JPS6338982A - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS6338982A JPS6338982A JP18315986A JP18315986A JPS6338982A JP S6338982 A JPS6338982 A JP S6338982A JP 18315986 A JP18315986 A JP 18315986A JP 18315986 A JP18315986 A JP 18315986A JP S6338982 A JPS6338982 A JP S6338982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- emitting layer
- light emitting
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
投権分災
本発明は、コンピュータ端末等のデイスプレィなどとし
て用いられるエレクトロルミネッセンス素子に関する。
て用いられるエレクトロルミネッセンス素子に関する。
従来技術
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、蛍光体のよ
うな半導体に電界を加えたときに発光する現象を利用し
たものであり、表示素子などとして利用されている。Ｅ
Ｌ素子は、発光層と、これに電界を印加する一対の電極
とから形成されており、発光層と一方あるいは両方の電
極との間に絶縁層を設けた絶縁構造薄膜ＥＬ素子は、信
頼性が高いことから広く用いられている。
うな半導体に電界を加えたときに発光する現象を利用し
たものであり、表示素子などとして利用されている。Ｅ
Ｌ素子は、発光層と、これに電界を印加する一対の電極
とから形成されており、発光層と一方あるいは両方の電
極との間に絶縁層を設けた絶縁構造薄膜ＥＬ素子は、信
頼性が高いことから広く用いられている。
しかし、この構造のＥＬ素子は絶″ＲＭと発光層とに印
加電圧が分圧されるために、必要な駆動電圧が高く（例
えば２００ｖ以上）となるという問題があった。
加電圧が分圧されるために、必要な駆動電圧が高く（例
えば２００ｖ以上）となるという問題があった。
これを改善するために、絶縁層に強誘電体を用いること
が試みられている（桑田他；電子通信学会、技術研究報
告ＥＤ８５−６）。その結果、５ｒＴｉＯａやＰ ｂ
Ｔ ｉ Ｏ，のような誘電率の大きいペロブスカイト型
の強誘電体を用いることが有効であることが判ってきた
。しかし、これらの強誘電体はアルミニウム電極に対し
て伝播型（非自己回復型）の絶縁破壊特性を有するため
に、絶縁層として十分に機能を果たさない。
が試みられている（桑田他；電子通信学会、技術研究報
告ＥＤ８５−６）。その結果、５ｒＴｉＯａやＰ ｂ
Ｔ ｉ Ｏ，のような誘電率の大きいペロブスカイト型
の強誘電体を用いることが有効であることが判ってきた
。しかし、これらの強誘電体はアルミニウム電極に対し
て伝播型（非自己回復型）の絶縁破壊特性を有するため
に、絶縁層として十分に機能を果たさない。
この問題を解決するために、発光層とＡＱ電極との間に
誘電率の小さい自己回復型の誘電体を用いることも提案
されている。（特開昭６０−２５１９９号公報）。
誘電率の小さい自己回復型の誘電体を用いることも提案
されている。（特開昭６０−２５１９９号公報）。
１皿二且孜
本発明は、低電圧駆動が可能で、信頼性の高いＥＬ索子
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明のＥＬ素子は、電界を加えたときに発光する発光
層と、該発光層に電界を印加する背面電極および透明電
極を具え、少なくとも該発光層と背面電極との間に絶縁
層が設けられたエレクトロルミネッセンス素子において
、前記絶縁層と背面電極との間に非オーム性電気伝導を
示す薄層を設けたことを特徴とする。
層と、該発光層に電界を印加する背面電極および透明電
極を具え、少なくとも該発光層と背面電極との間に絶縁
層が設けられたエレクトロルミネッセンス素子において
、前記絶縁層と背面電極との間に非オーム性電気伝導を
示す薄層を設けたことを特徴とする。
以下、添付図面に添って本発明をさらに詳細に説明する
。
。
第１図は、ＥＬ素子の構成例を示す断面図である。透明
基板１１上に透明電極１３が設けられ、さらにその上に
第１の絶縁層１５を介して発光層１７が設けられている
。この発光層１７上には、第２の絶縁層１９および非オ
ーム性電気伝導層２１が順次積層され、さらにその上に
背面電極２３が形成されて薄膜型のＥＬ素子が構成され
ている。
基板１１上に透明電極１３が設けられ、さらにその上に
第１の絶縁層１５を介して発光層１７が設けられている
。この発光層１７上には、第２の絶縁層１９および非オ
