JPS6376582A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS6376582A JPS6376582A JP61219669A JP21966986A JPS6376582A JP S6376582 A JPS6376582 A JP S6376582A JP 61219669 A JP61219669 A JP 61219669A JP 21966986 A JP21966986 A JP 21966986A JP S6376582 A JPS6376582 A JP S6376582A
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- signal
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、複数個の光センナが配列され、該光センサか
ら信号を取出すための複数の信号出力線を有し、該信号
出力線より少ない数の信号出力端子から前記信号を読出
す光電変換装置に関する。
ら信号を取出すための複数の信号出力線を有し、該信号
出力線より少ない数の信号出力端子から前記信号を読出
す光電変換装置に関する。
[従来技術]
複数の光センサを1次元的又は2次元的に配列してカラ
ーセンサを構成したり、あるいは分割して読出しを行っ
たりする場合、信号出力線を複数本設けて各々の信号を
読出す必要がある。
ーセンサを構成したり、あるいは分割して読出しを行っ
たりする場合、信号出力線を複数本設けて各々の信号を
読出す必要がある。
第5図は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図であ
る。
る。
同図に示すように、光センサが1次元状に配列されたセ
ンサライン101および102が設けられ、各センサラ
インからの信号は信号出力線103又は104に順次取
出される。信号出力線103および104はアンプ10
5に共通接続され、アンプ105を介して信号出力端子
106に接続されている。したがって、一方のセンサラ
インの読出し動作中は、他方のセンサラインの読出し動
作は行われない、こうして、ここでは2本の信号出力線
の信号を1個の信号出力端子106から出力することが
でき、外部回路との配線数を減少させている。
ンサライン101および102が設けられ、各センサラ
インからの信号は信号出力線103又は104に順次取
出される。信号出力線103および104はアンプ10
5に共通接続され、アンプ105を介して信号出力端子
106に接続されている。したがって、一方のセンサラ
インの読出し動作中は、他方のセンサラインの読出し動
作は行われない、こうして、ここでは2本の信号出力線
の信号を1個の信号出力端子106から出力することが
でき、外部回路との配線数を減少させている。
この従来例の動作としては、センサライン101および
102からの信号が、一旦、電荷蓄積用キャパシタ又は
配線容量01〜Cnに蓄積される。その後シフトレジス
タの動作によって、順次、センサライン101からの信
号は信号出力線103に、センサライン102からの信
号は信号出力線104に各々取出され、アンプ105を
通して信号出力端子106から外部へ読出される。
102からの信号が、一旦、電荷蓄積用キャパシタ又は
配線容量01〜Cnに蓄積される。その後シフトレジス
タの動作によって、順次、センサライン101からの信
号は信号出力線103に、センサライン102からの信
号は信号出力線104に各々取出され、アンプ105を
通して信号出力端子106から外部へ読出される。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、このような従来の光電変換装置では、信
号出力線103および104が直接!続されているため
に、各信号出力線の配線容量CW1およびCW2が加算
され大きな配線容量となっている。このために、たとえ
ば電荷蓄積用キャパシタC1に蓄積された信号が信号出
力線103に取出された時、容量分割によって信号出力
線103に現われる出力が低下するという問題点を有し
ていた。
号出力線103および104が直接!続されているため
に、各信号出力線の配線容量CW1およびCW2が加算
され大きな配線容量となっている。このために、たとえ
ば電荷蓄積用キャパシタC1に蓄積された信号が信号出
力線103に取出された時、容量分割によって信号出力
線103に現われる出力が低下するという問題点を有し
ていた。
このような問題は、センサラインが多数存在し、信号出
力線の数が多い場合に顕著となる。
力線の数が多い場合に顕著となる。
E問題点を解決するための手段]
本発明による光電変換装置は、
複数個の光センサが配列され、該光センサから信号を取
出すための複数の信号出力線を有し、該信号出力線より
少ない数の信号出力端子から前記信号を読出す光電変換
