JP3130630B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3130630B2 JP3130630B2 JP5952492A JP5952492A JP3130630B2 JP 3130630 B2 JP3130630 B2 JP 3130630B2 JP 5952492 A JP5952492 A JP 5952492A JP 5952492 A JP5952492 A JP 5952492A JP 3130630 B2 JP3130630 B2 JP 3130630B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- orientation flat
- processing
- buffer stage
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子の製
造等において使用される、処理装置に関する。
造等において使用される、処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の処理装置について、半導体素子の
製造工程において使用される縦型熱処理装置を例に採っ
て説明する。
製造工程において使用される縦型熱処理装置を例に採っ
て説明する。
【0003】縦型熱処理装置としては、多数枚の半導体
ウエハを収納したウエハボートを略円筒型の縦型プロセ
スチューブ内に搬入し、このプロセスチューブを加熱す
ることにより、半導体ウエハの加熱処理を行なうものが
知られている。
ウエハを収納したウエハボートを略円筒型の縦型プロセ
スチューブ内に搬入し、このプロセスチューブを加熱す
ることにより、半導体ウエハの加熱処理を行なうものが
知られている。
【0004】このような熱処理装置は、例えば、半導体
ウエハへの酸化膜の形成や、熱CVD法による薄膜形
成、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などに、使
用される。
ウエハへの酸化膜の形成や、熱CVD法による薄膜形
成、熱拡散法による高不純物濃度領域の形成などに、使
用される。
【0005】図3は、かかる縦型熱処理装置の構成例を
概略的に示す断面図である。
概略的に示す断面図である。
【0006】図に示したように、例えば石英等によって
形成されたプロセスチューブ80の下側にはマニホール
ド82が設置されており、かかるマニホールド82に設
けられた排気管84およびガス導入管86によって、プ
ロセスチューブ80内のガスの排気および導入が行われ
る。また、このプロセスチューブ80の外側には、プロ
セスチューブ80を囲んでヒータ88が設けられてお
り、プロセスチューブ80内を所望の温度に加熱制御す
ることができる。
形成されたプロセスチューブ80の下側にはマニホール
ド82が設置されており、かかるマニホールド82に設
けられた排気管84およびガス導入管86によって、プ
ロセスチューブ80内のガスの排気および導入が行われ
る。また、このプロセスチューブ80の外側には、プロ
セスチューブ80を囲んでヒータ88が設けられてお
り、プロセスチューブ80内を所望の温度に加熱制御す
ることができる。
【0007】多数枚の半導体ウエハ10を収納したウエ
ハボート90は、ボートエレベータ76により、真空室
78からプロセスチューブ80に挿入される。ここで、
ウエハボート90がプロセスチューブ80内に挿入され
たときは、フランジ94によってプロセスチューブ80
内が密閉されるように構成されている。
ハボート90は、ボートエレベータ76により、真空室
78からプロセスチューブ80に挿入される。ここで、
ウエハボート90がプロセスチューブ80内に挿入され
たときは、フランジ94によってプロセスチューブ80
内が密閉されるように構成されている。
【0008】このような装置においては、半導体ウエハ
10のウエハボート90への収納する作業や半導体ウエ
ハ10を収納したウエハボート90をプロセスチューブ
80へ挿入する作業は、例えばN2 ガス等の雰囲気下で
行なうことが望ましい。これらの作業を大気中で行なう
と、大気中のO2 によって半導体ウエハ表面に自然酸化
膜が形成されてしまうからである。このため、ウエハキ
ャリア98に収納された半導体ウエハ10をウエハボー
ト90に移し換えるための搬送手段92は、真空室96
内に配置されている。
10のウエハボート90への収納する作業や半導体ウエ
ハ10を収納したウエハボート90をプロセスチューブ
80へ挿入する作業は、例えばN2 ガス等の雰囲気下で
行なうことが望ましい。これらの作業を大気中で行なう
