JPH0530348Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は、感光性レジストを塗布した半導体
ウエハ等の電子材料における不要レジストを除去
するための不要レジスト除去装置に関するもので
ある。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to an unnecessary resist removal device for removing unnecessary resist from an electronic material such as a semiconductor wafer coated with a photosensitive resist.

［従来の技術］ 従来この種の技術、例えば半導体ウエハの回路
パターンの形成技術にあつては、ウエハ上に感光
性レジスト膜を形成する場合、一般にスピンコー
ト法と言われる回転塗布法が用いられる。[Prior Art] Conventionally, in this type of technology, for example, technology for forming circuit patterns on semiconductor wafers, when forming a photosensitive resist film on a wafer, a spin coating method, generally referred to as a spin coating method, is used. .

第３図は半導体ウエハに塗布されたレジストの
不要部分であるウエハ周辺部１ｂにUV（紫外線）
光を導光フアイバで導光して照射する場合の斜視
図であり、第４図ａ，ｂは第３図の方法で露光す
るための光照射を行う状態を示す図で、同図ａは
平面図、同図ｂはその側断面図である。 Figure 3 shows UV (ultraviolet rays) applied to the wafer periphery 1b, which is an unnecessary part of the resist applied to the semiconductor wafer.
4 is a perspective view of the case where light is guided and irradiated by a light guide fiber; FIGS. 4a and 4b are views showing a state in which light is irradiated for exposure using the method of FIG. A plan view, and FIG. 1B is a side sectional view thereof.

第３図、第４図において、１はウエハ、１ａは
パターン形成部で、不図示の所望パターンを用い
て、これをレンズ（不図示）により数分の１に縮
小してウエハ１に露光し、この露光を次々と繰返
す縮小露光方式（STEP AND REPEAT方式）
によつてパターンを形成する。また、１ｂはウエ
ハ周辺部、１ｃはレジストはみ出し部、３０はウ
エハ１のオリエンテーシヨン・フラツト（以下オ
リフラという）、８′は不図示のUV照射光源から
UV光を導く石英からなる導光フアイバ、４ａは
この導光フアイバ８′からUV光が照射される照
射部分であり、ウエハ１が回転して、ウエハ周辺
部１ｂを光照射する。 In FIGS. 3 and 4, 1 is a wafer, and 1a is a pattern forming unit, which uses a desired pattern (not shown), reduces it to a fraction of the size with a lens (not shown), and exposes it to the wafer 1. , a reduction exposure method that repeats this exposure one after another (STEP AND REPEAT method)
A pattern is formed by In addition, 1b is the periphery of the wafer, 1c is the resist protrusion, 30 is the orientation flat of wafer 1 (hereinafter referred to as orientation flat), and 8' is from the UV irradiation light source (not shown).
A light guide fiber 4a made of quartz that guides the UV light is an irradiation part to which UV light is irradiated from the light guide fiber 8', and as the wafer 1 rotates, the wafer peripheral part 1b is irradiated with light.