装置において、 前記信号出力線は、各信号出力線を開閉するスイッチ手
段を介して所望の組合せで接続されていることを特徴と
する。
出すための複数の信号出力線を有し、該信号出力線より
少ない数の信号出力端子から前記信号を読出す光電変換
装置において、 前記信号出力線は、各信号出力線を開閉するスイッチ手
段を介して所望の組合せで接続されていることを特徴と
する。
[作用]
このように、上記信号出力線が各々スイッチ手段を介し
て接続されているために、−の信号出力線に信号が取出
される際に、当該信号出力線のスイッチ手段を閉じ、他
の信号出力線のスイッチ手段を開いておくことで、信号
が取出される信号出力線の配線容量を従来より大幅に減
少させることができる。その結果、信号出力線に取出さ
れる信号のレベル低下を防止することができる。
て接続されているために、−の信号出力線に信号が取出
される際に、当該信号出力線のスイッチ手段を閉じ、他
の信号出力線のスイッチ手段を開いておくことで、信号
が取出される信号出力線の配線容量を従来より大幅に減
少させることができる。その結果、信号出力線に取出さ
れる信号のレベル低下を防止することができる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明による光電変換装置の一実施例を示す
概略的回路図である。
概略的回路図である。
同図において、センサライン101からの信号を順次取
出す信号出力&!103は、スイッチ手段107を介し
てアンプ105の入力端子に接続されている。また、セ
ンサライン102からの信号を順次取出す信号出力線1
04は、スイッチ手段108を介してアンプ105の入
力端子に接続されている。
出す信号出力&!103は、スイッチ手段107を介し
てアンプ105の入力端子に接続されている。また、セ
ンサライン102からの信号を順次取出す信号出力線1
04は、スイッチ手段108を介してアンプ105の入
力端子に接続されている。
スイッチ手段107および108は、本実施例で(iM
Os)ランジスタを使用したが、勿論、導通時の抵抗が
低いアナログスイッチ等を用いてもよい。
Os)ランジスタを使用したが、勿論、導通時の抵抗が
低いアナログスイッチ等を用いてもよい。
また、複数のセンサラインの信号出力線を同様にスイッ
チ手段を介してアンプ105の入力端子に共通に接続し
てもよい。
チ手段を介してアンプ105の入力端子に共通に接続し
てもよい。
本実施例の動作としては、センサライン101からの信
号を信号出力線103に順次取出す時、スイッチ手段1
07をON、スイッチ手段108をOFFにする。これ
によって、信号出力線103の配線容量は実質的に信号
出力線103自身の配線容量Cw1のみとなり、電荷蓄
積用キャパシタC1〜Cnの各音MCをCwlに比べて
十分大きくしておけば、センサからの信号レベルを大き
く低下させることなく読出すことができる。
号を信号出力線103に順次取出す時、スイッチ手段1
07をON、スイッチ手段108をOFFにする。これ
によって、信号出力線103の配線容量は実質的に信号
出力線103自身の配線容量Cw1のみとなり、電荷蓄
積用キャパシタC1〜Cnの各音MCをCwlに比べて
十分大きくしておけば、センサからの信号レベルを大き
く低下させることなく読出すことができる。
逆に、センサライン102からの信号を取出す時は、ス
イッチ手段107をOFF、スイッチ手段108をON
にする。この場合も同様に、信号を低下させることなく
読出すことができる。
イッチ手段107をOFF、スイッチ手段108をON
にする。この場合も同様に、信号を低下させることなく
読出すことができる。
次に、本実施例におけるセンサラインの具体的の構成お
よび動作について説明する。
よび動作について説明する。
第2図(A)は、特開昭80−12759号公報〜特開
昭80−12785号公報に記載されている光電変換セ
ルの概略的断面図、第2図CB)は、その等価回路図で
ある。
昭80−12785号公報に記載されている光電変換セ
ルの概略的断面図、第2図CB)は、その等価回路図で
ある。
両図において、n+シリコン基板1上に光電変換セルが
形成され配列されており、各光電変換セルは5i02
、 Si3 N4 、又はポリシリコン等より成る素子
分離領域2によって隣接する光電変換セルから電気的に
絶縁されている。
形成され配列されており、各光電変換セルは5i02
、 Si3 N4 、又はポリシリコン等より成る素子
分離領域2によって隣接する光電変換セルから電気的に
絶縁されている。
各光電変換セルは次のような構成を有する。
エピタキシャル技術等で形成される不純物濃度の低いn
−領域3上にはpタイプの不純物をドーピングすること
でp領域4が形成され、p領域4には不純物拡散技術又
はイオン注入技術等によってn十領域5が形成されてい
