JPS6365883B2 - - Google Patents
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- JPS6365883B2 JPS6365883B2 JP57231640A JP23164082A JPS6365883B2 JP S6365883 B2 JPS6365883 B2 JP S6365883B2 JP 57231640 A JP57231640 A JP 57231640A JP 23164082 A JP23164082 A JP 23164082A JP S6365883 B2 JPS6365883 B2 JP S6365883B2
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- copper foil
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はプリント板銅箔パターン検知法に関
し、特に銅箔パターンの上幅と下幅を別々に判別
できるようにしたパターン検知法に関するもので
ある。
し、特に銅箔パターンの上幅と下幅を別々に判別
できるようにしたパターン検知法に関するもので
ある。
(2) 従来技術と問題点
従来銅箔パターンの検知法としてはテレビカメ
ラを用いあるいはレーザ走査を用いて銅箔パター
ンの画像を検知し該パターン信号を表示するもの
があつた。第1図Aは2個の銅箔パターン(上幅
と下幅が両パターンで同じである)をテレビカメ
ラで撮像したテレビ画像であつて図において1は
銅箔パターン、2は基板を示す。しかしかかるテ
レビカメラの画像ではパターン信号から第1図B
に示すごとき上幅と下幅を判別して測定すること
はできなかつた。また第2図は第1図Aの銅箔パ
ターンをテレビ信号で表示したものであつて3は
銅箔パターン信号、4は基材に対する出力信号で
あるがやはり上幅と下幅とを判別して測定するこ
とはできなかつた。
ラを用いあるいはレーザ走査を用いて銅箔パター
ンの画像を検知し該パターン信号を表示するもの
があつた。第1図Aは2個の銅箔パターン(上幅
と下幅が両パターンで同じである)をテレビカメ
ラで撮像したテレビ画像であつて図において1は
銅箔パターン、2は基板を示す。しかしかかるテ
レビカメラの画像ではパターン信号から第1図B
に示すごとき上幅と下幅を判別して測定すること
はできなかつた。また第2図は第1図Aの銅箔パ
ターンをテレビ信号で表示したものであつて3は
銅箔パターン信号、4は基材に対する出力信号で
あるがやはり上幅と下幅とを判別して測定するこ
とはできなかつた。
即ち、銅箔パターン信号の左側波形では、スレ
ツシユホールドレベルVLで信号をスライスする
ことにより下幅の測定は可能であるが、右側波形
になると、点,間が下幅に相当し、これを一
定のスレツシユホールドレベルVLでスライスし
たのでは下幅の測定はできない。
ツシユホールドレベルVLで信号をスライスする
ことにより下幅の測定は可能であるが、右側波形
になると、点,間が下幅に相当し、これを一
定のスレツシユホールドレベルVLでスライスし
たのでは下幅の測定はできない。
そこで、これら信号の微分波形を一定のスレツ
シユホールドレベルでスライスすることも考えら
れるが、銅箔パターン信号の上部が相当変動して
いることから、この変動信号も強調され、雑音と
してスライスされた信号に影響を与える。
シユホールドレベルでスライスすることも考えら
れるが、銅箔パターン信号の上部が相当変動して
いることから、この変動信号も強調され、雑音と
してスライスされた信号に影響を与える。
又、上幅の測定に関しては、スレツシユホール
ドレベルVHでスライスすることになるが、この
ときの右側波形では、下幅に相当する信号位置が
ずれていると同様に、上幅に相当する信号位置も
ずれており、適切な上幅測定手段がなかつた。
ドレベルVHでスライスすることになるが、この
ときの右側波形では、下幅に相当する信号位置が
ずれていると同様に、上幅に相当する信号位置も
ずれており、適切な上幅測定手段がなかつた。
尚、同一パターンであつても、かかる波形に相
違が生じるのは、照射光が基材4で拡散されるこ
と、および、基材中の中間層或は裏面の物質、例
えば、中間層の導体パターンの存在の有無によつ
て大きく左右されるためである。
違が生じるのは、照射光が基材4で拡散されるこ
と、および、基材中の中間層或は裏面の物質、例
えば、中間層の導体パターンの存在の有無によつ
て大きく左右されるためである。
ところが、パターンの上幅と下幅とを区別して
測定することは切れかかりあるいはシヨートしか
かりなどの欠陥パターンの検知能力を上げる上に
おいて必要なことである。
測定することは切れかかりあるいはシヨートしか
かりなどの欠陥パターンの検知能力を上げる上に
おいて必要なことである。
第3図および第4図はレーザ光による反射信号
であつて、第3図において5は銅箔パターンであ
るが反射迷光6による妨害があり、一定のスレツ
シユホールドレベルの設定で、上幅、下幅を測定
することは不可能である。また第4図において7
は銅箔パターンに対応する信号の拡大図であるが
銅箔部周辺の信号の減少のため銅箔の下幅に相当