と、大気中のO2 によって半導体ウエハ表面に自然酸化
膜が形成されてしまうからである。このため、ウエハキ
ャリア98に収納された半導体ウエハ10をウエハボー
ト90に移し換えるための搬送手段92は、真空室96
内に配置されている。
【0009】このような構成の装置を用いて半導体ウエ
ハ10に処理を施す場合は、まず、N2 ガス雰囲気下で
半導体ウエハ10をウエハボート90に収納し、このウ
エハボート90を搬入手段によって上昇させてプロセス
チューブ80内に挿入する。その後、排気管84を用い
てプロセスチューブ80内のN2 ガスを排出し、プロセ
スチューブ80内が所定の真空度に達すると、ガス導入
管86により処理ガスを導入し、所望の処理を行なう。
ハ10に処理を施す場合は、まず、N2 ガス雰囲気下で
半導体ウエハ10をウエハボート90に収納し、このウ
エハボート90を搬入手段によって上昇させてプロセス
チューブ80内に挿入する。その後、排気管84を用い
てプロセスチューブ80内のN2 ガスを排出し、プロセ
スチューブ80内が所定の真空度に達すると、ガス導入
管86により処理ガスを導入し、所望の処理を行なう。
【0010】一方、処理が終了すると、排気管84を用
いてプロセスチューブ80内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ80内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管86によりN2 ガスを導入する。その後、N2 ガス
の圧力が真空室78のN2 ガスの圧力と同じになると、
ウエハボート90を下降させ、半導体ウエハ10を取り
出す。
いてプロセスチューブ80内の処理ガスを排出し、プロ
セスチューブ80内が所定の真空度に達すると、ガス導
入管86によりN2 ガスを導入する。その後、N2 ガス
の圧力が真空室78のN2 ガスの圧力と同じになると、
ウエハボート90を下降させ、半導体ウエハ10を取り
出す。
【0011】このように、図3に示した縦型熱処理装置
では、縦型熱処理部をプロセスチューブ80によって構
成していることと、マニホールド82に排気管84およ
びガス導入管86を具備させたこととにより、プロセス
チューブ80内の雰囲気ガスを自由に入れ換えることが
できるので、このプロセスチューブ80への半導体ウエ
ハ10の搬入をN2 ガス雰囲気下で行なっても、所望の
ガス雰囲気下での処理を行なうことができる。また、処
理の終了後に半導体ウエハ10をプロセスチューブ80
の外へ搬出する際にも、上述のようにしてN2 ガス雰囲
気下に戻すことができるので、プロセスチューブ80の
外部の雰囲気に悪影響を及ぼすことがない。すなわち、
上述のような構成により、プロセスチューブ80への半
導体ウエハ10の搬入および搬出をN2 ガス雰囲気下で
行なうことができるので、半導体ウエハ10への自然酸
化膜の形成を防止することが可能となるのである。
では、縦型熱処理部をプロセスチューブ80によって構
成していることと、マニホールド82に排気管84およ
びガス導入管86を具備させたこととにより、プロセス
チューブ80内の雰囲気ガスを自由に入れ換えることが
できるので、このプロセスチューブ80への半導体ウエ
ハ10の搬入をN2 ガス雰囲気下で行なっても、所望の
ガス雰囲気下での処理を行なうことができる。また、処
理の終了後に半導体ウエハ10をプロセスチューブ80
の外へ搬出する際にも、上述のようにしてN2 ガス雰囲
気下に戻すことができるので、プロセスチューブ80の
外部の雰囲気に悪影響を及ぼすことがない。すなわち、
上述のような構成により、プロセスチューブ80への半
導体ウエハ10の搬入および搬出をN2 ガス雰囲気下で
行なうことができるので、半導体ウエハ10への自然酸
化膜の形成を防止することが可能となるのである。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子を安価に製
造するためには、製造工程を簡略化し、製造に要する時
間を短縮することが要請される。
造するためには、製造工程を簡略化し、製造に要する時
間を短縮することが要請される。
【0013】ところで、上述した従来の縦型熱処理装置
には、ウエハボート90へ多数枚の半導体ウエハ10を
収納する際に、各半導体ウエハ10のオリエンテーショ
ンフラットの向きを正確に一致させることができないと
いう課題があった。このため、例えば、この縦型熱処理
装置を用いて処理を行なう場合、プロセスチューブ80
内での処理ガスの流れに乱れが生じ、これに起因して、
均一な処理を行なうことができない場合があった。
には、ウエハボート90へ多数枚の半導体ウエハ10を
