JPS6334990A - 光パルス発生器 - Google Patents
光パルス発生器Info
- Publication number
- JPS6334990A JPS6334990A JP17754486A JP17754486A JPS6334990A JP S6334990 A JPS6334990 A JP S6334990A JP 17754486 A JP17754486 A JP 17754486A JP 17754486 A JP17754486 A JP 17754486A JP S6334990 A JPS6334990 A JP S6334990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- loss
- pulse generator
- resonator
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は大容量光通信システムに係り、特に超短パルス
光を高周波で発生させる光パルス発生器に関する。
光を高周波で発生させる光パルス発生器に関する。
レーザ光発生装置において発振縦モード間の位相関係を
固定し超短光パルス列を実現するモード同期の方法につ
いては、柳井入路編集光通信ハンドブック、朝会書店、
第54頁から第57頁記載のように良く知られており、
従来の半導体レーザを用いたモード同期利用のkE短パ
ルス光発生法は。
固定し超短光パルス列を実現するモード同期の方法につ
いては、柳井入路編集光通信ハンドブック、朝会書店、
第54頁から第57頁記載のように良く知られており、
従来の半導体レーザを用いたモード同期利用のkE短パ
ルス光発生法は。
アプライド、フィジックス レターズ 39(1981
年)第525頁から第527頁において論じられている
。
年)第525頁から第527頁において論じられている
。
上記従来技術はレーザ光発生装置の外部に別個の外部共
振器を設けているため、超短パルス光列の繰り返し周波
数は数GHzが限界であり、10GHz以上の高周波数
で動作させることは困難であった。又、レーザ光発生装
置と外部共振器の光学的相対位置によって動作特性が変
化するため。
振器を設けているため、超短パルス光列の繰り返し周波
数は数GHzが限界であり、10GHz以上の高周波数
で動作させることは困難であった。又、レーザ光発生装
置と外部共振器の光学的相対位置によって動作特性が変
化するため。
極めて精度良く位II+!!51整をする必要があり、
安定′ な動作をさせることが[11であった。
安定′ な動作をさせることが[11であった。
本発明の目的は、これら問題点を解決し、小型で安定性
に優れ、10GHz以上の高周波数での超短パルス光を
発生させる光パルス発生装置を提供することにある。
に優れ、10GHz以上の高周波数での超短パルス光を
発生させる光パルス発生装置を提供することにある。
上記目的は、半導体レーザのようなレーザ光発生装置に
1位相及び又は損失調整部を持つ光導波路構i!&一体
集積化し一基板上に作製するか、もしくはレーザ光発生
装置の内部又は外部に分岐比可変の光分岐部を設け1分
岐された光導波路部で共振器構造を形成し、共振器構造
内に光の位相及び又は損失を7A整する領域を設けるこ
とにより達成される。
1位相及び又は損失調整部を持つ光導波路構i!&一体
集積化し一基板上に作製するか、もしくはレーザ光発生
装置の内部又は外部に分岐比可変の光分岐部を設け1分
岐された光導波路部で共振器構造を形成し、共振器構造
内に光の位相及び又は損失を7A整する領域を設けるこ
とにより達成される。
同一基板上にレーザ光発生装置と一体集積化された位相
及び又は損失!!1lIl!を持つ光導波路部は光路長
及び又は損失可変の外部共振器の作用を果たす、それに
よって本光パルス発生器は位相及び損失を適当に調整す
ると、FM及びAMモード同期が各々生じ発振スペクト
ル幅のほぼ逆数で決まる超短パルス光を発生する。パル
ス列の繰り返し周波数は外部共振器を含めた共振器系に
おける光波の往復走行時間、即ち縦モード間隔によって
決定される0本発明によれば、同一基板上に集積化され
た外部共振器を構成する光導波路部の長さを11以下に
し、光波の往復走行時間を0 、1 n see以下
にすることが可容易に出来るので、パルス列の繰り返し
周波数として10GHz以上とすることが可能となる。
及び又は損失!!1lIl!を持つ光導波路部は光路長
及び又は損失可変の外部共振器の作用を果たす、それに
よって本光パルス発生器は位相及び損失を適当に調整す
ると、FM及びAMモード同期が各々生じ発振スペクト
ル幅のほぼ逆数で決まる超短パルス光を発生する。パル
ス列の繰り返し周波数は外部共振器を含めた共振器系に
おける光波の往復走行時間、即ち縦モード間隔によって
決定される0本発明によれば、同一基板上に集積化され
た外部共振器を構成する光導波路部の長さを11以下に
し、光波の往復走行時間を0 、1 n see以下
にすることが可容易に出来るので、パルス列の繰り返し
周波数として10GHz以上とすることが可能となる。
又、外部共振器構造が集積化されているので光学系の調
整も不要となり、安定に光パルス列を得ることができる
1位相及び又は損失の調整は縦モード間隔に対応する外
部信号によって変?R信号を印加し、能動モード同期を
生じさせる方法及び適当な位相及び又は損失を外部共振
器中に設定し、レーザ媒質や先導波路媒質の非線形性に