ウエハ１にレジストを塗布するスピンコート法
は、第４図ａに示すウエハ１を回転台上に載置
し、このウエハ１上の中心付近にレジストを注い
で回転させ、遠心力をもつてウエハ１上の表面全
体にレジストを塗布するものである。しかしこの
スピンコート法によると、第４図ｂに示すように
レジストがウエハ１のウエハ周辺部１ｂをはみ出
し、裏側にも回りこんでしまうことがある。ウエ
ハ１のウエハ周辺部１ｂは、一般に第４図ｂの如
く断面が丸みを帯びていることが多く、よつて裏
側への回りこみの可能性が大きい。かつ、回路パ
ターンはウエハ１の表面のウエハ周辺部１ｂには
形成せず、それ以外の部分（パターン形成部）１
ａに形成する（第４図ａ参照）ので、ウエハ周辺
部１ｂにはパターン形成用レジストは特に塗布す
る必要がない。しかしスピンコート法では、この
部分にもどうしてもレジストが塗布される。従
来、ウエハ周囲のレジストのバリをなくすように
したスピンコート法の提案はあるが、その場合で
もウエハ周辺部１ｂへのレジストの塗布は残る。
このような不要なレジスト、即ち第４図ｂに示す
裏側にも回りこんだレジストはみ出し部１ｃや、
ウエハ１のウエハ週辺部１ｂに塗布された周辺レ
ジスト部分は、これが残つたままだと問題を起こ
すことがある。レジストは、一般に樹脂そのもの
が固くてもろいという特徴があるため、工程中に
ウエハを搬送のために掴んだり、こすつたりする
ような機械的シヨツクが加わると欠落し、ダスト
となつて悪影響を及ぼすことがあるからである。
特に、ウエハ１の搬送中にウエハ１のレジストは
み出し部１ｃ（第４図ｂ参照）からレジスト片が
欠落して、これがウエハ１上に付着し、エツチン
グされないなどのことによりパターン欠陥をもた
らしたり、イオン注入時のマスクとして働いて必
要なイオン打込みが阻害されたりして、歩留りを
低下させることがある。また、高エネルギー高濃
度のイオン注入を行う場合、イオン注入時のウエ
ハ周辺から発生する熱ストレスにより、レジスト
クラツク（割れ）が発生することがある。このレ
ジストクラツクはウエハ周辺部のレジストが不規
則な部分や、きずがついてる部分から発生し、中
央に向つて走るものであることが確認されてい
る。 In the spin coating method of applying resist to the wafer 1, the wafer 1 shown in FIG. 1. A resist is applied to the entire surface of 1. However, according to this spin coating method, as shown in FIG. 4b, the resist sometimes protrudes from the wafer peripheral portion 1b of the wafer 1 and wraps around to the back side. Generally, the wafer peripheral portion 1b of the wafer 1 often has a rounded cross section as shown in FIG. In addition, the circuit pattern is not formed on the wafer peripheral area 1b on the surface of the wafer 1, but on the other area (pattern forming area) 1.
4a (see FIG. 4a), there is no need to particularly apply a pattern-forming resist to the wafer peripheral portion 1b. However, in the spin coating method, resist is inevitably applied to this portion as well. Conventionally, a spin coating method has been proposed to eliminate burrs on the resist around the wafer, but even in that case, the resist still remains to be applied to the wafer peripheral area 1b.
Such unnecessary resist, that is, the resist protruding portion 1c that extends to the back side as shown in FIG. 4b,
If the peripheral resist portion applied to the wafer edge portion 1b of the wafer 1 remains, a problem may occur. Resist is generally characterized by the fact that the resin itself is hard and brittle, so if the wafer is grabbed during the process or subjected to mechanical shock such as being rubbed, it may break off and turn into dust, which can have negative effects. This is because there are things.
In particular, resist pieces may fall off from the resist protruding portion 1c (see FIG. 4b) of the wafer 1 during transportation of the wafer 1, adhere to the wafer 1, and not be etched, resulting in pattern defects. It may act as a mask during ion implantation, inhibiting necessary ion implantation, and lowering the yield. Further, when performing high-energy, high-concentration ion implantation, resist cracks may occur due to thermal stress generated around the wafer during ion implantation. It has been confirmed that these resist cracks occur from irregular or flawed areas of the resist at the periphery of the wafer and run toward the center.

この問題は、半導体素子について高密度高集積
化が進み、歩留り維持のため、従来のコンタクト
方式または１：１プロジエクシヨン方式のアライ
ナを用いる露光方法から、前述のステツプと呼ば
れる縮小投影方式に露光方法が変わつてきたこと
及びそれに伴い、従来のパターン形成用フオトプ
ロセスでの主力であつたネガ型レジストに代り、
ポジ型レジストを使わざるを得なくなつてきたと
いう背景下で、極めて重要である。 This problem has been solved as semiconductor devices have become more densely integrated, and in order to maintain yields, exposure methods have changed from the conventional contact method or 1:1 projection method using aligners to the previously mentioned reduction projection method called step. As methods have changed, and as a result, negative resists, which were the mainstay of conventional pattern-forming photo processes, have been replaced by
This is extremely important given that we have no choice but to use positive resists.

