JPS6342150A - 光消去型樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
光消去型樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6342150A JPS6342150A JP18507486A JP18507486A JPS6342150A JP S6342150 A JPS6342150 A JP S6342150A JP 18507486 A JP18507486 A JP 18507486A JP 18507486 A JP18507486 A JP 18507486A JP S6342150 A JPS6342150 A JP S6342150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- frame member
- bonding
- light
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光消去型樹脂封止型半導体装置に関し、特に、
該装置内のボンディングワイヤの断線を防止し、かつ、
当該装置の耐湿性を向上させる技術に関する。
該装置内のボンディングワイヤの断線を防止し、かつ、
当該装置の耐湿性を向上させる技術に関する。
紫外線消去型プラスチック封止EP−ROMパッケージ
における従来例を示す構造の一例として、金属製リード
フレームのタブ上に半導体素子(チップ)を固着し、当
該素子のボンディングパッド部と前記リードフレームの
内部リードとを例えばAuの細線により、熱圧着法によ
り、ワイヤボンディングし、当該素子上にシリコーン系
ゴムまたはゲル接着剤により、例えば透明アルミナ製の
透光性窓部材を接合し、トランスファーモールド法によ
り樹脂(レジン)をモールドしてなるものが提案されて
いる(特開昭57−42152号公報、特開昭59−1
67037号公報)。
における従来例を示す構造の一例として、金属製リード
フレームのタブ上に半導体素子(チップ)を固着し、当
該素子のボンディングパッド部と前記リードフレームの
内部リードとを例えばAuの細線により、熱圧着法によ
り、ワイヤボンディングし、当該素子上にシリコーン系
ゴムまたはゲル接着剤により、例えば透明アルミナ製の
透光性窓部材を接合し、トランスファーモールド法によ
り樹脂(レジン)をモールドしてなるものが提案されて
いる(特開昭57−42152号公報、特開昭59−1
67037号公報)。
しかしながら、従来提案されているこのような光消去型
樹脂封止型半導体装置にあっては、ワイヤボンディング
したボンディングワイヤが断線しやすく、耐温度サイク
ルテス)において、例えば−55〜150C下短・ナイ
クルで、当該ワイヤが断線するという難点がある。その
為、低コストEP−ROMとして今後そのプラスチック
版は普及すると予想されるのく、それを妨げることにも
なりかねない。
樹脂封止型半導体装置にあっては、ワイヤボンディング
したボンディングワイヤが断線しやすく、耐温度サイク
ルテス)において、例えば−55〜150C下短・ナイ
クルで、当該ワイヤが断線するという難点がある。その
為、低コストEP−ROMとして今後そのプラスチック
版は普及すると予想されるのく、それを妨げることにも
なりかねない。
本発明はかかるワイヤの断線不良を防止し、信頼性を向
上させることのできる技術を提供することを目的とする
。
上させることのできる技術を提供することを目的とする
。
本発明の前記ならびKそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明では、半導体素子に接合されている透
光性窓部材を取り囲むようにして、かつ、半導体素子の
ボンディングパッド部に接続しているボンディングワイ
ヤの一端部上部に、例えば金属製の剛性を有する枠部材
を周設するようにした。
光性窓部材を取り囲むようにして、かつ、半導体素子の
ボンディングパッド部に接続しているボンディングワイ
ヤの一端部上部に、例えば金属製の剛性を有する枠部材
を周設するようにした。
このように、枠部材を設けることにより、ボンディング
ワイヤの断線不良を防止し、かつ、耐湿性を向上させ、
高信頼性の光消去型樹脂封止型半導体装置を得ることが
できた。
ワイヤの断線不良を防止し、かつ、耐湿性を向上させ、
高信頼性の光消去型樹脂封止型半導体装置を得ることが
できた。
このワイヤの断線を防止し、耐湿性を向上し得る理由は
次のように考えられる。
次のように考えられる。
すなわち、ボンディングワイヤである金属細線が断線す
る主原因の一つは、第3図に示すように、樹脂封止体1
と透光性窓部材2との接着性が良くない為K、これらの
接合界面は容易に剥離し、同図点線で示すようにこれら
封止体1と窓部材2間Klti間8を生じることである
。
る主原因の一つは、第3図に示すように、樹脂封止体1
と透光性窓部材2との接着性が良くない為K、これらの
接合界面は容易に剥離し、同図点線で示すようにこれら
封止体1と窓部材2間Klti間8を生じることである
。
なお、第3図は光消去型樹脂封止型半導体装置の要部断
面図で、同図にて、4は半導体素子、5は接合材料、6
はボンディングワイヤ(金属細線)である。
面図で、同図にて、4は半導体素子、5は接合材料、6
はボンディングワイヤ(金属細線)である。
ところで、当該金属細線6についてその半導体素子4側
でのボンディング部付近(当該細線ネック部付近)につ
いて考えると、透光性窓部材2を半導体素子4に接合す
る接合材料5(透光性である)には、一般に、シリコー
ン系のゴムまたはゲル接着剤が使用されるため、その柔
