JPS6366138A - 10−メチル−9−ドデセン−1−オ−ル類及びその製造法 - Google Patents
10−メチル−9−ドデセン−1−オ−ル類及びその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIO−メチルドデシルアセテートの有用な新規
合成中間体に関する。10−メチルドデシルアセテート
は鱗翅目の害虫であるヂャノコカクモンハマキの性フェ
ロモンの一成分として知られており、害虫防除のために
有用な化合物である。
合成中間体に関する。10−メチルドデシルアセテート
は鱗翅目の害虫であるヂャノコカクモンハマキの性フェ
ロモンの一成分として知られており、害虫防除のために
有用な化合物である。
IO−メチルドデシルアセテートの製造法についてはす
でに文献記載がある[アグリカルヂュラルアンド バイ
オロジカル ケミストリ(Agricul −tura
l and Biological Chemistr
y ) 43 、869(1979)、]が、しかしこ
の方法は工程数が極めて長く、手間がかかること及び収
率低下等工業的な製造法としては有利でない。
でに文献記載がある[アグリカルヂュラルアンド バイ
オロジカル ケミストリ(Agricul −tura
l and Biological Chemistr
y ) 43 、869(1979)、]が、しかしこ
の方法は工程数が極めて長く、手間がかかること及び収
率低下等工業的な製造法としては有利でない。
本発明者は、工程数が少なく、より簡単な操作で収率よ
く製造する工業的に有利な方法を開発することを目的と
して鋭意研究した結果、式[I][:(CJs)3P
CL (CL)7 C1(zORコX−
[1](式中、Rは水素原子または水酸基の保護基を、
Xはハロゲン原子を表わす)で示されるホスホニウム塩
とメチルエチルケトンとを塩基の存在下に反応させると
、式[11] (式中、Rは前記規定と同一)で示される新規化合物が
製造し得ること、そして得られた化合物[rl]をアセ
チル化及び還元すると10−メチルドデシルアセテート
が得られることを見出し、これに基づいて本発明を完成
した。
く製造する工業的に有利な方法を開発することを目的と
して鋭意研究した結果、式[I][:(CJs)3P
CL (CL)7 C1(zORコX−
[1](式中、Rは水素原子または水酸基の保護基を、
Xはハロゲン原子を表わす)で示されるホスホニウム塩
とメチルエチルケトンとを塩基の存在下に反応させると
、式[11] (式中、Rは前記規定と同一)で示される新規化合物が
製造し得ること、そして得られた化合物[rl]をアセ
チル化及び還元すると10−メチルドデシルアセテート
が得られることを見出し、これに基づいて本発明を完成
した。
本発明について詳細に説明すると、出発物質の式[I]
で示されるホスホニウム塩は公知化合物であり、Rで表
わされる水酸基の保護基としては、たとえばテトラヒド
ロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などの飽和5,
6員複素環基、1−エトキシエチル基、■−メトキンエ
チル基などの低級アルコキシ置換低級アルキル基、アセ
チル基などが用いられる。Xで表わされるハロゲン原子
としては塩素原子、臭素原子、沃素原子が用いられる。
で示されるホスホニウム塩は公知化合物であり、Rで表
わされる水酸基の保護基としては、たとえばテトラヒド
ロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などの飽和5,
6員複素環基、1−エトキシエチル基、■−メトキンエ
チル基などの低級アルコキシ置換低級アルキル基、アセ
チル基などが用いられる。Xで表わされるハロゲン原子
としては塩素原子、臭素原子、沃素原子が用いられる。
上記式[同で式されるホスホニウム塩とメチルエチルケ
トンとを塩基の存在下に反応さ且て式[11]の化合物
を製造する。使用される塩基とじては、たとえばメヂル
リヂウム、n−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム
類、たとえばカリウムターシャリ−ブトキシド、ナトリ
ウムイソプロボキンド、ナトリウムエトキシド、すl・
リウムメトキンドなどのアルカリ金属アルコキンド類、
たとえばすl・リウムジイソプロピルアミド、ナトリウ
ムビストリメチルシリルアミド、ナトリウムアミドなど
のアルカリ金属アミド類などのような強塩基類が通常使
