JPS6358931A - Ultroviolet curing apparatus for optically curing photoresist - Google Patents
Ultroviolet curing apparatus for optically curing photoresistInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体基板上のフォト・レジストパターン
に紫外線を照射することによって、フォト・レジストパ
ターンの光硬化を起こさせるためのフォト・レジスト光
硬化用紫外線硬化装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a photoresist light-curing method for causing photo-curing of a photo-resist pattern by irradiating the photo-resist pattern on a semiconductor substrate with ultraviolet rays. This invention relates to an ultraviolet curing device for curing.
［従来の技術］
半導体基板を用いた装置、たとえばＩＣ，ＬＳＩ等を作
製するには、一般的に次の工程３経る。[Prior Art] In order to manufacture a device using a semiconductor substrate, such as an IC, an LSI, etc., the following three steps are generally performed.
まず半導体基板上にフォト・レジストを塗布し、乾熾し
、そしてその上にフォト・マスクを載せて、光照射する
。次いで現像により、光硬化した部分をフォト・レジス
トパターンとして半導体基板上に残し、一方未硬化部分
を現像液の中に溶解し除去する。そして、エツチング工
程でエツチングし、半導体基板上にパターンを形成する
。First, a photoresist is applied onto a semiconductor substrate, dried, and then a photomask is placed on top of the photoresist and exposed to light. Next, by development, the photocured portions remain as a photoresist pattern on the semiconductor substrate, while the uncured portions are dissolved in a developer and removed. Then, it is etched in an etching process to form a pattern on the semiconductor substrate.
ところが、通常の場合、現像処理した後、すぐにエツチ
ング工程にはいかず、フォト・レジストパターンを強靭
にするために、フォト・レジストパターンを再硬化する
工程をさらに含めている。However, in normal cases, the etching process is not performed immediately after the development process, but a process of re-hardening the photoresist pattern is further included in order to make the photoresist pattern tough.
この再硬化工程は紫外線硬化手段およびそれに続く熱硬
化手段からなっている。紫外５１硬化手段を取入れるの
は、現Ｉａ４直後に熱硬化させるとフォト・レジストパ
ターンが熱により熱ダレを起こし、流れてしまい、その
結果パターンが崩れるからである。This re-curing step consists of an ultraviolet curing means followed by a heat curing means. The reason why the ultraviolet 51 curing means is adopted is that if heat curing is performed immediately after the current Ia4, the photoresist pattern will sag and flow due to the heat, resulting in the pattern being destroyed.
第２図は従来の遠紫外線硬化装コを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a conventional deep ultraviolet curing equipment.
従来の遠紫外線硬化装置は遠紫外ランプ１を頂上に備え
ている。その遠紫外ランプ１から照射された３！Ｉ紫外
線２は反射ミラー３によって反射する。A conventional far-UV curing device is equipped with a far-UV lamp 1 at the top. 3 irradiated from the far ultraviolet lamp 1! The I ultraviolet rays 2 are reflected by a reflecting mirror 3.
シャッタ４はその遠紫外線２の照射量を調節する。The shutter 4 adjusts the amount of far ultraviolet rays 2 irradiated.
遠紫外線２の光の方向はレンズ５によって平行にされる
。保護カバー６は遠紫外ｌｉ！２が外部に漏れるのを防
ぐために設けられている。半導体基板７は保持プレート
８の上に置かれている。そして半導体基板７上のフォト
・レジストパターンは、遠紫外ランプ１から照射される
遠紫外Ｉ！２の照射を受け、硬化する。The direction of the far ultraviolet rays 2 is made parallel by the lens 5. The protective cover 6 is far ultraviolet li! 2 is provided to prevent leakage to the outside. A semiconductor substrate 7 is placed on a holding plate 8. The photoresist pattern on the semiconductor substrate 7 is then exposed to the far ultraviolet I! irradiated from the far ultraviolet lamp 1! It is cured by 2 irradiation.
［発明が解決しようとする問題点〕
従来の遠紫外線硬化装冒は以上のように構成されている
。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional deep ultraviolet curing equipment is constructed as described above.
しかし、遠紫外ランプ１からレンズ５を経由してくる遠
紫外１１ｉ１２は均一の強度を持つものではない。その
結果、フォト・レジスト表面の各部分への照射強度が均
一でないために、フォト・レジスト表面の各部分の硬化
の程度が均一でないという問題を招いていた。However, the far ultraviolet light 11i12 coming from the far ultraviolet lamp 1 via the lens 5 does not have uniform intensity. As a result, the intensity of irradiation to each portion of the photoresist surface is not uniform, leading to a problem that the degree of hardening of each portion of the photoresist surface is not uniform.