軟性により、当該ワイヤネック部は、そのA部で半導体
素子4に、また、B部で樹脂封止体1に固定され、当該
A点とB点の中間部分には大きな拘束力は存在しないと
見なせる。
でのボンディング部付近(当該細線ネック部付近)につ
いて考えると、透光性窓部材2を半導体素子4に接合す
る接合材料5(透光性である)には、一般に、シリコー
ン系のゴムまたはゲル接着剤が使用されるため、その柔
軟性により、当該ワイヤネック部は、そのA部で半導体
素子4に、また、B部で樹脂封止体1に固定され、当該
A点とB点の中間部分には大きな拘束力は存在しないと
見なせる。
このような状況の下で、温度サイクル(T〜)テストが
実施されると、当該パッケージ全体の変形に伴なってA
部間が相対変位し、この為に、ワイヤ6はA部間で繰り
返しの歪(応力)を受け、その結果、疲労破壊断線に到
る。ここで先に述べた樹脂封止体1における封止樹脂と
前記窓部材2との界面剥離8が存在すると、これが存在
しないmeK 比41〜時のパッケージ全体の変形は非
常に大きくなり、したがって、ワイヤ6のA部間の歪(
応力)Ikも大きくなり、短〜で断線に到る。
実施されると、当該パッケージ全体の変形に伴なってA
部間が相対変位し、この為に、ワイヤ6はA部間で繰り
返しの歪(応力)を受け、その結果、疲労破壊断線に到
る。ここで先に述べた樹脂封止体1における封止樹脂と
前記窓部材2との界面剥離8が存在すると、これが存在
しないmeK 比41〜時のパッケージ全体の変形は非
常に大きくなり、したがって、ワイヤ6のA部間の歪(
応力)Ikも大きくなり、短〜で断線に到る。
さらに、上記隙間8の存在は、耐湿性をも劣化させる。
すなわち、外部よりC1″″イオン等の不純物を含む水
分がこの隙間を通って侵入し、半導体素子40表面近く
迄容易に侵入し、当該素子4表面のボンディングパッド
部のA4配祿を腐食させ、断線を起こし、機能不良を生
起する。
分がこの隙間を通って侵入し、半導体素子40表面近く
迄容易に侵入し、当該素子4表面のボンディングパッド
部のA4配祿を腐食させ、断線を起こし、機能不良を生
起する。
かかる状況下、本発明枠部材を設けることによれは、T
〜時にパッケージが熱変形し、その結果、樹脂封止体1
と窓部材2間が剥離1分離しようとする力が働(のに対
して、これをその締付力により、阻止することができる
。
〜時にパッケージが熱変形し、その結果、樹脂封止体1
と窓部材2間が剥離1分離しようとする力が働(のに対
して、これをその締付力により、阻止することができる
。
その結果、前述したT〜時のA部間の相対変位すなわち
ワイヤAB間の繰り返し歪(応力)が軽減され、疲労断
線し難(なる。また、その締付力により、樹脂封止体1
と窓部材2間の気密性が改善される為に、不純物を含む
水分の浸入も阻止され、耐湿信頼性が向上する。
ワイヤAB間の繰り返し歪(応力)が軽減され、疲労断
線し難(なる。また、その締付力により、樹脂封止体1
と窓部材2間の気密性が改善される為に、不純物を含む
水分の浸入も阻止され、耐湿信頼性が向上する。
次に、本発明を、図面に示す実施例に基づいて説明する
。
。
第1図は本発明の実施例を示す半導体装置の平面図、第
2図は第1図A−A線断面図、第3図は前記説明のごと
く要部断面図で第2図C部を拡大して示しである。
2図は第1図A−A線断面図、第3図は前記説明のごと
く要部断面図で第2図C部を拡大して示しである。
これらの図に示すように、枠部材9を透光性窓部材2の
周囲に周設する。
周囲に周設する。
枠部材9は、例えば金属より成る。枠部材9の一例は、
第1図にも示すように、四角形状に構成されている。
第1図にも示すように、四角形状に構成されている。
枠部材9は、前述した締付力による作用機構から、剛性
を有することが好ましい。
を有することが好ましい。
枠部材9の樹脂封止体1における取付法の一例としては
、当該封止体1の上面に凹部を形成しておき、該凹部内
に、接着剤と共に埋込み硬化・接着する方法があげられ
るが、モールド時に同時に埋込むなど他の方法によって
も何ら差支えない。
、当該封止体1の上面に凹部を形成しておき、該凹部内
に、接着剤と共に埋込み硬化・接着する方法があげられ
るが、モールド時に同時に埋込むなど他の方法によって
も何ら差支えない。
あるいは、当該凹部を形成せずに接着してもよ(、封止
体1の上面に単に固着するだけでもよい。
体1の上面に単に固着するだけでもよい。
第4図は本発明の変形例を示し、封止体1の上側面に枠
部材9を固着する一例を示す。枠部材90線熱膨張係数
(α)は、樹脂封止体1のαより大きいものとし、これ
を150〜200Cの高温で接着、埋込むことが望まし
い。もっとも、樹脂封止体1のαよりも小のものを低温
で固着してもよい。
部材9を固着する一例を示す。枠部材90線熱膨張係数
(α)は、樹脂封止体1のαより大きいものとし、これ
を150〜200Cの高温で接着、埋込むことが望まし
い。もっとも、樹脂封止体1のαよりも小のものを低温
で固着してもよい。
前者の場合の枠部材9を構成する金属(合金を含む)と
しては銅系合金が良い。後者の場合の枠部材9を構成す
る金M(合金を含む)としては鉄系合金があげられる。
しては銅系合金が良い。後者の場合の枠部材9を構成す
る金M(合金を含む)としては鉄系合金があげられる。
なお、第2図および第4図にて、7はリードフレーム、
3はそのタブ(支持体)である。
3はそのタブ(支持体)である。
本発明における半導体素子(チップ)4は、例えばシリ
コン単結晶基板から成り、周知の技術によってこのチッ
プ内には多数の回路素子が形成され、1つの回路機能が
与えられている。回路素子の具体例は、例えばMOSト
