完するものであり、a−Si光導電層(3)と
実質上区別し得る層と言える。
リア発生層をa−3i光導電層により形成させた点に大
きな特徴があり、これによって耐熱性、耐久性及び光怒
度特性などに優れた長所を有している反面、暗抵抗率が
不十分である元めにドーピング剤を用いたり、更に積層
型感光体にすることで暗抵抗率を大きくしている。即ち
、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層(2)
及び表面保護層(4)はa−5i光導電層自体が有する
欠点を補完するものであり、a−Si光導電層(3)と
実質上区別し得る層と言える。
本発明者等は上記事情に鑑みて、既にアモルファスシリ
コンカーバイド(以下、a−5iCと略す)は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に10+3Ω・ca+以上になり、更にドーピン
グ剤の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体
と成り得ることを見い出した。
コンカーバイド(以下、a−5iCと略す)は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に10+3Ω・ca+以上になり、更にドーピン
グ剤の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体
と成り得ることを見い出した。
上記a−3iC層が電子写真感光体と成り得た理由は、
その層が大きなキャリア移動度をもち、更に10− ”
’ (Ω・cm)−’以下の暗導電率であり、これに
よって大きな帯電能が得られたためである。
その層が大きなキャリア移動度をもち、更に10− ”
’ (Ω・cm)−’以下の暗導電率であり、これに
よって大きな帯電能が得られたためである。
しかしながら、このように大きなキャリア移動度をもつ
a−3iC電子写真感光体であっても、光源の波長によ
っては未だ満足し得る電子写真特性が得られていない0
例えば蛍光灯等の一般的な投光源(分光スペクトルが比
較的短波長側ヘシフトしている)を除電用光源に用いた
場合、画像露光時の光メモリー効果によってゴースト現
象(先の画像が完全に除去されずに残存し、次の画像形
成に伴って先の画像が再び現れる現象をいう)が生じ易
くなる傾向にある。
a−3iC電子写真感光体であっても、光源の波長によ
っては未だ満足し得る電子写真特性が得られていない0
例えば蛍光灯等の一般的な投光源(分光スペクトルが比
較的短波長側ヘシフトしている)を除電用光源に用いた
場合、画像露光時の光メモリー効果によってゴースト現
象(先の画像が完全に除去されずに残存し、次の画像形
成に伴って先の画像が再び現れる現象をいう)が生じ易
くなる傾向にある。
このような問題を解決するためには長波長の光を発する
光源を除電用光源に用いて露光を増大させることが有効
であり、これに適した光源として発光ダイオードアレイ
がある。ところが、このダイオードアレイを用いた場合
、ゴースト現象が生じないように強露光照射を行うと、
これに伴って帯電能が低下したり、暗減衰が増大すると
いう問題が生じる。更に、製造コスト面から見た場合、
発光ダイオードは蛍光灯に比べて格段に高価であり、低
コストな光源が望まれる。
光源を除電用光源に用いて露光を増大させることが有効
であり、これに適した光源として発光ダイオードアレイ
がある。ところが、このダイオードアレイを用いた場合
、ゴースト現象が生じないように強露光照射を行うと、
これに伴って帯電能が低下したり、暗減衰が増大すると
いう問題が生じる。更に、製造コスト面から見た場合、
発光ダイオードは蛍光灯に比べて格段に高価であり、低
コストな光源が望まれる。
従って本発明は畝上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的は表面像i層及びキャリア注入阻止層を実質上不
要とし、全層に亘って光導電性a。
の目的は表面像i層及びキャリア注入阻止層を実質上不
要とし、全層に亘って光導電性a。
SiCと成し、且つゴースト現象の発生を防止すること
ができた電子写真感光体の製法を提供することにある。
ができた電子写真感光体の製法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は負極性に帯電可能な電子写真感
光体の製法を提供することにある。
光体の製法を提供することにある。
本発明によれば、アセチレン及びケイ素含有ガスから成
ると共にこのガス組成比が0.01:1乃至3:1の範
囲内に設定され、これらのガス流量の合計量に対して5
倍以下のヘリ・ラムガスを配合し、且つ0乃至1モルχ
の周期律表第Va族元素(以下、■a族元素と略す)含
有ガスを含むa−5iC生成用ガスをグロー放電分解し
て基板上に負極性に帯電可能なa−3iC@を形成する
ことを特徴とする電子写真感光体の製法が提供される。
ると共にこのガス組成比が0.01:1乃至3:1の範
囲内に設定され、これらのガス流量の合計量に対して5
倍以下のヘリ・ラムガスを配合し、且つ0乃至1モルχ
の周期律表第Va族元素(以下、■a族元素と略す)含
有ガスを含むa−5iC生成用ガスをグロー放電分解し
て基板上に負極性に帯電可能なa−3iC@を形成する
ことを特徴とする電子写真感光体の製法が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の製法によれば、a−5iC生成用ガスにHeを
含有することを特徴とするものであり、また、グロー放
電分解法によってczozガス及びSi含有ガスから基
板上に光導電性a−5iC層を形成させると大きな暗抵
抗率が得られ、更にa−SiC生成用ガスにVa族元素
ガスを0乃至1モルχ含有させると負極性に有利に帯電
する感光体と成り得ることば既に本発明者等が提案した
通りである。
含有することを特徴とするものであり、また、グロー放
電分解法によってczozガス及びSi含有ガスから基
板上に光導電性a−5iC層を形成させると大きな暗抵
抗率が得られ、更にa−SiC生成用ガスにVa族元素
ガスを0乃至1モルχ含有させると負極性に有利に帯電
する感光体と成り得ることば既に本発明者等が提案した
通りである。
即ち、第1図によれば導電性基板(1)上に、例えばグ
ロー放電分解法によって光導電性a−3iC層(5)を
形成したものであり、この層厚方向に亘うて炭素とVa
族元素をそれぞれ同一含有比率で含有させている。これ
によって暗抵抗率が101!Ω・011以上となると共
に明抵抗率に比べて1000倍以上となることを見い出
し、この知見に基づく後述する実施例から明らかな通り
、この単一組成の層だけで十分に実用性のあるa−3i
C感光体と成り得たことは予想外の成果であった。
ロー放電分解法によって光導電性a−3iC層(5)を
形成したものであり、この層厚方向に亘うて炭素とVa
族元素をそれぞれ同一含有比率で含有させている。これ
によって暗抵抗率が101!Ω・011以上となると共
に明抵抗率に比べて1000倍以上となることを見い出
し、この知見に基づく後述する実施例から明らかな通り
、この単一組成の層だけで十分に実用性のあるa−3i
C感光体と成り得たことは予想外の成果であった。
更に本発明者等はこのa−SiC感光体を正極性又は負
極性に帯電させて両者の帯電性能を比較した場合、この
a−3ICI!(5)にVa族元素を0乃至10、 o
ooppmの範囲、好適にはO乃至1000ppa+の
範囲内でドーピングすると負極性で有利に帯電能を高め
ることができることも見い出した。
極性に帯電させて両者の帯電性能を比較した場合、この
a−3ICI!(5)にVa族元素を0乃至10、 o
ooppmの範囲、好適にはO乃至1000ppa+の
範囲内でドーピングすると負極性で有利に帯電能を高め
ることができることも見い出した。
このようにVa族元素のドーピングによって負極性に帯
電し易くなる点については、未だ解明されておらず、推
論の域を脱し得ないが、a−SiC層が負電荷を保持す
るのに十分に高い抵抗率をもち、また、基板からの正電
荷の注入を防ぐ効果にも優れ、更に負電荷に対する電荷
移動度が優れている等の理由によると考えられる。
電し易くなる点については、未だ解明されておらず、推
論の域を脱し得ないが、a−SiC層が負電荷を保持す
るのに十分に高い抵抗率をもち、また、基板からの正電
荷の注入を防ぐ効果にも優れ、更に負電荷に対する電荷
移動度が優れている等の理由によると考えられる。
また、このVa族元素としてはN、P、As、Sb、B
i等があるが、就中、Pが共存結合性に優れて半導体特
性を敏感に変え得る点で望ましい。
i等があるが、就中、Pが共存結合性に優れて半導体特
性を敏感に変え得る点で望ましい。
上記のようにVa族元素をドーピングさせるに当たって
は、a−3iC生成用ガスに0乃至1モル2、好適には
O乃至0.1モルχのVa族元素ガスを含有させるとよ
く、これによって上記の所要の範囲内にドーピングさせ
ることが可能となる。また、Va族元素をドープするに
当たってはN!、NH3,PHs、Al113.5bH
s等が用いられる。
は、a−3iC生成用ガスに0乃至1モル2、好適には
O乃至0.1モルχのVa族元素ガスを含有させるとよ
く、これによって上記の所要の範囲内にドーピングさせ
ることが可能となる。また、Va族元素をドープするに
当たってはN!、NH3,PHs、Al113.5bH
s等が用いられる。
本発明のa−3iC層が光導電性を有するようになった
点については、アモルファス化したケイ素と炭素を不可
欠な構成元素とし、更にそのダングリングボンドを終端
させるべく水素元素(H)やハロゲン元素を所要の範囲
内で含有させることによって光導電性が生じるものと考
えられる0本発明者等が炭素の含有比率を幾通りにも変
えて光導電性の有無を確かめる実験を行うたところ、a
−SiC層(5)中に炭素を1乃至90原子χ、好適に
は5乃至50原子χの範囲内で含有させるとよく、或い
はこの範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量を変えても
よい。
点については、アモルファス化したケイ素と炭素を不可
欠な構成元素とし、更にそのダングリングボンドを終端
させるべく水素元素(H)やハロゲン元素を所要の範囲
内で含有させることによって光導電性が生じるものと考
えられる0本発明者等が炭素の含有比率を幾通りにも変
えて光導電性の有無を確かめる実験を行うたところ、a
−SiC層(5)中に炭素を1乃至90原子χ、好適に
は5乃至50原子χの範囲内で含有させるとよく、或い
はこの範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量を変えても
よい。
また、水素元素(H)やハロゲン元素の含有量は5乃至
50原子χ、好適には5乃至40原子χ、最適には10
乃至30原子χがよく、通常、■元素が用いられている
。このH元素はダングリングボンドの終端部に取り込ま
れ易いのでバンドギャップ中の局在準位密度を低減化さ
せ、これにより、優れた半導体特性が得られる。
50原子χ、好適には5乃至40原子χ、最適には10
乃至30原子χがよく、通常、■元素が用いられている
。このH元素はダングリングボンドの終端部に取り込ま
れ易いのでバンドギャップ中の局在準位密度を低減化さ
せ、これにより、優れた半導体特性が得られる。
更にこのH元素の一部をハロゲン元素に置換してもよく
、これにより、a−3iC層の局在準位密度を下げて光
導電性及び耐熱性(温度特性)を高めることができる。
、これにより、a−3iC層の局在準位密度を下げて光
導電性及び耐熱性(温度特性)を高めることができる。
その置換比率はダングリングボンド終端用全元素中0.