また、レンズ５を通プてきた遠紫外線２は平行線化され
ているために、フォト中レジストパターン表面は、遠紫
外［１２を直接に十分に受けるので、短時間で硬化する
。Furthermore, since the far ultraviolet rays 2 passing through the lens 5 are parallelized, the surface of the resist pattern in the photo is directly and sufficiently exposed to the far ultraviolet rays [12], so that it is cured in a short time.
一方、遠紫外線２が平行線化されているがために、フォ
ト・レジストパターンの側部には遠紫外線がほとんど届
かない。その結果、フォト・レジストパターンの側部の
硬化の程度が、その表面の硬化の程度に比べて不十分で
あった。On the other hand, since the far ultraviolet rays 2 are parallelized, the far ultraviolet rays hardly reach the sides of the photoresist pattern. As a result, the degree of hardening on the sides of the photoresist pattern was insufficient compared to the degree of hardening on the surface thereof.
フォト・レジストパターンの硬化が一部不十分であると
、次の熱硬化の工程で、フォト・レジストパターンの熱
ダレを引き起こし、パターンが崩れてくるという問題が
生じる。If a portion of the photoresist pattern is insufficiently cured, a problem arises in that the photoresist pattern is thermally sagged during the next heat curing process, causing the pattern to collapse.
したがって、フォト・レジストパターンの側部の硬化の
程度を、その表面と同じ程度に十分にするためには実時
間の遠紫外線照射が必要であった。Therefore, real-time deep ultraviolet irradiation was necessary to cure the sides of the photoresist pattern to the same degree as the surface thereof.
その結果、著しいスルーブツト（一定時間内の材料！２
！１理量）の低下を引き起こし、問題であった。As a result, significant throughput (material within a certain amount of time!2
! This was a problem as it caused a decline in physical ability (1).
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、フォト・レジストパターンの表面の各部分
を均一に硬化させ、かつフォト・レジストパターンの側
部をその表面と同じ程度に短ｖｆ間で十分に硬化させる
ことができる、フォト・レジスト光硬化用紫外線硬化装
置を提供することを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to uniformly harden each part of the surface of a photoresist pattern, and to harden the sides of the photoresist pattern to the same degree as the surface. It is an object of the present invention to provide an ultraviolet curing device for photoresist photocuring that can sufficiently cure within a short VF.
［問題点を解決するための手段］
この発明にかかるフォト・レジスト光硬化用紫外線硬化
装置は保持プレート上に保持された半導体基板上に紫外
線を照射することによって、半導体基板上のフォト・レ
ジストパターンを硬化させるフォト・レジスト光硬化用
紫外線硬化装置である。そして保持プレートを水平に回
転できるようにし、かつ保持プレートの角度を変えられ
るようにしたことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The ultraviolet curing device for photoresist photocuring according to the present invention cures the photoresist pattern on the semiconductor substrate by irradiating ultraviolet rays onto the semiconductor substrate held on the holding plate. This is an ultraviolet curing device for photoresist light curing. The device is characterized in that the holding plate can be rotated horizontally and the angle of the holding plate can be changed.
［作用］
保持プレートが水平に回転するので、フォト・レジスト
表面の各部分への紫外線照射強度は均一化する。[Operation] Since the holding plate rotates horizontally, the intensity of ultraviolet rays irradiated to each part of the photoresist surface becomes uniform.
さらに、保持プレートの角度が変えられるので、遠紫外
線がフォト・レジストパターンの側部にもその表面と同
じ程度に、十分に照射する。Furthermore, since the angle of the holding plate can be changed, the deep ultraviolet rays irradiate the sides of the photoresist pattern as well as the surface thereof.
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の一実施例のフォト・レジスト光硬化
用遠紫外線硬化装置を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a deep ultraviolet curing apparatus for photoresist light curing according to an embodiment of the present invention.