ランジスタから成り、これらの回路素子によって、例え
ば論理回路およびメモリの回路機能が形成されている。
コン単結晶基板から成り、周知の技術によってこのチッ
プ内には多数の回路素子が形成され、1つの回路機能が
与えられている。回路素子の具体例は、例えばMOSト
ランジスタから成り、これらの回路素子によって、例え
ば論理回路およびメモリの回路機能が形成されている。
本発明によれば、上記実施例に示すような枠部材9の存
在により、樹脂封止体1と透光性窓部材2との間の剥離
9分離により隙間8を生じようとするのを、その締付力
により阻止し、該隙間8をふさぎ、かつ、当該隙間8の
存在罠より増長されるワイヤ6のネック部における歪み
を少なくして。
在により、樹脂封止体1と透光性窓部材2との間の剥離
9分離により隙間8を生じようとするのを、その締付力
により阻止し、該隙間8をふさぎ、かつ、当該隙間8の
存在罠より増長されるワイヤ6のネック部における歪み
を少なくして。
ワイヤ6の断線不良を防止できるとともに耐湿信頼性を
向上させることができた。
向上させることができた。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが1本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で覆々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが1本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で覆々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、枠部材として上記実施例に示したものに限定さ
れず、各種寸法、形状のものを使用することができる。
れず、各種寸法、形状のものを使用することができる。
本発明はDIL(デュアル・イン・ライン)タイプのも
のの他、PPP(フック) IIハック・パッケージ)
など各種の樹脂封止型半導体装置に適用できる。
のの他、PPP(フック) IIハック・パッケージ)
など各種の樹脂封止型半導体装置に適用できる。
本発明によれば、上述のごとく、ボンディングワイヤの
断線不良を阻止できるとともに、耐湿性を向上させるこ
とができ、光消去型樹脂封止型半導体装置の信頼性を向
上させることのできる技術を提供し得た点その工業上の
意義は犬なるものがある。
断線不良を阻止できるとともに、耐湿性を向上させるこ
とができ、光消去型樹脂封止型半導体装置の信頼性を向
上させることのできる技術を提供し得た点その工業上の
意義は犬なるものがある。
第1図は本発明の実施例を示す平面図、第2図は第1図
A−A線断面図、 第3図は第2固装部拡大断面図、 第4図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 1・・・樹脂封止体、2・・・透光性窓部材、3・・・
タブ、4・・・半導体素子、5・・・接合材料、6・・
・導体(ボンディングワイヤ)、7・・・リードフレー
ム、8・・・隙間、9・・・枠部材。 第 1 図 第 2 図
A−A線断面図、 第3図は第2固装部拡大断面図、 第4図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 1・・・樹脂封止体、2・・・透光性窓部材、3・・・
タブ、4・・・半導体素子、5・・・接合材料、6・・
・導体(ボンディングワイヤ)、7・・・リードフレー
ム、8・・・隙間、9・・・枠部材。 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、支持体に半導体素子を固着し、当該素子と当該支持
体とを導体により接続し、当該素子に接合材料により透
光性窓部材を接合して成る光消去型樹脂封止型半導体装
置において、当該透光性窓部材の周囲に剛性を有する枠
部材を周設して成ることを特徴とする光消去型樹脂封止
型半導体装置。 2、支持体がリードフレームで、導体が金属細線で、接
合材料がシリコーン系接着剤で、剛性を有する枠部材が
金属製枠部材で、光消去型樹脂封止型半導体装置が、リ
ードフレームのタブ上に半導体素子を固着し、該素子の
ボンディングパッド部とリードフレームの内部リードと
を金属細線によりワイヤボンディングし、当該素子上に
シリコーン系接着剤により透光性窓部材を接合し、その
際、当該シリコーン系接着剤が前記素子のボンディング
パッド部における金属細線とのボンディング部を被覆し
ており、かつ、金属製枠部材を樹脂封止体の上部に設け
た凹部内に埋設して成る、特許請求の範囲第1項記載の
光消去型樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18507486A JPS6342150A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光消去型樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18507486A JPS6342150A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光消去型樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6342150A true JPS6342150A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16164358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18507486A Pending JPS6342150A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光消去型樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6342150A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997042655A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis sowie verfahren zur herstellung eines solchen trägerelementes |