Ol乃至50原子χ、好適には1乃至30原子χがよい
、また、ハロゲン元素にはFtC1+Br、I、八を等
があるが、就中、Fを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。
Ol乃至50原子χ、好適には1乃至30原子χがよい
、また、ハロゲン元素にはFtC1+Br、I、八を等
があるが、就中、Fを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。
本発明の製法によれば、a−3iC生成用ガスにC,H
,及びSi含有ガスの合計流量に対して5倍以下、好適
には0.5乃至3倍のHeガスを含有することを特徴と
しており、これにより、グロー放電分解に当たって電離
電圧が大きくなり、励起エネルギーが増大し、このよう
にしてプラズマ温度が上昇し、その結果、この雰囲気が
a−SiCRの生成に有利に作用して膜質が改善され、
ゴースト現象が解消される。そして、このようなa−5
iCNの改質現象は単にゴースト現象の解消だけではな
(、光感度や表面電位等の電子写真特性の全般に亘って
有利に作用する。
,及びSi含有ガスの合計流量に対して5倍以下、好適
には0.5乃至3倍のHeガスを含有することを特徴と
しており、これにより、グロー放電分解に当たって電離
電圧が大きくなり、励起エネルギーが増大し、このよう
にしてプラズマ温度が上昇し、その結果、この雰囲気が
a−SiCRの生成に有利に作用して膜質が改善され、
ゴースト現象が解消される。そして、このようなa−5
iCNの改質現象は単にゴースト現象の解消だけではな
(、光感度や表面電位等の電子写真特性の全般に亘って
有利に作用する。
上記の如き光導電性a−3iC1i(5)の厚みは、少
なくとも5μm以上あればよく、これによって表面電位
が一200v以上となり、更に画像の分解能及び画像流
れが生じない範囲内でその上限が適宜選ばれており、本
発明者等の実験によれば、5乃至100μm、好適には
lO乃至50μ−の範囲内に設定するとよい。
なくとも5μm以上あればよく、これによって表面電位
が一200v以上となり、更に画像の分解能及び画像流
れが生じない範囲内でその上限が適宜選ばれており、本
発明者等の実験によれば、5乃至100μm、好適には
lO乃至50μ−の範囲内に設定するとよい。
更に、このa−5iC層の暗減衰曲線及び光減衰曲線を
求めたところ、高い表面電位をもつと共に優れた光感度
特性を有し、また、残留電位が小さくなっていることを
確かめた。
求めたところ、高い表面電位をもつと共に優れた光感度
特性を有し、また、残留電位が小さくなっていることを
確かめた。
また本発明者等は、上記の電子写真感光体を製作するに
当たってグロー放電分解法に基づいてC8H8ガス及び
si含有ガスを所定の比率で混合させるとよ(、これに
より、a−5iC層が高速に成膜され、且つ光導電性を
有する。
当たってグロー放電分解法に基づいてC8H8ガス及び
si含有ガスを所定の比率で混合させるとよ(、これに
より、a−5iC層が高速に成膜され、且つ光導電性を
有する。
即ち、C1□とSi含有ガスをグロー放電領域に導入す
るに当たってこのガス組成比を0.01:1乃至3:1
の範囲内に、好適には0.05:1乃至l:1、最適に
は0.05:1乃至0.3:1の範囲内に設定すればよ
く、0.01=1の比率から外れた場合には暗抵抗率が
IQIIΩ・C■以下となって電荷保持能が十分でなく
、大きな帯電電位を得ることがな(なり、3:1の比率
から外れた場合には膜中のダングリングボンドが増加し
て暗抵抗率が101Ω・cm以下となる。
るに当たってこのガス組成比を0.01:1乃至3:1
の範囲内に、好適には0.05:1乃至l:1、最適に
は0.05:1乃至0.3:1の範囲内に設定すればよ
く、0.01=1の比率から外れた場合には暗抵抗率が
IQIIΩ・C■以下となって電荷保持能が十分でなく
、大きな帯電電位を得ることがな(なり、3:1の比率
から外れた場合には膜中のダングリングボンドが増加し
て暗抵抗率が101Ω・cm以下となる。
前記Si含有ガスとして5iH1,5itH*+5iJ
3,5iFa。
3,5iFa。
5iC1*−3illC1s等々があり、就中、SiH
*、Si!Hiはそれ自身SiがHと結合しているため
膜中にHがとり込まれやす(膜中のダングリングボンド
を低減し光導電性を向上させる点で望ましい。
*、Si!Hiはそれ自身SiがHと結合しているため
膜中にHがとり込まれやす(膜中のダングリングボンド
を低減し光導電性を向上させる点で望ましい。
また、前記ダングリングボンド終端用元素としてHを用
いる場合には、IK!ガスはCALガス及びSiH4ガ
スの流量合計値に対して3倍以下、好適には2倍以下に
配合すればよ(、これから外れると膜中の水素が過剰と
なって感光体に要求される電気的特性が劣化する。
いる場合には、IK!ガスはCALガス及びSiH4ガ
スの流量合計値に対して3倍以下、好適には2倍以下に
配合すればよ(、これから外れると膜中の水素が過剰と
なって感光体に要求される電気的特性が劣化する。
本発明の製法によれば、上述した通りの製造条件によっ
てa−3iC層を生成するに当たっては、グロー放電用
の高周波電力、反応室内部のガス圧及び基板温度を次の
通りに設定するのがよい。
てa−3iC層を生成するに当たっては、グロー放電用
の高周波電力、反応室内部のガス圧及び基板温度を次の
通りに設定するのがよい。
即ち、高周波電力は0.05乃至0.5賛八@富の範囲
に設定すればよ< 、0.05w1ca”未満であると
成膜速度が小さくなり、0.5W/c@”を超えるとプ
ラズマダメージによって膜質が低下してキャリア移動度
が小さくなる。また、ガス圧は0.1乃至2.QTor
rの範囲に設定すればよ< 、0.ITorr未満であ
ると成膜速度が小さくなり、2.・0Torrを趨える
と放電が不安定となる。更に、基板温度はa−Si:H
膜の成膜形成に比べて30乃至80℃位高(するのがよ
(、望ましくは200乃至400℃の範囲がよい、この
基板温度が200℃未満であれば、SiとCのネットワ
ーク化が阻害され、400℃を超えると水素の脱離が著
しくなって暗抵抗率が小さくなる。
に設定すればよ< 、0.05w1ca”未満であると
成膜速度が小さくなり、0.5W/c@”を超えるとプ
ラズマダメージによって膜質が低下してキャリア移動度
が小さくなる。また、ガス圧は0.1乃至2.QTor
rの範囲に設定すればよ< 、0.ITorr未満であ
ると成膜速度が小さくなり、2.・0Torrを趨える
と放電が不安定となる。更に、基板温度はa−Si:H
膜の成膜形成に比べて30乃至80℃位高(するのがよ
(、望ましくは200乃至400℃の範囲がよい、この
基板温度が200℃未満であれば、SiとCのネットワ
ーク化が阻害され、400℃を超えると水素の脱離が著
しくなって暗抵抗率が小さくなる。
かくして層厚方向に亘って単一組成の光導電性a−5i
Cliだけで十分に実用と成り得る電子写真感光体が提
供される。
Cliだけで十分に実用と成り得る電子写真感光体が提
供される。
そこで、本発明者等は上記の結果を踏まえて、更に鋭意
研究に努めたところ、この単一組成の層内部に種々の層
領域を生成させることによって電子写真特性を更に向上
し得ることを見い出した。
研究に努めたところ、この単一組成の層内部に種々の層
領域を生成させることによって電子写真特性を更に向上
し得ることを見い出した。
即ち、本発明の製法においては、構成元素である炭素又
はVa族元素の含有比率を層厚方向に亘って変化させ、
これによって複数の層領域を生成させ、この層領域の数
に対応して下記の第1の態様乃至第4の態様までの電子
写真感光体の製法が得られる。
はVa族元素の含有比率を層厚方向に亘って変化させ、
これによって複数の層領域を生成させ、この層領域の数
に対応して下記の第1の態様乃至第4の態様までの電子
写真感光体の製法が得られる。
本発明によれば、このような態様の中で、基板側から感
光体表面側へ向けて第1の層領域、第2の層領域、必要
に応じて第3の層領域、第4の層領域を生成させ、少な
くとも第2の層領域及び第3の層領域の形成時にa−3
iC生成用ガス中にlieを含有させることを特徴とす
るものであり、これによってゴースト現象が生じなくな
る。
光体表面側へ向けて第1の層領域、第2の層領域、必要
に応じて第3の層領域、第4の層領域を生成させ、少な
くとも第2の層領域及び第3の層領域の形成時にa−3
iC生成用ガス中にlieを含有させることを特徴とす
るものであり、これによってゴースト現象が生じなくな
る。
以下、本発明の製法を第1の態様及び第2の態様につい
て詳細に述べ、第3の様態及び第4の態様はこれに準す
