JPS6381915A - 処理装置 - Google Patents
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- JPS6381915A JPS6381915A JP22597286A JP22597286A JPS6381915A JP S6381915 A JPS6381915 A JP S6381915A JP 22597286 A JP22597286 A JP 22597286A JP 22597286 A JP22597286 A JP 22597286A JP S6381915 A JPS6381915 A JP S6381915A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、処理技術、特に、半導体ウェハに対する低圧
化学気相成長法による薄膜形成処理に適用して有効な技
術に関する。
化学気相成長法による薄膜形成処理に適用して有効な技
術に関する。
たとえば、低圧化学気相成長法によって半導体ウェハの
表面に所定の物質からなる薄膜を形成する技術について
は、株式会社工業調査会、昭和56年11月15日発行
、「電子材料J 1981年別冊、P77〜P84に記
載されている。
表面に所定の物質からなる薄膜を形成する技術について
は、株式会社工業調査会、昭和56年11月15日発行
、「電子材料J 1981年別冊、P77〜P84に記
載されている。
ところで、所定の温度、真空度および反応ガス雲囲気に
された処理室内に一枚の半導体ウェハを位置させること
によって、表面に所定の物からなる薄膜を形成する、い
わゆる枚葉式の低圧化学気相成長装置では、一般に、半
導体ウェハの搬入およびゃ出に伴って処理室の真空度が
損なわれることを回避するため、処理室とは独立に内部
の真空度を制御することが可能な単一の予備室を接続し
、この予備室を介して半導体ウェハを個別に処理室に対
して搬入および搬出することが行われる。
された処理室内に一枚の半導体ウェハを位置させること
によって、表面に所定の物からなる薄膜を形成する、い
わゆる枚葉式の低圧化学気相成長装置では、一般に、半
導体ウェハの搬入およびゃ出に伴って処理室の真空度が
損なわれることを回避するため、処理室とは独立に内部
の真空度を制御することが可能な単一の予備室を接続し
、この予備室を介して半導体ウェハを個別に処理室に対
して搬入および搬出することが行われる。
この場合、外部から比較的高温度の処理室に搬入される
半導体ウェハが外部と処理室との温度差によって熱衝撃
を受けることを回避するとともに、すでに半導体ウェハ
の表面に形成されている比較的多孔質の薄膜に含まれる
水分などを効果的に除去するなどの目的で、予備室に加
熱機構を設けて半導体ウェハを予熱することが考えられ
る。
半導体ウェハが外部と処理室との温度差によって熱衝撃
を受けることを回避するとともに、すでに半導体ウェハ
の表面に形成されている比較的多孔質の薄膜に含まれる
水分などを効果的に除去するなどの目的で、予備室に加
熱機構を設けて半導体ウェハを予熱することが考えられ
る。
しかしながら、上記のように処理室に接続される単一の
予備室に加熱機構を備える場合には、予備室における半
導体ウェハの加熱時間が処理室内における膜形成処理の
時間によって制約されるため、半導体ウェハの加熱や水
分の除去などが不十分となり、熱衝撃に起因する半導体
ウェハの損傷、および水分などの残留に起因する半導体
素子の特性変動や信頼性の低下の原因となるなどの問題
があることを本発明者は見いだした。
予備室に加熱機構を備える場合には、予備室における半
導体ウェハの加熱時間が処理室内における膜形成処理の
時間によって制約されるため、半導体ウェハの加熱や水
分の除去などが不十分となり、熱衝撃に起因する半導体
ウェハの損傷、および水分などの残留に起因する半導体
素子の特性変動や信頼性の低下の原因となるなどの問題
があることを本発明者は見いだした。
本発明の目的は、処理室における処理時間に制約される
ことなく予備室における被処理物の加熱時間を確保して
、被処理物の損傷や不良の発生を防止することが可能な
処理技術を提供することにある。
ことなく予備室における被処理物の加熱時間を確保して
、被処理物の損傷や不良の発生を防止することが可能な
処理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、所定の温度、真空度および処理流体雰囲気の
もとで所定の処理を施す処理室に、この処理室とは独立
に内部の真空度が制御されるとともに、処理室に対する