する幅8を検知することも困難であつた。
であつて、第3図において5は銅箔パターンであ
るが反射迷光6による妨害があり、一定のスレツ
シユホールドレベルの設定で、上幅、下幅を測定
することは不可能である。また第4図において7
は銅箔パターンに対応する信号の拡大図であるが
銅箔部周辺の信号の減少のため銅箔の下幅に相当
する幅8を検知することも困難であつた。
(3) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点にかんがみプリント板
からの反射光成分のうち銅箔の信号に影響を与え
ずに、主に基材部からの反射光成分を除去し、そ
の銅箔の上幅および下幅を測定することを可能と
したパターン検知法を提供することを目的とする
ものである。
からの反射光成分のうち銅箔の信号に影響を与え
ずに、主に基材部からの反射光成分を除去し、そ
の銅箔の上幅および下幅を測定することを可能と
したパターン検知法を提供することを目的とする
ものである。
(4) 発明の構成
この目的は本発明によれば光拡散性を有する基
材上に形成された非拡散性パターンをレーザ光で
走査しその反射光を集光して光強度を検知するこ
とによりパターン寸法を測定するパターン検知法
において、前記非拡散性パターンの上幅と下幅の
差と同程度の大きさの直径をもつ光ビームにより
前記非拡散パターンを走査し、集光系のピンホー
ルの径の大きさを非拡散反射光像のぼけを許容す
る範囲で小さくすることを特徴とするパターン検
知法を提供することによつて達成される。
材上に形成された非拡散性パターンをレーザ光で
走査しその反射光を集光して光強度を検知するこ
とによりパターン寸法を測定するパターン検知法
において、前記非拡散性パターンの上幅と下幅の
差と同程度の大きさの直径をもつ光ビームにより
前記非拡散パターンを走査し、集光系のピンホー
ルの径の大きさを非拡散反射光像のぼけを許容す
る範囲で小さくすることを特徴とするパターン検
知法を提供することによつて達成される。
(5) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によつて詳細に説明
する。
する。
第5図は本発明の構成を示す要図であつて、レ
ーザ光源11よりレーザ光を出射し、平面鏡12
で曲げられてビーム拡大器13で拡大されハーフ
ミラー14を通過し、回転ミラー15で走査さ
れ、偏光されてスキヤンニングレンズ16で収束
された光が銅箔パターン17で形成されたプリン
ト基板18上に投射される。その反射光は再びス
キヤンニングレンズ16、回転ミラー15と逆行
してハーフミラー14にいたり、ハーフミラー1
4により反射されて結像レンズ19、直径100μ
m程度のピンホールが設けられたピンホールマス
ク21を通過して光増倍管22で光の強度が検知
される。
ーザ光源11よりレーザ光を出射し、平面鏡12
で曲げられてビーム拡大器13で拡大されハーフ
ミラー14を通過し、回転ミラー15で走査さ
れ、偏光されてスキヤンニングレンズ16で収束
された光が銅箔パターン17で形成されたプリン
ト基板18上に投射される。その反射光は再びス
キヤンニングレンズ16、回転ミラー15と逆行
してハーフミラー14にいたり、ハーフミラー1
4により反射されて結像レンズ19、直径100μ
m程度のピンホールが設けられたピンホールマス
ク21を通過して光増倍管22で光の強度が検知
される。
このように反射光を同一の光学系を用いて結像
させる方法をリトロリフレクデイブ法と称する
が、上記のパターン検知器の特色はピンホール2
0を通過させることにあり、この孔20を通すと
光強度比が大きく現われる。これは結像面上では
基板部の拡散反射光はピンホール20で除去され
るが一方銅箔部の非拡散性反射光はピンホールに
よつて影響を受けないための銅箔の信号のS/N
比が向上するからである。
させる方法をリトロリフレクデイブ法と称する
が、上記のパターン検知器の特色はピンホール2
0を通過させることにあり、この孔20を通すと
光強度比が大きく現われる。これは結像面上では
基板部の拡散反射光はピンホール20で除去され
るが一方銅箔部の非拡散性反射光はピンホールに
よつて影響を受けないための銅箔の信号のS/N
比が向上するからである。
そして、この光増倍管22からの信号は、第9
図に示す様に信号増巾器23によつて増巾し、上
幅用比較器24と下幅用比較器25とに入力す
る。上幅用比較器24では高基準電圧VHと比較
されて、測長回路26に入り、測長回路はカウン
タから構成されていて、入力信号数をカウントし
て寸法が測長される。又、下幅用比較器25では
低基準電圧VLと比較されて、測長回路27に入
り、そこで入力信号数をカウントして、寸法が測
長される。尚、20はこれらの制御系回路を示
す。
図に示す様に信号増巾器23によつて増巾し、上
幅用比較器24と下幅用比較器25とに入力す
る。上幅用比較器24では高基準電圧VHと比較
されて、測長回路26に入り、測長回路はカウン
タから構成されていて、入力信号数をカウントし
て寸法が測長される。又、下幅用比較器25では
低基準電圧VLと比較されて、測長回路27に入
り、そこで入力信号数をカウントして、寸法が測