US6692993B2 (en) | 1998-10-13 | 2004-02-17 | Intel Corporation | Windowed non-ceramic package having embedded frame |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18507486A patent/JPS6342150A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997042655A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis sowie verfahren zur herstellung eines solchen trägerelementes |
US6692993B2 (en) | 1998-10-13 | 2004-02-17 | Intel Corporation | Windowed non-ceramic package having embedded frame |
US7026707B2 (en) | 1998-10-13 | 2006-04-11 | Intel Corporation | Windowed package having embedded frame |
US7223631B2 (en) | 1998-10-13 | 2007-05-29 | Intel Corporation | Windowed package having embedded frame |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06105721B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20030116834A1 (en) | High density direct connect LOC assembly | |
US5572066A (en) | Lead-on-chip semiconductor device and method for its fabrication | |
JPS6342150A (ja) | 光消去型樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0546098B2 (ja) | ||
US8258611B2 (en) | Leadframe structure for electronic packages | |
JPS63107156A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
KR970077602A (ko) | 칩접착부가 일체형으로 형성된 타이바를 갖는 패드리스 리드프레임과 이를 이용한 반도체 칩 패키지 | |
JPS61236144A (ja) | レジンモ−ルド型半導体装置 | |
JP2758677B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20200203258A1 (en) | Lead frame with selective patterned plating | |
JP2543525B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
KR890013762A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR0152574B1 (ko) | 단차 가공된 다이 패드 부분을 갖는 리드 프레임 | |
JPS61147538A (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
JPS6114672B2 (ja) | ||
JP2809675B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0476504B2 (ja) | ||
JPS61101053A (ja) | 半導体装置 | |
KR200142844Y1 (ko) | 리드프레임 | |
JPH0739237Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2633513B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR0176113B1 (ko) | 내부리이드의 말단부가 수직 절곡된 리드프레임과 이를 이용한 반도체 패키지 | |
JPS63107050A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH08227966A (ja) | 半導体装置 |