被処理物の搬入または搬出を行う第1および第2の予備
室を直列に接続し、この第1および第2の予備室の少な
くとも一方には、処理室に搬入される被処理物を所定の
温度に加熱する加熱手段を設けたものである。
もとで所定の処理を施す処理室に、この処理室とは独立
に内部の真空度が制御されるとともに、処理室に対する
被処理物の搬入または搬出を行う第1および第2の予備
室を直列に接続し、この第1および第2の予備室の少な
くとも一方には、処理室に搬入される被処理物を所定の
温度に加熱する加熱手段を設けたものである。
上記した手段によれば、たとえば加熱手段が設けられた
第1または第2の予備室に複数の被処理物を収容するこ
とにより、処理室における処理時間などに制約されるこ
となく第1および第2の予備室のすくなくとも一方にお
ける被処理物の加熱時間を確保することができるので、
第1または第2の予備室における被処理物の不十分な加
熱などに起因する損傷や不良の発生を防止することがで
きる。
第1または第2の予備室に複数の被処理物を収容するこ
とにより、処理室における処理時間などに制約されるこ
となく第1および第2の予備室のすくなくとも一方にお
ける被処理物の加熱時間を確保することができるので、
第1または第2の予備室における被処理物の不十分な加
熱などに起因する損傷や不良の発生を防止することがで
きる。
〔実施例1〕
第1図は、本発明の一実施例である処理装置の要部を示
す略断面図である。
す略断面図である。
本実施例においては、処理装置が半導体ウェハに対する
薄膜の形成に使用される低圧化学気相成長装置として構
成されている。
薄膜の形成に使用される低圧化学気相成長装置として構
成されている。
処理室1の内部には、上下方向に平行に対向して平板状
の上部電極2および半導体ウェハなどの被処理物3の載
置台を兼ねる下部電極4が設けられ、この上部電極2と
下部電極4との間には、高周波電源5から所定の高周波
電力が印加されるように構成されている。
の上部電極2および半導体ウェハなどの被処理物3の載
置台を兼ねる下部電極4が設けられ、この上部電極2と
下部電極4との間には、高周波電源5から所定の高周波
電力が印加されるように構成されている。
下部電極4には、図示しないヒータが設けられ、該下部
電極4に載置される半導体ウェハなどの被処理物3が所
定の温度に加熱される構造とされている。
電極4に載置される半導体ウェハなどの被処理物3が所
定の温度に加熱される構造とされている。
また、処理室1には、図示しない真空ポンプなどに接続
される排気口6、および処理流体源7に接続される処理
流体供給口8が設けられており、排気口6を通じて内部
が所望の真空度に排気されるとともに、処理流体供給口
8を介して処理流体源7から所定の組成の反応ガスなど
からなる処理流体9が供給されるように構成されている
。
される排気口6、および処理流体源7に接続される処理
流体供給口8が設けられており、排気口6を通じて内部
が所望の真空度に排気されるとともに、処理流体供給口
8を介して処理流体源7から所定の組成の反応ガスなど
からなる処理流体9が供給されるように構成されている
。
この場合、処理室1には、第1の予備室10および第2
の予備室11が直列に接続されており、第2の予備室1
1と処理室1との間、及び第2の予備室11と第1の予
備室10との間、さらには竿1の予備室10と外部との
間には、開閉自在なゲートバルブVl、ゲートバルブV
2.ゲ−)バルブV3が介設されている。
の予備室11が直列に接続されており、第2の予備室1
1と処理室1との間、及び第2の予備室11と第1の予
備室10との間、さらには竿1の予備室10と外部との
間には、開閉自在なゲートバルブVl、ゲートバルブV
2.ゲ−)バルブV3が介設されている。
この第1の予備室10および第2の予備室11には、処
理室1の排気口6とは独立な排気口12および排気口1
3がそれぞれ接続されており1.第1の予備室10およ
び第2の予備室11が、処理室1とは独立に内部の真空
度が制御される構造とされている。
理室1の排気口6とは独立な排気口12および排気口1
3がそれぞれ接続されており1.第1の予備室10およ
び第2の予備室11が、処理室1とは独立に内部の真空
度が制御される構造とされている。
そして、第1予備室10および第2の予備室11の内部
の真空度、および前記ゲートバルブVl。
の真空度、および前記ゲートバルブVl。
V2.V3の開閉を適宜制御することにより、処理室1
の内部の真空度などを損なうことなく、第1予備室10
および第2の予備室11を通じて、外部から処理室lの
