JPS6350028A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS6350028A JPS6350028A JP19462686A JP19462686A JPS6350028A JP S6350028 A JPS6350028 A JP S6350028A JP 19462686 A JP19462686 A JP 19462686A JP 19462686 A JP19462686 A JP 19462686A JP S6350028 A JPS6350028 A JP S6350028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- film
- substrate
- reaction chamber
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000004180 plasmocyte Anatomy 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
発散磁界型ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴：Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）
プラズマ装置を用い、半導体基板上に、低温でＮ２ガス
とジシラン（５ｉｚｌ１６）等のプラズマにより窒化シ
リコン膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）を形成するもので、低ストレ
スで緻密な良質の膜を高い成長速度で形成するものであ
る。
ｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）
プラズマ装置を用い、半導体基板上に、低温でＮ２ガス
とジシラン（５ｉｚｌ１６）等のプラズマにより窒化シ
リコン膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）を形成するもので、低ストレ
スで緻密な良質の膜を高い成長速度で形成するものであ
る。
゛ 〔産業上の利用分野〕
本発明は発散磁界型ＥｃＲプラズマ装置を用いた薄膜形
成方法に係わり、特に高い解離率の材料ガスを用い、低
ストレスのＳｉ３Ｎ４膜を形成する方法に関する。
成方法に係わり、特に高い解離率の材料ガスを用い、低
ストレスのＳｉ３Ｎ４膜を形成する方法に関する。
半導体基板、例えばシリコン（Ｓｔ）基板上に５ｉＪ４
膜を形成する方法としては、熱窒化法、ＣＶＤ法、ＲＦ
プラズマ法、ＥＣＲプラズマ法があるが、集積回路のチ
ップパッシベーション膜および多層配線構造の層間絶縁
膜として用いるためには、Ｓｉ３Ｎ４膜を形成する前に
既にアルミニウム（＾１）パターンが形成されているの
で、これに悪影響を及ぼすものであってはならない。
膜を形成する方法としては、熱窒化法、ＣＶＤ法、ＲＦ
プラズマ法、ＥＣＲプラズマ法があるが、集積回路のチ
ップパッシベーション膜および多層配線構造の層間絶縁
膜として用いるためには、Ｓｉ３Ｎ４膜を形成する前に
既にアルミニウム（＾１）パターンが形成されているの
で、これに悪影響を及ぼすものであってはならない。
熱窒化法、ＣＶＤ法は高温で膜形成が行われるので、こ
の目的のためには不適である。
の目的のためには不適である。
ＲＦプラズマ法は、平行平板電極あるいはコイルにＲＦ
雷電圧印加することによりプラズマを発生させ、被膜を
形成する方法で、成長温度は４００〜４５０℃で、５ｉ
ｌ１４とＮＨ３ガスを導入し、０．１〜１．０Ｔｏｒｒ
に維持しながら、１３．５６ Ｍｔｌｚの高周波をかけ
ると、導入ガスはプラズマ化し、Ｓｉ基板上にＳｉ３Ｎ
４膜を被着形成することが出来る。
雷電圧印加することによりプラズマを発生させ、被膜を
形成する方法で、成長温度は４００〜４５０℃で、５ｉ
ｌ１４とＮＨ３ガスを導入し、０．１〜１．０Ｔｏｒｒ
に維持しながら、１３．５６ Ｍｔｌｚの高周波をかけ
ると、導入ガスはプラズマ化し、Ｓｉ基板上にＳｉ３Ｎ
４膜を被着形成することが出来る。
ＡＩパターンの耐え得る温度４５０℃以下で５ｉＪａ膜
を形成しているが、しかし、この方法で形成したＳｉ３
Ｎ４膜はその膜中に水素を含み熱処理による収縮率が大
で、従ってこれをパッシベーション膜としてへ１配線上
に形成した場合、Ｓｉ３Ｎ４膜が下方のΔＩ配綿に大き
なストレス（圧縮応力）をかけ、Ａｔ配線が陥没する等
の不良を生ずる。このとき、Ｓｉ３Ｎ４膜が下方膜に及
ぼす圧縮応力の大きさは、１０１０ｄｙｎｅ／ｃｍ２で
ある。
を形成しているが、しかし、この方法で形成したＳｉ３
Ｎ４膜はその膜中に水素を含み熱処理による収縮率が大
で、従ってこれをパッシベーション膜としてへ１配線上
に形成した場合、Ｓｉ３Ｎ４膜が下方のΔＩ配綿に大き