る。p領域4およびn十領域5は、各々バイポーラトラ
ンジスタのベースおよびエミッタである。
−領域3上にはpタイプの不純物をドーピングすること
でp領域4が形成され、p領域4には不純物拡散技術又
はイオン注入技術等によってn十領域5が形成されてい
る。p領域4およびn十領域5は、各々バイポーラトラ
ンジスタのベースおよびエミッタである。
このように各領域が形成されたn−領域3上には酸化膜
6が形成され、酸化膜6上に所定の面積を有するキャパ
シタ電極7が形成されている。
6が形成され、酸化膜6上に所定の面積を有するキャパ
シタ電極7が形成されている。
キャパシタ電極7は酸化膜6を挟んでp領域4と対向し
、キャパシタ電極7にパルス電圧を印加することで浮遊
状態にされたP領域4の電位を制御する。
、キャパシタ電極7にパルス電圧を印加することで浮遊
状態にされたP領域4の電位を制御する。
その他に、n十領域5に接続されたエミッタ電極8、基
板1の裏面に不純物濃度の高いn十領域11、およびバ
イポーラトランジスタのコレクタに電位を与えるための
コレクタ電極12がそれぞれ形成されている。
板1の裏面に不純物濃度の高いn十領域11、およびバ
イポーラトランジスタのコレクタに電位を与えるための
コレクタ電極12がそれぞれ形成されている。
次に、基本的な動作を説明する。まず、バイポーラトラ
ンジスタのベースであるp領域4は負電位の初期状態に
あるとする。このp領域4側から光13が入射し、入射
光によって発生した電子・正孔対のうちの正孔がp領域
4に蓄積され、蓄積された正孔によってp領域4の電位
が正方向に上昇する(蓄積動作)。
ンジスタのベースであるp領域4は負電位の初期状態に
あるとする。このp領域4側から光13が入射し、入射
光によって発生した電子・正孔対のうちの正孔がp領域
4に蓄積され、蓄積された正孔によってp領域4の電位
が正方向に上昇する(蓄積動作)。
続いて、キャパシタ電極7に読出し用の正電圧パルスが
印加され、蓄積動作時のベース電位変化分に対応した読
出し信号が浮遊状態にしたエミッタ電極8から出力され
る(読出し動作)、ただし、ベースであるp領域4の蓄
積電荷量はほとんど減少しないために、読出し動作の繰
返しが可能である。
印加され、蓄積動作時のベース電位変化分に対応した読
出し信号が浮遊状態にしたエミッタ電極8から出力され
る(読出し動作)、ただし、ベースであるp領域4の蓄
積電荷量はほとんど減少しないために、読出し動作の繰
返しが可能である。
また、p領域4に蓄積された正孔を除去するには、エミ
ッタ電極8を接地し、キャパシタ電極8に正電圧のリフ
レッシュパルスを印加する。このパルスを印加すること
でp領域4はn十領域5に対して順方向にバイアスされ
、M積された正孔が除去される。そして、リフレッシュ
パルスが立下がった時点でp領域4は負電位の初期状態
に復帰する(リフレッシュ動作)。以後、同様に蓄積、
読出し、リフレッシュという各動作が繰り返される。
ッタ電極8を接地し、キャパシタ電極8に正電圧のリフ
レッシュパルスを印加する。このパルスを印加すること
でp領域4はn十領域5に対して順方向にバイアスされ
、M積された正孔が除去される。そして、リフレッシュ
パルスが立下がった時点でp領域4は負電位の初期状態
に復帰する(リフレッシュ動作)。以後、同様に蓄積、
読出し、リフレッシュという各動作が繰り返される。
要するに、ここで提案されている方式は、光入射により
発生したキャリアを、ベースであるp領域4に蓄積し、
その蓄積電荷量によってエミッタ電極8とコレクタ電極
12との間に流れる電流をコントロールするものである
。したがって、蓄積されたキャリアを、各セルの増幅機
部により増幅してから読出すわけであり、高出力、高感
度、さらに低雑音を達成できる。
発生したキャリアを、ベースであるp領域4に蓄積し、
その蓄積電荷量によってエミッタ電極8とコレクタ電極
12との間に流れる電流をコントロールするものである
。したがって、蓄積されたキャリアを、各セルの増幅機
部により増幅してから読出すわけであり、高出力、高感
度、さらに低雑音を達成できる。
また、光励起によってベースに蓄積されたキャリア(こ
こではホール)によりベースに発生する電位Vpは、Q
/Cで与えられる。ここでQはベースに蓄積されたホー
ルの電荷量、Cはベースに接続されている容量である。
こではホール)によりベースに発生する電位Vpは、Q
/Cで与えられる。ここでQはベースに蓄積されたホー
ルの電荷量、Cはベースに接続されている容量である。
この式により明白な様に、高集積化された場合、セルφ
サイズの縮小と共にQもCも小さくなることになり、光
励起により発生する電位Vpは、はぼ一定に保たれるこ
とがわかる。したがって、ここで提案されている方式は
、将来の高解像度化に対しても有利なものであると言え
る。
サイズの縮小と共にQもCも小さくなることになり、光
励起により発生する電位Vpは、はぼ一定に保たれるこ