用される。反応を実施するに際しては適当な非プロトン
性溶媒中で行なうのがよく、これら溶媒としてはたとえ
ば、エーテル、テトラヒドロフラン、グライム、ジグラ
イム、ジオキサンなどのエーテル類、たとえばn−ヘキ
ザン、ベンゼン、トルエン1キシレンなどの炭化水素類
、たとえばジメチルポルムアミド、ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、たとえばピリジン、キノリン、トリ
エチルアミンなどのアミン類、ジメチルスルポキシド、
スルホランまたはこれらの混合溶媒などが用いられる。
トンとを塩基の存在下に反応さ且て式[11]の化合物
を製造する。使用される塩基とじては、たとえばメヂル
リヂウム、n−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム
類、たとえばカリウムターシャリ−ブトキシド、ナトリ
ウムイソプロボキンド、ナトリウムエトキシド、すl・
リウムメトキンドなどのアルカリ金属アルコキンド類、
たとえばすl・リウムジイソプロピルアミド、ナトリウ
ムビストリメチルシリルアミド、ナトリウムアミドなど
のアルカリ金属アミド類などのような強塩基類が通常使
用される。反応を実施するに際しては適当な非プロトン
性溶媒中で行なうのがよく、これら溶媒としてはたとえ
ば、エーテル、テトラヒドロフラン、グライム、ジグラ
イム、ジオキサンなどのエーテル類、たとえばn−ヘキ
ザン、ベンゼン、トルエン1キシレンなどの炭化水素類
、たとえばジメチルポルムアミド、ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類、たとえばピリジン、キノリン、トリ
エチルアミンなどのアミン類、ジメチルスルポキシド、
スルホランまたはこれらの混合溶媒などが用いられる。
式[I]の化合物に対する塩基およびメチルエチルケト
ンの使用割合は任意に選択出来るが、通常、塩基は1〜
3倍モル、メチルエチルケトンは1〜2倍モル程度使用
するのがよい。反応は式[1]の化合物の溶液または懸
澗液に対して塩基およびメチルエチルケトンを加えるこ
とにより行なわれるが、塩基とメチルエチルケトンの加
える順序はどちらが先でもよく、また同時でもかまイつ
ない。また、反応は所望により加温下あるいは冷却下に
行なってよいが、−10〜50℃程度で行なうのが便利
である。なお、出発物質[1]においてRがアセチル基
であるものは、塩基の存在下脱アセチル化されるので、
メチルエチルケトンと塩基の存在下に反応させると得ら
れる化合物[■コの中にRが水素原子であるものが混在
する。
ンの使用割合は任意に選択出来るが、通常、塩基は1〜
3倍モル、メチルエチルケトンは1〜2倍モル程度使用
するのがよい。反応は式[1]の化合物の溶液または懸
澗液に対して塩基およびメチルエチルケトンを加えるこ
とにより行なわれるが、塩基とメチルエチルケトンの加
える順序はどちらが先でもよく、また同時でもかまイつ
ない。また、反応は所望により加温下あるいは冷却下に
行なってよいが、−10〜50℃程度で行なうのが便利
である。なお、出発物質[1]においてRがアセチル基
であるものは、塩基の存在下脱アセチル化されるので、
メチルエチルケトンと塩基の存在下に反応させると得ら
れる化合物[■コの中にRが水素原子であるものが混在
する。
このようにして製造される式[IT]の化合物は、Rが
水素原子であるかまたはアセデル基以外の水酸基の保護
基であるところの単一物か、あるいはRが水素原子であ
るものとRがアセデル基であるものとの混合物であって
、アセチル化及び還元するとIO−メチルドデシルアセ
テ−1・が得られる。
水素原子であるかまたはアセデル基以外の水酸基の保護
基であるところの単一物か、あるいはRが水素原子であ
るものとRがアセデル基であるものとの混合物であって
、アセチル化及び還元するとIO−メチルドデシルアセ
テ−1・が得られる。
アセチル化と還元とはどちらが先に行なわれてもよい。
化合物[H]が」1記のごとき混合物の場合、このアセ
チル化によりRが水素原子であるものがアセチル化され
て単一の化合物となる。具体的には、化合物[U]をア
セデル化して得られる1〇−メチル−9−ドデセニルア
セテートを還元する、あるいは化合物[n]を還元して
得られる式(式中、Rは前記規定と同一)で示される化
合物をアセデル化すると単一の目的物である10−メチ
ルドデシルアセテートを得る。アセチル化剤としては、
通常アルコールのアセチル化に用いられる試薬ならばど
れでもよいが、たとえば無水酢酸。