内部への被処理物3の搬入が行われるものである。
の内部の真空度などを損なうことなく、第1予備室10
および第2の予備室11を通じて、外部から処理室lの
内部への被処理物3の搬入が行われるものである。
第2の予備室11を介して処理室1に接続される第1の
予備室10には、加熱手段14が設けられており、カセ
ットなどの搬送治具15に保持された状態で、外部から
ゲートバルブv3を介して第1の予備室lOの内部に搬
入される複数の被処理物3が所定の温度に加熱されるよ
うに構成されている。
予備室10には、加熱手段14が設けられており、カセ
ットなどの搬送治具15に保持された状態で、外部から
ゲートバルブv3を介して第1の予備室lOの内部に搬
入される複数の被処理物3が所定の温度に加熱されるよ
うに構成されている。
第1の予備室10と処理室1との間に介在する第2の予
備室11の内部には、コンベアなどの搬送機構16が備
えられており、第1の予備室10の内部において所定の
温度に加熱された複数の被処理物3が、ゲートバルブV
2およびゲートバルブV1を適宜開閉することにより、
処理室1の内部の真空度などを損なうことなく、個別に
処理室1の内部に搬入されるものである。
備室11の内部には、コンベアなどの搬送機構16が備
えられており、第1の予備室10の内部において所定の
温度に加熱された複数の被処理物3が、ゲートバルブV
2およびゲートバルブV1を適宜開閉することにより、
処理室1の内部の真空度などを損なうことなく、個別に
処理室1の内部に搬入されるものである。
処理室1には、前記第2の予備室11と対向する側に、
ゲートバルブV4を介して予備室17が接続されており
、この予備室17の内部は、処理室lの排気口6とは独
立な排気口18を介して処理室1とは独立に内部の真空
度が制御される構造とされている。
ゲートバルブV4を介して予備室17が接続されており
、この予備室17の内部は、処理室lの排気口6とは独
立な排気口18を介して処理室1とは独立に内部の真空
度が制御される構造とされている。
また、予備室17の内部にには、所定の搬送機構19が
設けられており、処理室1の内部において所定の処理が
施され、ゲートバルブv4を介して処理室1から搬出さ
れる被処理物3が、予備室17と外部との間に設けられ
たゲートバルブV5を介して個別に外部に送り出される
ものである。
設けられており、処理室1の内部において所定の処理が
施され、ゲートバルブv4を介して処理室1から搬出さ
れる被処理物3が、予備室17と外部との間に設けられ
たゲートバルブV5を介して個別に外部に送り出される
ものである。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、処理室1の内部は、排気口6を通じて所定の真空
度に排気されるとともに、載置台を加熱下部電極4は図
示しないヒータによって所定の温度に加熱されている。
度に排気されるとともに、載置台を加熱下部電極4は図
示しないヒータによって所定の温度に加熱されている。
一方、第1の予備室10の内部には、所定の搬送治具1
5に保持された複数の半導体ウェハなどの被処理物3が
ゲートバルブv3を介して外部から搬入され、この搬入
された複数の被処理物3は所定の真空度の下で加熱手段
14によって所定の温度に加熱されることによって所定
の温度にされるとともに、たとえば有機シリコン化合物
などを焼成することによって表面にすでに形成されてい
る薄膜中に含まれる水分などの除去が行われる。
5に保持された複数の半導体ウェハなどの被処理物3が
ゲートバルブv3を介して外部から搬入され、この搬入
された複数の被処理物3は所定の真空度の下で加熱手段
14によって所定の温度に加熱されることによって所定
の温度にされるとともに、たとえば有機シリコン化合物
などを焼成することによって表面にすでに形成されてい
る薄膜中に含まれる水分などの除去が行われる。
そして、第1の予備室10の内部において所定の真空度
の下で、所定の時間だけ所定の温度に加熱されることに
よって水分などが確実に除去された半導体ウェハなどの
被処理物3は、ゲートバルブv2およびゲートバルブv
1を適宜開閉することにより、所定の真空度に排気され
た第2の予備室11を介して処理室1の内部の真空度を
損なうことなく、該処理室1の内部に個別に搬入され、
所定の温度に加熱されている下部電極4に載置される。
の下で、所定の時間だけ所定の温度に加熱されることに
よって水分などが確実に除去された半導体ウェハなどの
被処理物3は、ゲートバルブv2およびゲートバルブv
1を適宜開閉することにより、所定の真空度に排気され