ーム性電気伝導層２１が順次積層され、さらにその上に
背面電極２３が形成されて薄膜型のＥＬ素子が構成され
ている。
非オーム性電気伝導層２１は、非オーム性電気伝導を示
す。この層２１は、たとえば、ＺｎＯを主成分とする層
からなり、好ましくは、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｐｒ
、Ｓｂ、Ｍｎ、Ｃｒなどの不純物がドーピングされる６
ドーピング物質の濃度は、各々０．０５〜５ｍｏ１％
程度が好適である。
す。この層２１は、たとえば、ＺｎＯを主成分とする層
からなり、好ましくは、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｐｒ
、Ｓｂ、Ｍｎ、Ｃｒなどの不純物がドーピングされる６
ドーピング物質の濃度は、各々０．０５〜５ｍｏ１％
程度が好適である。
非オーム性電気伝導層２工の膜厚はＯ０１〜１０μｍ程
度が好適である。
度が好適である。
本発明は、絶縁層と背面電極との間に非オーム性電気伝
導層を設けることを骨子とするものであり、その他の構
成や材料は特に限定されず、従来公知のものを使用する
ことができる。
導層を設けることを骨子とするものであり、その他の構
成や材料は特に限定されず、従来公知のものを使用する
ことができる。
特に絶縁層の材料としては、Ｃａ Ｔ Ｉ Ｏ３，５ｒ
Ｔｉ０３、Ｐ ｂ Ｔ ｉ Ｏ，のようなペロブスカイ
ト型の強誘導体を用いることが可能となる。
Ｔｉ０３、Ｐ ｂ Ｔ ｉ Ｏ，のようなペロブスカイ
ト型の強誘導体を用いることが可能となる。
このような強誘電体は駆動電圧を大きく低下させること
ができるが、伝播型の絶縁破壊を生ずるために、従来は
好適に使用することが固層であった。これに対して本発
明では、非オーム性電気伝導層を設けることにより、絶
縁破壊が自己回復型となり、上記のような強誘電体の使
用が容易となる。絶縁層材料としては、特にＴｉを含む
誘電体が好ましい。また、上記以外の絶′ａ層材料とし
ては、Ｔｉｅ、、ＢａＴｉＯ３などがある。
ができるが、伝播型の絶縁破壊を生ずるために、従来は
好適に使用することが固層であった。これに対して本発
明では、非オーム性電気伝導層を設けることにより、絶
縁破壊が自己回復型となり、上記のような強誘電体の使
用が容易となる。絶縁層材料としては、特にＴｉを含む
誘電体が好ましい。また、上記以外の絶′ａ層材料とし
ては、Ｔｉｅ、、ＢａＴｉＯ３などがある。
第１および第２の絶縁層１５．１９の厚さは、０．１〜
１．０μｍ程度が好適である。
１．０μｍ程度が好適である。
透明基板１１としては、ガラス、プラスチックなどが用
いられる。
いられる。
透明電極１３としては、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔ
ｉｎ−Ｏｘｉｄｅ） 、酸化スズ、酸化インジウムなど
が用いられる。ＥＬ素子においては発光層に設けられた
２つの電極（透明電極１３．背面電極２３）のいずれか
一方は、透明でも不透明でもよい。
ｉｎ−Ｏｘｉｄｅ） 、酸化スズ、酸化インジウムなど
が用いられる。ＥＬ素子においては発光層に設けられた
２つの電極（透明電極１３．背面電極２３）のいずれか
一方は、透明でも不透明でもよい。
発光層１９は、ＺｎＳ：Ｐｂ、Ｃｕ、ＣＱ、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ、ＡＱ、ＺｎＳ ：Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ（Ｓ。
ｕ、ＡＱ、ＺｎＳ ：Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ（Ｓ。
Ｓｓ）：Ｃｕ、１．ＺｎＳ：Ｃｕ、ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｂａ
、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＣａＳ：Ｃｅ、 ＺｎＳ：Ｔｅ。
、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＣａＳ：Ｃｅ、 ＺｎＳ：Ｔｅ。
Ｍｎ、ＣａＳ：Ｅｕなどが用いられる。
背面電極２３はアルミニウムなどの金属材料や上記の透
明電極材料などが用いられる。
明電極材料などが用いられる。
ＥＬ素子における各層ならびに電極は、真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等の薄膜形成方法に
より形成することができる。
ッタリング、イオンブレーティング等の薄膜形成方法に
より形成することができる。
見豆匹羞來
本発明によれば、ＥＬ素子における絶縁層と背面電極と
の間に非オーム性電気伝導層を設けることにより、絶縁
破壊部の拡大を防止し、発光層と強誘電体絶縁層とを組
