JPS6356827A - 情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法 - Google Patents
情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法Info
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- JPS6356827A JPS6356827A JP61201073A JP20107386A JPS6356827A JP S6356827 A JPS6356827 A JP S6356827A JP 61201073 A JP61201073 A JP 61201073A JP 20107386 A JP20107386 A JP 20107386A JP S6356827 A JPS6356827 A JP S6356827A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、情報記録媒体、特にヒートモートの情報記録
媒体と記録および消去方法に関する。
媒体と記録および消去方法に関する。
先行技術
ヒートモードの情報記録媒体は、媒体と古き込みないし
読み出しヘットか非接触であるので、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため、種々のヒートモ
ードの記録媒体の開発研究か行わわている。
読み出しヘットか非接触であるので、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため、種々のヒートモ
ードの記録媒体の開発研究か行わわている。
このヒー]・モードの情報記録媒体には大別して、ビッ
ト形成タイプと、いわゆる相転移タイプのものかある。
ト形成タイプと、いわゆる相転移タイプのものかある。
相移転タイプのものは、レーザー等の記録光により、照
射部の記録層に非晶質−結晶買の相転移等を生起させて
情報を記録し、読み出し光て反射率の変化等を検出して
読み出しを行うものである。 そして、ビット形成タイ
プのものに比へて、いわゆるエアーサンドインチ構造を
とらずに、記録層上に直接、保護層等を設けることがで
きるというメリットがある。
射部の記録層に非晶質−結晶買の相転移等を生起させて
情報を記録し、読み出し光て反射率の変化等を検出して
読み出しを行うものである。 そして、ビット形成タイ
プのものに比へて、いわゆるエアーサンドインチ構造を
とらずに、記録層上に直接、保護層等を設けることがで
きるというメリットがある。
このような相転移を利用する記録媒体としては、Teを
主体とする材料を記録層とするものが人゛hを占めてい
る。
主体とする材料を記録層とするものが人゛hを占めてい
る。
例えば、Te酸化物中にTeが分散さ才1ているTeO
xや、Te、Seなどを主体とするカルコゲン系等かあ
り、こわらは1■逆的に相転移を生起させることにより
、記録、消去可能な記録層材料である。
xや、Te、Seなどを主体とするカルコゲン系等かあ
り、こわらは1■逆的に相転移を生起させることにより
、記録、消去可能な記録層材料である。
しかしながら、TeOx系では、記録層を各種の真空成
膜法で設層する際、記録層中の組成、特に膜厚方向の組
成のバラツギが生し・る。
膜法で設層する際、記録層中の組成、特に膜厚方向の組
成のバラツギが生し・る。
従って、組成か均一な記録層をえるためにはTe0x−
Ge−3n系(特開昭59−185048号)、Te−
3e−Sn系(信字技報、CPM、84−11S P
、7〜12)等の5几蒸着をせざるをえなく、製造が煩
雑になるどいつ問題かある。
Ge−3n系(特開昭59−185048号)、Te−
3e−Sn系(信字技報、CPM、84−11S P
、7〜12)等の5几蒸着をせざるをえなく、製造が煩
雑になるどいつ問題かある。
さらに、このような多元蒸若は、元素数か多く、組成比
の調整が煩雑であり、それに伴って、結晶移転温度のA
整も困難なものとなっている。 このため、製品間で、
記録、消去特性にバラツキか生しやすい。
の調整が煩雑であり、それに伴って、結晶移転温度のA
整も困難なものとなっている。 このため、製品間で、
記録、消去特性にバラツキか生しやすい。
II 発明の目的
本発明の目的は、2元系で新規な記録層の構成で、記録
層に例えば記録光を照射して、非晶?1−結品質の相転
移を生起させて、情報の記録・消去を高感度でしかも安
定にくり返し行うことがでる情8記録媒体と、その記録
および消去方法を提供することにある。
層に例えば記録光を照射して、非晶?1−結品質の相転
移を生起させて、情報の記録・消去を高感度でしかも安
定にくり返し行うことがでる情8記録媒体と、その記録
および消去方法を提供することにある。
m 発明の開示
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち、第1の発明は、Teおよびrr+を含み、I
n/(Te+In)の原子比が0.004以上である記
録層を基体上に有することを特徴とする情報記録媒体で
ある。
n/(Te+In)の原子比が0.004以上である記
録層を基体上に有することを特徴とする情報記録媒体で
ある。
また、Trj2の発明は、TeおよびInを含み、In
/(Te+In)の原子比か 0.004以上である記録層を基体上に有し、基体と記