とがわかる。したがって、ここで提案されている方式は
、将来の高解像度化に対しても有利なものであると言え
る。
第3図(A)は、上記光電変換セルを用いたセンサライ
ンおよびその駆動回路の一例を示す回路図、第3図(B
)は、その動作を説明するだめのタイミングチャートで
ある。
ンおよびその駆動回路の一例を示す回路図、第3図(B
)は、その動作を説明するだめのタイミングチャートで
ある。
第3図(A)において、光電変換セルS1〜Snの各コ
レクタ電極12には一定の電圧が印加されている。各キ
ャパシタ電極7は端子に共通に接続され、端子110に
は読出し動作およびリフレッシュ動作を行うための信号
φ1が印加される。また、各エミッタ電極8は垂直ライ
ンL1〜Lnに各々接続され、垂直ラインL1〜Lmは
各々バッファ用トランジスタTa1〜Tanの一方の主
電極に接続されている。
レクタ電極12には一定の電圧が印加されている。各キ
ャパシタ電極7は端子に共通に接続され、端子110に
は読出し動作およびリフレッシュ動作を行うための信号
φ1が印加される。また、各エミッタ電極8は垂直ライ
ンL1〜Lnに各々接続され、垂直ラインL1〜Lmは
各々バッファ用トランジスタTa1〜Tanの一方の主
電極に接続されている。
バッファ用トランジスタTa1〜Tanのゲート電極は
端子111に共通に接続され、端子111には信号φ2
が印加される。また、バッファ用トランジスタTa1〜
Tanの他方の主電極は、それぞれ蓄積手段としての電
荷蓄積用キャパシタ01〜Gnを介して接地されている
とともに、トランジスタRT、〜RTnを介して信号出
力線103に接続されている。トランジスタRT、〜R
Tnのゲート電極はシフトレジスタの並列出力端子に各
々接続され、並列出力端子からは信号φh1〜φhnが
順次出力される。
端子111に共通に接続され、端子111には信号φ2
が印加される。また、バッファ用トランジスタTa1〜
Tanの他方の主電極は、それぞれ蓄積手段としての電
荷蓄積用キャパシタ01〜Gnを介して接地されている
とともに、トランジスタRT、〜RTnを介して信号出
力線103に接続されている。トランジスタRT、〜R
Tnのゲート電極はシフトレジスタの並列出力端子に各
々接続され、並列出力端子からは信号φh1〜φhnが
順次出力される。
信号出力線103は、信号出力線103をリフレッシュ
するためのトランジスタTrを介して接地されている。
するためのトランジスタTrを介して接地されている。
トランジスタTrのゲート電極には信号φr2が印加さ
れる。
れる。
また、垂直ラインL1〜Lnは、各々バッファ用トラン
ジスタTb、〜Tbnを介して接地されている。バッフ
ァ用トランジスタTb1〜Tbnのゲート電極は端子1
12に共通に接続され、端子112には信号φ3が印加
される。
ジスタTb、〜Tbnを介して接地されている。バッフ
ァ用トランジスタTb1〜Tbnのゲート電極は端子1
12に共通に接続され、端子112には信号φ3が印加
される。
次に、このような構成を有する本実施例の動作を第3図
(B)のタイミングチャートを参照しながら説明する。
(B)のタイミングチャートを参照しながら説明する。
(リフレッシュ動作)
まず、信号φ2およびφ3をハイレベルにすることで、
バッファ用トランジスタTa1〜Tan、Tbl〜Tb
nをON状態にする。これによって、光電変換セルS1
〜Snの各エミッタ電極8は接地状態になるとともに、
電荷蓄積用キャパシタ01〜Cnの残留電荷は除去され
る。そして、信号φ1がハイレベルとなり、各光電変換
セルのキャパシタ電極7にリフレッシュ用の正電圧が印
加されると、すでに述べたように、リフレッシュ動作が
行われ、信号φ1がローレベルになった時点で各セルの
ベース領域4は負電位の初期状態に復帰する。
バッファ用トランジスタTa1〜Tan、Tbl〜Tb
nをON状態にする。これによって、光電変換セルS1
〜Snの各エミッタ電極8は接地状態になるとともに、
電荷蓄積用キャパシタ01〜Cnの残留電荷は除去され
る。そして、信号φ1がハイレベルとなり、各光電変換
セルのキャパシタ電極7にリフレッシュ用の正電圧が印
加されると、すでに述べたように、リフレッシュ動作が
行われ、信号φ1がローレベルになった時点で各セルの
ベース領域4は負電位の初期状態に復帰する。
(蓄積動作)
信号φ2、φ3をローレベルとし、バッファ用トランジ
スタTal 〜Tan 、 Tb1〜TbnをOFF状
態にする。この状態で、各光電変換セルS1〜Snのベ
ース領域4には入射光によって励起された電子や正孔対
のうちの正孔が蓄積され、各セルのベース電位は初期の
負電位から入射光量に対応した蓄積電正分だけ各々上昇
する。
スタTal 〜Tan 、 Tb1〜TbnをOFF状
態にする。この状態で、各光電変換セルS1〜Snのベ
ース領域4には入射光によって励起された電子や正孔対
