JPS6358927A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6358927A JPS6358927A JP20426486A JP20426486A JPS6358927A JP S6358927 A JPS6358927 A JP S6358927A JP 20426486 A JP20426486 A JP 20426486A JP 20426486 A JP20426486 A JP 20426486A JP S6358927 A JPS6358927 A JP S6358927A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に電極配
線の形成方法に関するものである。
線の形成方法に関するものである。
第２図は従来の半導体装置の主要製造工程を示し、以下
第２図を用いて従来の製造方法を説明する。
第２図を用いて従来の製造方法を説明する。
まず、第２図（ａ）に示すようにシリコン基板１上に選
択酸化法で素子分離領域２を形成し、この素子分離領域
２で囲まれたシリコン基板１上にイオン注入法により拡
散層３を形成した後、シリコン基板１表面を絶縁膜４で
覆う。
択酸化法で素子分離領域２を形成し、この素子分離領域
２で囲まれたシリコン基板１上にイオン注入法により拡
散層３を形成した後、シリコン基板１表面を絶縁膜４で
覆う。
次に、第２回申）、に示すように絶縁膜４上にフォトレ
ジスト５を塗布し、写真製版を行うことによってフォト
レジスト５をパターニングした後、異方性ドライエツチ
ングで絶縁膜４をエツチングしてコンタクト孔を形成す
る。
ジスト５を塗布し、写真製版を行うことによってフォト
レジスト５をパターニングした後、異方性ドライエツチ
ングで絶縁膜４をエツチングしてコンタクト孔を形成す
る。
そして、第２図（Ｃ）に示すようにスパッタ法でアルミ
ニウム合金膜６を堆積させ、最後に、写真製版と化学処
理を行うことによって第２図（ｄ）に示すようなアルミ
ニウム合金膜６からなる電極配線を形成する。
ニウム合金膜６を堆積させ、最後に、写真製版と化学処
理を行うことによって第２図（ｄ）に示すようなアルミ
ニウム合金膜６からなる電極配線を形成する。
従来の半導体装置の製造方法は以上のように構成されて
いるので、微細で浅い拡散層をもつ半導体デバイスでは
、熱処理時のシリコン基板へのアルミニウムの拡散によ
ってＰＮ接合の接合特性が劣化するという問題点があっ
た。
いるので、微細で浅い拡散層をもつ半導体デバイスでは
、熱処理時のシリコン基板へのアルミニウムの拡散によ
ってＰＮ接合の接合特性が劣化するという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シリコン基板へのアルミニウムの拡散による
ＰＮ接合特性の劣化を防止でき、信頼性の高い半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、シリコン基板へのアルミニウムの拡散による
ＰＮ接合特性の劣化を防止でき、信頼性の高い半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上にバリ
アメタル層として窒化チタン膜を５００Å以上堆積し、
その後電極配線用アルミニウム合金膜を形成するように
したものである。
アメタル層として窒化チタン膜を５００Å以上堆積し、
その後電極配線用アルミニウム合金膜を形成するように
したものである。
この発明においては、電極配線用のアルミニウム合金膜
を堆積する前に、バリアメタル層として耐熱性及び耐蝕
性に優れた窒化チタン膜を基板上に５００Å以上堆積す
るようにしたから、アルミニウム合金膜とシリコン基板
間の相互拡散を防止できる。
を堆積する前に、バリアメタル層として耐熱性及び耐蝕
性に優れた窒化チタン膜を基板上に５００Å以上堆積す
るようにしたから、アルミニウム合金膜とシリコン基板
間の相互拡散を防止できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を工
程順に示したものである。図において、１〜６は第２図
と同一のものであり、７は電極配線用アルミニウム合金
膜６を堆積する前に基板１上に形成された膜圧５００Å
以上の窒化チタン膜であり、アルミニウム合金膜６のバ
リアメタル層として耐熱性及び耐蝕性に優れたものであ
る。
図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を工
程順に示したものである。図において、１〜６は第２図
と同一のものであり、７は電極配線用アルミニウム合金
膜６を堆積する前に基板１上に形成された膜圧５００Å
以上の窒化チタン膜であり、アルミニウム合金膜６のバ
リアメタル層として耐熱性及び耐蝕性に優れたものであ
る。
次に製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように従来方法と同じ方法で
シリコン基板１上に素子分離領域２．拡散層３、絶縁膜
４を順次形成し、該絶縁膜４にコンタクト孔を形成した
後、バリアメタル層として窒化チタン膜７をリアクティ
ブスパッタリング法で膜厚５００Å以上堆積する。
シリコン基板１上に素子分離領域２．拡散層３、絶縁膜
４を順次形成し、該絶縁膜４にコンタクト孔を形成した
後、バリアメタル層として窒化チタン膜７をリアクティ
ブスパッタリング法で膜厚５００Å以上堆積する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、上記窒化チタン膜７
上に電極配線材料としてアルミニウム合金膜６をスパッ
タ法等で堆積する。
上に電極配線材料としてアルミニウム合金膜６をスパッ
タ法等で堆積する。
そして、写真製版、化学処理を行うことにより選択的に
アルミニウム合金膜６及び窒化チタン膜７を残し、第１
図（Ｃ）に示すような電極配線を形成する。
アルミニウム合金膜６及び窒化チタン膜７を残し、第１
図（Ｃ）に示すような電極配線を形成する。
次に作用効果について説明する。
第３図のグラフはＡｊ！、ＴｉＮ、ＰｔＳｉ、ｎ−３ｉ
系電極におけるＰｔ５ｉ−ｎ−３ｉシヨツトキダイオー
ド特性に対する窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）膜の膜厚依存
性を示し、すなわち横軸に熱加速を行なう時間つまりＰ
−Ｎ接合の特性の劣化を早めるためダイオードに熱を加
える時間を取り、縦軸に逆方向電流値ＩＲを取り、窒化
チタン膜の膜厚をパラメータとして熱（４９０℃）によ
るＰ−Ｎ接合特性の劣化度を示している。ここでｒｉ−
２０ｎＡの破線はアルミニウム合金膜とシリコン基板間
に相互拡散が起こっているかどうかを判断する境界線で
ある。このグラフが示すように窒化チタンの膜厚が３０
０人、 ＳＯＯ人の場合は熱加速を１２０分行なうとす
でに相互拡散が起っているのに対し、窒化チタンの膜厚
が１０００人の場合は熱加速を３００分行なっても逆方
向電流は２０ｎＡ以下と少なく相互拡散は起っていない
。
系電極におけるＰｔ５ｉ−ｎ−３ｉシヨツトキダイオー
ド特性に対する窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）膜の膜厚依存
性を示し、すなわち横軸に熱加速を行なう時間つまりＰ
−Ｎ接合の特性の劣化を早めるためダイオードに熱を加
える時間を取り、縦軸に逆方向電流値ＩＲを取り、窒化
チタン膜の膜厚をパラメータとして熱（４９０℃）によ
るＰ−Ｎ接合特性の劣化度を示している。ここでｒｉ−
２０ｎＡの破線はアルミニウム合金膜とシリコン基板間
に相互拡散が起こっているかどうかを判断する境界線で
ある。このグラフが示すように窒化チタンの膜厚が３０
０人、 ＳＯＯ人の場合は熱加速を１２０分行なうとす
でに相互拡散が起っているのに対し、窒化チタンの膜厚
が１０００人の場合は熱加速を３００分行なっても逆方
向電流は２０ｎＡ以下と少なく相互拡散は起っていない
。
従って本実施例では基板とアルミニウム合金との間に膜
厚５００Å以上のＴｉＮ膜を形成するようにしたので、
信鯨性の高い電極を有する半導体装置が得られる。
厚５００Å以上のＴｉＮ膜を形成するようにしたので、
信鯨性の高い電極を有する半導体装置が得られる。
以上のように、この発明によれば、微細で浅いＰＮ接合
を有する半導体装置の製造方法において、基板上に障壁
金属層として反応性スパッタリング法により５００Å以
上の膜厚の窒化チタン膜を形成し、その後を極配線用の
アルミニウムを形成するようにしたので、接合特性の優
れた電極配線を有する半導体装置が得られる効果がある
。
を有する半導体装置の製造方法において、基板上に障壁
金属層として反応性スパッタリング法により５００Å以
上の膜厚の窒化チタン膜を形成し、その後を極配線用の
アルミニウムを形成するようにしたので、接合特性の優
れた電極配線を有する半導体装置が得られる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を工程順に示す断面図、第２図は従来の半導体装置の
製造方法を工程順に示す断面図、第３図は窒化チタンの
バリア効果がその膜厚に依存することを説明するための
データ図である。 図において、ＩＬよシリコン基板、２は素子分離領域、
３は拡散層、４は絶縁膜、５はフォトレジスト、６はア
ルミニウム合金膜、７は窒化チタン膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
法を工程順に示す断面図、第２図は従来の半導体装置の
製造方法を工程順に示す断面図、第３図は窒化チタンの
バリア効果がその膜厚に依存することを説明するための
データ図である。 図において、ＩＬよシリコン基板、２は素子分離領域、
３は拡散層、４は絶縁膜、５はフォトレジスト、６はア
ルミニウム合金膜、７は窒化チタン膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）電極配線を形成する半導体装置の製造方法におい
て、 拡散層を有する半導体基板の表面上に絶縁膜を形成する
第１の工程、 前記拡散層上の絶縁膜にコンタクト用の窓明けを行う第
２の工程、 全面にバリアメタル膜、電極配線材料を順次形成する第
３の工程、 その後前記バリアメタル膜及び電極配線材料を選択的に
除去してコンタクト孔に電極配線を形成する第４の工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）上記第３の工程はバリアメタル膜としてリアクテ
ィブスパッタリング法によって膜圧５００Å以上の窒化
チタン膜を形成し、その後電極配線材料としてアルミニ
ウム合金を全面に形成する工程であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20426486A JPS6358927A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
| DE19873714955 DE3714955A1 (de) | 1986-08-29 | 1987-05-06 | Verfahren zum herstellen einer halbleitereinrichtung und nach dem verfahren hergestellte halbleitereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20426486A JPS6358927A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358927A true JPS6358927A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16487584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20426486A Pending JPS6358927A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358927A (ja) |
| DE (1) | DE3714955A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174319A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493237A (ja) * | 1972-04-22 | 1974-01-12 | ||
| JPS605560A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS609159A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6010717A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Nec Corp | 半導体装置用コンタクトの形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2164491B (en) * | 1984-09-14 | 1988-04-07 | Stc Plc | Semiconductor devices |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20426486A patent/JPS6358927A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-06 DE DE19873714955 patent/DE3714955A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493237A (ja) * | 1972-04-22 | 1974-01-12 | ||
| JPS605560A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS609159A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6010717A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Nec Corp | 半導体装置用コンタクトの形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174319A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3714955A1 (de) | 1988-03-17 |
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