この発明にかがる遠紫外線硬化装置は遠紫外線ランプ９
を頂上に備えている。その紫外線ランプ９から照射され
た遠紫外線１０は反射ミラー１１によって反射する。シ
ャッタ１２は遠紫外Ｐ３１０の照射量を１４節するため
に備えられている。遠紫外線１０の光の方向はレンズ１
３によって平行にされる。保護カバー１４はその遠紫外
線が外部に漏れるのを防ぐために設けられている。半導
体基板１５は保持プレート１６の上に置かれており、遠
紫外ランプ９から照射される遠紫外線１０の照射を受け
る。The far ultraviolet curing device according to this invention is a far ultraviolet lamp 9.
is located at the top. Far ultraviolet rays 10 emitted from the ultraviolet lamp 9 are reflected by a reflecting mirror 11. The shutter 12 is provided to limit the amount of irradiation of the far-ultraviolet P310 to 14 sections. The direction of light of far ultraviolet rays 10 is lens 1
made parallel by 3. The protective cover 14 is provided to prevent the far ultraviolet rays from leaking to the outside. The semiconductor substrate 15 is placed on a holding plate 16 and is irradiated with deep ultraviolet rays 10 from a far ultraviolet lamp 9.
以上の構成は第２図に示す従来の遠紫外線硬化装置と同
じであるが、この発明にかかる装置は、さらに、保持プ
レート１６を水平に回転させる第１モータ１７と保持プ
レート１６の角度を変える第２モータ１８とを備えてい
る。保持プレート１６の角度は第２モータ１８に連結さ
れたカムによって変えられる。本実施例の装置では保持
プレートの角度は水平より±４５″傾く。The above configuration is the same as the conventional deep ultraviolet curing device shown in FIG. 2, but the device according to the present invention further changes the angle of the first motor 17 that horizontally rotates the holding plate 16 and the holding plate 16. A second motor 18 is provided. The angle of the holding plate 16 is varied by a cam connected to a second motor 18. In the apparatus of this embodiment, the angle of the holding plate is tilted ±45'' from the horizontal.
以下、上記のように構成された遠紫外線照射装５の動作
について説明する。The operation of the far ultraviolet irradiation device 5 configured as described above will be described below.
遠紫外線１０は、遠紫外ランプ９より照射され、反射ミ
ラー１１により反射され、レンズ１３により平行線化さ
れ、保持プレート１６上の半導体基板１５上のフォト・
レジスト表面を照射する。遠紫外８１０の強度は均一で
ないが、第１モータ１７が駆動し、保持プレート１６が
水平に回転するのでフォト・レジスト表面の各部分への
照射強度は均一化する。その結果、フォト・レジスト表
面の各部分の硬化の程度は均一になる。The far ultraviolet rays 10 are irradiated by the far ultraviolet lamp 9, reflected by the reflection mirror 11, made into parallel lines by the lens 13, and exposed to the photo beams on the semiconductor substrate 15 on the holding plate 16.
Irradiate the resist surface. Although the intensity of the far ultraviolet light 810 is not uniform, since the first motor 17 is driven and the holding plate 16 is rotated horizontally, the intensity of irradiation to each part of the photoresist surface is made uniform. As a result, the degree of hardening of each portion of the photoresist surface is uniform.
また、レンズ１３を；ふってさた遠紫外線１０は平行線
化されているために、フォト・レジストパターンの側部
には遠紫外線１０がほとんど当たらないが、第２モータ
１８が駆動し、保持プレート１６が水平より±４５″傾
くので、フォト・レジストパターンの側部にも遠紫外線
が当たるようになる。その結果、従来フォト・レジスト
パターンの側部の硬化が不十分であったものが、短詩１
ｉｆｌで、その側部をその表面と同じ程度に十分に硬化
できる。これによりスループットが著しく上昇する。In addition, since the far ultraviolet rays 10 that rise up from the lens 13 are parallelized, the far ultraviolet rays 10 hardly hit the sides of the photoresist pattern, but the second motor 18 is driven and held. Since the plate 16 is tilted ±45" from the horizontal, the far ultraviolet rays will also hit the sides of the photoresist pattern. As a result, the sides of the photoresist pattern, which were previously insufficiently cured, will be cured. short poem 1
Ifl allows its sides to be sufficiently hardened to the same extent as its surface. This significantly increases throughput.
なお、本実施例では、紫外線ランプに遠紫外線ランプ９
を用いる場合を示したが、本発明はこれに限られず、広
く紫外線ランプ全般にまで応用できる。In this embodiment, a far ultraviolet lamp 9 is used as the ultraviolet lamp.
Although the case where a UV lamp is used is shown, the present invention is not limited to this, and can be widely applied to ultraviolet lamps in general.