るものとする。
て詳細に述べ、第3の様態及び第4の態様はこれに準す
るものとする。
蚤上東皿植
第1の態様によれば、a−5iC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5iCJW
を基板上に形成した電子写真感光体の製法にあって、前
記ガスはcant及びSi含有ガスから成り、そのガス
組成比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、且
つVa族元素含をガスを含有させると共に成膜中にこの
含有比率を小さくしたことを特徴とする電子写真感光体
の製法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5iCJW
を基板上に形成した電子写真感光体の製法にあって、前
記ガスはcant及びSi含有ガスから成り、そのガス
組成比を0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、且
つVa族元素含をガスを含有させると共に成膜中にこの
含有比率を小さくしたことを特徴とする電子写真感光体
の製法が提供される。
即ち、この第1の態様によれば、第1図に示した単一組
成の光導電性a−3iC層に対してVa族元素を含有さ
せ、その含有比率を変えることにより少なくとも第1の
層領域及び第2の層領域を生成させるものであり、この
態様を第3図乃至第9図により説明する。
成の光導電性a−3iC層に対してVa族元素を含有さ
せ、その含有比率を変えることにより少なくとも第1の
層領域及び第2の層領域を生成させるものであり、この
態様を第3図乃至第9図により説明する。
第3図においては導電性基板(1)上に第1の層5領域
(6)及び第2の層領域(7)を順次形成し、両者の層
領域が一体化した光導電性a−3iC層(5a)から成
っており、そして、第1の層領域(6)には第2の層領
域(7)に比べてVa族元素が多く含まれていると共に
第2の層領域(7)の形成時にa−5iC生成用中にH
eガスを所定量含有することが重要である。
(6)及び第2の層領域(7)を順次形成し、両者の層
領域が一体化した光導電性a−3iC層(5a)から成
っており、そして、第1の層領域(6)には第2の層領
域(7)に比べてVa族元素が多く含まれていると共に
第2の層領域(7)の形成時にa−5iC生成用中にH
eガスを所定量含有することが重要である。
第2の層領域(7)はVa族元素の含有量が0乃至10
.000ppmの範囲内で、好適には0乃至1 、 G
o。
.000ppmの範囲内で、好適には0乃至1 、 G
o。
ppa+の範囲内で適宜法められ、これによって負極性
に帯電すると共に表面電位、光感度特性等の所要な電子
写真特性が得られる。そして、この層領域よりもVa族
元素を多く含有した第1の層領域(6)を形成すると光
導電性a−3iC層(5a)の基板側領域で導電率が大
きくなり、これにより、基板側からのキャリアの注入が
阻止されると共にa−5iC層の全領域で発生した光キ
ャリアが基板へ円滑に流れ、その結果、表面電位が大き
くなると共に光感度特性が向上する。
に帯電すると共に表面電位、光感度特性等の所要な電子
写真特性が得られる。そして、この層領域よりもVa族
元素を多く含有した第1の層領域(6)を形成すると光
導電性a−3iC層(5a)の基板側領域で導電率が大
きくなり、これにより、基板側からのキャリアの注入が
阻止されると共にa−5iC層の全領域で発生した光キ
ャリアが基板へ円滑に流れ、その結果、表面電位が大き
くなると共に光感度特性が向上する。
更にこの第2の層領域(7)の形成に当たって、a−3
iC生成用ガス中にHeガスをC1!及びSi含有ガス
の合計流量に対して5倍以下、好適には0.5乃至3倍
の範囲内に含有させるとよく、これにより、ゴースト現
象が生じなくなる。
iC生成用ガス中にHeガスをC1!及びSi含有ガス
の合計流量に対して5倍以下、好適には0.5乃至3倍
の範囲内に含有させるとよく、これにより、ゴースト現
象が生じなくなる。
この第1の層領域(6)はその領域全体に亘って光導電
性を有しており、これによって第2図に示した従来のa
−Si電子写真感光体のキャリア注入阻止層(2)と区
別し得る。
性を有しており、これによって第2図に示した従来のa
−Si電子写真感光体のキャリア注入阻止層(2)と区
別し得る。
即ち、第1の層領域(6)はその領域全体の光導電性に
よって光感度特性を全般に亘って向上させる。特に第1
の層領域(6)に到達し易い比較的長波長な光に対して
は優れた光感度特性が得られ、これにより半導体レーザ
ーを記録用光源とした電子写真感光体に好適となる。
よって光感度特性を全般に亘って向上させる。特に第1
の層領域(6)に到達し易い比較的長波長な光に対して
は優れた光感度特性が得られ、これにより半導体レーザ
ーを記録用光源とした電子写真感光体に好適となる。
また、従来のa;Si電子写真感光体によれば、前記キ
ャリア注入阻止層(2)の層厚をa−3t光導電層(3
)に介して175倍以下に設定するのに対して、本発明
の製法によれば、第1の層領域(6)の層厚は第2の層
領域(7)に比べて光感度特性を向上させることができ
、その好適な層厚比は1/2以下、最適には1八以下に
設定するのがよい。
ャリア注入阻止層(2)の層厚をa−3t光導電層(3
)に介して175倍以下に設定するのに対して、本発明
の製法によれば、第1の層領域(6)の層厚は第2の層
領域(7)に比べて光感度特性を向上させることができ
、その好適な層厚比は1/2以下、最適には1八以下に
設定するのがよい。
更に第1の態様によれば、炭素含有量を第4図乃至第9
図に示す通りに設定してもよい、これらの図において、
横軸は基板から感光体表°面に至る層厚を示し、縦軸は
炭素含有量を示している。尚、この横軸において(6)
、 (7)に示すそれぞれの範囲は第1の層領域及び
第2の層領域を表している。
図に示す通りに設定してもよい、これらの図において、
横軸は基板から感光体表°面に至る層厚を示し、縦軸は
炭素含有量を示している。尚、この横軸において(6)
、 (7)に示すそれぞれの範囲は第1の層領域及び
第2の層領域を表している。
即ち、第4図は炭素含有比率が全層に亘って一定であり
、或いは第5図は第1の層領域で炭素含有量を少なくし
ており、これに対して第6図乃至第9図は第1の層領域
が第2の層領域に比べて炭素が多(含有されていること
を示すものであり、これによって表面電位が一段と高(
なって光感度特性が向上する。また、第7図乃至第9図
のように炭素の含有量を層厚方向に亘って漸次変えると
表面電位及び光感度を一層高め且つ残留電位が小さくな
る。
、或いは第5図は第1の層領域で炭素含有量を少なくし
ており、これに対して第6図乃至第9図は第1の層領域
が第2の層領域に比べて炭素が多(含有されていること
を示すものであり、これによって表面電位が一段と高(
なって光感度特性が向上する。また、第7図乃至第9図
のように炭素の含有量を層厚方向に亘って漸次変えると
表面電位及び光感度を一層高め且つ残留電位が小さくな
る。
]1Jul像
第2の態様によれば、a−3iC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5iC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記
ガスはC!Hz及びSi含有ガスから成りそのガス組成
比を0.、01 : 1乃至3:1の範囲内に設定し、
成膜中にCtH,含有組成比を変えて前記a−StC層
に少なくとも第1の領域、第2の層領域及び第3の領域
を具備させ、第1の層領域は第2のN領域より基板側に
、第2の層領域は第3の層領域より基板側にそれぞれ配
置され、第3のMA el域は第2の層領域に比べて炭
素が多く含まれ、且つ前記第2のN領域の形成時に前記
a−5iC生成用ガスに0乃至1モルχのVa族元素含
有ガスを含むとともに第1の層領域の形成時にa−5i
C生成用ガス中におけるVa族元素含有ガスの占める割
合が第2の層領域の形成時に比べて大きいことを特徴と
する電子写真感光体の製法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−5iC層を
基板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記
ガスはC!Hz及びSi含有ガスから成りそのガス組成
比を0.、01 : 1乃至3:1の範囲内に設定し、
成膜中にCtH,含有組成比を変えて前記a−StC層
に少なくとも第1の領域、第2の層領域及び第3の領域
を具備させ、第1の層領域は第2のN領域より基板側に