なストレス（圧縮応力）をかけ、Ａｔ配線が陥没する等
の不良を生ずる。このとき、Ｓｉ３Ｎ４膜が下方膜に及
ぼす圧縮応力の大きさは、１０１０ｄｙｎｅ／ｃｍ２で
ある。
又、この方法によると、Ｎ１（３ガスの解離が充分でな
く、Ｎ゛、Ｎ２ ”イオンの発生が少ないため、Ｓｉ：
＋Ｎａ膜成長速度は４００〜７００人／ ｍ ｉ ｎ程
度である。
く、Ｎ゛、Ｎ２ ”イオンの発生が少ないため、Ｓｉ：
＋Ｎａ膜成長速度は４００〜７００人／ ｍ ｉ ｎ程
度である。
ＥＣＲプラズマ法は、マイクロ波を使用してプラズマ励
起し、このプラズマガス中の電子をサイクロトロン共鳴
させて加速し、低圧で高密度のプラズマを得ようとする
ものである。ガスの解離率が非常に大きいため、水素結
合をもったスピーシーズが少なくなり、良好なＳｉ３Ｎ
４膜を形成することが出来る。
起し、このプラズマガス中の電子をサイクロトロン共鳴
させて加速し、低圧で高密度のプラズマを得ようとする
ものである。ガスの解離率が非常に大きいため、水素結
合をもったスピーシーズが少なくなり、良好なＳｉ３Ｎ
４膜を形成することが出来る。
従来例によると、ガスとして四弗化シリコン（ＳｉＦｔ
）あるいはモノシラ７（Ｓｉｌｔ）とＮ２を用い、Ｓｉ
基板温度２５０℃で、圧力８ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒで
５ｉＪ４膜を成長速度約３７５人／ｍｉｎで形成するも
のであるが、膜成長速度が余り速いとは言えず、この点
の改善が望まれている。
）あるいはモノシラ７（Ｓｉｌｔ）とＮ２を用い、Ｓｉ
基板温度２５０℃で、圧力８ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒで
５ｉＪ４膜を成長速度約３７５人／ｍｉｎで形成するも
のであるが、膜成長速度が余り速いとは言えず、この点
の改善が望まれている。
本発明は、従来例における膜成長速度をあげるとともに
、下部Ｓｔ基板に与える内部応力の小さく、且つ緻密な
Ｓｉ３Ｎ４膜を形成しようとするものである。
、下部Ｓｔ基板に与える内部応力の小さく、且つ緻密な
Ｓｉ３Ｎ４膜を形成しようとするものである。
上記問題点の解決は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
発生室（１）と、この電子サイクロトロン共鳴プラズマ
発生室（１）に隣接する反応室（２）と、前記電子サイ
クロトロン共鳴プラズマ発生室（１）にマイクロ波電力
およびガスを導入する手段と、前記反応室（２）にガス
を導入する手段と、前記電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ発生室（１）内に導入したガスに電子サイクロトロン
共鳴プラズマ（Ｒ１）を発生させ、この電子サイクロト
ロン共鳴プラズマ（Ｒ１）を発散磁界により前記反応室
（２）に引き出し、前記反応室（２）に導入したガスに
プラズマ（Ｒ２）を発生させる手段とを備えて構成され
た薄膜形成装置を用いる薄膜形成方法において、 前記反応室（２）内で、半導体基板の表面（５）を室温
から１００℃の範囲の温度に保ち、前記電子サイクロト
ロン共鳴プラズマ発生室（１）に窒素ガスを導入し、反
応室（２）にはジシラン或いはトリシランを導入して、
これにより発生したプラズマ（Ｒ２）により、前記半導
体基板（５）の表面に窒化シリコン膜を形成させる工程
を有する本発明による薄膜形成方法により達成される。
発生室（１）と、この電子サイクロトロン共鳴プラズマ
発生室（１）に隣接する反応室（２）と、前記電子サイ
クロトロン共鳴プラズマ発生室（１）にマイクロ波電力
およびガスを導入する手段と、前記反応室（２）にガス
を導入する手段と、前記電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ発生室（１）内に導入したガスに電子サイクロトロン
共鳴プラズマ（Ｒ１）を発生させ、この電子サイクロト
ロン共鳴プラズマ（Ｒ１）を発散磁界により前記反応室
（２）に引き出し、前記反応室（２）に導入したガスに
プラズマ（Ｒ２）を発生させる手段とを備えて構成され
た薄膜形成装置を用いる薄膜形成方法において、 前記反応室（２）内で、半導体基板の表面（５）を室温
から１００℃の範囲の温度に保ち、前記電子サイクロト
ロン共鳴プラズマ発生室（１）に窒素ガスを導入し、反
応室（２）にはジシラン或いはトリシランを導入して、
これにより発生したプラズマ（Ｒ２）により、前記半導
体基板（５）の表面に窒化シリコン膜を形成させる工程
を有する本発明による薄膜形成方法により達成される。
本発明による発散磁界型ＥＣＲプラズマ装置を用い、ジ
シラン（ＳｉＪ６）又はトリシラン（ＳｉｚＨ６）ガス
とＮ２ガスによるプラズマで半導体基板上に５ｉ３Ｎａ
膜を形成するもので、低ストレスで良質な膜を高い成長
速度で形成することが出来る。
シラン（ＳｉＪ６）又はトリシラン（ＳｉｚＨ６）ガス