収納する際に、各半導体ウエハ10のオリエンテーショ
ンフラットの向きを正確に一致させることができないと
いう課題があった。このため、例えば、この縦型熱処理
装置を用いて処理を行なう場合、プロセスチューブ80
内での処理ガスの流れに乱れが生じ、これに起因して、
均一な処理を行なうことができない場合があった。
【0014】かかる課題を解決するために、本発明者
は、予めオリフラ合わせ機構で半導体ウエハ10のオリ
エンテーションフラットの向きを一枚ずつ設定した後
に、半導体ウエハを一枚ずつウエハボート90へ収納す
ることにより、ウエハボート90へ収納した各半導体ウ
エハ10のオリエンテーションフラットの向きを正確に
一致させることを試みた。しかし、この場合、各半導体
ウエハ10のオリエンテーションフラットの向きを正確
に一致させることはできるものの、この向き合わせに要
する時間やオリフラ合わせ機構に半導体ウエハ10を搬
送する時間の分、半導体ウエハ10の処理に要する時間
が長くなってしまい、したがって、半導体素子の製造に
要する時間が全体で長くなってしまうという新たな課題
を生じた。
は、予めオリフラ合わせ機構で半導体ウエハ10のオリ
エンテーションフラットの向きを一枚ずつ設定した後
に、半導体ウエハを一枚ずつウエハボート90へ収納す
ることにより、ウエハボート90へ収納した各半導体ウ
エハ10のオリエンテーションフラットの向きを正確に
一致させることを試みた。しかし、この場合、各半導体
ウエハ10のオリエンテーションフラットの向きを正確
に一致させることはできるものの、この向き合わせに要
する時間やオリフラ合わせ機構に半導体ウエハ10を搬
送する時間の分、半導体ウエハ10の処理に要する時間
が長くなってしまい、したがって、半導体素子の製造に
要する時間が全体で長くなってしまうという新たな課題
を生じた。
【0015】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みて試されたものであり、被処理体の処理に要する時間
を短縮することができる処理装置を提供することを目的
とする。
みて試されたものであり、被処理体の処理に要する時間
を短縮することができる処理装置を提供することを目的
とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる処理装置
は、複数の被処理体をバッチ処理する処理部と、処理さ
れる複数の前記被処理体を収容する収容部と、前記収容
部より前記処理部に向けて一枚ずつ前記被処理体を搬送
する搬送手段と、前記収容部と処理部との間の搬送途中
に配置され、前記処理部に搬入される前に前記被処理体
の位置合わせを行なう位置合わせ機構と、前記位置合わ
せ機構と隣接して配置され、前記位置合わせ機構で位置
合わせを行なう前記被処理体を一時的に載置するための
バッファステージと、を具備することを特徴とする。
は、複数の被処理体をバッチ処理する処理部と、処理さ
れる複数の前記被処理体を収容する収容部と、前記収容
部より前記処理部に向けて一枚ずつ前記被処理体を搬送
する搬送手段と、前記収容部と処理部との間の搬送途中
に配置され、前記処理部に搬入される前に前記被処理体
の位置合わせを行なう位置合わせ機構と、前記位置合わ
せ機構と隣接して配置され、前記位置合わせ機構で位置
合わせを行なう前記被処理体を一時的に載置するための
バッファステージと、を具備することを特徴とする。
【0017】
【作用】本発明に係わる処理装置では、最初の被処理体
を位置合わせ機構に載置して位置合わせを行なっている
最中に、次に位置合わせを行なう被処理体をバッファス
テージまで搬送して載置しておくことにより、処理部へ
の被処理体の搬入に要する時間を全体として短縮する。
を位置合わせ機構に載置して位置合わせを行なっている
最中に、次に位置合わせを行なう被処理体をバッファス
テージまで搬送して載置しておくことにより、処理部へ
の被処理体の搬入に要する時間を全体として短縮する。
【0018】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【0019】図1は、本実施例に係わる処理装置の構成
を概念的に示す上面図である。
を概念的に示す上面図である。
【0020】図1において、準備室であるロボットチャ
ンバ20は、排気管及びガス導入管(共に図示せず)が
接続された真空チャンバによって構成されており、非酸
化雰囲気を得るためのパージガス(本実施例ではN2 ガ
スを使用する)をガス導入管より導入することができる
ように構成されている。また、このロボットチャンバ2
0は、処理室例えば縦型熱処理炉を有する酸化装置2