、第2の層領域は第3の層領域より基板側にそれぞれ配
置され、第3のMA el域は第2の層領域に比べて炭
素が多く含まれ、且つ前記第2のN領域の形成時に前記
a−5iC生成用ガスに0乃至1モルχのVa族元素含
有ガスを含むとともに第1の層領域の形成時にa−5i
C生成用ガス中におけるVa族元素含有ガスの占める割
合が第2の層領域の形成時に比べて大きいことを特徴と
する電子写真感光体の製法が提供される。
即ち、この第2のPa#Iによれば、第1θ図に示す通
り、第1の態様にて示した第2の層領域(7)の上に更
に第3の層領域(8)を形成し、第3の801域(8)
の炭素含有量を第2の層領域(7)よりも多くし、そし
て、第1の層領域(6)、第2の層領域(7)及び第3
の層領域(8)を実質上一体化して光導電性a−tic
層(5b)とした。
り、第1の態様にて示した第2の層領域(7)の上に更
に第3の層領域(8)を形成し、第3の801域(8)
の炭素含有量を第2の層領域(7)よりも多くし、そし
て、第1の層領域(6)、第2の層領域(7)及び第3
の層領域(8)を実質上一体化して光導電性a−tic
層(5b)とした。
この第3の層領域(8)を形成すると、a−5iC層(
5b)の表面側の暗抵抗率が大きくなり、これに伴って
感光体の表面電位が顕著に向上する。
5b)の表面側の暗抵抗率が大きくなり、これに伴って
感光体の表面電位が顕著に向上する。
即ち、第3の層領域(8)は光導電性a−5iC層(5
b)の表面側を高抵抗化させるために形成されており、
第2図にて述べた従来周知の表面保護層(4)とは全(
区別し得るものである。また、光キヤリア発生層とキャ
リア輸送層とに分けられた機能分離型感光体によれば、
キャリア輸送層を1Q13Ω・cm以上に高抵抗化させ
るが、この層に格別大きな光導電性が要求されておらず
、通常、光導電率の暗導電率に対する比率が1000倍
未満の光導電性に設定されているに過ぎない、これに対
して、第3の層領域(8)はこの比率が1000倍以上
の光導電性を有しており、上記キャリア輸送層に対して
も十分に区別し得る。
b)の表面側を高抵抗化させるために形成されており、
第2図にて述べた従来周知の表面保護層(4)とは全(
区別し得るものである。また、光キヤリア発生層とキャ
リア輸送層とに分けられた機能分離型感光体によれば、
キャリア輸送層を1Q13Ω・cm以上に高抵抗化させ
るが、この層に格別大きな光導電性が要求されておらず
、通常、光導電率の暗導電率に対する比率が1000倍
未満の光導電性に設定されているに過ぎない、これに対
して、第3の層領域(8)はこの比率が1000倍以上
の光導電性を有しており、上記キャリア輸送層に対して
も十分に区別し得る。
第3の層領域(8)の層厚は、第2の層領域(7)に比
べて1倍以下、好ましくは1/2倍以下、最適には1/
4倍以下がよく、これにより、表面電位が顕著に向上す
ると共に光感度に優れ、且つ残留電位が小さくなり、望
ましいと言える。
べて1倍以下、好ましくは1/2倍以下、最適には1/
4倍以下がよく、これにより、表面電位が顕著に向上す
ると共に光感度に優れ、且つ残留電位が小さくなり、望
ましいと言える。
本発明に係る第2のS様の電子写真感光体によれば、上
記第2の層WtNA(7)及び第3の層領域(8)の両
者又はいずれか一方の層領域を形成するに当たってa−
5iC生成用ガス中にHeガスを含有させることを特徴
としており、この含有量はCJg及びSt含有ガスの合
計流量に対して5倍以下、好適には0.5乃至3倍C1
□の範囲に設定すればよく、これにより、ゴースト現象
が生じなくなる。
記第2の層WtNA(7)及び第3の層領域(8)の両
者又はいずれか一方の層領域を形成するに当たってa−
5iC生成用ガス中にHeガスを含有させることを特徴
としており、この含有量はCJg及びSt含有ガスの合
計流量に対して5倍以下、好適には0.5乃至3倍C1
□の範囲に設定すればよく、これにより、ゴースト現象
が生じなくなる。
更に第2の態様によれば、光導電性a−stc層(5b
)の炭素含有分布は第11図乃至第16図に示す通りで
あり、横軸は基板から感光体表面に至る層厚を示し、縦
軸は炭素含有量は示している。尚、この横軸において、
(6) (7) (8)に示すそれぞれの範囲は第1の
層領域、第2の層領域及び第3の層領域を表している。
)の炭素含有分布は第11図乃至第16図に示す通りで
あり、横軸は基板から感光体表面に至る層厚を示し、縦
軸は炭素含有量は示している。尚、この横軸において、
(6) (7) (8)に示すそれぞれの範囲は第1の
層領域、第2の層領域及び第3の層領域を表している。
第12図、第14図、第15図及び第16図によれば、
層厚方向に亘って炭素の含有量を漸次変えており、これ
により、表面電位が向上すると共に光感度に優れ、且つ
残留電位が小さくなる。
層厚方向に亘って炭素の含有量を漸次変えており、これ
により、表面電位が向上すると共に光感度に優れ、且つ
残留電位が小さくなる。
員り立皿檀
第3の態様によれば、a−5iC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−3iCを基
板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記ガ
スはCJg及びSt含有ガスから成り、その組成比を0
.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中にCx
Ht含有組成比を変えて前記a−3iC層に少なくとも
第1の層領域、第2のN領域、第3の層領域及び第4の
層領域を基板側から感光体表面へ向けて順次具備し、且
つ第3の1m領域は第2の層領域に比べて第4のN領域
は、第3の層領域に比べてそれぞれ炭素が多く含まれ前
記第2の層領域の形成時に前記a−5iC生成用ガスに
0乃至1モルχのVa族元素含有ガスを含むとともに第
1のWi 6N域の形成時にa−3iC生成用ガス中に
おけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2のwA層
領域形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真感
光体の製法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−3iCを基
板上に形成した電子写真感光体の製法であって、前記ガ
スはCJg及びSt含有ガスから成り、その組成比を0
.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中にCx
Ht含有組成比を変えて前記a−3iC層に少なくとも
第1の層領域、第2のN領域、第3の層領域及び第4の
層領域を基板側から感光体表面へ向けて順次具備し、且
つ第3の1m領域は第2の層領域に比べて第4のN領域
は、第3の層領域に比べてそれぞれ炭素が多く含まれ前
記第2の層領域の形成時に前記a−5iC生成用ガスに
0乃至1モルχのVa族元素含有ガスを含むとともに第
1のWi 6N域の形成時にa−3iC生成用ガス中に
おけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2のwA層
領域形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真感
光体の製法が提供される。
即ち、第3の態様によれば、第17図に示す通り、第2
の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更に第4の
N M域(9)を形成し、第4の層領域(9)が第3の
層領域(8)に比べて炭素を多(含んでおり、そして、
第1の層領域(6)から第4の層領域(9)を実質上一
体化して光導電性a−3iC層(5c)とした。
の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更に第4の
N M域(9)を形成し、第4の層領域(9)が第3の
層領域(8)に比べて炭素を多(含んでおり、そして、
第1の層領域(6)から第4の層領域(9)を実質上一
体化して光導電性a−3iC層(5c)とした。
この第4の層領域(9)は第3のN領域(8)に比べて
炭素を多く含有させて高抵抗化させ、これより、帯電能
を高めて表面電位を向上させることができ、その結果、
耐電圧が高くて長寿命の感光体を得ることができる。
炭素を多く含有させて高抵抗化させ、これより、帯電能
を高めて表面電位を向上させることができ、その結果、
耐電圧が高くて長寿命の感光体を得ることができる。
更に第3の態様によれば、光導電性a−SiC層(5C