このような不要部分のレジストを除去する方法
として、溶剤噴射法が用いられている。これは、
レジストが付着されたウエハ１の裏面から溶剤を
噴射して、不要なレジストを溶かし去るものであ
る。しかしこの方法では、第４図のレジストはみ
出し部１ｃのレジストは除去できるが、ウエハ周
辺部１ｂのレジストは除去されない。このウエハ
周辺部１ｂのレジストも除去すべく表面から溶剤
を噴射することは、パターン形成をしているレジ
スト部分１ａに悪影響を及ぼすことがある。 A solvent injection method is used as a method for removing such unnecessary portions of the resist. this is,
A solvent is sprayed from the back side of the wafer 1 to which resist is attached to dissolve unnecessary resist. However, with this method, although the resist in the resist protruding portion 1c in FIG. 4 can be removed, the resist in the wafer peripheral area 1b is not removed. Spraying a solvent from the surface to remove the resist on the wafer peripheral portion 1b may have an adverse effect on the resist portion 1a where a pattern is being formed.

前述したレジスト片遊離による不都合は、レジ
ストはみ出し部１ｃのレジストを除去するという
ことにより改善されるが、未だ充分でなく、ウエ
ハ周辺部１ｂのレジストも除去する必要がある。
従つて、この部分の不要レジストをも、容易に、
しかも確実に除去する方法として、従来は第３図
に示すようなUV光照射を行つていた。しかしこ
のUV光照射も、ウエハ１上でのUV光の照射部
分の形状は円形であつた。 Although the above-mentioned problem caused by the detachment of resist pieces can be improved by removing the resist in the resist protruding portion 1c, this is still not sufficient and it is necessary to also remove the resist in the wafer peripheral portion 1b.
Therefore, unnecessary resist in this area can be easily removed.
Moreover, the conventional method for reliably removing the particles was to irradiate them with UV light as shown in Figure 3. However, even in this UV light irradiation, the shape of the UV light irradiated portion on the wafer 1 was circular.

また、第５図ａ，ｂはウエハ周辺部１ｂに対す
るUV光照射の露光形状を説明するための図で、
同図ａは従来の光照射により露光される形状を示
している。第５図ａから明らかなように、ウエハ
週辺部１ｂの外周部１ｂ−１と内周部１ｂ−３
と、周辺中心部１ｂ−２では積算露光量が相違す
る。その結果、ウエハ１の周辺部では不均一な露
光となり、現像後、均一なレジスト除去ができな
い。 Further, FIGS. 5a and 5b are diagrams for explaining the exposure shape of UV light irradiation on the wafer peripheral area 1b,
Figure a shows a shape exposed by conventional light irradiation. As is clear from FIG.
The cumulative exposure amount is different in the peripheral center portion 1b-2. As a result, the periphery of the wafer 1 is exposed non-uniformly, making it impossible to uniformly remove the resist after development.

従来より、半導体ウエハにパターンを形状する
ためには、まずレジストを塗布し、乾燥して前述
のステツプ露光をし、現像し、エツチングしてパ
ターンが形成されるのが一般の工程である。しか
るに、最近、高密度の半導体素子には、処理工程
中にレジストの耐熱性、耐プラズマ性を高めるた
めにUV光照射によるハードニングという工程が
行われている。ところが、このハードニング処理
を行うと、不均一なレジスト膜がある場合、この
不均一な膜によつて周辺部等に残つたレジストの
破片が一層散乱しやすくなり、パターン形成に悪
影響をもたらす。 Conventionally, in order to form a pattern on a semiconductor wafer, the general process is to first apply a resist, dry it, perform the step exposure described above, develop it, and then etch it to form a pattern. However, recently, high-density semiconductor devices are subjected to a hardening process using UV light irradiation to improve the heat resistance and plasma resistance of the resist during processing steps. However, when this hardening process is performed, if there is a non-uniform resist film, the resist fragments remaining in the peripheral areas are more likely to be scattered due to the non-uniform film, which has an adverse effect on pattern formation.

以上述べたように、半導体ウエハにおけるパタ
ーン形成の処理工程において、ウエハの周辺部に
塗布された不要なレジストを除去することが行わ
れている。 As described above, in the process of forming a pattern on a semiconductor wafer, unnecessary resist coated on the periphery of the wafer is removed.

［考案が解決しようとする課題］ 上記のような従来の不要レジスト除去のための
装置は、導光フアイバの出射口が円形であり、従
つて照射部分が円形となるためにウエハの周辺部
の外周部及び内周部と周辺中心部においては、そ
の積算露光量が相違し、不均一な露光量により現
像を行つた後に、部分的に残留レジストが存在す
る。この残留レジストはゴミ、カケラ、ダストに
なつてパターン形成部分に付着して、正常なパタ
ーン形成を阻害して、不良品発生の原因になると
いう問題があつた。[Problem to be solved by the invention] In the conventional apparatus for removing unnecessary resist as described above, the exit of the light guiding fiber is circular, and therefore the irradiated area is circular, so that the periphery of the wafer is The cumulative exposure amount is different between the outer circumferential portion, the inner circumferential portion, and the peripheral center portion, and residual resist partially exists after development is performed with a non-uniform exposure amount. This residual resist turns into dust, debris, and dust that adheres to the pattern forming area, hindering normal pattern formation, and causing defective products.

この考案はかかる問題点を解決するためになさ
れたもので、ウエハ周辺部に対するUV露光量の
均一な照射手段を設けて不要レジストを除去する
ことのできる不要レジスト除去装置を提供するこ
とを目的とする。 This idea was made in order to solve this problem, and the purpose is to provide an unnecessary resist removal device that can remove unnecessary resist by providing means for irradiating the wafer peripheral area with a uniform amount of UV exposure. do.

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するためにこの考案の不要レ
ジスト除去装置は、レジストが塗布された半導体
のウエハを所定位置に搬送する搬送機構と、この
所定位置に搬送し、位置決めされたウエハの周辺
部のレジストにほぼ矩形状の光を照射するための
複数の光フアイバを矩形状に束ねた光学繊維束を
含む光照射機構と、前記所定位置上のウエハと光
照射機構との組を相対的に回動する回動機構とを
有するものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the unnecessary resist removal apparatus of this invention includes a transport mechanism that transports a semiconductor wafer coated with resist to a predetermined position, and a transport mechanism that transports a semiconductor wafer coated with resist to a predetermined position. , a light irradiation mechanism including an optical fiber bundle in which a plurality of optical fibers are bundled into a rectangular shape for irradiating substantially rectangular light onto the resist at the peripheral portion of the positioned wafer; It has a rotation mechanism that rotates the set relatively to the mechanism.

［作用］ 上記の構成を有することにより、照射部分の形
状は矩形状になり、ウエハ周辺部の外周部及び内
周部と周辺中心部とで、ほぼ均一な照射ができ、
ウエハ周辺部の露光量は均一になる。[Function] With the above configuration, the shape of the irradiated area becomes rectangular, and almost uniform irradiation can be performed at the outer and inner periphery of the wafer and the center of the wafer.
The exposure amount around the wafer becomes uniform.

［実施例］ 第１図はこの考案における不要レジスト除去装
置の一実施例の主要部の概略構成を示す斜視図
で、２及び２′はカセツト、１０及び１０′はそれ
ぞれローダ、アンローダ、１０ａ及び１０′ａは
それぞれローダ１０、アンローダ１０′順次下方
に駆動するローダ駆動機構、アンローダ駆動機構
である。５はそれぞれ一体に駆動される搬送ベル
トであり、６は不図示の真空吸着孔を有する昇降
及び回転可能な処理ステージ、３は回動によりウ
エハ搬送ライン上の所定位置に配置及び退避する
ウエハ中心出しアーム、７は同じく回動によりウ
エハ搬送ライン上に配置及び退避されるオリフラ
部検出搬送アーム、１１はこれら処理ステージ
６、ウエハ中心出しアーム３及びオリフラ部検出
搬送アーム７の駆動部、Ｈはスポツト光照射装
置、８はスポツト光照射装置Ｈに取付けられる導
光フアイバ、８ａは該導光フアイバ８の出射部で
あり、９は装架台である。[Embodiment] Fig. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the main parts of an embodiment of the unnecessary resist removing apparatus of this invention, in which 2 and 2' are cassettes, 10 and 10' are a loader, an unloader, 10a and 10a, respectively. 10'a is a loader drive mechanism and an unloader drive mechanism that sequentially drive the loader 10 and unloader 10' downward, respectively. 5 are conveyor belts that are driven together, 6 is a processing stage that can be raised and lowered and rotated and has a vacuum suction hole (not shown), and 3 is a wafer center that is rotated to be placed and retracted to a predetermined position on the wafer conveyance line. Reference numeral 7 indicates an orientation flat detection transfer arm which is also rotated to be placed and retracted on the wafer transfer line; 11 is a drive unit for the processing stage 6, the wafer centering arm 3 and the orientation flat detection transfer arm 7; In the spot light irradiation device, 8 is a light guide fiber attached to the spot light irradiation device H, 8a is an output portion of the light guide fiber 8, and 9 is a mounting stand.

第１図の装置において、ウエハ１を多数収納し
たカセツト２をローダ１０に載置し固定する。次
に、ローダ駆動機構１０ａが働いてローダ１０が
所定距離だけ下降し、処理すべきウエハ１が搬送
ベルト５上に載置される。そして、搬送バルト５
が駆動し、ウエハ１を処理ステージ６の上方に搬
送する。その間に、ウエハ中心出しアーム３が退
避位置から回動して、中心出し側壁３ａがウエハ
搬送ライン上の所定位置に配置される。そして、
ウエハ１が搬送ベルト５により搬送されてきて中
心出し側壁３ａにあたり、自動的にウエハ１の中
心と処理ステージ６の中心が一致するようになつ
ている。この状態で処理ステージ６が上昇し、ウ
エハ１を真空吸着した後、ウエハ搬送ラインより
も若干上方に持ち上げる。その後、オリフラ部検
出搬送アーム７が回動して、搬送ベルト５の間を
通り抜けた後、その検出部７ａ，７ｂがウエハ１
を挟む状態に配置される。検出部７ａ，７ｂに
は、それぞれ対応する位置に複数個の発光素子と
受光素子の組が配置され、オリフラ部に位置する
受光素子が光を検知することにより、オリフラ部
の位置を検出する。その後、ウエハ中心出しアー
ム３及びオリフラ部検出搬送アーム７は、ウエハ
搬送ラインより下方の退避位置に退避する。 In the apparatus shown in FIG. 1, a cassette 2 containing a large number of wafers 1 is placed on a loader 10 and fixed therein. Next, the loader drive mechanism 10a operates to lower the loader 10 by a predetermined distance, and the wafer 1 to be processed is placed on the conveyor belt 5. And the conveyor belt 5
is driven to transport the wafer 1 above the processing stage 6. During this time, the wafer centering arm 3 rotates from the retracted position, and the centering side wall 3a is placed at a predetermined position on the wafer transfer line. and,
The wafer 1 is conveyed by the conveyor belt 5 and hits the centering side wall 3a, so that the center of the wafer 1 and the center of the processing stage 6 are automatically aligned. In this state, the processing stage 6 rises, vacuum-chucks the wafer 1, and then lifts it slightly above the wafer transfer line. Thereafter, after the orientation flat portion detection transfer arm 7 rotates and passes between the transfer belts 5, the detection portions 7a and 7b detect the wafer 1.
placed between the two. In the detection units 7a and 7b, a plurality of pairs of light emitting elements and light receiving elements are arranged at corresponding positions, and the position of the orientation flat part is detected by the light receiving element located at the orientation flat part detecting light. Thereafter, the wafer centering arm 3 and the orientation flat portion detection transfer arm 7 are retracted to a retracted position below the wafer transfer line.

オリフラ部を検出して、該オリフラ部を処理ス
テージ６の回転により所定位置に配置した後、ス
ポツト光照射装置Ｈ内のシヤツタが開くと共に処
理ステージ６が回転して、所定の露光が行われ
る。 After the orientation flat portion is detected and the orientation flat portion is placed at a predetermined position by rotation of the processing stage 6, the shutter in the spot light irradiation device H is opened and the processing stage 6 is rotated to perform a predetermined exposure.

露光が終了し、処理ステージ６の回転が止まる
と、処理ステージ６が下降し、ウエハ１が再び搬
送ベルト５上に載置され、処理ステージ６の真空
吸着が解除される。その後、搬送ベルト５がウエ
ハ１を搬送し、アンローダ１０′上に載置、固定
されたカセツト２′内に搬入すると、本実施例の
不要レジスト除去のための露光工程が終了する。 When the exposure is completed and the rotation of the processing stage 6 stops, the processing stage 6 is lowered, the wafer 1 is placed on the conveyor belt 5 again, and the vacuum suction of the processing stage 6 is released. Thereafter, the conveyor belt 5 conveys the wafer 1, and when it is placed on the unloader 10' and carried into the fixed cassette 2', the exposure process for removing unnecessary resist of this embodiment is completed.

ここで、オリフラ部は処理ステージ６の回転の
みではうまく露光できないので、導光フアイバ８
の出射部８ａを直線的に動かすなどして、露光す
ると良い。 Here, since the orientation flat part cannot be properly exposed only by rotating the processing stage 6, the light guide fiber 8
It is preferable to expose by moving the light emitting part 8a linearly.

さらに、処理ステージ６の回転の代わりに、導
光フアイバ８の出射部８ａを円周状に動かしても
良い。 Furthermore, instead of rotating the processing stage 6, the output portion 8a of the light guide fiber 8 may be moved circumferentially.

第２図は第１図における導光フアイバ８の詳細
を示した図で、第２図ａは主として導光フアイバ
８の出射部８ａの側断面図、同図ｂは同図ａのＸ
−Ｘにおける断面図である。 FIG. 2 is a diagram showing details of the light guide fiber 8 in FIG. 1. FIG.
It is a sectional view at -X.

第２図ａ，ｂにおいて、２１は光フアイバの素
線を数千本束ねて接着剤で固めた光学繊維束で矩
形状に形成されており、２３はこの光学繊維束２
１を含む可撓管、２４は可撓管２３と鏡筒２５を
ネジ２６で接続すコネクタ、２２はコネクタ２４
の端部に設けられる黒アルマイト処理を施したア
ルミウム板、２７は鏡筒２５中に収納される投影
レンズ、２８はスペーサである。 In FIGS. 2a and 2b, 21 is a rectangular optical fiber bundle made by bundling several thousand optical fiber strands and hardening them with adhesive, and 23 is the optical fiber bundle 2.
1 is a flexible tube, 24 is a connector that connects the flexible tube 23 and the lens barrel 25 with a screw 26, and 22 is a connector 24.
27 is a projection lens housed in the lens barrel 25, and 28 is a spacer.

第２図に示す導光フアイバ８は光学繊維束２１
の先端からの光が±15°の拡がりを有する角度で
放射されているので、投影レンズ２７を設けて被
照射物であるウエハ１上に均一な光が結像するよ
うにする。そして、この光学繊維束２１は矩形状
に形成されていることにより、その露光量は第５
図ｂに示されるように矩形状の露光部分が得られ
るので、ウエハ周辺部１ｂにおける、その周辺中
心部１ｂ−２と外周部１ｂ−１、内周部１ｂ−３
に対して、ほぼ均一な露光がなされる。尤も、こ
の場合の形状は扇形状であれば理想的な均一形状
の露光が行われるが、必ずしも扇形状にする必要
はなく、それに類似した形状、即ちほぼ矩形状の
ものであればかまわない。 The light guide fiber 8 shown in FIG.
Since the light from the tip is emitted at an angle having a spread of ±15°, a projection lens 27 is provided so that a uniform light image is formed on the wafer 1, which is the object to be irradiated. Since this optical fiber bundle 21 is formed into a rectangular shape, its exposure amount is the fifth
Since a rectangular exposed area is obtained as shown in FIG.
On the other hand, almost uniform exposure is achieved. Of course, if the shape in this case is fan-shaped, ideally uniform exposure will be performed, but it does not necessarily have to be fan-shaped, and any shape similar to that, ie, approximately rectangular, may be used.

また、光照射されるウエハ１はその表面が鏡面
に近いので、ウエハ１からの反射光が導光フアイ
バ８の出射部に反射されて戻つてくるが、その反
射光がコネクタ２４に再反射するとウエハ１のパ
ターン形成領域を乱反射しながら照射してしまう
ので、反射防止用のアルミニウム板２２が設けら
れている。 Further, since the surface of the wafer 1 to be irradiated with light is close to a mirror surface, the reflected light from the wafer 1 is reflected back to the output part of the light guiding fiber 8, but when the reflected light is re-reflected to the connector 24, Since the pattern forming area of the wafer 1 is irradiated with diffused reflection, an aluminum plate 22 for preventing reflection is provided.

さらに、投影レンズ２７を設けることによつ
て、ウエハ１に対して導光フアイバ８が一定間隔
の照射距離をとることができ、かつ高い放射照度
で均一に露光を行うことができる。 Furthermore, by providing the projection lens 27, the light guide fiber 8 can be irradiated with a constant distance to the wafer 1, and exposure can be performed uniformly with high irradiance.