た第2の予備室11を介して処理室1の内部の真空度を
損なうことなく、該処理室1の内部に個別に搬入され、
所定の温度に加熱されている下部電極4に載置される。
この時、第1の予備室10の内部において予め所定の温
度に加熱されているので被処理物3は熱衡撃などを受け
ることがない。
度に加熱されているので被処理物3は熱衡撃などを受け
ることがない。
その後、処理室1の内部には、処理流体供給口8を介し
て所定の組成の処理流体9の雰囲気が形成されるととも
に、上部電極2と下部電極4との間には所定の高周波電
力が印加され、処理流体雰囲気がプラズマ化されること
によって下部電極4に載置された被処理物30表面にお
ける化学気相成長反応が促進され、被処理物3の表面に
は所定の物質からなる薄膜が堆積される。
て所定の組成の処理流体9の雰囲気が形成されるととも
に、上部電極2と下部電極4との間には所定の高周波電
力が印加され、処理流体雰囲気がプラズマ化されること
によって下部電極4に載置された被処理物30表面にお
ける化学気相成長反応が促進され、被処理物3の表面に
は所定の物質からなる薄膜が堆積される。
所定の時間経過後、処理流体9の供給および高周波電力
の印加が停止され、表面に所定の物質からなる薄膜が所
定の厚さに形成された被処理物3は、ゲートバルブv4
を介して、所定の真空度に排気された予備室17に移動
され、ゲートバルブV4を閉止した後、ゲートバルブv
5を開放することによって、処理室1の内部の真空度な
どを損なうことなく外部に搬出される。
の印加が停止され、表面に所定の物質からなる薄膜が所
定の厚さに形成された被処理物3は、ゲートバルブv4
を介して、所定の真空度に排気された予備室17に移動
され、ゲートバルブV4を閉止した後、ゲートバルブv
5を開放することによって、処理室1の内部の真空度な
どを損なうことなく外部に搬出される。
ここで、本実施例では、第1の予備室10および第2の
予備室11が処理室1に直列に接続されるとともに、第
1の予備室10の内部には複数の半導体ウェハなどの被
処理物3が収容され、所定の真空度の下で所定の温度に
加熱された後に第2の予備室11を介して処理室1の内
部に搬入されるように構成されているため、処理室1の
内部における薄膜形成に要する時間などに制約されるこ
とな(、第1の予備室10の内部における被処理物3の
所定の真空度の下での加熱時間を確保することができる
ので、被処理物3が所定の温度に確実に加熱されるとと
もに、所定の真空度の下における加熱による水分の除去
などが確実に行われる。
予備室11が処理室1に直列に接続されるとともに、第
1の予備室10の内部には複数の半導体ウェハなどの被
処理物3が収容され、所定の真空度の下で所定の温度に
加熱された後に第2の予備室11を介して処理室1の内
部に搬入されるように構成されているため、処理室1の
内部における薄膜形成に要する時間などに制約されるこ
とな(、第1の予備室10の内部における被処理物3の
所定の真空度の下での加熱時間を確保することができる
ので、被処理物3が所定の温度に確実に加熱されるとと
もに、所定の真空度の下における加熱による水分の除去
などが確実に行われる。
このため、半導体ウェハなどの被処理物3において、熱
衝撃などに起因する損傷、および水分などの残留に起因
して被処理物3に形成される半導体素子の電気的な特性
の変動や信頼性の低下が発生することなどが回避される
。
衝撃などに起因する損傷、および水分などの残留に起因
して被処理物3に形成される半導体素子の電気的な特性
の変動や信頼性の低下が発生することなどが回避される
。
また、第1の予備室10が第2の予備室11を介して処
理室1に接続されているため、第1の予備室10におけ
る真空度の制約が緩和され、たとえば第1の予備室10
に設けられた排気口12に接続される図示しない真空系
を簡略化することができる。
理室1に接続されているため、第1の予備室10におけ
る真空度の制約が緩和され、たとえば第1の予備室10
に設けられた排気口12に接続される図示しない真空系
を簡略化することができる。
このように本実施例においては以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)、第1の予備室10および第2の予備室11が処
理室1に直列に接続されるとともに、第1の予備室10
の内部には複数の半導体ウェハなどの被処理物3が搬送
治具15に保持された状態で収容され、所定の真空度の
下で所定の温度に加熱された後に第2の予備室11を介
して処理室lの内部に搬入されるように構成されている
ため、処理室1の内部における薄膜形成に要する時間な