)の炭素含有分布は第18図乃至第21図に示す通りで
あり、横軸は基板から感光体表面に至る層厚を示し、縦
軸は炭素含有量を示している。尚、この横軸において、
(6) (7) (8) (9)に示すそれぞれの範囲
は第1の層領域、第2の層領域、第3のJ!層領域び第
4の層領域を表している。
)の炭素含有分布は第18図乃至第21図に示す通りで
あり、横軸は基板から感光体表面に至る層厚を示し、縦
軸は炭素含有量を示している。尚、この横軸において、
(6) (7) (8) (9)に示すそれぞれの範囲
は第1の層領域、第2の層領域、第3のJ!層領域び第
4の層領域を表している。
第19図及び第21図によれば、層厚方向に亘って炭素
の含有量を漸次変えており、これにより、表面電位及び
光感度が向上し、且つ残留電位が小さくなる。
の含有量を漸次変えており、これにより、表面電位及び
光感度が向上し、且つ残留電位が小さくなる。
μlJす1儂
第4の態様によれば、a−3iC生成用ガスをグロー放
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−3tC層及
びa−5iC表面保護層を順次形成した電子写真感光体
の製法にあって、前記光導電性a−3iC生成用ガスは
CgHt及びSt含有ガスから成り、そのガス組成比を
0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中にC
Jz含有組成比を変えて前記a−SiC11に少なくと
も第1の層領域、第2ON領域及び第3の層領域を具備
させ、第1の層領域は第2の層領域より基板側に、第2
の層領域は第3の層領域より基板側に、それぞれ配置さ
れ、第3の層領域は第2の領域に比べて炭素が多く含ま
れ、且つ前記第1の層領域の形成時に前記a−3iC生
成用ガスに0乃至1モルχのVa族元素含有ガスを含む
とともに第1の層領域の形成時にa−3iC生成用ガス
中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2のN
領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。
電分解して負極性に帯電可能な光導電性a−3tC層及
びa−5iC表面保護層を順次形成した電子写真感光体
の製法にあって、前記光導電性a−3iC生成用ガスは
CgHt及びSt含有ガスから成り、そのガス組成比を
0.01:1乃至3:1の範囲内に設定し、成膜中にC
Jz含有組成比を変えて前記a−SiC11に少なくと
も第1の層領域、第2ON領域及び第3の層領域を具備
させ、第1の層領域は第2の層領域より基板側に、第2
の層領域は第3の層領域より基板側に、それぞれ配置さ
れ、第3の層領域は第2の領域に比べて炭素が多く含ま
れ、且つ前記第1の層領域の形成時に前記a−3iC生
成用ガスに0乃至1モルχのVa族元素含有ガスを含む
とともに第1の層領域の形成時にa−3iC生成用ガス
中におけるVa族元素含有ガスの占める割合が第2のN
領域の形成時に比べて大きいことを特徴とする電子写真
感光体の製法が提供される。
即ち、この第4の態様によれば、第22図に示す通り、
第2の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更にa
−5iC表面保護層(10)を形成したものであり、こ
のa−5iC表面保護層(10)は光導電性a−5iC
層(5b)の表面をオーバーコートして保護するために
形成される。
第2の態様にて示した第3の層領域(8)の上に更にa
−5iC表面保護層(10)を形成したものであり、こ
のa−5iC表面保護層(10)は光導電性a−5iC
層(5b)の表面をオーバーコートして保護するために
形成される。
a−5iC表面保護層(10)はa−9iCから成ると
いう点では光導電性a−SiC層(5b)と同じである
が、炭素の含有量を多くして高硬度とし、これによって
表面保護作用をもたらす。
いう点では光導電性a−SiC層(5b)と同じである
が、炭素の含有量を多くして高硬度とし、これによって
表面保護作用をもたらす。
このa−SiC表面保護1 (10)は、その構成元素
の組成比を変えて光導電性又は非光導電性とすることが
でき、炭素の含有量を多くする逅非光導電性になる傾向
があり、これに伴って高硬度特性が得られ、高硬度a−
3iC表面保護層となる。
の組成比を変えて光導電性又は非光導電性とすることが
でき、炭素の含有量を多くする逅非光導電性になる傾向
があり、これに伴って高硬度特性が得られ、高硬度a−
3iC表面保護層となる。
更に第4の態様によれば、炭素含有分布は第23図及び
第24図に示す通りであり、横軸は基板から窄光体表面
に至る層厚を示し、縦軸は炭素含有量を示している。尚
、この横軸において(6) (7) (8) (10)
に示すそれぞれの範囲は第1の層領域、第2の層領域、
第3の層領域及びa−5iC表面保護層を表している。
第24図に示す通りであり、横軸は基板から窄光体表面
に至る層厚を示し、縦軸は炭素含有量を示している。尚
、この横軸において(6) (7) (8) (10)
に示すそれぞれの範囲は第1の層領域、第2の層領域、
第3の層領域及びa−5iC表面保護層を表している。
かくして、第1の態様乃至第4の態様によれば、第1図
に示した単一組成のa−3iC感光体に比べて格段に高
性能な電子写真感光体が提供される。
に示した単一組成のa−3iC感光体に比べて格段に高
性能な電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、単一組成のa−3iC層並びに
第1乃至第3の態様のa−SiC層は、いずれも光導電
性a−3iC層から成り、これによって十分実用的な電
子写真特性が得られるが、これらのa−3iC層の表面
上に従来周知の表面保護層を形成してもよい。
第1乃至第3の態様のa−SiC層は、いずれも光導電
性a−3iC層から成り、これによって十分実用的な電
子写真特性が得られるが、これらのa−3iC層の表面
上に従来周知の表面保護層を形成してもよい。
この表面保護層はそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬
度特性を有するものであれば種々の材料を用いることが
でき、例えばポリイミド樹脂などの有機材料1 a−S
tc、 310215IOI Al !03+ St
C1St 3N 4 t a−Si+a−St:H+
a−Si:F+a−3iC:H+a−5iC:Fなどの
無機材料を用いることができる。
度特性を有するものであれば種々の材料を用いることが
でき、例えばポリイミド樹脂などの有機材料1 a−S
tc、 310215IOI Al !03+ St
C1St 3N 4 t a−Si+a−St:H+
a−Si:F+a−3iC:H+a−5iC:Fなどの
無機材料を用いることができる。
次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第25図により説明する。
分解装置を第25図により説明する。
図中、第1.第2.第3.第4.第5.第6タンク(1
1) (12) (13) (14) (15) (1
6)には、それぞれ5iHa*CzHt+PH3(He
ガス希釈で0.2z含有)、PH3(H13ガス希釈で
33ppm含有)、Ile、Noガスが密封されており
、Heはキャリアーガスとしても用いられる。これらの
ガスは対応する第1.第2.第3.第4.第5.第6調
整弁(17) (1B) (19) (20) (21
) (22)を開放することにより放出され、その流量
がマスフローコントローラ(23)(24)(25)(
26) (27) (2B)により制御され、第1、第
2.第3.第4.第5タンク(11) (12) (1
3) (14) (15)からのガスは第1主管(29
)へ、第6タンク(16)からのNoガスは第2主管(
30)へ送られる。尚、(31)(32)は止め弁であ
る。第1主管(29)及び第2主管(30)を通じて流
れるガスは反応管(33)へと送り込まれるが、この反
応管(33)の内部には容量結合型放電用電極(34)
が設置されており、それに印加される高周波電力は50
w乃至3Kwが、また周波数は11’lH2乃至10闘
2が適当である0反応管(33)の内部には、アルミニ
ウムから成る筒状の成膜用基板(35)が試料保持台(
36)の上に載置されており、この保持台(36)はモ
ーター(37)により回転駆動されるようになっており
、そして、基板(35)は適当な加熱手段により、約2
00乃至400℃好ましくは約200乃至350℃の温
度に均一に加熱される。更に、反応管(33)の内部は
a−3iCIll形成時に高度の真空状態(放電圧0.