のうちの正孔が蓄積され、各セルのベース電位は初期の
負電位から入射光量に対応した蓄積電正分だけ各々上昇
する。
(読出し動作)
信号φ1およびφ2をハイレベルにすることで、光電変
換セルS1〜Snのエミッタ電極8からの各読出し信号
は、垂直ラインL1〜Lnおよびバッファ用トランジス
タTa1〜Tanを通して、同時に各電荷M積用キャパ
シタ01〜Onに蓄積される。
換セルS1〜Snのエミッタ電極8からの各読出し信号
は、垂直ラインL1〜Lnおよびバッファ用トランジス
タTa1〜Tanを通して、同時に各電荷M積用キャパ
シタ01〜Onに蓄積される。
続いて、信号φ1およびφ2をローレベルにした後、各
読出し信号を信号出力線103を介して読出す動作が開
始される。
読出し信号を信号出力線103を介して読出す動作が開
始される。
まず、シフトレジスタからの信号φh1がハイレベルと
なり、トランジスタ T1がON状態となる。これによ
って、電荷蓄積用キャパシタC1に蓄積されている光電
変換セルSlの読出し信号が信号出力線103に現われ
、すでに述べたようにスイッチ手段107およびアンプ
105を介して信号出力端子10日から読出される。
なり、トランジスタ T1がON状態となる。これによ
って、電荷蓄積用キャパシタC1に蓄積されている光電
変換セルSlの読出し信号が信号出力線103に現われ
、すでに述べたようにスイッチ手段107およびアンプ
105を介して信号出力端子10日から読出される。
続いて、信号φr2がハイレベルとなり、トランジスタ
TrがON状態となる。これによって、信号出力線10
3に残留している電荷がトランジスタTrを介してリフ
レッシュされる。
TrがON状態となる。これによって、信号出力線10
3に残留している電荷がトランジスタTrを介してリフ
レッシュされる。
以下同様に、信号φh2〜φhnがら順次ハイレベルが
出力されることによってトランジスタT2〜Tnが順次
ON状態となり、電荷蓄積用キャパシタ02〜Cnに蓄
積されている各読出し信号が信号出力線103を介して
出力される。そして、各読出し信号の外部への出力が終
了する毎に、信号φr2がハイレベルとなって信号出力
線103がリフレッシュされる。
出力されることによってトランジスタT2〜Tnが順次
ON状態となり、電荷蓄積用キャパシタ02〜Cnに蓄
積されている各読出し信号が信号出力線103を介して
出力される。そして、各読出し信号の外部への出力が終
了する毎に、信号φr2がハイレベルとなって信号出力
線103がリフレッシュされる。
このようにして電荷蓄積用キャパシタC1〜Cnに蓄積
された各セルの読出し信号を外部へ出力する読出し動作
が終了すると、上述したリフレッシュ動作が行われ、以
下同様に、蓄積、読出しの各動作が繰返される。
された各セルの読出し信号を外部へ出力する読出し動作
が終了すると、上述したリフレッシュ動作が行われ、以
下同様に、蓄積、読出しの各動作が繰返される。
なお、センサラインlotの読出し動作を行われている
間は、スイッチ手段107がON、スイッチ手段108
がOFFとなっており、逆にセンサライン102の読出
し動作が行われている間は、スイッチ手段107がOF
F、スイッチ手段108がONとなっている。
間は、スイッチ手段107がON、スイッチ手段108
がOFFとなっており、逆にセンサライン102の読出
し動作が行われている間は、スイッチ手段107がOF
F、スイッチ手段108がONとなっている。
また、光センサの方式は、本実施例に限定されるもので
はなく、光導電型センナ、フォトダイオード、静電誘導
型トランジスタを用いた光センサ等であってもよい。
はなく、光導電型センナ、フォトダイオード、静電誘導
型トランジスタを用いた光センサ等であってもよい。
第4図は、上記実施例を使用した撮像装置の一例の概略
的構成図である。
的構成図である。
同図において、撮像素子301は上記各実施例の構成を
有し、その出力信号vOは信号処理回路302によって
ゲイン調整等の処理が行われ、NTSC信号等の標準テ
レビジョン信号として出力される。
有し、その出力信号vOは信号処理回路302によって
ゲイン調整等の処理が行われ、NTSC信号等の標準テ
レビジョン信号として出力される。
また、撮像素子301を駆動するための各種パルスφは
ドライバ303によって供給され、ドライバ303は制
御部304の制御によって動作する。また、制御部30
4は撮像素子301の出力に基いて信号処理回路302
のゲイン等を調整するとともに、露出制御手段305を
制御して撮像素子301に入射する光量を調整する。
ドライバ303によって供給され、ドライバ303は制
御部304の制御によって動作する。また、制御部30
4は撮像素子301の出力に基いて信号処理回路302
のゲイン等を調整するとともに、露出制御手段305を
制御して撮像素子301に入射する光量を調整する。
