JPS63315555A - サーミスタ磁器組成物 - Google Patents
サーミスタ磁器組成物Info
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- JPS63315555A JPS63315555A JP62151899A JP15189987A JPS63315555A JP S63315555 A JPS63315555 A JP S63315555A JP 62151899 A JP62151899 A JP 62151899A JP 15189987 A JP15189987 A JP 15189987A JP S63315555 A JPS63315555 A JP S63315555A
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｍｎ、Ｎｉｉ主成分とする酸化物系、いわゆ
るスピネル系サーミスタは一４０〜１５０°Ｃの温度検
出用、あるいは突入電流防止用素子として、液温計、ス
イッチング電源保護用等、近年多くの機器に用いられる
ようになってきているサーミスタ磁器組成物に関するも
のである。
るスピネル系サーミスタは一４０〜１５０°Ｃの温度検
出用、あるいは突入電流防止用素子として、液温計、ス
イッチング電源保護用等、近年多くの機器に用いられる
ようになってきているサーミスタ磁器組成物に関するも
のである。
従来の技術
従来、この種のＭｎ−Ｎｉ系サーミスタは、各々の元素
比率を変えることにより比抵抗及びサーミスタ定数ＣＢ
定数）を広範囲にコントロールすることができ、回路と
のマツチングをとりやすいため、広く用いられている組
成である。
比率を変えることにより比抵抗及びサーミスタ定数ＣＢ
定数）を広範囲にコントロールすることができ、回路と
のマツチングをとりやすいため、広く用いられている組
成である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このサーミスタは製造上の欠点もあり、完成工
程時の特性変動（抵抗値、Ｂ定数）が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に２ｏｏ〜３００ ’Ｃで３〜７
日程度のエージング処理を必要としていたが、これでも
充分ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、
高精度のサーミスタを製造することが困難であった。
程時の特性変動（抵抗値、Ｂ定数）が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に２ｏｏ〜３００ ’Ｃで３〜７
日程度のエージング処理を必要としていたが、これでも
充分ではなかった。また、完成品の経時変化も大きく、
高精度のサーミスタを製造することが困難であった。
この原因は明確ではないが、焼成時における元素成分の
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Ｍｎ 、
Ｎｉの酸化物固溶体を主成分とするサーミスタ磁器の
抵抗値及びＢ定数のバラツキ（変動係数）を小さくし、
また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ磁器組成
物を提供することを目的とするものである。
Ｎｉの酸化物固溶体を主成分とするサーミスタ磁器の
抵抗値及びＢ定数のバラツキ（変動係数）を小さくし、
また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ磁器組成
物を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、サーミスタ磁器
組成物を以下のようにしたものである。
組成物を以下のようにしたものである。
（１） Ｍｎ 、 Ｎｉの酸化物固溶体を主成分とし
、副成分としてＢｉ酸化物を加える。
、副成分としてＢｉ酸化物を加える。
（２）上記構成中、主成分にさらに元素成分としてＬｉ
、 Ｂ 、 Ｍｇ 、ムｌ 、 Ｓｉ 、 Ｔｉ 、
Ｖ 、 Ｏｒ 、 ＺｎＯ内の１種もしくは２種以上
を添加する。
、 Ｂ 、 Ｍｇ 、ムｌ 、 Ｓｉ 、 Ｔｉ 、
Ｖ 、 Ｏｒ 、 ＺｎＯ内の１種もしくは２種以上
を添加する。
作用
上記（１）により、抵抗値及びＢ定数のバラツキは小さ
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記（２）によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記（２）によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
まず、市販の酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化ビスマ
ス等を用い、下記の第１表に示す組成となるように所定
量配合し、ボールミルによって２０時時間式混合した。
ス等を用い、下記の第１表に示す組成となるように所定
量配合し、ボールミルによって２０時時間式混合した。
これを１５０〜２５０°Ｃで乾燥させた後、７００〜８
００″Ｃで２時間仮焼し、この仮焼物をボールミルによ
って２Ｑ時間湿式粉砕した後、乾燥させた。この仮焼粉
末に１０チ濃度のｐ、ｖ、ム（ポリビニルアルコール）
溶液ｉ１０％加えて混合し、造粒を行った。そして、こ
の造粒粉を直径１０１ｕ、厚さ１．６Ｂのディスク状に
加圧成形し、１０００〜１２００℃の温度で２時間焼成
した後、銀電極を設けた。
００″Ｃで２時間仮焼し、この仮焼物をボールミルによ
って２Ｑ時間湿式粉砕した後、乾燥させた。この仮焼粉
末に１０チ濃度のｐ、ｖ、ム（ポリビニルアルコール）
溶液ｉ１０％加えて混合し、造粒を行った。そして、こ
の造粒粉を直径１０１ｕ、厚さ１．６Ｂのディスク状に
加圧成形し、１０００〜１２００℃の温度で２時間焼成
した後、銀電極を設けた。
このようにして得られた各々のディスク状サーミスタ素
子を室温に１日放置した後、２５°Ｃ及び５ｏ″Ｃのオ
イルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のＢ定数を
算出した。その結果を下記の第２表に示した。また、こ
れらの変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミス
タ素子を１５０”Ｃ空気中に１０００時間放置し、抵抗
値変化率Ｒｔ−Ｒ。
子を室温に１日放置した後、２５°Ｃ及び５ｏ″Ｃのオ
イルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のＢ定数を
算出した。その結果を下記の第２表に示した。また、こ