上記の実施例で露光されたウエハ周辺部１ｂ及
びオリフラ３０の周辺部のポジ型の不要レジスト
は公知のスプレイ現像、もしくはその他の現像工
程によつて現像されて除去される。また、このウ
エハ周辺部１ｂ等の不要レジストの現像工程は、
パターン形成領域の現像の際に同時に行つてもよ
い。 The unnecessary positive resist on the wafer periphery 1b and the periphery of the orientation flat 30 exposed in the above embodiment is developed and removed by a known spray development or other development process. In addition, the process of developing unnecessary resist such as this wafer peripheral area 1b is as follows:
It may be performed simultaneously with the development of the pattern forming area.

尚、処理ステージ６の回動機構については、図
示して説明するのを省略したが、装架台９の内部
に格納されたモータ等による公知の回動機構によ
つて行えばよい。 Although the rotation mechanism of the processing stage 6 has been omitted from illustration and explanation, a known rotation mechanism using a motor or the like housed inside the mounting table 9 may be used.

［考案の効果］ 以上説明したとおり、この考案の不要レジスト
除去装置は矩形状の照射形状をしていることによ
り、露光量が照射区域の中心部と周辺部で均一に
露光させるのでレジスト除去が均一に行われ、レ
ジストの残留がなくゴミやダストの発生がないの
で、ウエハのパターン形成に悪影響を及ぼすこと
なく不要レジスト残留に基づく不良品の発生は防
止することができる。[Effects of the invention] As explained above, the unnecessary resist removal device of this invention has a rectangular irradiation shape, so that the exposure amount is uniform in the center and periphery of the irradiation area, so that resist removal is possible. Since the process is performed uniformly, there is no residual resist, and no dirt or dust is generated, it is possible to prevent the generation of defective products due to residual unnecessary resist without adversely affecting pattern formation on the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図はこの考案における不要レジスト除去装
置の一実施例の主要部の概略構成を示す斜視図、
第２図ａは第１図における導光フアイバの出射部
の側断面図、同図ｂは同図ａのＸ−Ｘにおける断
面図、第３図は半導体ウエハに塗布されたレジス
トにUV光を照射する場合の斜視図、第４図ａ，
ｂは第３図の方法で露光するための光照射を示す
図、第５図ａ，ｂはウエハ周辺部に対するUV光
照射の露光形状を説明するための図である。 図中、１……ウエハ、５……搬送ベルト、６…
…処理ステージ、７……オリフラ部検出搬送アー
ム、８……導光フアイバ、８ａ……出射部、１０
……ローダ、１０′……アンローダ、Ｈ……スポ
ツト光照射装置。 FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the main parts of an embodiment of the unnecessary resist removing device in this invention;
Figure 2a is a side sectional view of the output part of the light guide fiber in Figure 1, Figure b is a sectional view taken along line X-X in Figure 1, and Figure 3 is a sectional view of UV light applied to a resist coated on a semiconductor wafer. Perspective view when irradiating, Fig. 4a,
5b is a diagram showing light irradiation for exposure using the method of FIG. 3, and FIGS. 5a and 5b are diagrams for explaining the exposure shape of UV light irradiation on the wafer peripheral area. In the figure, 1...wafer, 5...conveyor belt, 6...
...Processing stage, 7...Orientation flat portion detection transfer arm, 8...Light guide fiber, 8a...Emission section, 10
...Loader, 10'...Unloader, H...Spot light irradiation device.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] レジストが塗布されたウエハを所定位置に搬送
する搬送機構と、この所定位置に搬送し、位置決
めされたウエハの周辺部のレジストにほぼ矩形状
の光を照射するための複数の光フアイバを矩形状
に束ねた光学繊維束を含む光照射機構と、前記所
定位置上のウエハと光照射機構との組を相対的に
回動する回動機構とを有することを特徴とする不
要レジスト除去装置。 A transport mechanism that transports a resist-coated wafer to a predetermined position, and a plurality of rectangular optical fibers that transport the resist-coated wafer to a predetermined position and irradiate the resist around the periphery of the positioned wafer with approximately rectangular light. 1. An unnecessary resist removing apparatus comprising: a light irradiation mechanism including a bundle of optical fibers tied together; and a rotation mechanism that relatively rotates a set of the wafer and the light irradiation mechanism at the predetermined position.