み合せることができ、比較的低い駆動電圧で安定な発光
が可能となり高輝度、低電圧駆動で、高信頼性のＥＬ素
子を得ることができる。
の間に非オーム性電気伝導層を設けることにより、絶縁
破壊部の拡大を防止し、発光層と強誘電体絶縁層とを組
み合せることができ、比較的低い駆動電圧で安定な発光
が可能となり高輝度、低電圧駆動で、高信頼性のＥＬ素
子を得ることができる。
実施例１
ガラス基板上に、スパッタリングによりＩＴＯ透明電極
を１０００人の薄膜で形成する。その上に、イオンブレ
ーティングにより以下の条件でＣａＴｉ０．絶縁層を２
０００人の厚さに形成した。
を１０００人の薄膜で形成する。その上に、イオンブレ
ーティングにより以下の条件でＣａＴｉ０．絶縁層を２
０００人の厚さに形成した。
原 材 料：４ＮのＣａＴｉ０：＋の焼成物基板温度＝
４００℃ 反応圧カニ ２ Ｘ １Ｏ−４Ｔｏｒｒ雰 囲 気：酸
素 ＲＦパワー＝５０Ｗ 加速電圧ニー ５ｏｏｖ この絶縁層上に、エレクトロンビーム蒸若により、基板
温度４５０℃で厚さ１μｍのＳｒＳ：Ｃｅ発光層を形成
した。
４００℃ 反応圧カニ ２ Ｘ １Ｏ−４Ｔｏｒｒ雰 囲 気：酸
素 ＲＦパワー＝５０Ｗ 加速電圧ニー ５ｏｏｖ この絶縁層上に、エレクトロンビーム蒸若により、基板
温度４５０℃で厚さ１μｍのＳｒＳ：Ｃｅ発光層を形成
した。
この発光層上に、再び上記と同様にしてＣａ Ｔ ｘ
Ｏ３絶縁層を形成した。
Ｏ３絶縁層を形成した。
さらに、この絶縁層上に、下記の条件でスパッタリング
により膜厚１μｍのＺｎＯ層（非オーム性電気伝導層）
を形成した。
により膜厚１μｍのＺｎＯ層（非オーム性電気伝導層）
を形成した。
ターゲット：ＺｎＯにＣｏ Ｏ，Ｂ ｉ、ｏ、。
Ｌａ２０．を各々０．５ｍｏ１％添
加して焼成したもの
スパッタ圧カニ１．５Ｘ１０−２Ｔｏｒｒ雰 囲
気：酸素とアルゴンの混合ガス基板温度＝３００℃ 堆積速度：１μｍ／時 ＲＦパワー：２００讐 また、これと同じ条件で別途作成したＺｎＯ薄膜（１μ
ｍ）の電流−電圧特性を第２図に示す。
気：酸素とアルゴンの混合ガス基板温度＝３００℃ 堆積速度：１μｍ／時 ＲＦパワー：２００讐 また、これと同じ条件で別途作成したＺｎＯ薄膜（１μ
ｍ）の電流−電圧特性を第２図に示す。
この膜が非オーム性電気伝導を示すことが判る。
次に、このＺｎＯ層上に、スパッタリングによりＡＱ組
電極膜厚５００人になるように形成しＥＬ素子を作成し
た。
電極膜厚５００人になるように形成しＥＬ素子を作成し
た。
このＥＬｉ子に、交流パルス電圧を５Ｋ）＋Ｚで印加し
ＥＬ特性を調べたところ、第３図に示すように駆動電圧
が９０Ｖ程度で輝度が略飽和し安定な発光をすることが
判った。また、さらに１電圧を増加していくと絶縁破壊
が発生したが、自己回復型であり、それが広がることは
なかった。
ＥＬ特性を調べたところ、第３図に示すように駆動電圧
が９０Ｖ程度で輝度が略飽和し安定な発光をすることが
判った。また、さらに１電圧を増加していくと絶縁破壊
が発生したが、自己回復型であり、それが広がることは
なかった。
実施例２
実施例１と同様にして、ガラス基板上にＩＴＯ透明電極
を形成したのち、イオンブレーティングにより以下の条
件で５ｒＴｉＯ，絶縁層を２０００人の厚さに形成した
。
を形成したのち、イオンブレーティングにより以下の条
件で５ｒＴｉＯ，絶縁層を２０００人の厚さに形成した
。
原 材 料：４Ｎの５ｒＴｉＯ，の焼成物基板温度：４
００℃ 反応圧カニ ２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ雰 囲 気：酸
素 ＲＦパワー： ５０１ｉ１ 加速電圧ニー ３００Ｖ この絶縁層上に、エレクトロンビーム蒸着により、基板
温度４００℃で厚さ１μｍのＣａＳ：Ｃｅ発光層を形成
した。
００℃ 反応圧カニ ２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ雰 囲 気：酸
素 ＲＦパワー： ５０１ｉ１ 加速電圧ニー ３００Ｖ この絶縁層上に、エレクトロンビーム蒸着により、基板
温度４００℃で厚さ１μｍのＣａＳ：Ｃｅ発光層を形成
した。
この発光層上に、再び上記と同様にしてＳ ｒ Ｔ ｘ
Ｏ３絶縁層を形成した。
Ｏ３絶縁層を形成した。
さらに、この絶縁層上に、下記の条件でスパッタリング
により膜厚１μＩのＺｎＯ層（非オーム性電気伝導層）
を形成した。
により膜厚１μＩのＺｎＯ層（非オーム性電気伝導層）
を形成した。
ターゲ７ ト：Ｚｎｏにｃｏｏ、ＭｇＯ。
Ｂ ｌ ｚ ０３ ｔ Ｐ ｒ ２０３を各々０．５ｍ
ｏ１％添加して焼成した もの スバッタ圧カニ ２ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ雰 囲
気：酸素とアルゴンの混合ガス基板温度：３５０℃ 堆積速度：１μｍ／時 ＲＦパワー：１５０Ｗ また、これと同じ条件で別途作成したＺｎＯ薄膜（１μ