録層の間および/または記録層上にTaO2,V2O3
,TiO2、S iO,、S io、B2O3,5b2
03.B i、03、PbO5T a 20−、 、
S 13 N 4. T iN、BiF3 、LiF、
PbF2.MgF2およびZnSからなる群から選ば、
tまた薄膜を4Tづ−ることを特徴とする情報記録媒体
である。
/(Te+In)の原子比か 0.004以上である記録層を基体上に有し、基体と記
録層の間および/または記録層上にTaO2,V2O3
,TiO2、S iO,、S io、B2O3,5b2
03.B i、03、PbO5T a 20−、 、
S 13 N 4. T iN、BiF3 、LiF、
PbF2.MgF2およびZnSからなる群から選ば、
tまた薄膜を4Tづ−ることを特徴とする情報記録媒体
である。
また、第3の発明は、TeおよびInを含み、In/(
Te+In)の原子比が 0.004以トである記録層を基体上に存する++7報
記録媒体に非晶質−結晶′i1間の相転移を′(−起さ
せて記録および消去を行うことを特徴とする情報記録お
よび消去方法である。
Te+In)の原子比が 0.004以トである記録層を基体上に存する++7報
記録媒体に非晶質−結晶′i1間の相転移を′(−起さ
せて記録および消去を行うことを特徴とする情報記録お
よび消去方法である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。
本発明の情報記録媒体は、基体上に記録層を設層するこ
とによって形成される。
とによって形成される。
また、このようなものを2つ用い、互いの記録層を対向
させて一体化することによって構成してもよい。
させて一体化することによって構成してもよい。
ここで、基体としては、ガラス、樹脂等からなる平板状
のものである。 記録手段として光を用いる場合は、光
透過率の良いガラスまたは樹脂を用いるのが好ましい。
のものである。 記録手段として光を用いる場合は、光
透過率の良いガラスまたは樹脂を用いるのが好ましい。
これにより、基体裏面側からの書き込み、読み出しなど
が実現できる。
が実現できる。
なお、本発明では、光照射などによって記録層に熱を加
えたときの蓄熱効果が樹脂に比べて小さいガラスを基体
として用いても、良好な記録が行えるものである。
えたときの蓄熱効果が樹脂に比べて小さいガラスを基体
として用いても、良好な記録が行えるものである。
ガラスは種々のものであってよく、また樹脂としては、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリメチルペンテンなど、のオレフィン樹脂等が好適で
ある。
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリメチルペンテンなど、のオレフィン樹脂等が好適で
ある。
特に、ポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリカー
ボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香族ポ
リカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳香族
ポリカーボネート樹脂であることか好ましい。 これら
のうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェノ
ールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。 中でも
ビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
ボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香族ポ
リカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳香族
ポリカーボネート樹脂であることか好ましい。 これら
のうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェノ
ールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。 中でも
ビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、to、
ooo〜15,000程度であることが好ましい。
ooo〜15,000程度であることが好ましい。
また、基体の記録層の形成面には、トラッキング用の溝
か形成されていることが好ましい。
か形成されていることが好ましい。
溝は直接形成されていても、いわゆる2P法によって形
成されていてもよい。
成されていてもよい。
溝の深さは、λ/ 8 n程度、特にλ/ 7 n〜λ
/ 12 n (ここに、nは基板の屈折率である)と
される。 また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。
/ 12 n (ここに、nは基板の屈折率である)と
される。 また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。
そして、逆字、この溝の口部に位置する記録層を記録ト