よって受動モード同期を生じさせても良い。
整も不要となり、安定に光パルス列を得ることができる
1位相及び又は損失の調整は縦モード間隔に対応する外
部信号によって変?R信号を印加し、能動モード同期を
生じさせる方法及び適当な位相及び又は損失を外部共振
器中に設定し、レーザ媒質や先導波路媒質の非線形性に
よって受動モード同期を生じさせても良い。
レーザ光発生装置と外部共振器構造を持つ光導波路部は
分岐比可変の光分岐部で結合しているので、この分岐比
を!5191することにより、光パルス列を発生させた
り、CW光発生させたり、この光パルス発生器の動作機
能を可変にすることも可能である。又1分岐比のlRa
により、モード同期の程度を調整することも可能となる
のでパルス幅を可変番こすることもできる。
分岐比可変の光分岐部で結合しているので、この分岐比
を!5191することにより、光パルス列を発生させた
り、CW光発生させたり、この光パルス発生器の動作機
能を可変にすることも可能である。又1分岐比のlRa
により、モード同期の程度を調整することも可能となる
のでパルス幅を可変番こすることもできる。
C実施例〕
以下本発明の一実施明を説明する。
実施例 1
第1図は、外部共振器を構成する光導波路を半導体レー
ザ1と同じ■−■族化合物半導体材料を用いてInP基
板14上にモノリシックに形成している。構造は光導波
路15がInGaAsPでその他はInPである。この
外部共振器に電極4.5を付は電界の印加及び又は電流
を流せるようにしである。外部共振器の反射端には反射
コーライング9が施しである。外部共振器中の位相、即
ち屈折率と損失の制御は電極4,5を通して電界を加え
たり、電流を流したりして材料の屈折率及び又は吸収損
失を変えることにより行う。
ザ1と同じ■−■族化合物半導体材料を用いてInP基
板14上にモノリシックに形成している。構造は光導波
路15がInGaAsPでその他はInPである。この
外部共振器に電極4.5を付は電界の印加及び又は電流
を流せるようにしである。外部共振器の反射端には反射
コーライング9が施しである。外部共振器中の位相、即
ち屈折率と損失の制御は電極4,5を通して電界を加え
たり、電流を流したりして材料の屈折率及び又は吸収損
失を変えることにより行う。
本発明に用いる半導体レーザ1には通常のFabryP
erot構造のものだけでなくDFBも前進のものを用
いても良い。
erot構造のものだけでなくDFBも前進のものを用
いても良い。
実施例 2
第2図はリング型外部共振器を構成する光導波路を半導
体レーザ1と同じm−■族化合物半導体材料を用いてI
nP基板27上にモノリシックに形成している。構造は
光導波路23がInGaAsPでその他はInPである
。この外部共振器に電極25を付は電界の印加及び又は
電流を流せるようにしである。光出射端には反射コーテ
ィング26が施しである。外部共振器内の位相、即ち屈
折率と損失の制御は電極25を通して電界を加えたり、
電流を流したりして材料の屈折率及び又は吸収損失を変
えることにより行なう。光分岐部は方向性結合器型光ス
イッチ22により形成され、光の分岐比は電極24を通
して電界を加えたり、電流を流したりして材料の屈折率
を変えることにより調整する。
体レーザ1と同じm−■族化合物半導体材料を用いてI
nP基板27上にモノリシックに形成している。構造は
光導波路23がInGaAsPでその他はInPである
。この外部共振器に電極25を付は電界の印加及び又は
電流を流せるようにしである。光出射端には反射コーテ
ィング26が施しである。外部共振器内の位相、即ち屈
折率と損失の制御は電極25を通して電界を加えたり、
電流を流したりして材料の屈折率及び又は吸収損失を変
えることにより行なう。光分岐部は方向性結合器型光ス
イッチ22により形成され、光の分岐比は電極24を通
して電界を加えたり、電流を流したりして材料の屈折率
を変えることにより調整する。
実施例 3
第3図に本実施例の概形を示す。本実施例では分岐部を
反射型光スイッチ8により構成し、分岐比は電極29を
通して電界を加えたり、電流を流したりして、電極下の
材料の屈折率を低下させて調整している。他の構成は実
施例1と同様である。
反射型光スイッチ8により構成し、分岐比は電極29を
通して電界を加えたり、電流を流したりして、電極下の
材料の屈折率を低下させて調整している。他の構成は実
施例1と同様である。
実施例 4
第3図に本実施例の概形を示す。本実施例では、実施例
2と異なり、リング型外部共振器構造でなく1通常のF
adry −Perot型共振器型造振器構造ている
。共振器の両端面には反射コーティング100を施しで
ある。他の構成は実施例2と同様である。本実施例では
光分岐部に方向性結合器型光スイッチを使用しているが
、実施例3と同様に反射型光スイッチを用いても良い。
2と異なり、リング型外部共振器構造でなく1通常のF
adry −Perot型共振器型造振器構造ている
。共振器の両端面には反射コーティング100を施しで
ある。他の構成は実施例2と同様である。本実施例では
光分岐部に方向性結合器型光スイッチを使用しているが
、実施例3と同様に反射型光スイッチを用いても良い。
上記実施例2〜4において反射端面は半導体試料の端面
を利用しているが、基板等に回折格子を刻み1分布帰環
型の反射を利用しても、本発明の効果がある。又、本発
明に用いる半導体レーザ1は通常のFabny Pe
rot構造のものだけでなく、DFB、DBR構造のも