長される。尚、20はこれらの制御系回路を示
す。
ここで、第6図においてAはピンホールを設け
ない場合の全体信号aとその一部の拡大図bを示
し、図において31および32は銅箔パターン信
号、33は基材部信号、34は銅箔パターン信号
である。Bは直径200μm程度のピンホールを設
けた場合でcは全体信号、dは一部拡大信号を示
す。Cは直径100μm程度の、Dは直径50μm程度
のピンホールを設けた場合で、e,gは全体信
号、f,gは一部拡大信号を示す。
ない場合の全体信号aとその一部の拡大図bを示
し、図において31および32は銅箔パターン信
号、33は基材部信号、34は銅箔パターン信号
である。Bは直径200μm程度のピンホールを設
けた場合でcは全体信号、dは一部拡大信号を示
す。Cは直径100μm程度の、Dは直径50μm程度
のピンホールを設けた場合で、e,gは全体信
号、f,gは一部拡大信号を示す。
第6図bに示すごとくピンホールを設けない場
合には銅箔の下幅の測定はできない。しかしピン
ホールを設けその直径を小さくしていきピンホー
ルの直径が100μmになると第6図fのごとく、
またピンホールの直径50μmになると第6図hの
ごとく銅箔の下幅部示す信号があらわれてくる。
以上のようにピンホールの径はこれを透過する基
板反射信号光量が銅箔反射光量より十分小さくな
るように選ぶ必要があり、ピンホール上での結像
のぼけが許容できる範囲で小さくすることが望ま
しい。
合には銅箔の下幅の測定はできない。しかしピン
ホールを設けその直径を小さくしていきピンホー
ルの直径が100μmになると第6図fのごとく、
またピンホールの直径50μmになると第6図hの
ごとく銅箔の下幅部示す信号があらわれてくる。
以上のようにピンホールの径はこれを透過する基
板反射信号光量が銅箔反射光量より十分小さくな
るように選ぶ必要があり、ピンホール上での結像
のぼけが許容できる範囲で小さくすることが望ま
しい。
第7図はピンホールの直径を100μmとして走
査ビーム径を変えたときの信号波形を示し、第7
図においてAはビーム径50μmφ、Bはビーム径
25μmφ、Cはビーム径12μmφの場合を示し、
a,c,eはそれぞれ全体信号、b,d,fはそ
れぞれ一部拡大信号を示す。第7図bにおいては
光ビーム径50μmφではビーム径が太すぎて銅箔
パターンの細部の構造がわからず、第7図fにお
いては光ビーム径12μmφでは細すぎて不必要な
信号35が発生する。したがつて最適ビーム径は
20μmφである。これは検査対象の上幅と下幅の
差の大きさである。このことから光ビーム径は銅
箔パターンの上幅と下幅の差に等しく選ぶことが
必要である。
査ビーム径を変えたときの信号波形を示し、第7
図においてAはビーム径50μmφ、Bはビーム径
25μmφ、Cはビーム径12μmφの場合を示し、
a,c,eはそれぞれ全体信号、b,d,fはそ
れぞれ一部拡大信号を示す。第7図bにおいては
光ビーム径50μmφではビーム径が太すぎて銅箔
パターンの細部の構造がわからず、第7図fにお
いては光ビーム径12μmφでは細すぎて不必要な
信号35が発生する。したがつて最適ビーム径は
20μmφである。これは検査対象の上幅と下幅の
差の大きさである。このことから光ビーム径は銅
箔パターンの上幅と下幅の差に等しく選ぶことが
必要である。
第8図は本発明にかかる方法により銅箔パター
ンの欠陥部を検知する応用例を示し、第8図Aは
銅箔パターンAとBが短絡した場合の状態aとそ
の信号bを示すものでパターンAとBとの間に反
射光が得られるのでその欠陥を判別できる。第8
図B,Cは銅箔パターンの欠け欠陥を示すもので
あつて、第8図d,fに示すごとく上幅部が細く
なり上幅欠陥が検知できることがわかる。
ンの欠陥部を検知する応用例を示し、第8図Aは
銅箔パターンAとBが短絡した場合の状態aとそ
の信号bを示すものでパターンAとBとの間に反
射光が得られるのでその欠陥を判別できる。第8
図B,Cは銅箔パターンの欠け欠陥を示すもので
あつて、第8図d,fに示すごとく上幅部が細く
なり上幅欠陥が検知できることがわかる。
(6) 発明の効果
以上の実施例からわかるように本発明はプリン
ト板における銅箔パターンの上幅と下幅とを区別
して容易に検知でき、プリント板上における銅箔
パターンの欠陥を容易に検出できるものであり、
本発明の効果は頗る大である。
ト板における銅箔パターンの上幅と下幅とを区別
して容易に検知でき、プリント板上における銅箔
パターンの欠陥を容易に検出できるものであり、
本発明の効果は頗る大である。
第1図は銅箔パターンのテレビ画像の1例、第
2図は第1図の画像に対応するテレビ信号図、第
3図および第4図は銅箔パターンのレーザ走査に
よる反射信号図、第5図は本発明の構成図、第6
図は第5図においてピンホールの直径を変化した
場合の銅箔パターンの出力信号を示す図、第7図
はピンホールの直径を一定とし光ビームの径と出
力信号の強度を示す図、第8図はプリントパター
ンの欠陥による出力信号の状態を示す図、第9図
は本発明の回路図である。 図面において、20がピンホール、21がピン
ホールマスク、31,32,34が銅箔パターン
の出力信号、33が基材部反射出力信号をそれぞ
れ示す。