2、および、処理室例えば縦型熱処理炉を有するCVD
装置24に、それぞれゲートバルブ52,54を介して
連結されている。
ンバ20は、排気管及びガス導入管(共に図示せず)が
接続された真空チャンバによって構成されており、非酸
化雰囲気を得るためのパージガス(本実施例ではN2 ガ
スを使用する)をガス導入管より導入することができる
ように構成されている。また、このロボットチャンバ2
0は、処理室例えば縦型熱処理炉を有する酸化装置2
2、および、処理室例えば縦型熱処理炉を有するCVD
装置24に、それぞれゲートバルブ52,54を介して
連結されている。
【0021】酸化装置22およびCVD装置24は処理
部の一例であり、その構成は、上述の図3に示した縦型
熱処理装置の構成とほぼ同じである。なお、それぞれの
装置において、ガス導入管86からは、その装置におけ
る処理の内容に応じた処理ガスと、N2 ガスとを導入す
ることができるように構成されている。処理ガスとして
は、例えばCVD装置24の場合、ポリシリコン薄膜を
形成するのであればSiH4 ガスを使用し、シリコン窒
化膜を形成するのであればNH4 ガスおよびSiH2 C
l2 ガスを使用する。また、ヒータ88の加熱能力も、
処理の内容に応じて定めればよい。例えば、酸化装置2
2の場合は800〜1200℃に設定できるように構成
し、また、CVD装置24は500〜1000℃に設定
できるように構成すればよい。
部の一例であり、その構成は、上述の図3に示した縦型
熱処理装置の構成とほぼ同じである。なお、それぞれの
装置において、ガス導入管86からは、その装置におけ
る処理の内容に応じた処理ガスと、N2 ガスとを導入す
ることができるように構成されている。処理ガスとして
は、例えばCVD装置24の場合、ポリシリコン薄膜を
形成するのであればSiH4 ガスを使用し、シリコン窒
化膜を形成するのであればNH4 ガスおよびSiH2 C
l2 ガスを使用する。また、ヒータ88の加熱能力も、
処理の内容に応じて定めればよい。例えば、酸化装置2
2の場合は800〜1200℃に設定できるように構成
し、また、CVD装置24は500〜1000℃に設定
できるように構成すればよい。
【0022】ロボットチャンバ20は、被処理体として
の半導体ウエハ10を収納するためのカセット室30
a,30bとも、ゲートバルブ58a,58bを介して
連結されている。このカセット室30a,30bは、排
気及びN2 ガスを導入可能に構成されると共に、半導体
ウエハ10を収納したウエハキャリアをそのまま設置で
きるように構成されている。カセット室30a,30b
は、例えば、処理前の半導体ウエハ10を収納したウエ
ハキャリアはカセット室30aに設置し、処理後の半導
体ウエハ10はカセット室30bに設置されたウエハキ
ャリアに収納されることとしてもよい。また、例えば、
カセット室30aに設置したウエハキャリアの半導体ウ
エハは、処理後にカセット室30aのウエハキャリアに
収納されることとしてもよい。なお、カセット室の数
は、1個でもよいし、3個以上でもよいことはもちろん
である。
の半導体ウエハ10を収納するためのカセット室30
a,30bとも、ゲートバルブ58a,58bを介して
連結されている。このカセット室30a,30bは、排
気及びN2 ガスを導入可能に構成されると共に、半導体
ウエハ10を収納したウエハキャリアをそのまま設置で
きるように構成されている。カセット室30a,30b
は、例えば、処理前の半導体ウエハ10を収納したウエ
ハキャリアはカセット室30aに設置し、処理後の半導
体ウエハ10はカセット室30bに設置されたウエハキ
ャリアに収納されることとしてもよい。また、例えば、
カセット室30aに設置したウエハキャリアの半導体ウ
エハは、処理後にカセット室30aのウエハキャリアに
収納されることとしてもよい。なお、カセット室の数
は、1個でもよいし、3個以上でもよいことはもちろん
である。
【0023】ロボットチャンバ20内には、半導体ウエ
ハ10の搬送を行なうための第1の搬送手段である搬送
機構32が設けられている。この搬送機構32は、上述
した酸化装置22およびCVD装置24のウエハボー
ト、カセット室30a,30b内のウエハキャリア、並
びに、後述するオリフラ合わせ機構34およびバッファ
ステージ36に対する、半導体ウエハ10の搬入、搬出
を行うことができるように構成されている。
ハ10の搬送を行なうための第1の搬送手段である搬送
機構32が設けられている。この搬送機構32は、上述
した酸化装置22およびCVD装置24のウエハボー
ト、カセット室30a,30b内のウエハキャリア、並
びに、後述するオリフラ合わせ機構34およびバッファ