どに制約されることなく、第1の予備室10の内部にお
ける被処理物3の所定の真空度の下での加熱時間を確保
することができるので、被処理物3が所定の温度に確実
に加熱されるとともに、所定の真空度の下における加熱
による水分の除去などが確実に行われる。
理室1に直列に接続されるとともに、第1の予備室10
の内部には複数の半導体ウェハなどの被処理物3が搬送
治具15に保持された状態で収容され、所定の真空度の
下で所定の温度に加熱された後に第2の予備室11を介
して処理室lの内部に搬入されるように構成されている
ため、処理室1の内部における薄膜形成に要する時間な
どに制約されることなく、第1の予備室10の内部にお
ける被処理物3の所定の真空度の下での加熱時間を確保
することができるので、被処理物3が所定の温度に確実
に加熱されるとともに、所定の真空度の下における加熱
による水分の除去などが確実に行われる。
(2)、前記(1)の結果、半導体ウェハなどの被処理
物3において、熱衝撃などに起因する損傷、および水分
などの残留に起因する被処理物3に形成される半導体素
子の電気的な特性の変動や信頼性の低下の発生などが回
避され、半導体装置の製造にお(する歩留りが向上され
る。
物3において、熱衝撃などに起因する損傷、および水分
などの残留に起因する被処理物3に形成される半導体素
子の電気的な特性の変動や信頼性の低下の発生などが回
避され、半導体装置の製造にお(する歩留りが向上され
る。
(3)、前記(1)の結果、第1の予備室10が第20
予備室11を介して処理室1に接続されているため、第
1の予備室10における真空度の制約が緩和され、たと
えば第1の予備室lOに設けられた排気口12に接続さ
れる図示しない真空系を簡略化することができる。
予備室11を介して処理室1に接続されているため、第
1の予備室10における真空度の制約が緩和され、たと
えば第1の予備室lOに設けられた排気口12に接続さ
れる図示しない真空系を簡略化することができる。
〔実施例2〕
第2図は、本発明の他の実施例である処理装置の要部を
示す略断面図である。
示す略断面図である。
本実施例2においては、第1の予備室10aおよび第2
の予備室11aが処理室1に直列に接続され、処理室1
に近い第2の予備室11aに加熱手段14aが設けられ
るとともに、第2の予備室11aの内部には、複数の被
処理物3を保持する保持治具20が備えられている。
の予備室11aが処理室1に直列に接続され、処理室1
に近い第2の予備室11aに加熱手段14aが設けられ
るとともに、第2の予備室11aの内部には、複数の被
処理物3を保持する保持治具20が備えられている。
そして、外部において、搬送治具15に保持された複数
の半導体ウェハなどの被処理物3は、第1の予備室10
aを介して個別に第2の予備室11aに搬入された後、
第2の予備室11aに設けられた保持治具20に所定の
数量だけ蓄積され、所定の真空度の下で所定の温度に加
熱された後に、順次、個別に処理室1の内部に供給され
るものである。
の半導体ウェハなどの被処理物3は、第1の予備室10
aを介して個別に第2の予備室11aに搬入された後、
第2の予備室11aに設けられた保持治具20に所定の
数量だけ蓄積され、所定の真空度の下で所定の温度に加
熱された後に、順次、個別に処理室1の内部に供給され
るものである。
本実施例2においては以下の効果を得ることができる。
〔1)、第1の予備室10aおよび第2の予備室11a
が処理室1に直列に接続されるとともに、第2の予備室
11aの内部には保持治具20に複数の半導体ウェハな
どの被処理物3が収容され、所定の真空度の下で所定の
温度に加熱された後に処理室1の内部に搬入されるよう
に構成されているため、第2の予備室11aの保持治具
20に収容される被処理物3の数量を適宜設定すること
により、処理室1の内部に右ける薄膜形成に要する時間
などに制約されることなく、第2の予備室11aの内部
における被処理物3の所定の真空度の下での加熱時間を
確保することができるので、被処理物3が所定の温度に
確実に加熱されるとともに、所定の真空度の下における
加熱による水分の除去などが確実に行われる。
が処理室1に直列に接続されるとともに、第2の予備室
11aの内部には保持治具20に複数の半導体ウェハな
どの被処理物3が収容され、所定の真空度の下で所定の
温度に加熱された後に処理室1の内部に搬入されるよう
に構成されているため、第2の予備室11aの保持治具
20に収容される被処理物3の数量を適宜設定すること
により、処理室1の内部に右ける薄膜形成に要する時間