1乃至2.0Torr )を必要とすることにより回転
ポンプ(38)と拡散ポンプ(39)に連結されている
。
1) (12) (13) (14) (15) (1
6)には、それぞれ5iHa*CzHt+PH3(He
ガス希釈で0.2z含有)、PH3(H13ガス希釈で
33ppm含有)、Ile、Noガスが密封されており
、Heはキャリアーガスとしても用いられる。これらの
ガスは対応する第1.第2.第3.第4.第5.第6調
整弁(17) (1B) (19) (20) (21
) (22)を開放することにより放出され、その流量
がマスフローコントローラ(23)(24)(25)(
26) (27) (2B)により制御され、第1、第
2.第3.第4.第5タンク(11) (12) (1
3) (14) (15)からのガスは第1主管(29
)へ、第6タンク(16)からのNoガスは第2主管(
30)へ送られる。尚、(31)(32)は止め弁であ
る。第1主管(29)及び第2主管(30)を通じて流
れるガスは反応管(33)へと送り込まれるが、この反
応管(33)の内部には容量結合型放電用電極(34)
が設置されており、それに印加される高周波電力は50
w乃至3Kwが、また周波数は11’lH2乃至10闘
2が適当である0反応管(33)の内部には、アルミニ
ウムから成る筒状の成膜用基板(35)が試料保持台(
36)の上に載置されており、この保持台(36)はモ
ーター(37)により回転駆動されるようになっており
、そして、基板(35)は適当な加熱手段により、約2
00乃至400℃好ましくは約200乃至350℃の温
度に均一に加熱される。更に、反応管(33)の内部は
a−3iCIll形成時に高度の真空状態(放電圧0.
1乃至2.0Torr )を必要とすることにより回転
ポンプ(38)と拡散ポンプ(39)に連結されている
。
以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、a−5iC膜(He、Pを含有する)を基板(
35)に形成する場合には、第1.第2.第3.第5調
整弁(17) (1B) (19) (21)を開いて
それぞれよりSIHm+ CJ*+PHs、Ifeガス
を放出する。放出量はマスフローコントローラ(23)
(24) (25) (27)により制御され、5i
Ha+CzH富+PHj+Heの混合ガスは第1主管(
29)を介して反応管(33)へと流し込まれる。そし
て、反応管(33)の内部が0.1乃至2.0Torr
程度の真空状態、基板温度が200乃至400℃、容量
型放電用電極(34)の高周波電力が5〇−乃至3Kw
、または周波数が1乃至59MHzに設定されている
ことに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してH
e及びPを含有したa−3iC膜が基板上に高速で形成
される。
例えば、a−5iC膜(He、Pを含有する)を基板(
35)に形成する場合には、第1.第2.第3.第5調
整弁(17) (1B) (19) (21)を開いて
それぞれよりSIHm+ CJ*+PHs、Ifeガス
を放出する。放出量はマスフローコントローラ(23)
(24) (25) (27)により制御され、5i
Ha+CzH富+PHj+Heの混合ガスは第1主管(
29)を介して反応管(33)へと流し込まれる。そし
て、反応管(33)の内部が0.1乃至2.0Torr
程度の真空状態、基板温度が200乃至400℃、容量
型放電用電極(34)の高周波電力が5〇−乃至3Kw
、または周波数が1乃至59MHzに設定されている
ことに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してH
e及びPを含有したa−3iC膜が基板上に高速で形成
される。
次に本発明の実施例を詳細に説明する。
(例1)
本例においては、光導電性a−5iC層をアルミニウム
製成膜用基板に生成し、そのCtHtガスの配合比率に
対する導電率を測定した。
製成膜用基板に生成し、そのCtHtガスの配合比率に
対する導電率を測定した。
即ち、第25図に示した容量結合型グロー放電分解装置
を用いて第1タンク(11)より5iHnガスを150
secmの流量で、第5タンク(15)よりHeガスを
100sec−の流量で放出し、第2タンク(12)よ
りCtHtガスを10〜100sec+mの流量で放出
し、グロー放電分解法に基いて約5μ−の厚みのa−S
iC膜を製作し、暗導電率及び光導電率を測定したとこ
ろ、第26図に示す通りの結果が得られた。
を用いて第1タンク(11)より5iHnガスを150
secmの流量で、第5タンク(15)よりHeガスを
100sec−の流量で放出し、第2タンク(12)よ
りCtHtガスを10〜100sec+mの流量で放出
し、グロー放電分解法に基いて約5μ−の厚みのa−S
iC膜を製作し、暗導電率及び光導電率を測定したとこ
ろ、第26図に示す通りの結果が得られた。
第26図によれば、横軸はC,H,ガス流量(scca
+)を、縦軸は導電率〔(Ω・cys)−’)を表わし
、・印は暗導電率のプロット、O印はHe−Neレーザ
ー(波長632.8nm 510011ts W/cm
”)を照射した時の光導電率のプロットであり、a、b
はそれぞれの特性曲線である。
+)を、縦軸は導電率〔(Ω・cys)−’)を表わし
、・印は暗導電率のプロット、O印はHe−Neレーザ
ー(波長632.8nm 510011ts W/cm
”)を照射した時の光導電率のプロットであり、a、b
はそれぞれの特性曲線である。
第26図から明らかな通り、暗導電率は10−”(Ω・
c+++)−’以下と成り得、最小で10− ’ ”
(Ω・ca+)−’まで得られた。また、光導電率は暗
導電率に比べて1000倍以上となり、このa−SiC
層が電子写真感光体用として十分に満足し得る光導電性
をもっていることが判る。
c+++)−’以下と成り得、最小で10− ’ ”
(Ω・ca+)−’まで得られた。また、光導電率は暗
導電率に比べて1000倍以上となり、このa−SiC
層が電子写真感光体用として十分に満足し得る光導電性
をもっていることが判る。
(例2)
本例においては、(例1)に基いてPH,ガス(又はB
Jiガス)を尋人して暗導電率及び光導電率を測定した
ところ、第27図に示す通りの結果が得られた。
Jiガス)を尋人して暗導電率及び光導電率を測定した
ところ、第27図に示す通りの結果が得られた。
図中、横軸はSiH,とC!Hzの合計流量に対するP
H1純量(これはHeガスの希釈比率より換算して求め
られるpHsの絶対流量を表わす)である、尚、PH,
純量をBJi純量に置き換えた場合も参考例として記載
する。
H1純量(これはHeガスの希釈比率より換算して求め
られるpHsの絶対流量を表わす)である、尚、PH,
純量をBJi純量に置き換えた場合も参考例として記載
する。
第27図によれば、・印は暗導電率のプロットであり、
○印は光導電率(この光導電率は(例1)と同様にして
求められる)のプロットであり、C1dはそれぞれの特
性曲線である。
○印は光導電率(この光導電率は(例1)と同様にして
求められる)のプロットであり、C1dはそれぞれの特
性曲線である。
第27図から明らかな通り、光導電率は暗導電率に比べ
て1000倍以上となり、Heと共にPやBをドーピン
グしたa−3iCNが電子写真感光体用として満足し得
る光導電性をもっている。
て1000倍以上となり、Heと共にPやBをドーピン
グしたa−3iCNが電子写真感光体用として満足し得
る光導電性をもっている。
(例3)
本例においては、(例1)中C冨H*ガス流量を10s
centに設定して得られたa−5iC層に対して分光
感度特性を測定しており、その結果は第28図に示され
た分光感度曲線eとなった。尚、この図は各波長におい
て等エネルギー光を照射した時の光導電率を示す。
centに設定して得られたa−5iC層に対して分光
感度特性を測定しており、その結果は第28図に示され
た分光感度曲線eとなった。尚、この図は各波長におい
て等エネルギー光を照射した時の光導電率を示す。
第28図より明らかな通り、可視光領域に光感度が認め
られ、これによって電子写真用の光導電体として十分に
用いることができる。
られ、これによって電子写真用の光導電体として十分に
用いることができる。
(例4)
本例においては、(例1)中cxumガス流量を101
05cに設定してえられたa−SiC層(厚み30μs
+)に対して表面電位、暗減衰及び光減衰のそれぞれの
特性を測定した。この測定は−5,6KVのコロナチャ
ージ中で負帯電し、暗中での表面電位の経時変化と、6
50n−の単色光照射直後の表面電位の経時変化を追っ
たものである。
05cに設定してえられたa−SiC層(厚み30μs
+)に対して表面電位、暗減衰及び光減衰のそれぞれの
特性を測定した。この測定は−5,6KVのコロナチャ
ージ中で負帯電し、暗中での表面電位の経時変化と、6
50n−の単色光照射直後の表面電位の経時変化を追っ
たものである。
その結果は第29図に示す通りであり、Lgはそれぞれ
暗減衰曲線及び光減衰曲線である。
暗減衰曲線及び光減衰曲線である。
第29図より明らかな通り、表面電位が約−500Vと
大きくなっており、暗減衰も5秒後で30χ程度であり
、電荷保持能力に優れている。また、光導電率にも優れ
ており、残留電位も小さいと言える。
大きくなっており、暗減衰も5秒後で30χ程度であり
、電荷保持能力に優れている。また、光導電率にも優れ
ており、残留電位も小さいと言える。
尚、(例4)にて得られたa−3iCJigを+5.6
KVのコロナチャージ中で正帯電させたところ、表面電
位が数十Vであった。
KVのコロナチャージ中で正帯電させたところ、表面電
位が数十Vであった。
そして、この(例4)に基いて製作されたa−SiC感