ステージ36に対する、半導体ウエハ10の搬入、搬出
を行うことができるように構成されている。
【0024】ロボットチャンバ20内に設けられたオリ
フラ合わせ機構34は、搬送機構32を用いて半導体ウ
エハ10を酸化装置22或いはCVD装置24に搬入す
る前に、予め、この半導体ウエハ10のオリエンテーシ
ョンフラット10aの向きを調整するために使用される
(以下、この調整を「オリフラ合わせ」と略称する)。
オリフラ合わせ機構34の構成は特に限定されるもので
はないが、本実施例では、上部に設けられた載置台34
aに半導体ウエハ10を載置し、この載置台34aを回
転させることにより、オリフラ合わせを行なう。なお、
オリエンテーションフラットの向きが所望の向きとなっ
たか否かは、例えば光センサ等を用いて検知することが
できる。なお、オリフラ合わせと同時に、半導体ウエハ
10の水平方向の位置合わせも行なうこととする。
フラ合わせ機構34は、搬送機構32を用いて半導体ウ
エハ10を酸化装置22或いはCVD装置24に搬入す
る前に、予め、この半導体ウエハ10のオリエンテーシ
ョンフラット10aの向きを調整するために使用される
(以下、この調整を「オリフラ合わせ」と略称する)。
オリフラ合わせ機構34の構成は特に限定されるもので
はないが、本実施例では、上部に設けられた載置台34
aに半導体ウエハ10を載置し、この載置台34aを回
転させることにより、オリフラ合わせを行なう。なお、
オリエンテーションフラットの向きが所望の向きとなっ
たか否かは、例えば光センサ等を用いて検知することが
できる。なお、オリフラ合わせと同時に、半導体ウエハ
10の水平方向の位置合わせも行なうこととする。
【0025】一方、バッファステージ36は、載置台3
6aを有しており、オリフラ合わせ機構34が半導体ウ
エハ10のオリフラ合わせをしている最中に、次にオリ
フラ合わせをする半導体ウエハ10をあらかじめ搬送し
て載置しておくために使用される。
6aを有しており、オリフラ合わせ機構34が半導体ウ
エハ10のオリフラ合わせをしている最中に、次にオリ
フラ合わせをする半導体ウエハ10をあらかじめ搬送し
て載置しておくために使用される。
【0026】オリフラ合わせ機構34およびバッファス
テージ36を用いてオリフラ合わせをする手順につい
て、カセット室30a内の半導体ウエハ10を1枚づつ
取り出し、オリフラ合わせをした後に、酸化装置22内
の収納手段であるウエハボート90に収納する場合を例
に採って説明する。なお、以下の工程は、カセット室3
0a、ロボットチャンバ20及び処理室22又は24内
の雰囲気を、大気以外の雰囲気例えば真空雰囲気あるい
はN2 雰囲気に設定し、半導体ウエハ10の搬入に必要
なゲートバルブは全て開放した状態にて実施される。
テージ36を用いてオリフラ合わせをする手順につい
て、カセット室30a内の半導体ウエハ10を1枚づつ
取り出し、オリフラ合わせをした後に、酸化装置22内
の収納手段であるウエハボート90に収納する場合を例
に採って説明する。なお、以下の工程は、カセット室3
0a、ロボットチャンバ20及び処理室22又は24内
の雰囲気を、大気以外の雰囲気例えば真空雰囲気あるい
はN2 雰囲気に設定し、半導体ウエハ10の搬入に必要
なゲートバルブは全て開放した状態にて実施される。
【0027】まず、搬送機構32が、カセット室30
aから1枚目の半導体ウエハ10を取り出し、オリフラ
合わせ機構34に載置する。
aから1枚目の半導体ウエハ10を取り出し、オリフラ
合わせ機構34に載置する。
【0028】オリフラ合わせ機構34による、1枚目
の半導体ウエハ10のオリフラ合わせを開始する。
の半導体ウエハ10のオリフラ合わせを開始する。
【0029】搬送機構32が、カセット室30aから
2枚目の半導体ウエハ10を取り出し、バッファステー
ジ36に載置する。
2枚目の半導体ウエハ10を取り出し、バッファステー
ジ36に載置する。
【0030】1枚目の半導体ウエハ10のオリフラ合
わせが終了すると、搬送機構32が、1枚目の半導体ウ
エハ10を酸化装置22内まで搬送し、ウエハボート9
0に収納する。
わせが終了すると、搬送機構32が、1枚目の半導体ウ
エハ10を酸化装置22内まで搬送し、ウエハボート9
0に収納する。
【0031】搬送機構32が、バッファステージ36
に載置された2枚目の半導体ウエハ10をオリフラ合わ
せ機構34まで搬送して載置する。
に載置された2枚目の半導体ウエハ10をオリフラ合わ
せ機構34まで搬送して載置する。
【0032】オリフラ合わせ機構34による、2枚目
の半導体ウエハ10のオリフラ合わせを開始する。
の半導体ウエハ10のオリフラ合わせを開始する。