上述したように、木実施例のよる撮像素子301では、
高いレベルの出力信号Voを得ることができ、続く信号
処理の負担が軽減される。
高いレベルの出力信号Voを得ることができ、続く信号
処理の負担が軽減される。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように本発明による光電変換装置は
、信号出力線が各々スイッチ手段を介して接続されてい
るために、−の信号出力線に信号が取出される際に、当
該信号出力線のスイッチ手段を閉じ、他の信号出力線の
スイッチ手段を開いておくことで、信号が取出される信
号出力線の配線容量を従来より大幅に減少させることが
できる。その結果、信号出力線に取出される信号のレベ
ル低下を防止することができる。
、信号出力線が各々スイッチ手段を介して接続されてい
るために、−の信号出力線に信号が取出される際に、当
該信号出力線のスイッチ手段を閉じ、他の信号出力線の
スイッチ手段を開いておくことで、信号が取出される信
号出力線の配線容量を従来より大幅に減少させることが
できる。その結果、信号出力線に取出される信号のレベ
ル低下を防止することができる。
第1図は、本発明による光電変換装置の一実施例を示す
概略的回路図、 第2図(A)は、特開昭80−12759号公報〜特開
昭6O−1276i5号公報に記載されている光電変換
セルの概略的断面図、第2図(B)は、その等価回路図
、第3図(A)は、上記光電変換セルを用いたセンサラ
インおよびその駆動回路の一例を示す回路図、第3図(
B)は、その動作を説明するためのタイミングチャート
、 第4図は、上記実施例を使用した撮像装置の一例の概略
的構成図、 第5図は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図であ
る。 3・・・n−エピタキシャル層(コレクタ領域)4・・
・p領域(ベース領域) 5・・・n十領域(エミッタ領域) ?#φ0キャパシタ電極 S1〜Sn・Φ・光電変換セル 01〜(、nam・電荷蓄積用キャパシタ101.10
2・・・センサライン 103.104・・・信号出力線 105−・・アンプ 106・・・信号出力端子 107.108・・・スイッチ手段 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第1図 第2図(A) 第2図(B) 第3図(A) ↓ 第4図
概略的回路図、 第2図(A)は、特開昭80−12759号公報〜特開
昭6O−1276i5号公報に記載されている光電変換
セルの概略的断面図、第2図(B)は、その等価回路図
、第3図(A)は、上記光電変換セルを用いたセンサラ
インおよびその駆動回路の一例を示す回路図、第3図(
B)は、その動作を説明するためのタイミングチャート
、 第4図は、上記実施例を使用した撮像装置の一例の概略
的構成図、 第5図は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図であ
る。 3・・・n−エピタキシャル層(コレクタ領域)4・・
・p領域(ベース領域) 5・・・n十領域(エミッタ領域) ?#φ0キャパシタ電極 S1〜Sn・Φ・光電変換セル 01〜(、nam・電荷蓄積用キャパシタ101.10
2・・・センサライン 103.104・・・信号出力線 105−・・アンプ 106・・・信号出力端子 107.108・・・スイッチ手段 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第1図 第2図(A) 第2図(B) 第3図(A) ↓ 第4図
Claims (1)
- (1)複数個の光センサが配列され、該光センサから信
号を取出すための複数の信号出力線を有し、該信号出力
線より少ない数の信号出力端子から前記信号を読出す光
電変換装置において、前記信号出力線は、各信号出力線
を開閉 するスイッチ手段を介して所望の組合せで接続されてい
ることを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61219669A JP2741703B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光電変換装置 |
US07/097,456 US4835404A (en) | 1986-09-19 | 1987-09-14 | Photoelectric converting apparatus with a switching circuit and a resetting circuit for reading and resetting a plurality of lines sensors |
EP19930203578 EP0593139A3 (en) | 1986-09-19 | 1987-09-16 | Photoelectric converting apparatus |