チル化によりRが水素原子であるものがアセチル化され
て単一の化合物となる。具体的には、化合物[U]をア
セデル化して得られる1〇−メチル−9−ドデセニルア
セテートを還元する、あるいは化合物[n]を還元して
得られる式(式中、Rは前記規定と同一)で示される化
合物をアセデル化すると単一の目的物である10−メチ
ルドデシルアセテートを得る。アセチル化剤としては、
通常アルコールのアセチル化に用いられる試薬ならばど
れでもよいが、たとえば無水酢酸。
アセデルクロリド、酢酸と他カルボン酸との混酸無水物
などが用いられる。アセチル化反応に際しては無溶媒で
実施することも出来るが、適当な有機溶媒中で行なう方
が反応を制御しやすく好ましい。溶媒としてはたとえば
、ジエチルエーテル。
などが用いられる。アセチル化反応に際しては無溶媒で
実施することも出来るが、適当な有機溶媒中で行なう方
が反応を制御しやすく好ましい。溶媒としてはたとえば
、ジエチルエーテル。
ジクロルメタン、クロロホルム、n−ヘキサノ。
ベンゼン、トルエン、酢酸、ピリジン、トリエヂルアミ
ン、ジメチルポルムアミド、アセトン、メチルエチルケ
トンまたはこれらの混合溶媒が用いられる。また、反応
に際して適当な脱酸剤としてたとえば、水酸化すI・リ
ウム、水酸化カリウム。
ン、ジメチルポルムアミド、アセトン、メチルエチルケ
トンまたはこれらの混合溶媒が用いられる。また、反応
に際して適当な脱酸剤としてたとえば、水酸化すI・リ
ウム、水酸化カリウム。
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基。
たとえばジメチルアニリン、キノリン、ピコリン。
コリジンなどの有機塩基を共存させてもよい。
反応は通常式[IJ]または[111]の化合物に対し
、アセチル化剤を過剰に用い、必要に応じて冷却または
加温下に行なってよいが、−10〜40℃の温度で行な
うのが好ましい。通常0.5〜12時間程時間子セデル
化は完了する。還元反応は、目的が達成される限りどの
ような還元手段で行なってもよく、たとえばパラジウム
炭素、ラネーニッケル、酸化白金などを触媒として使用
して接触還元を行なうのが最も便利である。これらの触
媒を用いれば常温、常圧で還元反応は充分進行し、化合
物[11]または10−メチル−9−ドデセニルアセテ
ート1モル当り、1モルの水素が吸収されて反応は終る
。また、反応は適当な溶媒中で行なわれ、具体的にはた
とえば、石油エーテル、n−ヘキサン、シクロヘキサン
などの炭化水素類、たとえばメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコールなどのアルコール類が用いられ
る。
、アセチル化剤を過剰に用い、必要に応じて冷却または
加温下に行なってよいが、−10〜40℃の温度で行な
うのが好ましい。通常0.5〜12時間程時間子セデル
化は完了する。還元反応は、目的が達成される限りどの
ような還元手段で行なってもよく、たとえばパラジウム
炭素、ラネーニッケル、酸化白金などを触媒として使用
して接触還元を行なうのが最も便利である。これらの触
媒を用いれば常温、常圧で還元反応は充分進行し、化合
物[11]または10−メチル−9−ドデセニルアセテ
ート1モル当り、1モルの水素が吸収されて反応は終る
。また、反応は適当な溶媒中で行なわれ、具体的にはた
とえば、石油エーテル、n−ヘキサン、シクロヘキサン
などの炭化水素類、たとえばメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコールなどのアルコール類が用いられ
る。
以上述べたいずれの反応においても反応終了後、たとえ
ば冷却、濾過、濃縮、溶媒抽出、クロマトグラフィー、
蒸留など適宜それ自体公知の手段により精製されてよい
。
ば冷却、濾過、濃縮、溶媒抽出、クロマトグラフィー、
蒸留など適宜それ自体公知の手段により精製されてよい
。
なお、」−記の式[TI]で式される化合物および10
−メチル−9−ドデセニルアセテートはいずれも文献未
記載の新規化合物である。
−メチル−9−ドデセニルアセテートはいずれも文献未
記載の新規化合物である。
実施例I
テトラヒドロフラン80Tn1.とジメチルスルホキシ
ド20戒の混合溶媒にω−ヒドロキシノニル)・リフェ
ニルホスポニウムブロマイド25gを加え、−2℃に冷
却し、かきまぜつつカリウムターシャリ−ブトキシドI
1.2gを少しづつ加えた。さらに混合物を5分間かき
まぜた後、これに−5〜0℃でメチルエチルケトン3.