【0033】搬送機構32が、カセット室30aから
3枚目の半導体ウエハ10を取り出し、バッファステー
ジ36に載置する。
3枚目の半導体ウエハ10を取り出し、バッファステー
ジ36に載置する。
【0034】以下、同様にして、カセット室30a内
のすべての半導体ウエハ10について、順次、オリフラ
合わせを行ない、ウエハボート90に収納する。
のすべての半導体ウエハ10について、順次、オリフラ
合わせを行ない、ウエハボート90に収納する。
【0035】このようにして、バッファステージ36を
用いて、次の半導体ウエハ10をあらかじめオリフラ合
わせ機構34の近傍まで搬送しておくことにより、オリ
フラ合わせ機構34でのオリフラ合わせを1回行なう度
に半導体ウエハ10のオリフラ合わせ機構34から酸化
装置22までの搬送およびカセット室30aからオリフ
ラ合わせ機構34への搬送を行なう場合に比べ、作業時
間を飛躍的に短縮することができる。例えば、本実施例
に係わる処理装置の場合、バッファステージ36を使用
しない場合は1枚の半導体ウエハ10について60秒の
作業時間が必要であるが、バッファステージ36を使用
する場合に必要な作業時間は45秒であった。
用いて、次の半導体ウエハ10をあらかじめオリフラ合
わせ機構34の近傍まで搬送しておくことにより、オリ
フラ合わせ機構34でのオリフラ合わせを1回行なう度
に半導体ウエハ10のオリフラ合わせ機構34から酸化
装置22までの搬送およびカセット室30aからオリフ
ラ合わせ機構34への搬送を行なう場合に比べ、作業時
間を飛躍的に短縮することができる。例えば、本実施例
に係わる処理装置の場合、バッファステージ36を使用
しない場合は1枚の半導体ウエハ10について60秒の
作業時間が必要であるが、バッファステージ36を使用
する場合に必要な作業時間は45秒であった。
【0036】なお、ロボットチャンバ20内の、オリフ
ラ合わせ機構34およびバッファステージ36を配置す
る位置は、特に限定されるものではない。ただし、本実
施例のような構成の場合は、オリフラ合わせ機構34か
ら酸化装置22までの搬送およびバッファステージ36
からオリフラ合わせ機構34への搬送を行なっている最
中はオリフラ合わせを行なうことができないので、オリ
フラ合わせ機構34と酸化装置22との距離およびバッ
ファステージ36とオリフラ合わせ機構34との距離
は、なるべく短いことが望ましい。
ラ合わせ機構34およびバッファステージ36を配置す
る位置は、特に限定されるものではない。ただし、本実
施例のような構成の場合は、オリフラ合わせ機構34か
ら酸化装置22までの搬送およびバッファステージ36
からオリフラ合わせ機構34への搬送を行なっている最
中はオリフラ合わせを行なうことができないので、オリ
フラ合わせ機構34と酸化装置22との距離およびバッ
ファステージ36とオリフラ合わせ機構34との距離
は、なるべく短いことが望ましい。
【0037】また、オリフラ合わせ機構34と酸化装置
22との距離を充分短くすることができない場合には、
オリフラ合わせを終了した半導体ウエハ10を一時的に
載置するための第2のバッファステージ36を設けても
よい。このとき、第2のバッファステージ36から酸化
装置22への搬送は、次の半導体ウエハ10のオリフラ
合わせの最中に行なえばよい。さらに、1台のオリフラ
合わせ機構34に対して、オリフラ合わせ前の半導体ウ
エハ10を載置するためのバッファステージ36やオリ
フラ合わせ後の半導体ウエハ10を載置するためのバッ
ファステージ36を複数台づつ設けることとしてもよ
い。この場合は、さらなる作業時間の短縮を図ることが
できる。
22との距離を充分短くすることができない場合には、
オリフラ合わせを終了した半導体ウエハ10を一時的に
載置するための第2のバッファステージ36を設けても
よい。このとき、第2のバッファステージ36から酸化
装置22への搬送は、次の半導体ウエハ10のオリフラ
合わせの最中に行なえばよい。さらに、1台のオリフラ
合わせ機構34に対して、オリフラ合わせ前の半導体ウ
エハ10を載置するためのバッファステージ36やオリ
フラ合わせ後の半導体ウエハ10を載置するためのバッ
ファステージ36を複数台づつ設けることとしてもよ
い。この場合は、さらなる作業時間の短縮を図ることが
できる。
【0038】加えて、ロボットチャンバ20内の、オリ
フラ合わせ機構34の個数も、複数台であってもよい。
オリフラ合わせ機構34を複数台とした場合は、さらな
る作業時間の短縮を図ることができる。さらに、酸化装
置22からCVD装置24へ半導体ウエハ10を搬送す
るときにもオリフラ合わせを行ないたいときは、第2の