などに制約されることなく、第2の予備室11aの内部
における被処理物3の所定の真空度の下での加熱時間を
確保することができるので、被処理物3が所定の温度に
確実に加熱されるとともに、所定の真空度の下における
加熱による水分の除去などが確実に行われる。
(2)、前記(1)の結果、半導体ウェハなどの被処理
物3において、熱衝撃などに起因する損傷、および水分
などの残留に起因する被処理物3に形成される半導体素
子の電気的な特性の変動や信頼性の低下の発生などが回
避され、半導体装置の製造における歩留りが向上される
。
物3において、熱衝撃などに起因する損傷、および水分
などの残留に起因する被処理物3に形成される半導体素
子の電気的な特性の変動や信頼性の低下の発生などが回
避され、半導体装置の製造における歩留りが向上される
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、処理室1における被処理物3に対する薄膜形
成処理は、高周波電力によって処理流体9をプラズマ化
する方法に限らず、他のいかなる方法であってもよい。
成処理は、高周波電力によって処理流体9をプラズマ化
する方法に限らず、他のいかなる方法であってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの薄膜
形成処理に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、たとえば、所定の処理に先立っ
て被処理物の加熱および乾燥などが必要とされる技術に
広く適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの薄膜
形成処理に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、たとえば、所定の処理に先立っ
て被処理物の加熱および乾燥などが必要とされる技術に
広く適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、内部に位置される被処理物に対して所定の温
度、真空度および処理流体雰囲気のもとで所定の処理を
施す処理室に、該処理室とは独立に内部の真空度が制御
されるとともに、前記処理室に対する前記被処理物の搬
入または搬出を行う第1および第2の予備室が直列に接
続され、該第1および第2の予備室の少なくとも一方に
は、前記処理室に搬入される前記被処理物を所定の温度
に加熱する加熱手段が設けられているので、たとえば加
熱手段が設けられた第1または第2の予備室に複数の被
処理物を収容することにより、処理室における処理時間
などに制約されることなく第1および第2の予備室の少
なくとも一方における被処理物の加熱時間を確保するこ
とができるので、第1または第2の予備室における被処
理物の不十分な加熱などに起因する損傷や不良の発生を
防止することができる。
度、真空度および処理流体雰囲気のもとで所定の処理を
施す処理室に、該処理室とは独立に内部の真空度が制御
されるとともに、前記処理室に対する前記被処理物の搬
入または搬出を行う第1および第2の予備室が直列に接
続され、該第1および第2の予備室の少なくとも一方に
は、前記処理室に搬入される前記被処理物を所定の温度
に加熱する加熱手段が設けられているので、たとえば加
熱手段が設けられた第1または第2の予備室に複数の被
処理物を収容することにより、処理室における処理時間
などに制約されることなく第1および第2の予備室の少
なくとも一方における被処理物の加熱時間を確保するこ
とができるので、第1または第2の予備室における被処
理物の不十分な加熱などに起因する損傷や不良の発生を
防止することができる。
第1図は本発明の一実施例である処理装置の要部を示す
略断面図、 第2図は本発明の他の実施例である処理装置の要部を示
す略断面図である。 1・・・処理室、2・・・上部電極、3・・・被処理物
、4・・・下部電極、5・・・高周波電源、6・・・排
気口、7・・・処理流体源、8・・・処理流体供給口、
9・・・処理流体、10゜101・・・第1の予備室、
11.113・・・第2の予備室、12・・・排気口、
13・・・排気口、14.14a・・・加熱手段、15
・・・搬送治具、16,16a・・・搬送機構、17・
・・予備室、18・・・排気口、19・・・搬送機構、
20−・・保持治具、Vl、V2.V3゜v4.v5・
・・ゲートバルブ。
略断面図、 第2図は本発明の他の実施例である処理装置の要部を示
す略断面図である。 1・・・処理室、2・・・上部電極、3・・・被処理物