DE3751285T DE3751285T2 (de) | 1986-09-19 | 1987-09-16 | Fotoelektrische Umwandlungsvorrichtung. |
EP87308201A EP0260956B1 (en) | 1986-09-19 | 1987-09-16 | Photoelectric converting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61219669A JP2741703B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376582A true JPS6376582A (ja) | 1988-04-06 |
JP2741703B2 JP2741703B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16739120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61219669A Expired - Lifetime JP2741703B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2741703B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004222286A (ja) * | 2003-01-13 | 2004-08-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 撮像素子及び固定パターン雑音低減方法 |
JP2006211363A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Canon Inc | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 |
EP2230832A3 (en) * | 2009-03-18 | 2014-04-16 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method thereof, and electronic apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4928199B2 (ja) | 2006-09-07 | 2012-05-09 | キヤノン株式会社 | 信号検出装置、信号検出装置の信号読み出し方法及び信号検出装置を用いた撮像システム |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6069968A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219669A patent/JP2741703B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6069968A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004222286A (ja) * | 2003-01-13 | 2004-08-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 撮像素子及び固定パターン雑音低減方法 |
JP2006211363A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Canon Inc | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 |
EP2230832A3 (en) * | 2009-03-18 | 2014-04-16 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method thereof, and electronic apparatus |
US8743252B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-06-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device for high density CMOS image sensor, and driving method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2741703B2 (ja) | 1998-04-22 |
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