オリフラ合わせ機構34およびバッファステージ36を
設けることとしてもよい。
フラ合わせ機構34の個数も、複数台であってもよい。
オリフラ合わせ機構34を複数台とした場合は、さらな
る作業時間の短縮を図ることができる。さらに、酸化装
置22からCVD装置24へ半導体ウエハ10を搬送す
るときにもオリフラ合わせを行ないたいときは、第2の
オリフラ合わせ機構34およびバッファステージ36を
設けることとしてもよい。
【0039】以上説明したように、本実施例の処理装置
によれば、バッファステージ36を用いて次の半導体ウ
エハ10をあらかじめオリフラ合わせ機構34の近傍ま
で搬送しておくことができるので、処理に要する全体の
時間を短縮することができる。 図2は、位置合せ機構
34の両側に第1,第2のバッファステージ60,62
を配置した実施例を示している。第1のバッファステー
ジ60は、上記実施例のバッファステージ36と同様の
目的で使用され、位置合わせ前の半導体ウエハ10を一
時的に載置するものである。第2のバッファステージ6
2は、位置合わせ直後の半導体ウエハ10を一時的に載
置するものである。
によれば、バッファステージ36を用いて次の半導体ウ
エハ10をあらかじめオリフラ合わせ機構34の近傍ま
で搬送しておくことができるので、処理に要する全体の
時間を短縮することができる。 図2は、位置合せ機構
34の両側に第1,第2のバッファステージ60,62
を配置した実施例を示している。第1のバッファステー
ジ60は、上記実施例のバッファステージ36と同様の
目的で使用され、位置合わせ前の半導体ウエハ10を一
時的に載置するものである。第2のバッファステージ6
2は、位置合わせ直後の半導体ウエハ10を一時的に載
置するものである。
【0040】上記構成によれば、位置合わせ機構34に
てオリフラ合わせが終了すると、その半導体ウエハ10
はロボットアーム32によって第2のバッファステージ
62上に載置される。オリフラ合わせ中に、次の半導体
ウエハ10が第1のバッファステージ60上に載置され
て待機しているので、オリフラ合わせ後に直ちに次の半
導体ウエハ10をオリフラ合わせ機構34上に載置で
き、オリフラ合わせ動作を速やかに開始できる。その
後、第2のバッファステージ62上のオリフラ合わせ済
みの半導体ウエハ10を、ロボットアーム32によって
処理室側に搬入することになる。
てオリフラ合わせが終了すると、その半導体ウエハ10
はロボットアーム32によって第2のバッファステージ
62上に載置される。オリフラ合わせ中に、次の半導体
ウエハ10が第1のバッファステージ60上に載置され
て待機しているので、オリフラ合わせ後に直ちに次の半
導体ウエハ10をオリフラ合わせ機構34上に載置で
き、オリフラ合わせ動作を速やかに開始できる。その
後、第2のバッファステージ62上のオリフラ合わせ済
みの半導体ウエハ10を、ロボットアーム32によって
処理室側に搬入することになる。
【0041】なお、本実施例では、処理装置として、酸
化処理、CVD薄膜形成を行なう処理装置を例に採って
説明したが、処理の種類や連結する処理装置の数は特に
限定されるものではなく、イオン注入などの他の処理を
行なう装置であってもよいことはもちろんである。
化処理、CVD薄膜形成を行なう処理装置を例に採って
説明したが、処理の種類や連結する処理装置の数は特に
限定されるものではなく、イオン注入などの他の処理を
行なう装置であってもよいことはもちろんである。
【0042】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の処
理装置によれば、被処理体の処理に要する時間を短縮す
ることができ、したがって、かかる被処理体の処理に要
するコストを低減させることができること等の効果を有
する。
理装置によれば、被処理体の処理に要する時間を短縮す
ることができ、したがって、かかる被処理体の処理に要
するコストを低減させることができること等の効果を有
する。
【図1】本発明の1実施例に係わる処理装置の構成を概
念的に示す平面図である。
念的に示す平面図である。
【図2】バッファステージを2か所に設けた本発明の変
形例を説明するための平面図である。
形例を説明するための平面図である。
【図3】従来の処理装置の構成例を概略的に示す断面図
である。
である。
10 半導体ウエハ 20 ロボットチャンバ 22 酸化装置 24 CVD装置 30 バッファステージ 32 搬送機構 34 オリフラ合わせ機構 36 バッファステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−94647(JP,A) 特開 平3−134176(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/265 H01L 21/31 H01L 21/324 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/42 H01L 21/68 C23C 16/00 - 16/56