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
基体上には記録層か設層される。
記録層は、TeおよびInを含み、In/(Te+In
)の原f比は、0.004以上である。
)の原f比は、0.004以上である。
In/(Te+In)の原子比が0.004未満である
と、結晶転移温度Txが室温以下となってしまい、非晶
質状態を得ることができず記録・消去を安定に行なうこ
とかできない。
と、結晶転移温度Txが室温以下となってしまい、非晶
質状態を得ることができず記録・消去を安定に行なうこ
とかできない。
なお、本発明の記録層は、TeおよびInから形成され
るか、この他、場合によっては、Sb、Bi、As、S
e、S、Ge、Ta。
るか、この他、場合によっては、Sb、Bi、As、S
e、S、Ge、Ta。
SiO等を2aL%以下含有してもよい。
このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のトライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。
ーティング法等のトライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。
記録層の厚さは0.005−〜1−程度である。
また、必要に応じて基体と記録層の間および/または記
録層上に、TeO2、v203、TiO3,5i02
、Sin、B203.5b203.B i203.Pb
O1 Ta20.、、Si、N4.TiN、BiF3、しi
F、P b F2 、 Mg F2およびZnSからな
る群から選ばれた薄膜を形成してもよい。
録層上に、TeO2、v203、TiO3,5i02
、Sin、B203.5b203.B i203.Pb
O1 Ta20.、、Si、N4.TiN、BiF3、しi
F、P b F2 、 Mg F2およびZnSからな
る群から選ばれた薄膜を形成してもよい。
これにより、記録層の劣化を防止でき、さらに記録のた
めの熱効率を向−卜させることができる。
めの熱効率を向−卜させることができる。
このような、記録層の基体側に形成される中間層の厚さ
は0.01〜1戸程度、また、記録層の基体反対側に形
成される保護層の厚さは0.01〜1−程度とし、設層
は前述のドライコーチインクによればよい。
は0.01〜1戸程度、また、記録層の基体反対側に形
成される保護層の厚さは0.01〜1−程度とし、設層
は前述のドライコーチインクによればよい。
また、基体の他面上など媒体の外面には、各柚保護コー
トを設けてもよい。
トを設けてもよい。
保護コートとしては、例えば、−酸化ケイ素、二酸化ケ
イ素、An、Ti等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を
設ける試み(特開昭57−55545号、同第56−1
30394号、同第56−156940号、同第56−
155940号公報等)がある。
イ素、An、Ti等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を
設ける試み(特開昭57−55545号、同第56−1
30394号、同第56−156940号、同第56−
155940号公報等)がある。
このような記録層を基体トにイ1゛する情報記録媒体に
記録を行うには、光ないし熱エネルギーを付与する。
記録を行うには、光ないし熱エネルギーを付与する。
一般的には、記録光としては、半導体レーサー等を用い
ねばよい。
ねばよい。
記録光の照射により1通常、照射部の記録層に非晶質−
結晶質の相転移を生起させ、記録が行ねねる。 すなわ
ち、通常は結晶質から非晶質への相転移を利用して記録
を行う。
結晶質の相転移を生起させ、記録が行ねねる。 すなわ
ち、通常は結晶質から非晶質への相転移を利用して記録
を行う。
消去を行う場合には、IF1゛記の消去光を用い、記録
の場合と逆過程の相転移を利用すわばよい。
の場合と逆過程の相転移を利用すわばよい。
本発明において、結晶質から非晶質への相転移を記録に
使用し、この逆過程を消去に使用した場合、記録パルス
は100〜1000nscc稈度(記録光出力3〜10
mw)、消去パルスは0.5〜100μsec程度(消
去光出力1〜4IIIw)とすると、高コントラストで
、きわめて安定に記録・消去のくり返しかり能である。
使用し、この逆過程を消去に使用した場合、記録パルス
は100〜1000nscc稈度(記録光出力3〜10
mw)、消去パルスは0.5〜100μsec程度(消
去光出力1〜4IIIw)とすると、高コントラストで
、きわめて安定に記録・消去のくり返しかり能である。
記録後の読みとりは、読みとり光を照q4するなとして
、記録層の反射率の変化等を利用して検出すればよい。
、記録層の反射率の変化等を利用して検出すればよい。
■ 発明の具体的作用効果
本発明の情報記録媒体の記録層は、InおよびTeを含
有し、In/(Te+In)の原子比が0.004以−
Lの範囲内で組成を変化させることにより、結晶転8温
度Txを容易に調整することができる。
有し、In/(Te+In)の原子比が0.004以−
Lの範囲内で組成を変化させることにより、結晶転8温
度Txを容易に調整することができる。
また、記録層がTeとInの2元素から構成されでいる
ため、l−記の組成の調整、したがって結晶転移温度T
xの調整が容易である・また記録層は、記録光や消去光
などを照射することによって非晶質−結晶質の可逆的相
転移か生起する。
ため、l−記の組成の調整、したがって結晶転移温度T
xの調整が容易である・また記録層は、記録光や消去光
などを照射することによって非晶質−結晶質の可逆的相
転移か生起する。
従って、この現象を利用することによって、情報をくり
返し記録・消去することができ、しかも本発明において
は、従来の媒体に比べて、高コントラストで、しかも、
記録・消去を安定にくり返し行うことができるというa
hだ特性を有する。
返し記録・消去することができ、しかも本発明において
は、従来の媒体に比べて、高コントラストで、しかも、
記録・消去を安定にくり返し行うことができるというa
hだ特性を有する。
■ 発明の具体的実施例
以■、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1
ガラス基体(コーニング社7740ガラス)上にスパッ
タリングによりTe−In層を設層した。 この・薄膜
層(記録層)の厚さは約1000人であった。
タリングによりTe−In層を設層した。 この・薄膜
層(記録層)の厚さは約1000人であった。
この薄膜層のI n層 (Te+ I n)原子比をI
CPで測定したところ、0.0833であった。
CPで測定したところ、0.0833であった。
このサンプルを昇ン品スヒ゛−ド10℃/minて゛加
熱しながら波長830nmでの反射率の変化を7則足し
た。
熱しながら波長830nmでの反射率の変化を7則足し
た。
結果を第1図に示す。
第1図に示され結果より、約105℃に反射率が34%
から46%へ急峻でしかも大きな変化を示す結晶転移温
度Txか存在することかわかる。
から46%へ急峻でしかも大きな変化を示す結晶転移温
度Txか存在することかわかる。
実施例2
実施例1のカラス基体−1−に、スパッタリングにより
Te−In比を変化さゼてTe −1n層を膜厚100
0人となるように設層した。
Te−In比を変化さゼてTe −1n層を膜厚100
0人となるように設層した。
これらのサンプルについて結晶転移温度Txを測定し、
In/(Te+In)原子比とTxとの関係を第2図に
示す。
In/(Te+In)原子比とTxとの関係を第2図に
示す。
第2図に示される結果より、T e −1n比を変化さ
せることにより容易にTxを調整することが可能である
ことがわかる。
せることにより容易にTxを調整することが可能である
ことがわかる。
さらにIn/(Te+In)比が0.004より小さい
場合は、Txが30℃以七となってしまい、室温では実
質的に相転移が不可能となってしまうことがわかる。
場合は、Txが30℃以七となってしまい、室温では実
質的に相転移が不可能となってしまうことがわかる。
実施例3
ポリカーボネートディスク基体上にスパッタリングによ
り、5i02.Te−In、SiO□の各層をこの順序
で各々約1000人の厚さに設層した。 さらに、その
上から、スピンコードにより、下記のUV硬化樹脂層を
約7−の膜厚に設層した。
り、5i02.Te−In、SiO□の各層をこの順序
で各々約1000人の厚さに設層した。 さらに、その
上から、スピンコードにより、下記のUV硬化樹脂層を
約7−の膜厚に設層した。
(UV硬化樹脂組成物)
多官能オリゴエステルアクリレート
(アロニックスM−8030) 100重量部光増感
剤(バイキュア55) 5重量部このような組成物
を設層後、80 W / c m紫外線を15sec照
射し架橋硬化させた。
剤(バイキュア55) 5重量部このような組成物
を設層後、80 W / c m紫外線を15sec照
射し架橋硬化させた。
この場合のTe−In層(記録層)のIn/(Te+I
n)Fl、子比は表1に示すものである。
n)Fl、子比は表1に示すものである。
このサンプルについて、環境温度30℃の下でド記の測
定を行なった。
定を行なった。
(1)各サンプルを120℃、10分間アニールしたも
のを記録媒体とし、ディスクを2m/SeCの速度で回
転させ、基体側より、約1−に絞りこんだ半導体レーザ
ー(波長830 nm)を4nl、IMHzで照射して
記録を行なった。
のを記録媒体とし、ディスクを2m/SeCの速度で回
転させ、基体側より、約1−に絞りこんだ半導体レーザ
ー(波長830 nm)を4nl、IMHzで照射して
記録を行なった。
この信号を0.5mWの連続レーザー光(波長830
nm)にて再生して、再生信号S、を得た。
nm)にて再生して、再生信号S、を得た。
なお、測定時の室温は30℃であった。
(2)(1)において記録されたサンプルを、120℃
、10分間アニールすることにより、消去を行なった後
、再度(1)と同様に記録・再生を行ない、再生信号S
2を得た。
、10分間アニールすることにより、消去を行なった後
、再度(1)と同様に記録・再生を行ない、再生信号S
2を得た。
(3)120℃、10分間のアニールを行なう代りに、
低パワー(1,5m1f)のレーザーによってアニール
を行なった他は、(1)、(2)と同様に記録・再生お
よび消去を行ない、再生信号s+’(s+に対応するも
の)、S2’(S2に対応するもの)を得た。
低パワー(1,5m1f)のレーザーによってアニール
を行なった他は、(1)、(2)と同様に記録・再生お
よび消去を行ない、再生信号s+’(s+に対応するも
の)、S2’(S2に対応するもの)を得た。
結果を表1に示す。
表1
表1に示される結果より、本発明の効果は明らかである
。
。
なお、5in2薄膜をTaO2、V2O3、TiO3,
5iO1B2 03 、 S b 203 、
B i2 0. 、 PbO,Ta 205 、S
i 3 N4 、 TiN、 BiF3 、
LiF 、PbF2、MgF2およびZnSのいず
わか1つの薄)I!2にしたところ、同等の結果がマ:
すられた。
5iO1B2 03 、 S b 203 、
B i2 0. 、 PbO,Ta 205 、S
i 3 N4 、 TiN、 BiF3 、
LiF 、PbF2、MgF2およびZnSのいず
わか1つの薄)I!2にしたところ、同等の結果がマ:
すられた。
第1図は、本発明の情報記録媒体の1実施例の記録層の
温度と反射率との関係を示す線図である。 i2図は、本発明の情報記録媒体の記録層の組成と結晶
転移温度を示す線図である。 出 願 人 ティーディーケイ株式会社FIG、1 温 度 じC) FIG、2
温度と反射率との関係を示す線図である。 i2図は、本発明の情報記録媒体の記録層の組成と結晶
転移温度を示す線図である。 出 願 人 ティーディーケイ株式会社FIG、1 温 度 じC) FIG、2
Claims (4)
- (1)TeおよびInを含み、In/(Te+In)の
原子比が0.004以上である記録層を基体上に有する
ことを特徴とする情報記録媒体。 - (2)TeおよびInを含み、In/(Te+In)の
原子比が0.004以上である記録層を基体上に有し、
基体と記録層の間および/または記録層上にTe_2、
V_2O_3、 TiO_3、SiO_2、SiO、B_2O_3、Sb
_2O_3、Bi_2O_3、PbO、Ta_2O_5
、Si_3N_4、TiN、BiF_3、LiF、Pb
F_2、MgF_2およびZnSからなる群から選ばれ
た薄膜を有することを特徴とする情報記録媒体。 - (3)TeおよびInを含み、In/(Te+In)の
原子比が0.004以上である記録層を基体上に有する
情報記録媒体に非晶質−結晶質間の相転移を生起させて
記録および消去を行うことを特徴とする情報記録および
消去方 法。 - (4)レーザー照射あるいは熱源により記録層の全面あ
るいは一部をあらかじめ結晶質にしておき、レーザーパ
ルス照射により選択的部分を非晶質にすることにより記
録を行ない、この非晶質の記録部をレーザー照射あるい
は熱源により再び結晶質にすることにより消去を行なう
特許請求の範囲第3項に記載の情報記録および消去方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61201073A JP2592239B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61201073A JP2592239B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6356827A true JPS6356827A (ja) | 1988-03-11 |
JP2592239B2 JP2592239B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=16434941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61201073A Expired - Lifetime JP2592239B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2592239B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6058893A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体 |
JPS612592A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPS6131291A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学的情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61201073A patent/JP2592239B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6058893A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体 |
JPS612592A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
JPS6131291A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学的情報記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2592239B2 (ja) | 1997-03-19 |
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Legal Events
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