6gを滴下した。
ド20戒の混合溶媒にω−ヒドロキシノニル)・リフェ
ニルホスポニウムブロマイド25gを加え、−2℃に冷
却し、かきまぜつつカリウムターシャリ−ブトキシドI
1.2gを少しづつ加えた。さらに混合物を5分間かき
まぜた後、これに−5〜0℃でメチルエチルケトン3.
6gを滴下した。
=7−
反応液を10℃で15分間220℃で1.5時間かきま
ぜて後、氷水中にあけ、ジクロルメタンで抽出した。ジ
クロルメタン層をとり、水洗、乾燥の後濃縮した。残留
物にn−ヘキサンを加え、よくかきまぜて抽出、濾過し
濾液を濃縮すると油状物が得られた。この油状物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製(ジクロルメタ
ン−エーテル、4:1で溶出)した後、減圧蒸留すると
10−メチル−9−ドデセン−1−オール6.05gが
沸点148〜152℃/ 18 mm)Igの無色液体
として得られた。
ぜて後、氷水中にあけ、ジクロルメタンで抽出した。ジ
クロルメタン層をとり、水洗、乾燥の後濃縮した。残留
物にn−ヘキサンを加え、よくかきまぜて抽出、濾過し
濾液を濃縮すると油状物が得られた。この油状物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製(ジクロルメタ
ン−エーテル、4:1で溶出)した後、減圧蒸留すると
10−メチル−9−ドデセン−1−オール6.05gが
沸点148〜152℃/ 18 mm)Igの無色液体
として得られた。
IR(ニート)cm−’ : 3330(CHI)
、 1660(C=C)。
、 1660(C=C)。
参考例1
(a)実施例1で得られた10−メチル−9−ドデセン
−1−オール3.8gに無水酢酸3滅とピリジン3旙を
加え、−夜室温に放置した。反応液を濃縮して後、残留
物に水を加えてしばらくかきまぜ、ついでn−ヘキサン
で抽出した。n−ヘキサン層を重曹水、希塩酸、水で順
次洗浄した後乾燥し、濃縮して得られる油状物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製(ジクロルメタン
で溶出)した後減圧蒸留するとIO−メチル−9−ドデ
セニルアセテート4.15gが沸点164〜165°C
/18mmHgの無色液体として得られた。
−1−オール3.8gに無水酢酸3滅とピリジン3旙を
加え、−夜室温に放置した。反応液を濃縮して後、残留
物に水を加えてしばらくかきまぜ、ついでn−ヘキサン
で抽出した。n−ヘキサン層を重曹水、希塩酸、水で順
次洗浄した後乾燥し、濃縮して得られる油状物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製(ジクロルメタン
で溶出)した後減圧蒸留するとIO−メチル−9−ドデ
セニルアセテート4.15gが沸点164〜165°C
/18mmHgの無色液体として得られた。
IR(ニート)cm−’ : 1745 (C=O,エ
ステル)。
ステル)。
(b)10−メチル−9−ドデセニルアセテート2゜4
gをn−ヘキサン50威に溶解し、これに10%パラジ
ウム炭素0.8gを加え、水素ガス雰囲気下に振りまぜ
て水素添加した。水素ガスの吸収が停止したところで反
応物を濾過し、濾液を濃縮し、無色油状物が得られた。
gをn−ヘキサン50威に溶解し、これに10%パラジ
ウム炭素0.8gを加え、水素ガス雰囲気下に振りまぜ
て水素添加した。水素ガスの吸収が停止したところで反
応物を濾過し、濾液を濃縮し、無色油状物が得られた。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(ジ
クロルメタンで溶出)して後減圧蒸留するとIO−メヂ
ルードデシルアセテ−1−2,35gが沸点157.5
〜bIR(ニート)cm−’ + 1743 (C=O
,エステル)。
クロルメタンで溶出)して後減圧蒸留するとIO−メヂ
ルードデシルアセテ−1−2,35gが沸点157.5
〜bIR(ニート)cm−’ + 1743 (C=O
,エステル)。
N M R(CCC,中)δ: 0,6〜1.0(61
(、m)、 1.0〜1.8(19H,m)、 1.9
5(3H,s)、 3.97(2H,t)。
(、m)、 1.0〜1.8(19H,m)、 1.9
5(3H,s)、 3.97(2H,t)。
実施例2
ジクロルメタン200成にω−ヒドロキシノニルトリフ
ェニルホスホニウムブロマイド84g。
ェニルホスホニウムブロマイド84g。
3,4−ジヒドロピラン33−およびパラトルエンスル
ホン酸0.1gを加えて2時間加熱還流させた。反応液
にトルエン30蔵を加えて濃縮し、溶媒を充分に除去し
て水酸基がテトラヒドロピラニル基で保護されたホスホ
ニウム塩を粘稠な油状物として得た。ついでこれをジメ
チルスルポキソド300−に溶解した後、かきまぜつつ
14〜20℃でカリウムターシャリ−ブトキシドを加え
た。
ホン酸0.1gを加えて2時間加熱還流させた。反応液
にトルエン30蔵を加えて濃縮し、溶媒を充分に除去し
て水酸基がテトラヒドロピラニル基で保護されたホスホ
ニウム塩を粘稠な油状物として得た。ついでこれをジメ
チルスルポキソド300−に溶解した後、かきまぜつつ
14〜20℃でカリウムターシャリ−ブトキシドを加え
た。
つづいて15〜16℃で5分間かきまぜた後、15〜2
5℃でメチルエチルケトンを滴下した。さらに24℃で
25分間かきまぜた後反応物を氷水中にあけ、ジクロル
メタンで抽出した。ジクロルメタン層を水洗、乾燥、濃
縮し、得られた残渣にn−ヘキサンを加えてよくかきま
ぜ抽出した。濾過してn−ヘキサン抽出液を得、濃縮す
ると淡黄色油状物が得られた。これをシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製(ジクロルメタンで溶出)し
た後減圧蒸留すると1−(2−テトラヒドロピラニルオ
キシ)−IO−メチル−9−ドデセン32.1gが沸点
132〜135℃/ 0 、09 mm1gの無色液体
として得られた。
5℃でメチルエチルケトンを滴下した。さらに24℃で
25分間かきまぜた後反応物を氷水中にあけ、ジクロル
メタンで抽出した。ジクロルメタン層を水洗、乾燥、濃
縮し、得られた残渣にn−ヘキサンを加えてよくかきま
ぜ抽出した。濾過してn−ヘキサン抽出液を得、濃縮す
ると淡黄色油状物が得られた。これをシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製(ジクロルメタンで溶出)し
た後減圧蒸留すると1−(2−テトラヒドロピラニルオ
キシ)−IO−メチル−9−ドデセン32.1gが沸点
132〜135℃/ 0 、09 mm1gの無色液体
として得られた。
IRに−ト)cm−’ : 1120. 1135
(C−0−C)。
(C−0−C)。
参考例2
(a)氷酢酸15滅にアセチルクロライド1.5−を加
え、ついでこれに実施例2で得られた1−(2−テトラ
ヒドロビラニルオキシ)−10−メチル−9−ドデセン
2.8gを加えて室温で4時間かきまぜた。ついで反応
物を氷水中にあけ、n−ヘキサンで抽出した。抽出液を
水2重曹水1食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濃縮して油状物を得た。これをシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(ジクロルメタンで溶出)で
精製した後減圧蒸留すると10−メチル−9−ドデセニ
ルアセテート1.8gが沸点164〜165℃/17
mm1gの無色液体として得られた。
え、ついでこれに実施例2で得られた1−(2−テトラ
ヒドロビラニルオキシ)−10−メチル−9−ドデセン
2.8gを加えて室温で4時間かきまぜた。ついで反応
物を氷水中にあけ、n−ヘキサンで抽出した。抽出液を
水2重曹水1食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濃縮して油状物を得た。これをシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(ジクロルメタンで溶出)で
精製した後減圧蒸留すると10−メチル−9−ドデセニ
ルアセテート1.8gが沸点164〜165℃/17
mm1gの無色液体として得られた。
(b)10−メチル−9−ドデセニルアセテート0゜5
gをn−ヘキサン中10%パラジウム炭素を用いて参考
例1−(b)と同様にして水素添加し、処理して10−
メチルドデシルアセテート0.5gを得た。
gをn−ヘキサン中10%パラジウム炭素を用いて参考
例1−(b)と同様にして水素添加し、処理して10−
メチルドデシルアセテート0.5gを得た。
参考例3
(a)10−メチル−9−ドデセン−I−オール3gを
n−ヘキサン50−に溶解し、これに10%パラジウム
炭素1gを加え、水素ガス雰囲気下に振りまぜて水素添
加した。水素ガスの吸収が停止したところで反応物を濾
過し、濾液を濃縮すると、10−メチルドデシルアルコ
ール3gが無色油状物として得られた。
n−ヘキサン50−に溶解し、これに10%パラジウム
炭素1gを加え、水素ガス雰囲気下に振りまぜて水素添
加した。水素ガスの吸収が停止したところで反応物を濾
過し、濾液を濃縮すると、10−メチルドデシルアルコ
ール3gが無色油状物として得られた。
IR(、−1−一ト)cm−’ : 3310 (
0!()、 2950. 2910゜2850、14
60.1375.1050゜(b)10−メチルドデシ
ルアルコール3gに無水酢酸2.5成とピリジン2.5
−を加え、35〜40℃で1時間かきまぜた。反応物を
濃縮後、残留物をn−ヘキサンに溶解し、重曹水、希塩
酸、水で順次洗浄した。n−ヘキサン層を乾燥、濃縮し
て得られる油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ジクロルメタンで溶出)で精製した後減圧蒸留する
とIO−メチルドデシルアセテート3゜2gが沸点15
8−159°C/ I 6 mm11gの無色液12一 体として得られた。
0!()、 2950. 2910゜2850、14
60.1375.1050゜(b)10−メチルドデシ
ルアルコール3gに無水酢酸2.5成とピリジン2.5
−を加え、35〜40℃で1時間かきまぜた。反応物を
濃縮後、残留物をn−ヘキサンに溶解し、重曹水、希塩
酸、水で順次洗浄した。n−ヘキサン層を乾燥、濃縮し
て得られる油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ジクロルメタンで溶出)で精製した後減圧蒸留する
とIO−メチルドデシルアセテート3゜2gが沸点15
8−159°C/ I 6 mm11gの無色液12一 体として得られた。
Claims (2)
- (1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子または水酸基の保護基を表わす)
で示される化合物。 - (2)式 [(C_6H_5)_3P−CH_2−(CH_2)_
7−CH_2OR]X(式中、Rは水素原子または水酸
基の保護基を、Xはハロゲン原子を表わす)で示される
ホスホニウム塩とメチルエチルケトンとを塩基の存在下
に反応させることを特徴とする、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは前記規定と同一)で示される化合物の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62065483A JPS6366138A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 10−メチル−9−ドデセン−1−オ−ル類及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62065483A JPS6366138A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 10−メチル−9−ドデセン−1−オ−ル類及びその製造法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6038380A Division JPS56156225A (en) | 1980-05-06 | 1980-05-06 | Preparation of 10-methyldodecyl acetate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366138A true JPS6366138A (ja) | 1988-03-24 |
JPS647055B2 JPS647055B2 (ja) | 1989-02-07 |
Family
ID=13288386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62065483A Granted JPS6366138A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 10−メチル−9−ドデセン−1−オ−ル類及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366138A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177080A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-07-10 | Texas Instr Inc <Ti> | 復号回路とメモリ・チップと行線を駆動する方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62065483A patent/JPS6366138A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177080A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-07-10 | Texas Instr Inc <Ti> | 復号回路とメモリ・チップと行線を駆動する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS647055B2 (ja) | 1989-02-07 |
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