ｍ）の電流−電圧特性は、第２図と同様であった。
ｏ１％添加して焼成した もの スバッタ圧カニ ２ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ雰 囲
気：酸素とアルゴンの混合ガス基板温度：３５０℃ 堆積速度：１μｍ／時 ＲＦパワー：１５０Ｗ また、これと同じ条件で別途作成したＺｎＯ薄膜（１μ
ｍ）の電流−電圧特性は、第２図と同様であった。
次に、実施例１と同様にしてＡＱ組電極形成しＥＬ素子
を作成した。
を作成した。
このＥＬ素子に、交流パルス電圧を５ ＫＨｚで印加し
ＥＬ特性を調べたところ、第４図に示すように駆動電圧
が１００ｖ程度で暉度が略飽和し安定な発光をすること
が判った。また、さらに電圧を増加していくと自己回復
型の絶縁破壊を示した。
ＥＬ特性を調べたところ、第４図に示すように駆動電圧
が１００ｖ程度で暉度が略飽和し安定な発光をすること
が判った。また、さらに電圧を増加していくと自己回復
型の絶縁破壊を示した。
実施例３
ガラス基板上に、スパッタリングによりＺｎＯ：ＡＱ透
明１１！極を１０００人の薄膜で形成する。その上に、
イオンブレーティングにより実施例２と同じ条件でＳ
ｒＴｉ○、絶縁層を２０００人の厚さに形成した。
明１１！極を１０００人の薄膜で形成する。その上に、
イオンブレーティングにより実施例２と同じ条件でＳ
ｒＴｉ○、絶縁層を２０００人の厚さに形成した。
この絶縁層上に、共蒸着法により、基板温度４５０°Ｃ
で厚さ１μｍの５ｒＳｅ：Ｃｅ発光層を形成した。
で厚さ１μｍの５ｒＳｅ：Ｃｅ発光層を形成した。
この発光層上に、再び上記と同様にして５ｒＴｉ○３絶
縁層を形成した。
縁層を形成した。
さらに、この絶縁層上に、下記の条件でスパッタリング
により膜厚１μｍのＺｎＯ層（非オーム性電気伝導層）
を形成した。
により膜厚１μｍのＺｎＯ層（非オーム性電気伝導層）
を形成した。
ターゲット：Ｚｎ○にＣｏ Ｏ＋ Ｍ ｇ Ｏ＋Ｂ ｉ
２０．．５ｂ２０３．ＭｎＯ。
２０．．５ｂ２０３．ＭｎＯ。
Ｃｒ２Ｏ，を各々（１，５ｍｏ１％添
加して焼成したもの
スパッタ圧カニ２Ｘ１０″″” Ｔｏｒｒ雰 囲
気：酸素とアルゴンの混合ガス基板温度：３５０℃ 堆積速度＝１μｍ／時 ＲＦパワー：１５０Ｗ また、こわと同じ条件で別途作成したＺｎＯ薄膜（１μ
ｍ）の電流−電圧特性は、第２図と同様であった。
気：酸素とアルゴンの混合ガス基板温度：３５０℃ 堆積速度＝１μｍ／時 ＲＦパワー：１５０Ｗ また、こわと同じ条件で別途作成したＺｎＯ薄膜（１μ
ｍ）の電流−電圧特性は、第２図と同様であった。
次に、このＺｎＯ層上に、実施例１と同様にしてＡＱ電
％を形成しＥＬ素子を作成した。
％を形成しＥＬ素子を作成した。
このＥＬ素子は、駆動電圧が１２０Ｗ程度で輝度が略飽
和し安定な発光をすることが判った。また、さらに電圧
を増加していくと自己回復型の絶縁破壊を示した。
和し安定な発光をすることが判った。また、さらに電圧
を増加していくと自己回復型の絶縁破壊を示した。
第１図はＥＬ素子の構成例を示す断面図である。
第２図は、ＺｎＯ薄膜の電流−電圧特性を示すグラフで
ある。 第３図および第４図は、実施例のＥＬ索子の電圧−輝度
特性を示すグラフである。 １１・・・透明基板 １３・・・透明電極１５・
・・第１の絶縁層 １７・・・発光層１９・・・第２
の絶縁層 ２１・・・非オーム性電気伝導層 ２３・・・背面電極 第１図 第２図 第３図 第４図 ０ ５０ ｔｏｏ １５０パルス電圧（Ｖ
ｏｐ）
ある。 第３図および第４図は、実施例のＥＬ索子の電圧−輝度
特性を示すグラフである。 １１・・・透明基板 １３・・・透明電極１５・
・・第１の絶縁層 １７・・・発光層１９・・・第２
の絶縁層 ２１・・・非オーム性電気伝導層 ２３・・・背面電極 第１図 第２図 第３図 第４図 ０ ５０ ｔｏｏ １５０パルス電圧（Ｖ
ｏｐ）
Claims (1)
- １、電界を加えたときに発光する発光層と、該発光層に
電界を印加する背面電極および透明電極を具え、少なく
とも該発光層と背面電極との間に絶縁層が設けられたエ
レクトロルミネッセンス素子において、前記絶縁層と背
面電極との間に非オーム性電気伝導を示す薄層を設けた
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18315986A JPS6338982A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18315986A JPS6338982A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338982A true JPS6338982A (ja) | 1988-02-19 |
Family