のを用いても良い。
を利用しているが、基板等に回折格子を刻み1分布帰環
型の反射を利用しても、本発明の効果がある。又、本発
明に用いる半導体レーザ1は通常のFabny Pe
rot構造のものだけでなく、DFB、DBR構造のも
のを用いても良い。
本発明によれば、外部共振器の長さを縦モード間周波数
がL OG Hz以上となるように短くでき、更に、光
学系の調整も不要となるので、外部からの電気的制御信
号を外部共振器の電極に印加するだけで、10GHz以
上の繰り返し周波数を持つモード同期された超短光パル
ス列を容易にしかも安定に得ることができ、更に、パル
ス発生の○N/○FF、パルス幅の制御を光分岐部への
電気信号で簡単にmuできるという効果がある。
がL OG Hz以上となるように短くでき、更に、光
学系の調整も不要となるので、外部からの電気的制御信
号を外部共振器の電極に印加するだけで、10GHz以
上の繰り返し周波数を持つモード同期された超短光パル
ス列を容易にしかも安定に得ることができ、更に、パル
ス発生の○N/○FF、パルス幅の制御を光分岐部への
電気信号で簡単にmuできるという効果がある。
第1図は本発明実施例の断面構造図、第2〜4図は各実
施例の上面構造図である。 1・・・半導体レーザ、3・・・外部共振器屈折率、損
失制御電源、4,5・・・電極、7・・・レーザ駆動電
源、9・・・反射コーティング、13・・・外部共振器
を構成する光導波路部、15・・・InGaAsPから
なる光導波路、14・・・InP基板、22・・・方向
性結合器型光スイッチで構成した光分岐部、23・・・
光導波路、24゜25.29・・・電極、26,100
・・・反射コーティング、27・・・基板、28・・・
反射型光スイッチで構成°た光分岐部°7(
施例の上面構造図である。 1・・・半導体レーザ、3・・・外部共振器屈折率、損
失制御電源、4,5・・・電極、7・・・レーザ駆動電
源、9・・・反射コーティング、13・・・外部共振器
を構成する光導波路部、15・・・InGaAsPから
なる光導波路、14・・・InP基板、22・・・方向
性結合器型光スイッチで構成した光分岐部、23・・・
光導波路、24゜25.29・・・電極、26,100
・・・反射コーティング、27・・・基板、28・・・
反射型光スイッチで構成°た光分岐部°7(
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レーザ光発生装置の内部又は外部に少くとも1つの
位相又は損失調整部もしくは分岐比可変の光分岐部を有
し、当該レーザ光発生装置が有する縦モード間隔の周波
数で繰り返され、時間幅の短いパルス列が発生できるこ
とを特徴とする光パルス発生器。 2、上記レーザ光発生装置と位相又は損失調整部が同一
半導体基板上に設けられていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の光パルス発生器。 3、上記位相又は損失調整部の調整方法が電圧を印加し
、屈折率及び又は損失を変化させる方法又は電流を注入
し、屈折率及び又は損失を変化させる方法の少くとも一
方法であることを特徴とする請求の範囲第2項記載の光
パルス発生器。 4、上記分岐部が共振器構造を持つことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の光パルス発生器。 5、上記レーザ光発生装置、光分岐部、共振器構造を形
成する光導波路部が同一基板上に設けられていることを
特徴とする第4項記載の光パルス発生器。 6、上記共振器構造内に光の位相及び又は損失を変化さ
せる領域を持つことを特徴とする第5項記載の光パルス
発生器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61177544A JP2533496B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 光パルス発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61177544A JP2533496B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 光パルス発生器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6334990A true JPS6334990A (ja) | 1988-02-15 |
JP2533496B2 JP2533496B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16032804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61177544A Expired - Fee Related JP2533496B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 光パルス発生器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2533496B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0266985A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-07 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH02135323A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光リング共振器 |