光体のHe含有量を測定したところ、約0.1原子χで
あり、また、この感光体を−5,6KVのコロナチャー
ジ中によって負極性に帯電させ、次いで画像露光して磁
気ブラシ現像を行った結果、画像濃度が高く、高コント
ラストでゴースト現象が全く生じない良質な画像が得ら
れた。然るに前述のHeガス導入に代えてH8ガスを1
1005ec+の流量で導入し、他は全く同一条件にて
製作した電子写真感光体はゴースト現象が現れた。
光体のHe含有量を測定したところ、約0.1原子χで
あり、また、この感光体を−5,6KVのコロナチャー
ジ中によって負極性に帯電させ、次いで画像露光して磁
気ブラシ現像を行った結果、画像濃度が高く、高コント
ラストでゴースト現象が全く生じない良質な画像が得ら
れた。然るに前述のHeガス導入に代えてH8ガスを1
1005ec+の流量で導入し、他は全く同一条件にて
製作した電子写真感光体はゴースト現象が現れた。
(例5)
本例においては第1の態様の感光体を製作した。
即ち、基板用アルミニウム製ドラムを第25図に示した
容量結合型グロー放電分解装置の反応管(33)内に設
置し、そして、第1タンク(11)より5iHaガスを
、第2タンク(12)よりCtlhガスを、第3タンク
及び第4タンク(13) (14)よりPH,ガスを、
第5タンク(15)よりHeガスを、第6タンク(16
)よりNOガスをそれぞれ放出し、第1表に示す製造条
件で第1の層領域及び第2の層領域を形成した。
容量結合型グロー放電分解装置の反応管(33)内に設
置し、そして、第1タンク(11)より5iHaガスを
、第2タンク(12)よりCtlhガスを、第3タンク
及び第4タンク(13) (14)よりPH,ガスを、
第5タンク(15)よりHeガスを、第6タンク(16
)よりNOガスをそれぞれ放出し、第1表に示す製造条
件で第1の層領域及び第2の層領域を形成した。
かくして得られた感光体を、暗中で−5,6KVの高圧
源に接続されたコロナチャージャで負極性に帯電させ、
次いで分光された単色光(650nm)を感光体表面に
照射し、これによって下記の通りの電子写真特性が得ら
れた。尚、残留電位は露光開始5秒後の値である。
源に接続されたコロナチャージャで負極性に帯電させ、
次いで分光された単色光(650nm)を感光体表面に
照射し、これによって下記の通りの電子写真特性が得ら
れた。尚、残留電位は露光開始5秒後の値である。
表面電位・・・−700v
光感度・・・0.55cIl!erg−1残留電位・・
・30V 次に(例4)と同様に負極性に帯電させ、次いで画像露
光して磁気ブラシ現像を行った結果、画像濃度が高く、
高コントラストでゴースト現象が全く生じない良質な画
像が得られた。
・30V 次に(例4)と同様に負極性に帯電させ、次いで画像露
光して磁気ブラシ現像を行った結果、画像濃度が高く、
高コントラストでゴースト現象が全く生じない良質な画
像が得られた。
然るに、第1の層領域及び第2のM領域の形成に当たっ
て用いられるキャリアーガス(Heガス100sec+
w流量)、並びに第1の層領域の形成に用いられるPl
h(0,2χ含有)の希釈用HeガスをH2ガスに置換
し、他は全く同一条件にて製作した電子写真感光体には
ゴースト現象が見られた。
て用いられるキャリアーガス(Heガス100sec+
w流量)、並びに第1の層領域の形成に用いられるPl
h(0,2χ含有)の希釈用HeガスをH2ガスに置換
し、他は全く同一条件にて製作した電子写真感光体には
ゴースト現象が見られた。
(以下余白)
(例6)
本例においては第1の態様の感光体を(例4)と同様に
製作した。
製作した。
その製作条件は第2表に示す通りであって、電子写真特
性は下記の通りになり、ゴースト現象は全く生じなかっ
た。
性は下記の通りになり、ゴースト現象は全く生じなかっ
た。
表面電位・・・−700v
光感度−・0.65ca+”erg−’残留電位・・・
35V 然るに、第1の層領域の形成に当たって用いられるキャ
リアーガス(Heガス101005c流量)及びPH3
(0,2χ含有)の希釈用Heガス、並びに第2の層領
域の形成に用いられるPus(33ppm含有)の希釈
用HeガスをUSガスに置換し、他は全く同一条件にて
製作した電子写真感光体にはゴースト現象が見られた。
35V 然るに、第1の層領域の形成に当たって用いられるキャ
リアーガス(Heガス101005c流量)及びPH3
(0,2χ含有)の希釈用Heガス、並びに第2の層領
域の形成に用いられるPus(33ppm含有)の希釈
用HeガスをUSガスに置換し、他は全く同一条件にて
製作した電子写真感光体にはゴースト現象が見られた。
(以下余白)
(例7)
本例においては第2の態様の感光体を第3表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。また、ゴースト現象は全く生じなかった。
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。また、ゴースト現象は全く生じなかった。
表面電位・・・−740■
光感度・・・0.65cNterg−1残留型位・・・
20V (以下余白) (例8) 本例においては第3の態様の感光体を第4表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。また、ゴースト現象は全く生じなかった。
20V (以下余白) (例8) 本例においては第3の態様の感光体を第4表に示す条件
で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られた
。また、ゴースト現象は全く生じなかった。
表面電位・・・−750v
光感度・・4.67cm”erg−’
残留電位・・・35V
更に、この感光体の表面電位、暗減衰及び光減衰のそれ
ぞれの特性を(例4)と同様に測定したところ、第30
図に示す通りの結果が得られた0図中、h+iはそれぞ
れ暗減衰曲―及び光減衰曲線である。
ぞれの特性を(例4)と同様に測定したところ、第30
図に示す通りの結果が得られた0図中、h+iはそれぞ
れ暗減衰曲―及び光減衰曲線である。
第30図より明らかな通り、表面電位が約−750vと
著しく大きくなっており、暗減衰も5秒後で20χ程度
であって電荷保持能力に優れている。
著しく大きくなっており、暗減衰も5秒後で20χ程度
であって電荷保持能力に優れている。
(以下余白)
(例9 )
本例においては、第4の態様の感光体を第5表に示す条
件で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られ
た。また、ゴースト現象は全く生じなかった。
件で製作し、これによって下記の電子写真特性が得られ
た。また、ゴースト現象は全く生じなかった。
表面電位・・・−850v
光感度・・・0.64cm”erg−’残留電位・・・
45V (以下余白) 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明の電子写真感光体の製法によれば、
全層に亘って光導電性を有するa−5iCが高い暗抵抗
率となり、且つ光感度特性にも優れていることによって
実質上表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とする
ことができ、その結果、光導電性a−5iC71だけか
ら成る電子写真感光体が提供できた。
45V (以下余白) 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明の電子写真感光体の製法によれば、
全層に亘って光導電性を有するa−5iCが高い暗抵抗
率となり、且つ光感度特性にも優れていることによって
実質上表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とする
ことができ、その結果、光導電性a−5iC71だけか
ら成る電子写真感光体が提供できた。
また本発明の製法によれば、Heガスをa−5iC生成
用ガス中に所定量含有させることによってゴースト現象
が生じなくなり、その結果、一段と高性能な電子写真感
光体が提供できる。更に、膜質改善に伴って電子写真特
性全般に亘ってその特性の向上が期待できる。
用ガス中に所定量含有させることによってゴースト現象
が生じなくなり、その結果、一段と高性能な電子写真感
光体が提供できる。更に、膜質改善に伴って電子写真特
性全般に亘ってその特性の向上が期待できる。
更に本発明の電子写真感光体の製法によれば、層厚方向
に亘って炭素及びVa族元素の含有量を変えることによ
って表面電位を向上させると共に光感度特性を高め、且
つ残留電位を顕著に小さくすることができる。特に、炭
素の含有量を層厚方向に亘って変えると、抵抗率が制御
されて所要の層領域が得られ、その結果、格段に高性能
な電子写真感光体が提供できる。
に亘って炭素及びVa族元素の含有量を変えることによ
って表面電位を向上させると共に光感度特性を高め、且
つ残留電位を顕著に小さくすることができる。特に、炭
素の含有量を層厚方向に亘って変えると、抵抗率が制御
されて所要の層領域が得られ、その結果、格段に高性能
な電子写真感光体が提供できる。
また、本発明の製法によれば、負極性に有利に帯電する
ことができる負極性用電子写真感光体が提供される。
ことができる負極性用電子写真感光体が提供される。
本発明の電子写真感光体の製法によれば、それ自体で帯
電能及び耐環境性に優れていることから、特に保護層を
設ける必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或いは
現像剤の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によ
って表面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等
で研摩再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限
を受けずに感光体の初期特性を維持することができ、そ
れによって初期における良好な画像を長期に亘り安定し
て供給することが可能となる。
電能及び耐環境性に優れていることから、特に保護層を
設ける必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或いは
現像剤の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によ
って表面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等
で研摩再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限
を受けずに感光体の初期特性を維持することができ、そ
れによって初期における良好な画像を長期に亘り安定し
て供給することが可能となる。
更に、従来のa−Si感光体を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生
じるという問題があったが、本発明の製法によれば、a
−5tの誘電率がε=12であるのに対してa−5iC
はε−7と約半分程度であるために帯電能に優れており
、これにより、表面電位を高くしても何ら上記の放電破
壊が発生しなくなり、その結果、高品質且つ高信鯨性の
電子写真感光体が提供される。
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生
じるという問題があったが、本発明の製法によれば、a
−5tの誘電率がε=12であるのに対してa−5iC
はε−7と約半分程度であるために帯電能に優れており
、これにより、表面電位を高くしても何ら上記の放電破
壊が発生しなくなり、その結果、高品質且つ高信鯨性の
電子写真感光体が提供される。
更に本発明の製法により得られた電子写真感光体を従来
のa−5i悪感光と比較した場合、このa−Si感光体
の問題点として耐湿性に劣っているので画像流れが生じ
易く、また、帯電能に劣っているのでゴースト現象が発
生するが、これを解決するためにa−5i悪感光の使用
時にヒータを用いてその感光体を加熱し、その発生を防
止している。これに対して本発明の電子写真感光体は耐
湿性且つ帯電能に優れているために上記のようにヒータ
を用いて使用する必要はないという利点がある。
のa−5i悪感光と比較した場合、このa−Si感光体
の問題点として耐湿性に劣っているので画像流れが生じ
易く、また、帯電能に劣っているのでゴースト現象が発
生するが、これを解決するためにa−5i悪感光の使用
時にヒータを用いてその感光体を加熱し、その発生を防
止している。これに対して本発明の電子写真感光体は耐
湿性且つ帯電能に優れているために上記のようにヒータ
を用いて使用する必要はないという利点がある。
また、本発明の製法により得られた電子写真感光体はa
−5i悪感光と比べて炭素の含有量を変えるだけで幅広
い分光感度特性(ピーク600〜700na+)が得ら
れると共に光感度自体を増大させることができ、更に必
要に応じて不純物元素をドーピングすれば長波長側の増
感も可能になるという利点がある。
−5i悪感光と比べて炭素の含有量を変えるだけで幅広
い分光感度特性(ピーク600〜700na+)が得ら
れると共に光感度自体を増大させることができ、更に必
要に応じて不純物元素をドーピングすれば長波長側の増
感も可能になるという利点がある。
第1図は本発明の製法に係る電子写真感光体の層構成を
示す説明図、第2図は従来の電子写真感光体の層構造を
示す説明図、第3図は本発明に係る第1の態様の感光体
の層領域を示す説明図、第4図、第5図、第6図、第7
図、第8図及び第9図はそれぞれ本発明に係る第1の態
様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第1θ図は本発
明に係る第2の態様の感光体の層領域を示す説明図、第
11図、第12図、第13図、第14図、第15図及び
第16図はそれぞれ本発明に係る第2の態様の感光体の
炭素含有量を示す説明図、第17図は本発明に係る第3
の態様の感光体の層領域を示す説明図、第18図、第1
9図、第20図及び第21図はそれぞれ本発明に係る第
3の態様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第22図
は本発明に係る第4の態様の感光体の層領域を示す説明
図、第23図及び第24図は本発明に係る第4の態様の
感光体の炭素含有量を示す説明図、第25図は本発明の
実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説
明図、第26図はC!H2ガスの流量比率に対する導電
率を示す線図、第27図はpHsガス及びBtHiガス
のそれぞれの流量比率に対する導電率を示す線図、第2
8図はアモルファスシリコンカーバイド層の分光感度特
性を示す線図、第29図はアモルファスシリコンカーバ
イド層の暗減衰及び光減衰を示す線図、第30図は第3
の態様のアモルファスシリコンカーバイド層の暗減衰及
び光減衰を示す線図である。 l・・・基板 5.5a、5b、5c・・・・光導電性アモルファスシ
リコンカーバイド層 6・・・第1の層領域 7・・・第2の層領域 8・・・第3の層領域 9・・・第4の層領域 10・・・アモルファスシリコンカーバイド表面保F!
層 第2加 第243誘j (AC犠)−1 CコHV/(s;凧+ CIHz ) 浪−1’− h東寵圓(Sec)
示す説明図、第2図は従来の電子写真感光体の層構造を
示す説明図、第3図は本発明に係る第1の態様の感光体
の層領域を示す説明図、第4図、第5図、第6図、第7
図、第8図及び第9図はそれぞれ本発明に係る第1の態
様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第1θ図は本発
明に係る第2の態様の感光体の層領域を示す説明図、第
11図、第12図、第13図、第14図、第15図及び
第16図はそれぞれ本発明に係る第2の態様の感光体の
炭素含有量を示す説明図、第17図は本発明に係る第3
の態様の感光体の層領域を示す説明図、第18図、第1
9図、第20図及び第21図はそれぞれ本発明に係る第
3の態様の感光体の炭素含有量を示す説明図、第22図
は本発明に係る第4の態様の感光体の層領域を示す説明
図、第23図及び第24図は本発明に係る第4の態様の
感光体の炭素含有量を示す説明図、第25図は本発明の
実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説
明図、第26図はC!H2ガスの流量比率に対する導電
率を示す線図、第27図はpHsガス及びBtHiガス
のそれぞれの流量比率に対する導電率を示す線図、第2
8図はアモルファスシリコンカーバイド層の分光感度特
性を示す線図、第29図はアモルファスシリコンカーバ
イド層の暗減衰及び光減衰を示す線図、第30図は第3
の態様のアモルファスシリコンカーバイド層の暗減衰及
び光減衰を示す線図である。 l・・・基板 5.5a、5b、5c・・・・光導電性アモルファスシ
リコンカーバイド層 6・・・第1の層領域 7・・・第2の層領域 8・・・第3の層領域 9・・・第4の層領域 10・・・アモルファスシリコンカーバイド表面保F!
層 第2加 第243誘j (AC犠)−1 CコHV/(s;凧+ CIHz ) 浪−1’− h東寵圓(Sec)
Claims (1)
- アセチレン及びケイ素含有ガスから成ると共にこのガス
組成比が0.01:1乃至3:1の範囲内に設定され、
これらのガス流量の合計量に対して5倍以下のヘリウム
ガスを配合し、且つ0乃至1モル%の周期律表第Va族
元素含有ガスを含むアモルファスシリコンカーバイド生
成用ガスをグロー放電分解して基板上に負極性に帯電可
能なアモルファスシリコンカーバイド層を形成すること
を特徴とする電子写真感光体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25426286A JPS63108347A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 電子写真感光体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25426286A JPS63108347A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 電子写真感光体の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63108347A true JPS63108347A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17262531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25426286A Pending JPS63108347A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 電子写真感光体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63108347A (ja) |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25426286A patent/JPS63108347A/ja active Pending
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