2図は第1図の画像に対応するテレビ信号図、第
3図および第4図は銅箔パターンのレーザ走査に
よる反射信号図、第5図は本発明の構成図、第6
図は第5図においてピンホールの直径を変化した
場合の銅箔パターンの出力信号を示す図、第7図
はピンホールの直径を一定とし光ビームの径と出
力信号の強度を示す図、第8図はプリントパター
ンの欠陥による出力信号の状態を示す図、第9図
は本発明の回路図である。 図面において、20がピンホール、21がピン
ホールマスク、31,32,34が銅箔パターン
の出力信号、33が基材部反射出力信号をそれぞ
れ示す。
Claims (1)
- 1 光拡散性を有する基材上に形成された非拡散
性パターンをレーザ光で走査しその反射光を集光
して光強度を検知することによりパターン寸法を
測定するパターン検知法において、前記非拡散性
パターンの上幅と下幅の差と同程度の大きさの直
径をもつ光ビームにより前記非拡散パターンを走
査し、集光系のピンホールの径の大きさを非拡散
反射光像のぼけを許容する範囲で小さくすること
を特徴とするパターン検知法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23164082A JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23164082A JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59125009A JPS59125009A (ja) | 1984-07-19 |
JPS6365883B2 true JPS6365883B2 (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=16926661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23164082A Granted JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59125009A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0610615B2 (ja) * | 1985-10-15 | 1994-02-09 | キヤノン株式会社 | 多方向距離測定装置 |
JPH07104138B2 (ja) * | 1991-01-28 | 1995-11-13 | 松下電工株式会社 | プリント配線板のパターン幅測定方法 |
US5764365A (en) | 1993-11-09 | 1998-06-09 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Two-dimensional beam deflector |
IL107549A (en) * | 1993-11-09 | 1996-01-31 | Nova Measuring Instr Ltd | Device for measuring the thickness of thin films |
IL123575A (en) * | 1998-03-05 | 2001-08-26 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for alignment of a wafer |
JP4722244B2 (ja) | 1998-07-14 | 2011-07-13 | ノバ・メジャリング・インストルメンツ・リミテッド | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置 |
US6212961B1 (en) | 1999-02-11 | 2001-04-10 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Buffer system for a wafer handling system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5453562A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-26 | Canon Inc | Photoelectric detector |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23164082A patent/JPS59125009A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5453562A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-26 | Canon Inc | Photoelectric detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59125009A (ja) | 1984-07-19 |
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