JPH02254427A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
JPH0394237A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-19 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5771194A (en) * | 1980-08-25 | 1982-05-01 | Xerox Corp | Semiconductor injection laser |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61177544A patent/JP2533496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5771194A (en) * | 1980-08-25 | 1982-05-01 | Xerox Corp | Semiconductor injection laser |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0266985A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-07 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JPH02135323A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光リング共振器 |
JPH02254427A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
JPH0394237A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-19 | Sharp Corp | 光波長変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2533496B2 (ja) | 1996-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5586138A (en) | Multiple-cavity semiconductor laser capable of generating ultrashort light pulse train with ultrahigh repetition rate | |
EP0556974A2 (en) | Optical pulse generator | |
JPH10117044A (ja) | モード同期半導体レーザ及びその駆動方法 | |
JPH07263817A (ja) | 半導体レーザとその調整方法 | |
JPS6254991A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
KR100519922B1 (ko) | 다영역 자기모드 잠김 반도체 레이저 다이오드 | |
JP3198338B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2003031897A (ja) | 光クロックパルス列発生装置 | |
JPS63244783A (ja) | 波長変換素子 | |
US6816518B2 (en) | Wavelength tunable high repetition rate optical pulse generator | |
JP2018060974A (ja) | 半導体光集積素子 | |
JPH05283804A (ja) | 光パルス発生装置 | |
US7283573B2 (en) | Optical microwave source | |
JPS6334990A (ja) | 光パルス発生器 | |
CA1252188A (en) | Single mode injection laser structure | |
KR100526999B1 (ko) | 다영역 dfb 레이저 다이오드 | |
JPS6362917B2 (ja) | ||
JP3227701B2 (ja) | モード同期半導体レーザ | |
JPS6144483A (ja) | 光パルス発生装置 | |
JP3022437B2 (ja) | モード同期半導体レーザ | |
JPH04133487A (ja) | 光パルス生成手段を有する装置 | |
JP2004158590A (ja) | 半導体パルス光源 | |
JPH05160519A (ja) | 超短光パルス発生装置 | |
JP4284718B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP3270648B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光送信機 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |