JPS59125009A - パタ−ン検知法 - Google Patents
パタ−ン検知法Info
- Publication number
- JPS59125009A JPS59125009A JP23164082A JP23164082A JPS59125009A JP S59125009 A JPS59125009 A JP S59125009A JP 23164082 A JP23164082 A JP 23164082A JP 23164082 A JP23164082 A JP 23164082A JP S59125009 A JPS59125009 A JP S59125009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- copper foil
- pattern
- pin
- reflected light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント板鋼箔パターン検知法に関し、に銅箔
パターンの上幅と下幅を別々に判別できようにしたiE
ターン検知法に関するものである8(2)従来技術と問
題点 従来銅箔パターンの検知法としてはテレビカメを用いあ
るいはレーザ走査を用いて銅箔ノ々ターの画像を検知し
該・七ターン信号をl〈示するものあった。第1し1(
A)は2個の銅箔・平ターン(上幅下幅が両ノセターン
で同じである)をテレビカメ −で撮像したテレビ
画像であって181において1は箔パターン、2は基板
を示す。し7かしかかるテビカメラの画像ではパターン
信号から第11号1 ([31示すごとき」二幅と下幅
を判別し7でif]l定することでき々かった。また第
2昭1は第1図(5)の:J:+l箔パーンをテレビ信
号で表示したものであって3は箔パターン信号、4は基
材に対する出力18陣でるがやt1シ上幅と下幅とを判
別して画定するこはできなかった。
パターンの上幅と下幅を別々に判別できようにしたiE
ターン検知法に関するものである8(2)従来技術と問
題点 従来銅箔パターンの検知法としてはテレビカメを用いあ
るいはレーザ走査を用いて銅箔ノ々ターの画像を検知し
該・七ターン信号をl〈示するものあった。第1し1(
A)は2個の銅箔・平ターン(上幅下幅が両ノセターン
で同じである)をテレビカメ −で撮像したテレビ
画像であって181において1は箔パターン、2は基板
を示す。し7かしかかるテビカメラの画像ではパターン
信号から第11号1 ([31示すごとき」二幅と下幅
を判別し7でif]l定することでき々かった。また第
2昭1は第1図(5)の:J:+l箔パーンをテレビ信
号で表示したものであって3は箔パターン信号、4は基
材に対する出力18陣でるがやt1シ上幅と下幅とを判
別して画定するこはできなかった。
即ち、銅箔・ぐターン信号の左側波形では、スレとにエ
リ下幅の61す定は可能であるが、右fril+波形に
なると、点■、■間が下幅に相当し、これを一定のスレ
ッシュホールドレベルvLでスライスシタのでは下幅の
測定はでき々い。
リ下幅の61す定は可能であるが、右fril+波形に
なると、点■、■間が下幅に相当し、これを一定のスレ
ッシュホールドレベルvLでスライスシタのでは下幅の
測定はでき々い。
そこで、これら信号の微分波形を一定のスレッシュホー
ルドレベルでスライスすることも考エラれるが、銅箔パ
ターン信号の上部が相当変動していることから、この変
動信号も強調され、雑音としてスライスされた信号に影
響を力える。
ルドレベルでスライスすることも考エラれるが、銅箔パ
ターン信号の上部が相当変動していることから、この変
動信号も強調され、雑音としてスライスされた信号に影
響を力える。
又、上幅の測定に関しては、スレッシュホールド・レベ
ルvHでスライスすることに々るが、このときの右41
1111波形では、下幅に相当する信号位置かずれてい
ると回様に、上幅に相当する情号位11ζもずれておジ
、適切な上幅測定手段がなかった。
ルvHでスライスすることに々るが、このときの右41
1111波形では、下幅に相当する信号位置かずれてい
ると回様に、上幅に相当する情号位11ζもずれておジ
、適切な上幅測定手段がなかった。
尚、同一パターンであっても、かかる波形に相違が生じ
るのは、照射光が基材4て拡散されること、および、基
イネ中の中間層或は裏面の物質、例えば、中間層の導体
ノRターンの存在の有無によって大きく左右されるため
である。
るのは、照射光が基材4て拡散されること、および、基
イネ中の中間層或は裏面の物質、例えば、中間層の導体
ノRターンの存在の有無によって大きく左右されるため
である。
ところが、パターンの上幅と下幅とを区別して測定する
ことは切れかかりあるいはショートしかかシな′どの欠
陥パターンの検知能力を上げる上において必要なことで
ある。
ことは切れかかりあるいはショートしかかシな′どの欠
陥パターンの検知能力を上げる上において必要なことで
ある。
第3図および第4図はレーザ光による反射信号であって
、j:I”+ 3図において5は錯j箔パターンである
が反射迷電6による妨害があり、−シ〆のスレッシュホ
ールドレベルの設定で、上幅、上幅を測定することは不
可能である。また乞1τ4図において7は銅箔・ぐター
ンに対応する信号の拡犬凶であるが銅箔部周辺の信号の
(威少のため′i4・6fiの−F幅に相当する幅8を
検知することもfail 難−ひあった。
、j:I”+ 3図において5は錯j箔パターンである
が反射迷電6による妨害があり、−シ〆のスレッシュホ
ールドレベルの設定で、上幅、上幅を測定することは不
可能である。また乞1τ4図において7は銅箔・ぐター
ンに対応する信号の拡犬凶であるが銅箔部周辺の信号の
(威少のため′i4・6fiの−F幅に相当する幅8を
検知することもfail 難−ひあった。
(3) 発明の目的
一不発明は、−にff1r、1従米の欠点にかんがみ′
7′リント板からの反射光成分のうり鋼箔のイ@号に影
響を与えずに、主に基相部からの反射光成分を除去し、
その銅箔の上幅お工ひ下幅t a++]定することを口
」能としたパターン検知法を提供すること全目的とする
ものである。
7′リント板からの反射光成分のうり鋼箔のイ@号に影
響を与えずに、主に基相部からの反射光成分を除去し、
その銅箔の上幅お工ひ下幅t a++]定することを口
」能としたパターン検知法を提供すること全目的とする
ものである。
(4)発明の構成
この目的は不発明によれば、九−ルへ敢伯−を有する基
材上に形成でれた非拡散性パターンを17一ザ元て走査
しその反射光を集光してLH度を検知することに工9パ
ターン寸法を測定する/Jパターン検知法おいて、集光
系のピンホールの径の大きさを非拡散反u、[つf像の
ぼけを許容する範囲で小さくすることを!1で1敞とす
る・やターン検り、11法全提供することに裏って達成
されるっ 仁の目的はさらにTh1f記非拡故性・ぐターンの上1
1%とF幅との差と同程度の大きさの直径をもつ元ビー
ムにより前記非拡散ペターンを走査することにより該パ
ターンを検知すること全特徴とするパターン検知法を雨
供することによって達成される0、(5)¥1ジ明の実
施例 以下不発明の実施例1を1区1面によってi゛1111
にh)?1明する。
材上に形成でれた非拡散性パターンを17一ザ元て走査
しその反射光を集光してLH度を検知することに工9パ
ターン寸法を測定する/Jパターン検知法おいて、集光
系のピンホールの径の大きさを非拡散反u、[つf像の
ぼけを許容する範囲で小さくすることを!1で1敞とす
る・やターン検り、11法全提供することに裏って達成
されるっ 仁の目的はさらにTh1f記非拡故性・ぐターンの上1
1%とF幅との差と同程度の大きさの直径をもつ元ビー
ムにより前記非拡散ペターンを走査することにより該パ
ターンを検知すること全特徴とするパターン検知法を雨
供することによって達成される0、(5)¥1ジ明の実
施例 以下不発明の実施例1を1区1面によってi゛1111
にh)?1明する。
第5[ン田、イ〈発明の構成を示す型図であって、レー
ザ元帥11Jニジレーザ元を出射し、平面鏡12で曲げ
られてビーム拡大器13で拡大され)・−フミラ〜14
を通過し、回転ミラー15で走丁〒され、偏3uされて
スキャンニングレンズ】6で収束された元が鋼箔・ぐタ
ーン17で形成されたプリントJK板18上に投射され
る。その反射光は((lびスキャンニングレンズ16、
回転ミラー15と逆行してハーフミラ−14にいたり、
ハーフミラ−14により反射されて結像レンズ19.1
4j径1.00μm程度のピンポールが設けられたピン
ホールマスク21を通過してyCJ“:9信管22で亀
の!r’Ji Ifが険知塾れる。
ザ元帥11Jニジレーザ元を出射し、平面鏡12で曲げ
られてビーム拡大器13で拡大され)・−フミラ〜14
を通過し、回転ミラー15で走丁〒され、偏3uされて
スキャンニングレンズ】6で収束された元が鋼箔・ぐタ
ーン17で形成されたプリントJK板18上に投射され
る。その反射光は((lびスキャンニングレンズ16、
回転ミラー15と逆行してハーフミラ−14にいたり、
ハーフミラ−14により反射されて結像レンズ19.1
4j径1.00μm程度のピンポールが設けられたピン
ホールマスク21を通過してyCJ“:9信管22で亀
の!r’Ji Ifが険知塾れる。
このように反射光を同一の丸字系に用いてf、ζ像させ
る方法を11 ドロリフ1/クデイブ法と称するが、上
記のパターン検知器の特色はビ′ンホール20を通過さ
せることVCあり、この孔20をj内ずと光強度比が犬
きく現われる。これはf;i:像iMi 、J−では基
<bt部の拡散反射光はピンホール20で除〕!べされ
るが一方銅箔部の非拡Nj<性反射元はビンボールによ
って影響をうけない女め嘉x3の化−′l!−のSA4
比が向」ニするからである。
る方法を11 ドロリフ1/クデイブ法と称するが、上
記のパターン検知器の特色はビ′ンホール20を通過さ
せることVCあり、この孔20をj内ずと光強度比が犬
きく現われる。これはf;i:像iMi 、J−では基
<bt部の拡散反射光はピンホール20で除〕!べされ
るが一方銅箔部の非拡Nj<性反射元はビンボールによ
って影響をうけない女め嘉x3の化−′l!−のSA4
比が向」ニするからである。
そして、この光g・1信管22からのG、:i ””i
は、第9図に示す様に信号増1】器23によって増rl
】L、上幅用比較器24と下幅用比較器25とに入力す
る。
は、第9図に示す様に信号増1】器23によって増rl
】L、上幅用比較器24と下幅用比較器25とに入力す
る。
上幅用比較器24では高76準電圧Vriと比較されて
、測長回路26に入り、測長回路はカウンタから構成さ
れていて、人力信号数をカウントして寸法が測長される
。又、下幅用比較器25では低基準電圧vLと比較され
て、測長回路27に入り、そこで入力伯°号数をカウン
トして、寸法が測長される。
、測長回路26に入り、測長回路はカウンタから構成さ
れていて、人力信号数をカウントして寸法が測長される
。又、下幅用比較器25では低基準電圧vLと比較され
て、測長回路27に入り、そこで入力伯°号数をカウン
トして、寸法が測長される。
尚、20はこれらのit’ll碩l糸lLi1l銘を示
す。
す。
ここで、第6図において代はピンホールを設けない場合
の全体信号(a)とその一部の拡大図(b)を示し、図
において31および32は@遁ハターン信妥、33は水
制部信号、34は銅箔/4’ターン(if ’lである
。 (t’)は直径200伽程度のピンホールを設けた
場合で(c)は全体信号、(d)は一部拡大信号を示す
。(Qは1ば径100μη1程度の、偏は直径50μm
程度のピンホールを設けた場合で、(e)、彊)は全体
信号、(f) 、 (g)は一部拡犬匍号全示す。
の全体信号(a)とその一部の拡大図(b)を示し、図
において31および32は@遁ハターン信妥、33は水
制部信号、34は銅箔/4’ターン(if ’lである
。 (t’)は直径200伽程度のピンホールを設けた
場合で(c)は全体信号、(d)は一部拡大信号を示す
。(Qは1ば径100μη1程度の、偏は直径50μm
程度のピンホールを設けた場合で、(e)、彊)は全体
信号、(f) 、 (g)は一部拡犬匍号全示す。
第6図(b)に示すごとくピンホール勿設けない1越合
には銅箔のド11路の測定はできない1.シかしピンホ
ールを設けその[直径−t /JXさくしていきピンホ
ールの直径が100μmになると第6図(f)のごとく
、゛まだピンホールの直径50μmになると第6図(h
)のととく銅箔の下幅部示す信〜冴があられれてくる。
には銅箔のド11路の測定はできない1.シかしピンホ
ールを設けその[直径−t /JXさくしていきピンホ
ールの直径が100μmになると第6図(f)のごとく
、゛まだピンホールの直径50μmになると第6図(h
)のととく銅箔の下幅部示す信〜冴があられれてくる。
以上のようにピンホールの径はこれを透過する基板反射
信号光量がt11箭反射>’t−、ijtより十分小さ
くなるよう(C辺ぶ必要があり、ピンホール上での結r
雫のほけが、F1身?できる範囲で小さくする乙とが堕
゛+しい。
信号光量がt11箭反射>’t−、ijtより十分小さ
くなるよう(C辺ぶ必要があり、ピンホール上での結r
雫のほけが、F1身?できる範囲で小さくする乙とが堕
゛+しい。
第7図はピンホールの1版径を100μmとして走査ビ
ーム径を変えたときの(、(号波形を示し、第7図にお
いて(6)はビーム匝50μmφ、 (L31はビーム
径25μmφ、シ)ハビーム径12 fimφの場合′
に7j’くし、(a) 、 (c) 、 (e)はそれ
ぞれ全体イ1−号、(b! 、 (d) 、 (f)は
それぞれ一部拡大信号を示す。第7図1(b)において
は元ビーム径50μフnφではビーム径が太すざて′!
ljl :’i′“1パターンの細部のおC11間7)
;わから−す、第7図げ)に4イいては元ビーム径12
μmφ″′Cは1111すき−ご不必要な信号35が発
生する。したがって最適ビーム径は20μmφである。
ーム径を変えたときの(、(号波形を示し、第7図にお
いて(6)はビーム匝50μmφ、 (L31はビーム
径25μmφ、シ)ハビーム径12 fimφの場合′
に7j’くし、(a) 、 (c) 、 (e)はそれ
ぞれ全体イ1−号、(b! 、 (d) 、 (f)は
それぞれ一部拡大信号を示す。第7図1(b)において
は元ビーム径50μフnφではビーム径が太すざて′!
ljl :’i′“1パターンの細部のおC11間7)
;わから−す、第7図げ)に4イいては元ビーム径12
μmφ″′Cは1111すき−ご不必要な信号35が発
生する。したがって最適ビーム径は20μmφである。
これは検査対象の土曜1と上幅の差の大きさである。こ
のことがら元ビーム?−¥= tt:t 銅箔パターン
のJZ 1lli、!Iと下幅の差に等しく1ハぶこと
が必要である。
のことがら元ビーム?−¥= tt:t 銅箔パターン
のJZ 1lli、!Iと下幅の差に等しく1ハぶこと
が必要である。
第8図は本発明にかかる方法により銅箔パターンの欠陥
部を検知する応用叩を示し、第8図(A)は銅箔・gタ
ーンAとBが短絡した場合の状(6)(a)とその像半
信号(b)を示すものでパターンAとBとの間に反射光
が得られるのでその欠陥を判別できる。
部を検知する応用叩を示し、第8図(A)は銅箔・gタ
ーンAとBが短絡した場合の状(6)(a)とその像半
信号(b)を示すものでパターンAとBとの間に反射光
が得られるのでその欠陥を判別できる。
第8図回、0は銅箔ノぐターンの欠は欠陥を丞ずもので
あって、第8図(d)、 (f)に示すごとく上幅部が
細くなり上幅欠陥が検知できることがわかる8(6)発
明の効果 以上の¥施何かられかるように不発明はプリント仮にお
ける銅箔パターンの上幅と下幅とを区別して容易に検知
でき、プリント板上における銅箔ノやターンの欠陥を容
易に検出できるものであり、4(発明の効果は頗る大で
ある。
あって、第8図(d)、 (f)に示すごとく上幅部が
細くなり上幅欠陥が検知できることがわかる8(6)発
明の効果 以上の¥施何かられかるように不発明はプリント仮にお
ける銅箔パターンの上幅と下幅とを区別して容易に検知
でき、プリント板上における銅箔ノやターンの欠陥を容
易に検出できるものであり、4(発明の効果は頗る大で
ある。
第1図1は銅箔パターンのテレビ画像の1例、小 。
2図は第1図の画像に対応するテレビ信号図、第31ン
1および第4図は銅箔パターンのレーザ走査による反射
信号図、第5図は本発明の構+j12図、第61ンl目
髪へ5図においてピンホールの直径を変化した場合の銅
箔パターンの出力信書を示す1ツ1、i′合7図はピン
ホールの直径を一定とし元ビームの径と出力信号の強度
を示す図、r官81に+はプリント・?ターンの欠陥に
よる出カイdJPjf)状態を/J<す図、第9 [’
<1は不発明の回路図である。 図面において、20がピンホール、21がピンホールマ
スク、31,32.34が銅箔パターンの出力信号、3
3が基材部反射出力信号をそれぞれ示す、 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代°理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 円 1)幸 男 弁理士山]]昭之 第1 図 (A、) (B) 第2− 第3藺 第4図 第2,6 図′ (A) (CI) (b)z (B) (C) (d)糸6回 (C) 2 (D)
1および第4図は銅箔パターンのレーザ走査による反射
信号図、第5図は本発明の構+j12図、第61ンl目
髪へ5図においてピンホールの直径を変化した場合の銅
箔パターンの出力信書を示す1ツ1、i′合7図はピン
ホールの直径を一定とし元ビームの径と出力信号の強度
を示す図、r官81に+はプリント・?ターンの欠陥に
よる出カイdJPjf)状態を/J<す図、第9 [’
<1は不発明の回路図である。 図面において、20がピンホール、21がピンホールマ
スク、31,32.34が銅箔パターンの出力信号、3
3が基材部反射出力信号をそれぞれ示す、 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代°理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 円 1)幸 男 弁理士山]]昭之 第1 図 (A、) (B) 第2− 第3藺 第4図 第2,6 図′ (A) (CI) (b)z (B) (C) (d)糸6回 (C) 2 (D)
Claims (1)
- 1、光拡散性を有する基材上に形成された非拡散性パタ
ーン奢レーザ光で走査しその反射光を集 ラ元して
光強度を検知することによJ /、?ターン寸法
ンを測定するパターン検知法において、集光系のビ
がンホールの径の大きさを非拡散反射光像のほけを
と許答する範囲で小さくすることを特徴とするパタ
ラーン検知法。
銅2、光拡散性を有する基材上に形成された
非拡 し散性パターン葡し−ザ元で走査しその反射
光全集 に元して光強度を検知することによりパタ
ーン寸法 はを測定するパターン検知法において、
前記非拡散 タ性ノjターンの上幅と下幅の差と同
程度の大きさの 銅直径をもつ元ビームにエフ前記
非拡散・やターンを あ走査すること全特徴とする
パターン検知法。 と
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23164082A JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23164082A JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59125009A true JPS59125009A (ja) | 1984-07-19 |
JPS6365883B2 JPS6365883B2 (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=16926661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23164082A Granted JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59125009A (ja) |
Cited By (7)
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-
1982
- 1982-12-29 JP JP23164082A patent/JPS59125009A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS6365883B2 (ja) | 1988-12-19 |
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