また、本実施例では保持プレート１６の水平の回転と角
度の変化・をそれぞれモータで行なわせる場合を示した
が、この発明はこれに限られるものでなく、手動式であ
ってもよい。Further, in this embodiment, a case is shown in which the horizontal rotation and the angle change of the holding plate 16 are performed by motors, but the present invention is not limited to this, and a manual method may be used.
さらに、本実施例では保持プレート１６の角度が水平よ
り±４５°傾く場合を示したが、この発明はこれに限ら
れるものでなく、必要に応じその角度は変えられ得る。Furthermore, although the present embodiment shows the case where the angle of the holding plate 16 is tilted by ±45 degrees from the horizontal, the present invention is not limited to this, and the angle can be changed as necessary.
［発明の効果］
この発明は、以上説明したように、保持プレートが水平
に回転するので、フォト・レジスト表面の各部分への紫
外線照射強度が均一になる。その結果、フォト・レジス
ト表面の硬化の程度が各部分で均一になる。[Effects of the Invention] As explained above, in the present invention, since the holding plate rotates horizontally, the intensity of ultraviolet irradiation to each portion of the photoresist surface becomes uniform. As a result, the degree of hardening of the photoresist surface is uniform in each portion.
また、保持プレートの角度が変えられるので、紫外線が
フォト・レジストパターンの側部にも、その表面と同じ
程度に、十分に照射する。その結果、短時間で、その側
部をその表面と同じ程度に十分に硬化できる。Also, since the angle of the holding plate can be changed, the ultraviolet rays can be applied to the sides of the photoresist pattern as well as to the surface thereof. As a result, in a short time the sides can be sufficiently hardened to the same extent as the surface.
さらに、パターンの微細化に伴ない、従来装置では、レ
ジストパターン側部の最底部が隣りのパターンの影とな
って照射されない場合も起こり得たが、この発明では保
持プレートの角度が変えられるので、紫外線がレジスト
パターン側部の最底部にも十分に当たる。Furthermore, with the miniaturization of patterns, with conventional equipment, there were cases where the bottom of the side of the resist pattern was shadowed by the adjacent pattern and could not be irradiated, but with this invention, the angle of the holding plate can be changed. , the ultraviolet rays sufficiently hit the bottom of the sides of the resist pattern.
第１図は本発明の一実施例による遠紫外線硬化装置の断
面図であり、第２図は従来の遠紫外線硬化装置の断面図
である。
図において、１０は遠紫外線、１５は半導体基板、１６
は保持プレートである。
代理人 大 岩 増 雄
第１図
１０：歯繁５８礫 １５：牛淳体を叛
１６；１ヱ井７°Ｌ−）
第２図FIG. 1 is a sectional view of a deep ultraviolet curing device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a conventional deep ultraviolet curing device. In the figure, 10 is deep ultraviolet rays, 15 is a semiconductor substrate, 16 is
is the holding plate. Agent Oiwa Masuo Figure 1 10: Habige 58 Reki 15: Ushi Juntai wo Rebellion 16; 1 Ei 7°L-) Figure 2
Claims (2)
線を照射することによって、半導体基板上のフォト・レ
ジストパターンを硬化させるフォト・レジスト光硬化用
紫外線硬化装置において、保持プレートを水平回転でき
るようにし、かつ保持プレートの角度を変えられるよう
にしたことを特徴とするフォト・レジスト光硬化用紫外
線硬化装置。(1) In an ultraviolet curing device for photoresist photocuring, which cures a photoresist pattern on a semiconductor substrate by irradiating the semiconductor substrate held on the holding plate with ultraviolet rays, the holding plate can be rotated horizontally. An ultraviolet curing device for photo-resist light curing, characterized in that the angle of the holding plate can be changed.
請求の範囲第１項記載のフォト・レジスト光硬化用紫外
線硬化装置。(2) The ultraviolet curing device for photoresist photocuring according to claim 1, wherein the angle of the holding plate is ±45° from the horizontal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20451386A JPS6358931A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Ultroviolet curing apparatus for optically curing photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20451386A JPS6358931A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Ultroviolet curing apparatus for optically curing photoresist |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358931A true JPS6358931A (en) | 1988-03-14 |
Family
ID=16491772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20451386A Pending JPS6358931A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Ultroviolet curing apparatus for optically curing photoresist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358931A (en) |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20451386A patent/JPS6358931A/en active Pending
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