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の被処理体をバッチ処理する処理部
と、 処理される複数の前記被処理体を収容する収容部と、 前記収容部より前記処理部に向けて一枚ずつ前記被処理
体を搬送する搬送手段と、 前記収容部と処理部との間の搬送途中に配置され、前記
処理部に搬入される前に前記被処理体の位置合わせを行
なう位置合わせ機構と、 前記位置合わせ機構と隣接して配置され、前記位置合わ
せ機構で位置合わせを行なう前記被処理体を一時的に載
置するためのバッファステージと、 を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項2】 請求項1において、 位置合わせを行う前の前記被処理体を一時的に載置する
ための第1のバッファステージと、 位置合わせを行った後の前記被処理体を載置するための
第2のバッファステージと、 を具備することを特徴とする処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5952492A JP3130630B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
US08/017,378 US5407350A (en) | 1992-02-13 | 1993-02-12 | Heat-treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5952492A JP3130630B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05226455A JPH05226455A (ja) | 1993-09-03 |
JP3130630B2 true JP3130630B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=13115746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5952492A Expired - Fee Related JP3130630B2 (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3130630B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3661138B2 (ja) | 1998-04-04 | 2005-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | アライメント高速処理機構 |
TW442891B (en) * | 1998-11-17 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum processing system |
KR100781351B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2007-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 패턴 검사장치 |
US7314808B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-01-01 | Applied Materials, Inc. | Method for sequencing substrates |
JP2009152649A (ja) * | 2009-04-07 | 2009-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | ウェーハの搬送方法 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP5952492A patent/JP3130630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05226455A (ja) | 1993-09-03 |
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