とＮ２ガスによるプラズマで半導体基板上に５ｉ３Ｎａ
膜を形成するもので、低ストレスで良質な膜を高い成長
速度で形成することが出来る。
第１図は本発明におけるＳｉ＋Ｎａ膜形成に用いた発散
磁界型ＥＣＲプラズマ装置の構成概略図である。
磁界型ＥＣＲプラズマ装置の構成概略図である。
この図において、１はＥＣＲプラズマ発生室で、これに
隣接して反応室２が設けられ、この反応室２には排気系
として、ターボモレキュラーポンプ１５、メカニカルブ
ースフポンプ１６、ウォータポンプ１７の主排気系が設
けられ残留不純物ガスおよび膜形成時に導入されるガス
を排気している。
隣接して反応室２が設けられ、この反応室２には排気系
として、ターボモレキュラーポンプ１５、メカニカルブ
ースフポンプ１６、ウォータポンプ１７の主排気系が設
けられ残留不純物ガスおよび膜形成時に導入されるガス
を排気している。
プラズマ生成用のマイクロ波は、マイクロ波発振器８で
発振した周波数２．４５ ＧＨｚのマイクロ波を導波管
７とマイクロ波導入窓（アルミナ製）９を経由して、共
振寸法に作られたＥＣＲプラズマ発生室１に供給される
。
発振した周波数２．４５ ＧＨｚのマイクロ波を導波管
７とマイクロ波導入窓（アルミナ製）９を経由して、共
振寸法に作られたＥＣＲプラズマ発生室１に供給される
。
また、マイクロ波導入窓９に近い部分の導波管７の外周
およびＥＣＲプラズマ発生室１の外周には電磁石コイル
６があり、これにより発散磁界を形成さす。
およびＥＣＲプラズマ発生室１の外周には電磁石コイル
６があり、これにより発散磁界を形成さす。
磁束密度の大きさは共鳴の起こる値８７５ ガウスよ
り少し大きい値からマイクロ波の進む方向に徐々に減少
するようにして、マイクロ波の吸収効率を上げている。
り少し大きい値からマイクロ波の進む方向に徐々に減少
するようにして、マイクロ波の吸収効率を上げている。
ＥＣＲプラズマ発生室１には第１のガス導入口３よりガ
スを導入している。
スを導入している。
また、反応室２にはＳｉ基板５が基板載置台１２の上に
おかれ、基板表面の温度が急上昇しないようにされてい
る。
おかれ、基板表面の温度が急上昇しないようにされてい
る。
この発散磁界型ＥＣＲプラズマ装置によるときは、発散
磁界のためプラズマ流中の電子やイオンが磁束線に垂直
線方向に散逸するのを防止されているので、プラズマ流
は反応室２の側壁等への衝突なしにＳｉ基板５に達する
ので、側壁への衝突による水分、不純物の発生を少なく
出来る。
磁界のためプラズマ流中の電子やイオンが磁束線に垂直
線方向に散逸するのを防止されているので、プラズマ流
は反応室２の側壁等への衝突なしにＳｉ基板５に達する
ので、側壁への衝突による水分、不純物の発生を少なく
出来る。
Ｓｉ３Ｎ、膜成長はこの装置を使用して、次のようにし
て行われる。
て行われる。
Ｓｉ基板５を室温〜１００℃にし、圧力をｌＸｌ０−”
Ｔｏｒｒにして、第１のガス導入口３よりはＮ２ガスを
２３ ｃｃ ／ｓｅｃの流量でＥＣＲプラズマ発生室１
に導入し、第２のガス導入口４からはＳｉ２Ｈ６ガスを
３０ ｃｃ ／ｓｅｃの流量で反応室２に導入する。電
磁石コイル６に電流を流し磁界を形成して２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波電力 ５００Ｗをかける。
Ｔｏｒｒにして、第１のガス導入口３よりはＮ２ガスを
２３ ｃｃ ／ｓｅｃの流量でＥＣＲプラズマ発生室１
に導入し、第２のガス導入口４からはＳｉ２Ｈ６ガスを
３０ ｃｃ ／ｓｅｃの流量で反応室２に導入する。電
磁石コイル６に電流を流し磁界を形成して２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波電力 ５００Ｗをかける。
導入したＮ２ガスはプラズマ化し、ＥＣＲプラズマＲ１
となり、発散磁界によって反応室２との境界にあるアパ
ーチャ１０を通過し、反応室２に引き出されれ、ここで
ＳｉＪ、ガスをプラズマ（Ｒ２）化し、プラズマＲ１と
Ｒ２のプラズマ流によりＳｉ基板５の表面上にＳｉ３Ｎ
、膜が形成される。
となり、発散磁界によって反応室２との境界にあるアパ
ーチャ１０を通過し、反応室２に引き出されれ、ここで
ＳｉＪ、ガスをプラズマ（Ｒ２）化し、プラズマＲ１と
Ｒ２のプラズマ流によりＳｉ基板５の表面上にＳｉ３Ｎ
、膜が形成される。
この場合、発散磁界のみでプラズマ流を制御しているの
で、Ｓｉ基板５はプラズマに対して約２０Ｖの浮遊電位
分だけの負電位となるだけであるため、イオン衝撃がな
くＳｉ基板５を傷めることがない。
で、Ｓｉ基板５はプラズマに対して約２０Ｖの浮遊電位
分だけの負電位となるだけであるため、イオン衝撃がな
くＳｉ基板５を傷めることがない。
ＲＦプラズマ法で、５ｉＨｎの替わりに５ｉｔＨｂガス
を用いてＳｉＪ＊膜形成を行おうとしても、アモルファ
スシリコンとなり良好なＳｔＪ、膜を得ることが出来な
い。
を用いてＳｉＪ＊膜形成を行おうとしても、アモルファ
スシリコンとなり良好なＳｔＪ、膜を得ることが出来な
い。
第２図は本発明におけるマイクロ波電力とストレスとの
関係図である。
関係図である。
この図において、縦軸はストレス（圧縮応力）で、横軸
はマイクロ波の入射電力で、形成５ｉＪ４膜が下層に及
ぼすストレスがマイクロ波電力によって、どのように変
化するかを示すもので、フラットネステスターを用いて
定量した。
はマイクロ波の入射電力で、形成５ｉＪ４膜が下層に及
ぼすストレスがマイクロ波電力によって、どのように変
化するかを示すもので、フラットネステスターを用いて
定量した。
マイクロ波電力を５００Ｗ程度としたとき最もストレス
が小さく約１．８ Ｘｌ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２の圧縮応
力で、ＲＦプラズマ法で形成した場合より、格段に小さ
くなる。これにより、Ｓｉ、Ｎ４膜の下にＡＩ膜層があ
っても、このへ１膜層に障害が起こることがなくなる。
が小さく約１．８ Ｘｌ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２の圧縮応
力で、ＲＦプラズマ法で形成した場合より、格段に小さ
くなる。これにより、Ｓｉ、Ｎ４膜の下にＡＩ膜層があ
っても、このへ１膜層に障害が起こることがなくなる。
又、ストレスが０と云う状態も条件によっては、見出す
ことが可能である。
ことが可能である。
第３図は本発明におけるマイクロ波電力と成長速度およ
び屈折率の関係図である。
び屈折率の関係図である。
この図において、左側縦軸は成長速度、右側縦軸は屈折
率、横軸はマイクロ波電力である。
率、横軸はマイクロ波電力である。
屈折率は５ｉＪ４膜の膜質を示す指標で２．０程度のと
き、緻密で耐湿性の優れた良好な膜が得られる。即ち、
赤外線吸収スペクトルで確認した所、この程度の屈折率
の場合、水素の含有（Ｓ ｉ ＩＩの存在）は殆ど認め
られなくなり、ストレスの小さい、耐湿性の良好な膜を
形成する。
き、緻密で耐湿性の優れた良好な膜が得られる。即ち、
赤外線吸収スペクトルで確認した所、この程度の屈折率
の場合、水素の含有（Ｓ ｉ ＩＩの存在）は殆ど認め
られなくなり、ストレスの小さい、耐湿性の良好な膜を
形成する。
５ｉｚＨｂ：３０ ｃｃ ／ｓｅｃ ％ Ｎｚ： ２３
ｃｃ ／ｓｅｃ 、マイクロ波型カニ５００Ｗの場合
、屈折率 ２．０、成長速度約１０００人／ｍｉｎ と
なる。
ｃｃ ／ｓｅｃ 、マイクロ波型カニ５００Ｗの場合
、屈折率 ２．０、成長速度約１０００人／ｍｉｎ と
なる。
５ｉｚＨ６は解離率がＳｉシのそれよりも大きいため、
膜成長速度が大となるものめである。
膜成長速度が大となるものめである。
上記の５ｉＪ６の替わりに５ｉ３Ｈ，を用いてＳｉ３Ｎ
。
。
膜を形成すると、５ｉＪｓは更に解離率が高いので〆防
テ、膜成長速度が更に大きい良質な膜を得ることが出来
る。
テ、膜成長速度が更に大きい良質な膜を得ることが出来
る。
実施例は、Ｓｉ基板上へのＳｉ３Ｎ４膜形成について説
明したが半導体基板が他の材質の基板であって〔発明の
効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、ストレス
の小さい、汚染の少ない、緻密な、耐湿性の良好な、＾
１パターン上のパンシベーション膜として最適な５ｉ３
Ｎａ膜を高速に形成することが出来る。
明したが半導体基板が他の材質の基板であって〔発明の
効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、ストレス
の小さい、汚染の少ない、緻密な、耐湿性の良好な、＾
１パターン上のパンシベーション膜として最適な５ｉ３
Ｎａ膜を高速に形成することが出来る。
第１図は本発明におけるＳｉ３Ｎ４膜形成に用いた発散
磁界型ＥＣＲプラズマ装置の構成概略図、第２図は本発
明におけるマイクロ波電力とストレスとの関係図、 第３図は本発明におけるマイクロ波電力と成長速度およ
び屈折率の関係図である。 これら図において、 １はＥＣＲプラズマ発生室、 ２は反応室、 ３は第１のガス導入口、 ４は第２のガス導入口、 ５は半導体基板（Ｓｔ基板）、 ６は電磁石コイル、 ７は導波管、 ８はマイクロ波発振器、 ９はマイクロ波導入窓、 １０はアパーチャ、 １１はプラズマシャッタ、 １２は基板載置台、 １３はロードロッカー！、 １４はロークリポンプ、 １５はターボモレキュラーポンプ、 １６はメカニカルブースタポンプ、 １７はウォータポンプ、 Ｒ１は電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、 Ｒ２はプラズマ ん 胞λｌ刀゛又妥入口 １３．ロー
トパ口・・Ｉカー１８開！１８Ｇ３−５００２８（５） マイクＯ汝電力 （Ｗ） ＃廃コ日月１てあ１ブる７４り０３反電力とストレスに
の１１ ｓ ２ａ ・：：すＡ四 長 ５５ｉ１４反 １４；ロータ
゛ノボンア６ ： 電私石］イル
１５； ターホ′モレＡ−ＬラーオＳンフ０９ ：
マイクロ３ｇ導入熱（アルミｆ）１１月（二カ・１する
５ｒ ３ Ｎ＋ハ更）Ｘ２．戊に用し１丁に、４さ、歎
私恩代贋。 ηｂ 度 〜ｉｒ＋ ２１尿−七・ 町
磁界型ＥＣＲプラズマ装置の構成概略図、第２図は本発
明におけるマイクロ波電力とストレスとの関係図、 第３図は本発明におけるマイクロ波電力と成長速度およ
び屈折率の関係図である。 これら図において、 １はＥＣＲプラズマ発生室、 ２は反応室、 ３は第１のガス導入口、 ４は第２のガス導入口、 ５は半導体基板（Ｓｔ基板）、 ６は電磁石コイル、 ７は導波管、 ８はマイクロ波発振器、 ９はマイクロ波導入窓、 １０はアパーチャ、 １１はプラズマシャッタ、 １２は基板載置台、 １３はロードロッカー！、 １４はロークリポンプ、 １５はターボモレキュラーポンプ、 １６はメカニカルブースタポンプ、 １７はウォータポンプ、 Ｒ１は電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、 Ｒ２はプラズマ ん 胞λｌ刀゛又妥入口 １３．ロー
トパ口・・Ｉカー１８開！１８Ｇ３−５００２８（５） マイクＯ汝電力 （Ｗ） ＃廃コ日月１てあ１ブる７４り０３反電力とストレスに
の１１ ｓ ２ａ ・：：すＡ四 長 ５５ｉ１４反 １４；ロータ
゛ノボンア６ ： 電私石］イル
１５； ターホ′モレＡ−ＬラーオＳンフ０９ ：
マイクロ３ｇ導入熱（アルミｆ）１１月（二カ・１する
５ｒ ３ Ｎ＋ハ更）Ｘ２．戊に用し１丁に、４さ、歎
私恩代贋。 ηｂ 度 〜ｉｒ＋ ２１尿−七・ 町
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生室（１）と、 この電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生室（１）に隣
接する反応室（２）と、 前記電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生室（１）にマ
イクロ波電力およびガスを導入する手段と、 前記反応室（２）にガスを導入する手段と、前記電子サ
イクロトロン共鳴プラズマ発生室（１）内に導入したガ
スに電子サイクロトロン共鳴プラズマ（Ｒ１）を発生さ
せ、この電子サイクロトロン共鳴プラズマ（Ｒ１）を発
散磁界により前記反応室（２）に引き出し、前記反応室
（２）に導入したガスにプラズマ（Ｒ２）を発生させる
手段とを備えて構成された薄膜形成装置を用いる薄膜形
成方法において、 前記反応室（２）内で、半導体基板の表面（５）を室温
から１００℃の範囲の温度に保ち、 前記電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生室（１）に窒
素ガスを導入し、反応室（２）にはジシラン或いはトリ
シランを導入して、これにより発生したプラズマ（Ｒ２
）により、前記シリコン基板（５）の表面に窒化半導体
膜を形成させる工程を 有することを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19462686A JPS6350028A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19462686A JPS6350028A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350028A true JPS6350028A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16327643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19462686A Pending JPS6350028A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372304B1 (en) * | 1996-07-10 | 2002-04-16 | Suzuki Motor Corporation | Method and apparatus for forming SiC thin film on high polymer base material by plasma CVD |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS5933837A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置表面上への絶縁膜形成法 |
| JPS60115235A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体基板上への絶縁膜形成方法 |
| JPS61166975A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-28 | Anelva Corp | 成膜方法 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19462686A patent/JPS6350028A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS5933837A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置表面上への絶縁膜形成法 |
| JPS60115235A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体基板上への絶縁膜形成方法 |
| JPS61166975A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-28 | Anelva Corp | 成膜方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372304B1 (en) * | 1996-07-10 | 2002-04-16 | Suzuki Motor Corporation | Method and apparatus for forming SiC thin film on high polymer base material by plasma CVD |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11062910B2 (en) | Surface treatment of silicon or silicon germanium surfaces using organic radicals | |
| US4401054A (en) | Plasma deposition apparatus | |
| JPS61127121A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2005005280A (ja) | 半導体基板を不動態化する方法 | |
| JP2009290026A (ja) | 中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法 | |
| JPH03111578A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| KR102469451B1 (ko) | 마이크로전자 공작물의 제조를 위해 실리콘 질화물층을 영역 선택 에칭하는 방법 | |
| US5401358A (en) | Dry etching method | |
| JP2001160551A (ja) | 滑らかな表面を有するようにポリシリコンをエッチングする方法 | |
| CN116110775A (zh) | 提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺 | |
| JPS6350028A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0355401B2 (ja) | ||
| JP4141021B2 (ja) | プラズマ成膜方法 | |
| JPH0521983B2 (ja) | ||
| JPH05343391A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0614522B2 (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| KR102146543B1 (ko) | 비정질 실리콘막의 형성 방법 | |
| KR100329787B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막 제거방법 | |
| JPS62254419A (ja) | プラズマ付着装置 | |
| TW201831723A (zh) | 成膜方法、硼膜、及成膜裝置 | |
| JP2019102508A (ja) | ボロン系膜の形成方法および形成装置 | |
| JP3088447B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP3088446B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH05144773A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH06333842A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 |