、4・・・下部電極、5・・・高周波電源、6・・・排
気口、7・・・処理流体源、8・・・処理流体供給口、
9・・・処理流体、10゜101・・・第1の予備室、
11.113・・・第2の予備室、12・・・排気口、
13・・・排気口、14.14a・・・加熱手段、15
・・・搬送治具、16,16a・・・搬送機構、17・
・・予備室、18・・・排気口、19・・・搬送機構、
20−・・保持治具、Vl、V2.V3゜v4.v5・
・・ゲートバルブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、内部に位置される被処理物に対して所定の温度、真
空度および処理流体雰囲気のもとで所定の処理を施す処
理室に、該処理室とは独立に内部の真空度が制御される
とともに、前記処理室に対する前記被処理物の搬入また
は搬出を行う第1および第2の予備室が直列に接続され
、該第1および第2の予備室の少なくとも一方には、前
記処理室に搬入される前記被処理物を所定の温度に加熱
する加熱手段が設けられていることを特徴とする処理装
置。 2、前記第1の予備室に加熱手段が設けられ、所定の搬
送治具に保持された複数の前記被処理物が前記第1の予
備室に一括して収容されるとともに、該第1の予備室か
ら前記第2の予備室を介して前記被処理物が前記処理室
内に個別に供給されることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の処理装置。 3、前記第2の予備室に加熱手段が設けられ、外部から
前記第1の予備室を介して個別に搬入される前記被処理
物が該第2の予備室に所定の数量だけ蓄積され、第2の
予備室に蓄積された前記被処理物が前記処理室に個別に
供給されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の処理装置。 4、前記被処理物が半導体ウェハであり、前記処理装置
が、所定の真空度の下で該半導体ウェハの表面に所定の
物質からなる薄膜を形成する低圧化学気相成長装置であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の処理装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22597286A JPS6381915A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22597286A JPS6381915A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6381915A true JPS6381915A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16837768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22597286A Pending JPS6381915A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6381915A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130554A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Teru Kyushu Kk | アッシング装置 |
JPH03230522A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-10-14 | Applied Materials Inc | タングステンの選択的付着方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22597286A patent/JPS6381915A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130554A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Teru Kyushu Kk | アッシング装置 |
JPH03230522A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-10-14 | Applied Materials Inc | タングステンの選択的付着方法 |
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