れらの変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミス
タ素子を１５０”Ｃ空気中に１０００時間放置し、抵抗
値変化率Ｒｔ−Ｒ。
（Ｉ Ｒｏ １Ｘ１００％； Ｒｏ ：初期抵抗値、
Ｒｔ：を時間後の抵抗値）を求めた結果を図に示す。
Ｒｔ：を時間後の抵抗値）を求めた結果を図に示す。
本発明によるサーミスタとの比較のために、従来の組成
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、Ｂ定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、Ｂ定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
（以下余白）
く第１表〉
（＊：従来例）
く第２表〉
（＊：従来例）
ここで、主成分に添加するＬ工、 Ｍｇ 、 Ｂ 、人
１等については、特定の元素の１種もしくは２種の組合
せについてのみしか記載されていないが、本発明者らは
Ｌｉ 、 Ｂ 、 Ｍｇ 、 ｋｌ 、 Ｓｉ 、 Ｔ
ｉ 、 Ｖ 。
１等については、特定の元素の１種もしくは２種の組合
せについてのみしか記載されていないが、本発明者らは
Ｌｉ 、 Ｂ 、 Ｍｇ 、 ｋｌ 、 Ｓｉ 、 Ｔ
ｉ 、 Ｖ 。
Ｏｒ 、 Ｚｎ元素の内の１種もしくは２種以上を所定
量添加することにより、上記の第２表に示す特性と同様
な効果が得られることを確認した。
量添加することにより、上記の第２表に示す特性と同様
な効果が得られることを確認した。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明によるサーミス
タは抵抗値、Ｂ定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
タは抵抗値、Ｂ定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
なお、本発明において、Ｂ１酸化物が０．１ｍｏｌ％未
満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見ら
れず、また１ ０ ｍ０１％を超えた場合には、逆に変
動係数が大きくなるために本発明の請求範囲外とした。
満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見ら
れず、また１ ０ ｍ０１％を超えた場合には、逆に変
動係数が大きくなるために本発明の請求範囲外とした。
さらに、特許請求の範囲の第２項に示したＬｉ 、 Ｍ
ｇ等の添加元素量において、０．１原子チ未満ではＢ１
酸化物と同様に効果が見られず、一方１ｏ原子％を超え
た場合には電気特性の変動係数が犬きくなったため、本
発明の請求範囲外とした。
ｇ等の添加元素量において、０．１原子チ未満ではＢ１
酸化物と同様に効果が見られず、一方１ｏ原子％を超え
た場合には電気特性の変動係数が犬きくなったため、本
発明の請求範囲外とした。
図は本発明の一実施例によるサーミスタ素子及び従来の
サーミスタ素子の１５０″Ｃ・空気中放置における抵抗
値経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
１５一本発明 １６〜２０−従来例 一放置叶間ｆｈｓＪ
サーミスタ素子の１５０″Ｃ・空気中放置における抵抗
値経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
１５一本発明 １６〜２０−従来例 一放置叶間ｆｈｓＪ
Claims (2)
- （１）金属元素としてＭｎ、Ｎｉを主成分とし、副成分
としてＢｉ元素を０．１〜１０ｍｏｌ％加えたことを特
徴とするサーミスタ磁器組成物。 - （２）金属元素としてＭｎ、Ｎｉを主体とし、これにＬ
ｉ、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｎ元素
の内の１種もしくは２種以上を０．１〜１０原子％含有
し、かつこれら主成分に対して副成分としてＢｉ元素を
０．１〜１０ｍｏｌ％加えたことを特徴とするサーミス
タ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151899A JPS63315555A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151899A JPS63315555A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63315555A true JPS63315555A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151899A Pending JPS63315555A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63315555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| US8354891B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit element |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151899A patent/JPS63315555A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| JP2008177611A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装型負特性サーミスタ |
| KR100894967B1 (ko) * | 2005-02-08 | 2009-04-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면 실장형 부특성 서미스터 |
| US7548149B2 (en) | 2005-02-08 | 2009-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
| US7948354B2 (en) | 2005-02-08 | 2011-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
| US8354891B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit element |
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