ID=16130829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18315986A Pending JPS6338982A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338982A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5269451A (en) * | 1990-09-14 | 1993-12-14 | Max Co., Ltd. | Electric stapler with unmovably fixed magazine |
| US5346114A (en) * | 1990-09-14 | 1994-09-13 | Max Co., Ltd. | Electric stapler with unmovably fixed magazine |
-
1986
- 1986-08-04 JP JP18315986A patent/JPS6338982A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5269451A (en) * | 1990-09-14 | 1993-12-14 | Max Co., Ltd. | Electric stapler with unmovably fixed magazine |
| US5346114A (en) * | 1990-09-14 | 1994-09-13 | Max Co., Ltd. | Electric stapler with unmovably fixed magazine |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6240837B2 (ja) | ||
| EP0111568A1 (en) | Thin film electric field light-emitting device | |
| KR20050111335A (ko) | Ｅｌ 기능막 및 ｅｌ 소자 | |
| JPS60124396A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPS6338982A (ja) | エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPS61250993A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPS6260800B2 (ja) | ||
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH0541284A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPS6110955B2 (ja) | ||
| JP4831939B2 (ja) | 発光体薄膜及び発光素子 | |
| JPS63994A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造法 | |
| JPS62119896A (ja) | 表示素子 | |
| JPH04363895A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS62259388A (ja) | 低電圧駆動ｅｌ素子構造 | |
| JPH0740515B2 (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPH01200593A (ja) | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 | |
| JPS6314833B2 (ja) | ||
| JPS6122597A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| JPS60172196A (ja) | エレクトロルミネセンス素子およびその製造法 | |
| JPS61269894A (ja) | 薄膜発光素子の製造法 | |
| JPS62208593A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPH01122594A (ja) | 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS62216194A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
| JPS6147097A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 |